TW202328807A

TW202328807A - 微影裝置之表膜護膜

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Publication number: TW202328807A
Application number: TW111139962A
Authority: TW
Inventors: 諾揚茵西唐梅茲; 登沃爾德泰斯沃特爾凡; 喬漢雷尼克; 德古爾蒂姆威廉喬翰范; 亞歷山大路德維希克萊茵; 薩摩席維斯特赫威林; 保羅亞歷山卓維莫倫; 艾利那斯喬漢斯瑪麗亞吉斯波爾思; 喬漢亨德力克克魯特偉傑; 蘭伯特斯伊德里斯約翰內斯凱薩琳娜伯格斯
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2021-10-22
Filing date: 2022-10-21
Publication date: 2023-07-16
Also published as: CN118202303A; KR20240090210A; IL312111A; EP4419966A1; WO2023066685A1; CA3235933A1; JP2024536499A

Abstract

本發明提供一種表膜護膜，其包含呈一矽基基質之一金屬矽化物晶體群，其中該表膜護膜具有0.3或更高之一發射率。本發明亦提供一種製造一表膜護膜的方法、一種表膜總成、一種包含該種表膜護膜或表膜總成之微影裝置。亦描述該種表膜護膜、表膜總成或微影裝置在一微影裝置或方法中之用途。

Description

微影裝置之表膜護膜

本發明係關於用於微影裝置之表膜護膜、用於微影裝置之總成、製造表膜護膜的方法及表膜護膜在微影裝置或方法中之用途。

微影裝置為經建構以將所需圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。舉例而言，微影裝置可將圖案自圖案化設備(例如，遮罩)投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。

由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上的特徵的最小大小。相比於習知微影裝置(其可(例如)使用具有193 nm之波長的電磁輻射)，使用為具有4 nm至20 nm之範圍內之波長的電磁輻射之EUV輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。

微影裝置包括圖案化設備(例如，遮罩或倍縮光罩)。提供輻射通過圖案化設備或自圖案化設備反射以在基板上形成影像。可提供護膜總成(亦稱為表膜)來保護圖案化設備免受空浮粒子及其他形式之污染的影響。圖案化設備之表面上之污染可引起基板上的製造缺陷。

亦可提供表膜以用於保護除圖案化設備之外的光學組件。表膜亦可用以在彼此密封之微影裝置之區之間提供用於微影輻射之通路。表膜亦可用作濾光器(諸如光譜純度濾光器)或用作微影裝置之動態氣鎖的部分。

遮罩總成可包括保護圖案化設備(例如遮罩)免受粒子污染之表膜。表膜可由表膜框架支撐，從而形成表膜總成。可例如藉由將表膜邊界區膠合或以其他方式附接至框架來將表膜附接至框架。框架可永久地或以可移除方式附接至圖案化設備。

由於表膜存在於EUV輻射光束之光學路徑中，因此需要表膜具有高EUV透射率。高EUV透射率允許經由表膜之更大比例之入射輻射。另外，減少由表膜所吸收之EUV輻射量可降低表膜之操作溫度。由於透射率至少部分地取決於表膜之厚度，因此需要提供在保持足以耐受微影裝置內之有時不利的環境之可靠強度的同時儘可能薄的表膜。

因此，需要提供一種能夠耐受微影裝置，特定言之EUV微影裝置之惡劣環境的表膜。尤其需要提供能夠耐受比先前更高功率之表膜。

儘管本申請案通常在微影裝置，特別是EUV微影裝置之上下文中提及表膜，但本發明不僅僅限於表膜及微影裝置，且應瞭解，本發明之主題可用於任何其他合適之裝置或情形中。

舉例而言，本發明之方法可同樣應用於光譜純度濾光器。一些EUV源(諸如使用電漿產生EUV輻射之彼等EUV源)不僅發射所需(帶內)EUV輻射，而且亦發射非所需(帶外)輻射。此帶外輻射最顯著地在深UV (DUV)輻射範圍(100 nm至400 nm)內。另外，在一些EUV源(例如雷射產生電漿EUV源)之情況下，來自雷射之通常在10.6微米下之輻射呈現顯著的帶外輻射。

在微影裝置中，出於若干原因而需要光譜純度。一種原因為抗蝕劑對輻射之帶外波長敏感，且因此施加至抗蝕劑之圖案的影像品質可在抗蝕劑曝露於此帶外輻射之情況下劣化。另外，帶外輻射紅外線輻射，例如一些雷射產生電漿源中之10.6微米輻射，引起對微影裝置內之圖案化設備、基板及光學件之非想要及不必要加熱。此類加熱可能引起此等元件損壞、其壽命降低及/或投影至抗蝕劑塗佈基板上及施加至抗蝕劑塗佈基板之圖案中的缺陷或失真。

典型的光譜純度濾光器可例如由塗佈有諸如鉬之反射金屬的矽基礎結構(例如矽柵格，或具備孔之其他部件)形成。在使用中，典型的光譜純度濾光器可經受來自例如入射紅外及EUV輻射之高熱負載。熱負載可能使得光譜純度濾光器之溫度高於800℃。在高熱負載下，塗層可由於反射鉬塗層與底層矽支撐結構之間的線性膨脹係數的差而分層。矽基礎結構之分層及降級因氫氣之存在而加速，氫氣常常在使用光譜純度濾光器以便抑制碎屑(例如諸如粒子或其類似者之碎屑)進入或離開微影裝置之某些零件的環境中用作氣體。因此，光譜純度濾光器可用作表膜，且反之亦然。因此，本申請案中對「表膜」之參考亦指對「光譜純度濾光器」之參考。儘管在本申請案中主要參考表膜，但所有特徵可同樣應用於光譜純度濾光器。

本發明已試圖經計劃以解決上文所識別之問題中的至少一些。

根據本發明之第一態樣，提供一種表膜護膜，其包含一呈矽基基質之一金屬矽化物晶體群，其中該表膜護膜具有0.3或更高之一發射率。該矽基基質可包括矽晶體。

表膜護膜之發射率與其在微影裝置內操作的溫度有關。需要在低溫下操作表膜護膜，且因此需要較高發射率。替代地或另外，較高發射率亦允許微影裝置在較高源功率下操作，此係因為即使源功率由於表膜護膜之發射率的提高而提高，表膜護膜將仍能夠在合適之溫度下操作。

發射率可為0.33或更高、0.35或更高、0.37或更高或0.4或更高。

表膜護膜可具有90%或更高、91%或更高、92%或更高、93%或更高、94%或更高或95%或更高的透射率。由於表膜護膜不包括或僅包括低含量的吸收EUV輻射之原子，因此表膜護膜之透射率可為高的。由於表膜護膜之發射率，護膜之操作溫度因此可為低，及/或表膜可在較高源功率下使用。通常，透射率之提高引起發射率之降低，且反之亦然。本發明提供良好透射率與良好發射率。

表膜護膜可包括至多約5原子%之量的氮。氮可以至多約4原子%、至多約3原子%、至多約2原子%或至多約1原子%之量存在。

已發現甚至低濃度之氮(諸如低於或等於5原子%)亦能引起較低電阻率(較高發射率)。進而，此引起在相同源功率下在微影裝置內之較低操作溫度，或允許使用較高源功率。

金屬矽化物晶體及/或矽晶體可具有30 nm或更小的直徑。

晶體之直徑可經由掃描電子顯微鏡成像來判定。直徑可量測為個別晶體之最大尺寸。金屬矽化物晶體可具有28 nm或更小或25 nm或更小的直徑。較佳地，大於90%、大於95%、大於98%或大於99%之金屬矽化物晶體及/或矽晶體具有30 nm或更小、28 nm或更小或25 nm或更小的直徑。

相比於包含矽化鉬氮化物之表膜護膜，包含呈矽基基質之金屬矽化物晶體的表膜護膜通常具有較低的發射率。儘管相比於包含矽化鉬氮化物之表膜護膜，包含呈矽基基質之金屬矽化物晶體的表膜護膜通常具有較高透射率，但此較高透射率並不補償關於操作溫度之降低的發射率。由此，在相同源功率下，包含呈矽基基質之金屬矽化物晶體的表膜護膜具有較高操作溫度。此係不利的，因為較高溫度與較快化學反應先關聯，且因此會較快降級。咸信此係由於分離更高發射金屬矽化物晶體的低發射矽晶體或非晶矽。另外，相比於矽化鉬氮化物複合物表膜，其中矽化鉬氮化物複合物中之矽化鉬晶體之間的距離小於10 nm，在包含矽基質中之金屬矽化物晶體的表膜護膜中，矽化鉬晶體之間的距離較大，且另外金屬矽化物晶體自身較大。由此，已發現減小晶體大小提供改良之發射率，而不需要改變表膜護膜之化學組成物。由此，本發明提供一種具有改良之發射率而未必改變表膜護膜之化學組成物的表膜護膜。此係藉由以如下方式來影響表膜護膜之晶體結構來達成：將較小且更為互混之晶粒形成於最終表膜中(此又提供改良之發射率)。

金屬矽化物晶體及/或矽晶體可實質上垂直於表膜護膜之表面而對準。

護膜內之晶體大小對於發射率係重要的。因此，可採用護膜之維數來製得較小晶體。表膜護膜係薄的，諸如40 nm或更小、30 nm或更小、20 nm或更小、15 nm或更小或12 nm或更小。由此，藉由垂直於表面提供晶體，有可能限制晶體大小且提供多個平行晶體「柱」。此用以改良護膜之發射率。

金屬矽化物晶體及/或矽晶體群中之至少一些可橫跨護膜之厚度。由此，晶體之長度可與表膜護膜之厚度相同。

表膜護膜可為多層護膜。多層護膜為其中存在具有不同化學或物理特性之堆疊層的膜。表膜護膜可包括一層，其包含視情況包含安置於包含矽鉬合金之一或多個層之間的矽晶體的呈矽基基質之金屬矽化物晶體群。

金屬矽化物晶體可為矽化鉬晶體。矽化鉬適合在微影裝置中使用，且具有高發射率，以引起給定源功率下的較低操作溫度及/或耐受較高源功率之能力。

矽基質可包含p-Si或SiN。如較佳地理解，p-Si用於微影裝置之表膜護膜中，且對於EUV輻射具有高發射率。

矽基基質可經摻雜。矽基基質具有低發射率，且因此可經摻雜以便提高其發射率。矽基基質可摻雜有硼、磷及釔中之一或多者。金屬矽化物(較佳地為矽化鉬晶體)藉由非導電矽晶體彼此分離，該等非導電矽晶體整體上限製表膜護膜之發射率。摻雜提高矽晶體之電導率，且因此提高發射率。另外，已發現包含矽基基質而非氮化矽基質之表膜護膜具有較低強度。在不希望受科學理論束縛之情況下，對此的一個原因係由於氮化矽基質對於HF蝕刻之較強抗性。摻雜提高護膜之抗蝕刻性，籍此限制藉由無意之過度蝕刻對護膜的強度的消極影響。

硼、磷及/或釔摻雜物可以約10 ¹⁵cm ^- ³至10 ²¹cm ^- ³之濃度存在。純p-Si護膜可藉由用約10 ²¹cm ^- ³之濃度的硼摻雜矽來將強度自2.7 GPa增加至3.7 GPa。由此，摻雜本發明之表膜護膜允許機械強度的提高。類似地，硼摻雜將純p-Si之發射率自自0.02提高至0.06，因此提高護膜的總發射率。

表膜護膜可包括約10原子%至約30原子%之鉬，視情況約15原子%的鉬至約25原子%的鉬，視情況約20原子%之鉬。

表膜護膜可包括約90原子%至約70原子%之矽，視情況約90原子%至約65原子%，視情況約85原子%至約70原子%的矽，視情況約75原子%的矽。

由此，表膜護膜可包含約10原子%至約30原子%之鉬，約90原子%至約65原子%之矽及約0至5原子%的氮。將瞭解，可能存在少量的非功能性雜質。另外，可提供本文所提及之濃度的摻雜物。

護膜之厚度可為約10 nm至約100 nm。護膜之厚度可為約12 nm、約15 nm、約20 nm、約25 nm、約30、約40 nm、約50 nm、約60 nm、約70 nm、約80 nm或約90 nm。

根據本發明之第二態樣，提供一種製造表膜護膜的方法。該方法可包括選自以下各者中之至少一個步驟：a)藉由自在一退火溫度下操作之一退火爐移除一護膜，且將該護膜曝露至環境溫度以便快速冷卻該護膜來淬火該護膜；b)將該護膜退火小於一小時的時間段；c)在沈積該護膜期間用離子轟擊該護膜；d)在退火之前於該護膜上提供一覆蓋層；e)在約500℃或更高之一溫度下將一護膜置於約100℃或更低之一溫度下的一表面上，以便誘發結晶；或f)將一非晶形護膜之一側加熱至恰好高於玻璃轉變溫度，以便自該非晶形護膜之對側誘發結晶。

護膜可包含呈矽基質之一金屬矽化物晶體群，該矽基質視情況包含矽晶體。護膜可為根據本發明之第一態樣的護膜。由此，該方法可包括提供包含呈矽基質的金屬矽化物晶體群的護膜，該矽基質視情況包含矽晶體。替代地，該方法可包括提供包含呈非晶矽基質之非晶形金屬矽化物區的護膜。應瞭解，本發明之第二態樣之上下文中對護膜的參考亦包括對至少部分地為非晶形且轉換成適合在微影裝置中使用的結晶或半結晶護膜的護膜之參考。本發明之第二態樣之上下文中的護膜可因此為最終表膜護膜的祖代護膜。本發明之第二態樣中提及之護膜藉由本文中所描述的方法轉換成最終的表膜護膜。一旦已根據本發明之第二態樣之方法處理該護膜，則該護膜適合在微影裝置中使用。由於護膜之化學組成物在根據本發明之第二態樣的方法處理期間係不改變的或實際上不改變，故該護膜之組成物可為針對本發明之第一態樣描述的任何組成物。

本發明之第二態樣的方法提供具有0.3或更高所需發射率的表膜護膜。此可以數種方式達成。

先前，在約900℃之溫度下進行退火8小時，其後，關閉熔爐，將晶圓保持在熔爐中達1.5至2小時。此長退火程序意欲防止操作期間表膜護膜之任何改變，且防止引起護膜內大晶粒的形成。已發現藉由自熔爐移除護膜且允許其達到室溫來將其快速冷卻允許護膜保留900℃下呈現之微結構，且避免晶體之大小生長。此情況又引起護膜之較佳發射率而無需改變化學組成物。

亦已發現，快速加熱護膜，特定言之在30秒或更小、25秒或更小、20秒或更小、15秒或更小、10秒或更小、5秒或更短時間內，將其加熱至退火溫度(例如約900℃)，且退火1分鐘至10分鐘的時間段，且接著允許護膜冷卻亦防止晶粒廣泛生長。

在諸如藉由高能離子(例如Kr或Ar之高能離子)之沈積期間，轟擊其中形成表膜護膜的基板可改變成核機制及護膜之最終微結構。此亦允許控制晶體生長之方向性。

在退火之前在護膜上提供覆蓋層亦可影響護膜之微結構。舉例而言，在退火之前用TEOS層覆蓋護膜為晶粒開始生長提供更多非均勻成核。

亦可藉由控制其中之晶體的定向生長來控制微結構。藉由將加熱之護膜置放於較冷表面上，可誘發結晶。類似地，在一段時間內將非晶形樣本加熱至恰好高於玻璃轉變溫度，諸如高於玻璃轉變溫度約5℃、約10℃、約15℃或約20℃，可自較冷底部表面引發結晶。

除在此等方法彼此不相容或彼此排除之情況之外，此等方法中之各者可適當地組合以提供具有所需微結構的表膜護膜，該微結構提供具有0.3或更高之所需發射率的護膜。

退火可進行約30分鐘或更小，約20分鐘或更小、約15分鐘或更小、約10分鐘或更小、或約5分鐘或更小的時間。

退火可在約600℃至約900℃、視情況約600℃至約800℃、視情況約650℃至約700℃的退火溫度下進行。退火在約750℃或更低、視情況約700℃或更低、視情況約650℃或更低、或約600℃或更低的溫度下進行。

退火可進行至多10小時、至多9小時、至多8小時、或約1小時至約8小時的時間段。

該方法可包括摻雜表膜護膜之步驟，視情況，其中該摻雜物為硼、磷及釔中之一或多者。摻雜物可以約10 ¹⁵cm ^- ³至10 ²¹cm ^- ³之濃度存在。

根據本發明之第三態樣，提供一種表膜總成，其包含根據本發明之第一態樣或根據本發明之第二態樣之方法製造的表膜護膜。

根據本發明之第四態樣，提供一種微影裝置，其包含根據本發明之第一態樣的表膜護膜或根據本發明之第三態樣的表膜總成。

根據本發明之第五態樣，提供根據本發明之第一至第四態樣中之任一者的表膜護膜、表膜總成、微影裝置或方法在微影裝置或方法中之用途。

將瞭解，針對一個實施例描述之特徵可與針對另一實施例描述的任何特徵相組合，且本文中明確地考慮並揭示所有此類組合。

圖1展示根據本發明之包括表膜15 (亦稱為護膜總成)之微影系統。該微影系統包含輻射源SO及微影裝置LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化設備MA (例如遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化設備MA上之前調節輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現由遮罩MA而圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影裝置將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。在此實施例中，表膜15描繪於輻射之路徑中且保護圖案化設備MA。應瞭解，表膜15可位於任何所需位置中且可用以保護微影裝置中之鏡面中的任一者。

輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構且經配置，以使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。

圖1中所展示之輻射源SO為可稱為雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如為CO ₂雷射之雷射經配置以經由雷射光束將能量沈積至自燃料發射器提供之諸如錫(Sn)的燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區之軌跡而導向例如呈小滴之形式的錫。雷射光束在電漿形成區處入射在錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區處產生電漿。在電漿之離子的去激發及再結合期間自電漿發射包括EUV輻射之輻射。

EUV輻射係由近正入射輻射收集器(有時通常稱為正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器可具有經配置以反射EUV輻射(例如具有諸如13.5 nm之所需波長的EUV輻射)的多層結構。收集器可具有橢圓形組態，該橢圓形組態具有兩個橢圓焦點。第一焦點可在電漿形成區處，且第二焦點可處於中間焦點處，如下文所論述。

雷射可與輻射源SO分離。在此情況下，雷射光束可藉助於包含例如合適之導向鏡及/或擴束器及/或其他光學件之光束遞送系統(未展示)而自雷射傳遞至輻射源SO。雷射及輻射源SO可一起視為輻射系統。

由收集器反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於一點處以形成電漿形成區之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦之點可稱為中間焦點。輻射源SO經配置以使得中間焦點位於輻射源之圍封結構中的開口處或附近。

輻射光束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面設備10及琢面化光瞳鏡面設備11。琢面化場鏡面設備10及琢面化光瞳鏡面設備11共同提供具有所需橫截面形狀及所需角度分佈之輻射光束B。輻射光束B自照射系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化設備MA上。圖案化設備MA反射且圖案化輻射光束B。除琢面化場鏡面設備10及琢面化光瞳鏡面設備11以外或代替琢面化場鏡面設備10及琢面化光瞳鏡面設備11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或設備。

在自圖案化設備MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面13、14，該複數個鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化設備MA上之對應特徵之影像。舉例而言，可應用為4之縮減因數。雖然在圖1中投影系統PS具有兩個鏡面13、14，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。

圖1所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線(IR)輻射。

在實施例中，護膜總成15為用於EUV微影之圖案化設備MA的表膜。本發明之護膜總成15可用於動態氣鎖或用於表膜或用於另一目的。在一實施例中，護膜總成15包含由具有0.3或更高之發射率的至少一個護膜層形成的護膜。為確保最大化EUV透射且最小化對成像效能之影響，較佳地僅在邊界處支撐護膜。

若圖案化設備MA未受保護，則污染可能需要待清潔或待捨棄之圖案化設備MA。清潔圖案化設備MA會中斷寶貴的製造時間，且捨棄圖案化設備MA成本很高。替換圖案化設備MA亦會中斷寶貴的製造時間。

圖2描繪根據本發明之第一態樣之斷裂表膜護膜的掃描電子顯微鏡(SEM)影像。可看到矽晶體及二矽化鉬晶體。根據本發明，藉由控制表膜護膜之微結構，有可能獲得具有良好發射率及高EUV透射率之表膜護膜。舉例而言，發射率可為0.3或更高。透射率可為90%或更高，或92%或更高。當在EUV微影裝置中使用時，需要高發射率及高EUV透射率之組合。

圖3包括已在不同溫度下退火且具有不同厚度之不同表膜護膜之SEM影像的陣列。晶體大小隨退火溫度而增大。由此，當需要較小晶體時，可採用較低退火溫度。保持所有其他條件恆定且僅變更厚度及退火之持續時間。

圖4比較根據本發明之三個護膜(所謂MoSiSi，因為其包含呈矽基質之矽化鉬)相對於矽化鉬氮化物複合物表膜護膜的EUV透射率與操作溫度，該矽化鉬氮化物複合物表膜護膜甚至具有比包括氮(至多約5原子%)之本發明之護膜更多量的氮(至多約20原子%)。可看到，本發明之護膜具有較高EUV透射率且仍在類似溫度下操作。參考17.5%、20%及22.5%係指各種樣本中之鉬的原子百分比。

由此，相比於其他表膜護膜，本發明提供具有類似或較佳透射率之表膜護膜，但其具有至少0.3的發射率，此允許其在光微影裝置(特定言之EUV裝置)內操作。本文所描述之方法提供可形成此護膜的多種方式。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。

上文描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範圍的情況下對所描述之本發明進行修改。 1. 一種表膜護膜，其包含呈一矽基基質之一金屬矽化物晶體群，其中該表膜護膜具有0.3或更高之一發射率。 2. 如條項1之表膜護膜，其中該表膜護膜具有90%或更高、91%或更高、92%或更高、93%或更高、94%或更高或95%或更高之一透射率。 3. 如條項1或條項2之表膜護膜，其中該表膜護膜包括至多約5原子%之一量的氮。 4. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該等金屬矽化物晶體具有30 nm或更小之一直徑，及/或該矽基基質包括具有30 nm或更小之一直徑的矽晶體。 5. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該等金屬矽化物晶體實質上垂直於該表膜護膜之一表面而對準，及/或該矽基基質包括實質上垂直於該表膜護膜之一表面而對準的矽晶體。 6. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該金屬矽化物晶體群中之至少一些金屬矽化物晶體橫跨該護膜的厚度，及/或該矽基基質包括橫跨該護膜之厚度的矽晶體。 7. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該表膜護膜為一多層護膜。 8. 如條項7之表膜護膜，其中該表膜護膜包括一層，其包含在包含一矽鉬合金之一或多個層之間的呈矽基基質之該金屬矽化物晶體群。 9. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該等金屬矽化物晶體為矽化鉬晶體。 10. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該矽基基質包括p-Si、聚Si或SiN，及/或其中該矽基基質包括矽晶體。 11. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該矽基基質係摻雜的，視情況，其中該矽基基質摻雜有硼、磷及釔中之一或多者。 12. 如條項11之表膜護膜，其中硼、磷及釔中之該一或多者以約10 ¹⁵cm ^- ³至10 ²¹cm ^- ³之一濃度存在。 13. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該表膜護膜包括約10原子%至約30原子%之鉬，視情況約15原子%的鉬至約25原子%的鉬，視情況約20原子%之鉬。 14. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該表膜護膜包括約90原子%至約65原子%之矽，視情況約90原子%至約65原子%，視情況約85原子%至約70原子%的矽，視情況約75原子%的矽。 15. 如任一前述條項之表膜護膜，其中該表膜護膜具有約10 nm至約100 nm之厚度。 16. 一種製造一表膜護膜之方法，該方法包括選自以下各者中之至少一個步驟： a)藉由自在一退火溫度下操作之一退火爐移除一護膜，且將該護膜曝露至環境溫度以便快速冷卻該護膜來淬火該護膜； b)在30秒或更短時間內將該護膜加熱至退火溫度； c)在沈積該護膜期間用離子轟擊該護膜； d)在退火之前於該護膜上提供一覆蓋層； e)在約500℃或更高之一溫度下將一護膜置於約100℃或更低之一溫度下的一表面上，以便誘發結晶；或 f)將一非晶形護膜之一側加熱至恰好高於玻璃轉變溫度，以便自該非晶形護膜之對側誘發結晶。 17. 如條項16之方法，其中退火可進行約30分鐘或更小，約20分鐘或更小、約15分鐘或更小、約10分鐘或更小、或約5分鐘或更小的時間。 18. 如條項16或條項17之方法，其中退火可在約600℃至約900℃、視情況約600℃至約800℃、視情況約650℃至約700℃的退火溫度下進行。 19. 如條項16或條項17之方法，其中退火在約750℃或更低、視情況約700℃或更低、視情況約650℃或更低、或約600℃或更低的溫度下進行。 20. 如條項16 a)、c)、至f)、或18或19之方法，其中退火可進行至多10小時、至多9小時、至多8小時、或約1小時至約8小時的時間段。 21. 如條項16至20中任一項之方法，其中該方法包括摻雜該表膜護膜，視情況，其中該摻雜物為硼、磷及釔中之一或多者。 22. 如條項21之方法，其中該摻雜物以約10 ¹⁵cm ^- ³至10 ²¹cm ^- ³之一濃度存在。 23. 一種表膜總成，其包含如條項1至15中任一項或如條項16至22中任一項之方法製造之一表膜護膜。 24. 一種微影裝置，其包含如條項1至條項15中任一項之一表膜護膜或如條項23之一表膜總成。 25. 一種如任一前述條項之一表膜護膜、表膜總成、微影裝置或方法在一微影裝置或方法中之用途。

10:琢面化場鏡面設備 11:琢面化光瞳鏡面設備 13:鏡面 14:鏡面 15:表膜 B:輻射光束 IL:照明系統 LA:微影裝置 MA:圖案化設備 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台

現將僅藉助於實例參考隨附示意性圖式描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部件，且在該等圖式中：

圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；

圖2為根據本發明之第一態樣之斷裂護膜的SEM影像，其展示矽與二矽化鉬晶體之間的相分離；

圖3為展示不同厚度且在不同退火溫度下製備之護膜之微結構的SEM影像的陣列；且

圖4為比較操作溫度與600w下操作之EUV透射率的圖式。

根據下文在結合圖式所闡述之實施方式時，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相同參考數字通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。

10:琢面化場鏡面設備

11:琢面化光瞳鏡面設備

13:鏡面

14:鏡面

15:表膜

B:輻射光束

IL:照明系統

LA:微影裝置

MA:圖案化設備

MT:支撐結構

PS:投影系統

SO:輻射源

W:基板

WT:基板台

Claims

一種表膜護膜，其包含呈一矽基基質之一金屬矽化物晶體群，其中該表膜護膜具有0.3或更高之一發射率。
如請求項1之表膜護膜，其中該表膜護膜具有90%或更高、91%或更高、92%或更高、93%或更高、94%或更高或95%或更高之一透射率。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該表膜護膜包括至多約5原子%之一量的氮。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該等金屬矽化物晶體具有30 nm或更小之一直徑，及/或該矽基基質包括具有30 nm或更小之一直徑的矽晶體。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該等金屬矽化物晶體實質上垂直於該表膜護膜之一表面而對準，及/或該矽基基質包括實質上垂直於該表膜護膜之一表面而對準的矽晶體。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該金屬矽化物晶體群中之至少一些金屬矽化物晶體橫跨該護膜的厚度，及/或該矽基基質包括橫跨該護膜之厚度的矽晶體。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該表膜護膜為一多層護膜。
如請求項7之表膜護膜，其中該表膜護膜包括一層，其包含在包含一矽鉬合金之一或多個層之間的呈矽基基質之該金屬矽化物晶體群。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該等金屬矽化物晶體為矽化鉬晶體。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該矽基基質包括p-Si、聚Si或SiN，及/或其中該矽基基質包括矽晶體。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該矽基基質係摻雜的，視情況，其中該矽基基質摻雜有硼、磷及釔中之一或多者。
如請求項11之表膜護膜，其中硼、磷及釔中之該一或多者以約10 ¹⁵cm ^- ³至10 ²¹cm ^- ³之一濃度存在。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該表膜護膜包括約10原子%至約30原子%之鉬，視情況約15原子%的鉬至約25原子%的鉬，視情況約20原子%之鉬。
如請求項1或請求項2之表膜護膜，其中該表膜護膜包括約90原子%至約65原子%之矽，視情況約90原子%至約65原子%，視情況約85原子%至約70原子%的矽，視情況約75原子%的矽。
一種製造一表膜護膜之方法，該方法包括選自以下各者中之至少一個步驟： a)藉由自在一退火溫度下操作之一退火爐移除一護膜，且將該護膜曝露至環境溫度以便快速冷卻該護膜來淬火該護膜； b)在30秒或更短時間內將該護膜加熱至退火溫度； c)在沈積該護膜期間用離子轟擊該護膜； d)在退火之前於該護膜上提供一覆蓋層； e)在約500℃或更高之一溫度下將一護膜置於約100℃或更低之一溫度下的一表面上，以便誘發結晶；或 f)將一非晶形護膜之一側加熱至恰好高於玻璃轉變溫度，以便自該非晶形護膜之對側誘發結晶。