JPH0349057A

JPH0349057A - スタンパ

Info

Publication number: JPH0349057A
Application number: JP1186750A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yanagisawa; 雅広柳沢
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1989-07-18
Filing date: 1989-07-18
Publication date: 1991-03-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光デイスク用スタンパに関し、特にゾルゲル
法を用いた光デイスク用ガラス基板作製のためのワーク
スタンパに関するものである。

（従来の技術）ゾルゲル法を用いた光デイスク用ガラス基板の一作製プ
ロセスについて説明スる。

まず、所望のデータに基づきガラス原盤にマスクライテ
ィングを行う。次に、ガラス原盤にＮ１のスパッタおよ
び電鋳処理を施すことにより、Ｎｉスタンパ（マスク）
をおこす。ついで、Ｎｉスタンパ（マスク）を型にして
再度電鋳処理を行い、Ｎｉスタンパ（マザー）を作製す
る。この様にして作製したＮｉスタンパ（マザー）を用
いて、射出成形あるいは２Ｐ成形により樹脂製のゾルゲ
ル用ワークスタンパを得ることが出来る。

次に、ガラス基板上にスピンコード法により金属アルコ
レート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアルコー
ル溶液（ゾルゲル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形成す
る。先はどのワークスタンパをこのゾルゲル面に押し当
て、微細なパターンを転写する。重ね合わせたまま一次
焼成を行った後、ワークスタンパから離型した微細パタ
ーン付きガラス基板を更に二次焼成する。このようなプ
ロセスを経て、光デイスク用ガラス基板を得ることが出
来る。

（発明が解決しようとする課題）先述したように、ゾルゲル用ワークスタンパを作製する
には、現状ではかなりのプロセスを必要とする。これは
ゾルゲル用ワークスタンパとして直接Ｎｉスタンパ（マ
スク）が使用できないことによる。即ち、ゾルゲル層と
Ｎｉスタンパをそのまま密着されて一次焼成を行うと、
離型の際、ゾルゲル層の一部がＮｉスタンパ面に付着し
、正確なパターン転写が出来ない。またスタンパ表面に
離型層を形成した場合、離型層とスタンパの付着性が悪
く離型層が剥離する。

このため上述したような長いプロセスを採り入れている
が、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何度も
転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。

本発明は、上述した問題を解決するゾルゲル用ワークス
タンパを提供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明によるスタンパは、微細なパターンを有するＮｉ
薄板の上に、低表面エネルギーを有する離型層を形成し
たことを特徴とする。また、離型層は付着層を介して形
成することにより安定した性能を得ることができる。

（作用）本発明によれば、ゾルゲル材料に対して離型性のある低
表面エネルギーを有する膜でＮｉスタンパの表面を被覆
するため、そのままゾルゲル用ワークスタンパとして使
用できる。このため、従来のような煩雑なプロセスを経
ることがなく、コスト、歩留りなどの面で有利である。

上記離型性のある膜にはＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエ
チレン）、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフロロエチレン
）、フロロシラン、パーフロロカルボン酸、末端カルボ
キシル基パーフロロポリエーテル、フロロシリコーンな
どの弗素化炭素または末端シラノール基ポリジメチルシ
ロキサン、末端カルボキシル基ポリジメチルシロキサン
、末端シラノール基フロロシリコーン、末端カルボキシ
ル基フロロシリコーンなどのシリコーン類が有効である
。特にフロロシラン、パーフロロカルボン酸、末端カル
ボキシル基パーフロロポリエーテル、末端シラノール基
ポリジメチルシロキサン、末端カルボシキル基ポリジメ
チルシロキサン、末端シラノール基フロロシリコーン、
末端カルボキシル基フロロシリコーンなどの官能基を含
む化合物はＮｉスタンパ表面および付着層と強固に結合
し、多数回の転写によっても除去されず優れた離型性を
長期にわたって維持することが出来る。

また上記Ｎｉスタンパと離型層の双方に優れた付着性を
示す付着層としては、Ｓｉ、　Ｇｅ等の半金属あるいは
酸化珪素（ＳｉＯ１８ｉ０２など）、ＴｉＯ２、Ｔａ２
０５等の酸化物あるいは窒化珪素、ＴｉＮ等の窒化物あ
るいはＳｉＣ，ＣｒＣ，ＴｉＣ等の炭化物が使用できる
。

（実施例）以下、実施例に基づき詳細に説明する。

次に、本発明のスタンパの一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。

第１図および第２図は本発明のスタンパの一実施例を示
す図である。

通常の方法で作製されたＮｉスタンパ（マスク）２に、
離型層４として次式のフロロシランをスピンコード法に
より塗布し、１５０°Ｃで焼成して本発明によるゾルゲ
ル用ワークスタンパ１を作製した。

（試料１ａ）。

ＣＢＦ１７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３　　　フロロシ
ランまた、Ｎｉスタンパ（マスク）２に付着層３として
５ｉ０２をスパッタリンク法により２０ｎｍ被覆した後
、離型層４を試料１ａと同様に形成した。（試料１ｂ）
。

試料１ａと同様の方法で離型層４として次式のパーフロ
ロカルボン酸を塗布し、本発明によるゾルゲル用ワーク
スタンパ１を作製した（試料２ａ）。

Ｃ３Ｆ１７ＣＯＯＨバー７０ロカルボン酸また、付着層
としてＳｉをスパッタリング法により２０ｎｍ形成した
以外は試料２ａと同様に作製した（試料２ｂ）。

試料１ａと同様の方法で離型層４として次式の末端シラ
ノール基ポリジメチルシロキサンを塗布した後、２００
°Ｃで焼成し本発明によるゾルゲル用ワークスタンパ１
を作製した（試料３ａ）。

ＣＨ３（Ｓｉ（ＣＨ３）２０）ｎＨ（ｎは１から２０の
混合物）また、付着層としてスパッタリング法により５
ｉ０２を２０ｎｍ形成する以外は試料３ａと同様に作製
した（試料３ｂ）。

試料１ａと同様の方法で離型層４として末端カルボキシ
ル基ポリジメチルシロキサンを塗布した後、２００°Ｃ
で焼成し本発明によるゾルゲル用ワークスタンパ１を作
製した（試料４ａ）。

ＣＨ３（Ｓｉ（ＣＨ３）２０）ｎｃＨ２ｃＯＯＨ（ｎは
１から２０の混合物）また、付着層としてスパッタリング法により窒化珪素を
２０ｎｍ形成する以外は試料４ａと同様の方法で作製し
た（試料４ｂ）。

試料１ａと同様の方法で離型層４として末端カルボキシ
ル基フロロシリコーンを塗布し、本発明によるゾルゲル
用ワークスタンパ１を作製した（試料５ａ）。

ＣＨ３（Ｓｉ（ＣＨ３ＸＣＦ３）Ｏ）ｎｃＨ２ｃＯＯＨ
（ｎは１から２０の混合物）マタ、付着層３としてＳｉＣをスパッタリング法により
２０ｎｍ形成する以外は試料５ａと同様の方法で作製し
たく試料５ｂ）。

試料１ａと同様の方法で離型層４として末端カルボキシ
ル基パーフロロポリエーテルを塗布し、本発明によるゾ
ルゲル用ワークスタンパ１を作製した（試料６ａ）。

ＣＨ３（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎｃＨ２ｃＯＯＨ（
ｎは１から２０の混合物）また、付着層３としてＳｉをスパッタリングにより２０
ｎｍ形成する以外は試料６ａと同様の方法で作製した（
試料６ｂ）。

試料１と同様の方法で付着層３として５ｉ０２をスパッ
タリングにより２０ｎｍ被覆したのち、離型層４として
末端シラノール基パーフロロポリエーテルを塗布し、本
発明によるゾルゲル用ワークスタンバエを作製した（試
料７）。

ＣＨ３（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｎｃＨ２ｓｉ（ＯＣ
Ｈ３）３（ｎは１から２０の混合物）次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法につい
て述べる。

ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリエチレング
リコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピンコ
ード法により塗布し、ゾルゲル層を２０００〜３０００
Ａ形成した。ついで、先はどの試料１ａから７までのワ
ークスタンパを減圧下重ね合わせて抑圧する。そのまま
の状態で、１００°Ｃ１１０分間の一次焼成を行った。

その後、ガラス基板を該ワークスタンパより離型し、３
５０°Ｃ１１０分間の二次焼成を行い、所望の微細パタ
ーンを有するガラス基板を得た。

なお、転写後の離型膜上にゾルゲル材料の付着は認めら
れなかった。また離型層の剥離も観察されなかった。

（発明の効果）以上述べてきたように、本発明によるスタンバは、従来
のスタンバに比べて離型性良く短い工程で作製でき、歩
留りあるいはコストの而で有利であり、その工業上の意
義は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明のスタンバの一実施例を示
す図である。１・・・ゾルゲル用ワークスタンパ、２・・・Ｎｉスタ
ンバ、３・・・付着層、４・・・離型層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）微細な凹凸を有するＮｉ薄板の上に、低表面エネ
ルギーを有する離型層を形成したことを特徴とするスタ
ンパ。
（２）微細な凹凸を有するＮｉ薄板の上に、付着層を介
して低表面エネルギーを有する離型層を形成したことを
特徴とするスタンパ。