JP2815153B2 - スタンパ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は文書ファイル、データファイル用の高密度メ
モリとして用いられている記録、再生または消去可能の
光ディスク基板成形用のスタンパに関するものである。

〔従来の技術〕

従来はガラス板上にレジストパターンを形成後にNi膜
などをスパッタにより形成し、Ni電鋳によりスタンパを
形成していた。

しかし、これではスタンパの表面がNiのために成形時
の型耐久がきわめて短い。

〔発明が解決しようとする課題〕

型耐久性を向上させる方法として、TiN等の窒化物層
をスタンパの表面に設ける方法がある。すなわち第２図
に示すように、ガラス板１にレジストパターンを設けた
後（第２図ａ）TiN層３、Ni導電膜層５を順にスパッタ
によって設け（第２図ｂ）、続いてNi電鋳層を設け（第
２図ｃ）、スタンパを得る（第２図ｄ）という方法であ
る。

しかし、この方法ではTiN層とNi層との密着力に問題
があり、剥離が生じ耐久性に難がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明にかかるスタンパは、電鋳法によって形成され
てなる金属層、該金属層を構成する金属と同一の金属か
らなる導電金属層、及び該導電金属層を構成する金属と
は異なる金属の窒化物、炭化物または酸化物からなる表
面層とを備えたスタンパであって、該誘電金属層と該表
面層との間に、該導電金属層及び該表面層を各々構成す
る材料の混合組成を持つ中間層を有することを特徴とす
る。

本発明を第１図に基き説明する。従来からの方法によ
り、ガラス基板１にレジストを塗布し、露光、エッチン
グを行い、レジストパターン層２を設ける（第１図
ａ）。

次に、パターンを形成した原盤上に、Tiターゲットを
用いArとN₂の混合ガス中でスパッタによりTiN膜層３を
約1000Å程度形成する。その後同じチャンバー内でTiタ
ーゲットとNiターゲットを用いArガスとN₂ガスの混合ガ
ス中でスパッタしTiNとNiの混合物層４を形成する。そ
の後従来と同様に、Niターゲットを用いArガス中でスパ
ッタしNiの誘電膜層５を1000Å程度形成する（第１図
ｂ）。混合物層４は成膜条件によって、最適膜厚が異な
るが約50Å〜500Å程度で良好な結果が得られる。その
後の工程は従来と同様な工程で行なえる。

本発明では型の耐久性を向上させるためにTiN層を表
面に形成した場合であるが、TiN以外にもクロム、銀、
金や他の窒化物、炭化物、酸化物などにも本発明を適用
することができる。

〔発明の効果〕

本発明により以下の効果が得られる。

スタンパの表面層とNi層との密着力が向上し金属層の
剥離が発生せず、型耐久が向上した。

混合物を形成する事により表面層との密着力が得られ
るため、表面層の選定が密着性の有無にこだわる事なく
選定できる。

TiNスパッタ、混合物のスパッタ、Niスパッタ共に同
一の装置内で行なえるため工程上でもデメリットは発生
しない。

【図面の簡単な説明】

第１図−ａは本発明のパターン付き原盤断面、 第１図−ｂは本発明のスパッタ後の断面、 第１図−ｃは本発明の電鋳後の断面、 第１図−ｄは本発明のスタンパ、 第２図−ａは従来のパターン付き原盤断面、 第２図−ｂは従来のスパッタ後の断面、 第２図−ｃは従来の電鋳後の断面、 第２図−ｄは従来のスタンパである。 1:ガラス板 2:レジストパターン層 3:TiNスパッタ層 4:混合物層 5:Ni導電膜層 6:Ni電鋳層

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電鋳法によって形成されてなる金属層、該
   金属層を構成する金属と同一の金属からなる導電膜金属
   層、及び該導電膜金属層を構成する金属とは異なる金属
   の窒化物、炭化物または酸化物からなる表面層とを備え
   たスタンパであって、該導電膜金属層と該表面層との間
   に、該導電膜金属層及び該表面層を各々構成する材料の
   混合組成を持つ中間層を有することを特徴とするスタン
   パ。
2. 【請求項２】該金属層がニッケルからなり、該表面層が
   窒化チタンからなる請求項１に記載のスタンパ。