JP2800111B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
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- G—PHYSICS
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- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
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- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
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- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンなどの半
導体結晶のもつピエゾ抵抗効果を利用して変位を電気信
号に変換する半導体装置の特に加速度センサおよび圧力
センサに係わる。
導体結晶のもつピエゾ抵抗効果を利用して変位を電気信
号に変換する半導体装置の特に加速度センサおよび圧力
センサに係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロマシニング技術の発展に
より、半導体ウェハー上に薄膜形成、エッチングによ
り、半導体加速度センサが作製されている（例えば、IE
EE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-26, N
o.12, Dec 1979参照）。図３は、従来のマイクロマシニ
ングによる半導体加速度センサを示す図であり、図３
（ａ）は上面図、図３（ｂ）は断面図である。シリコン
基体１をエッチングし、片持ち梁２と重り３を形成した
ものである。ここで、片持ち梁２の厚みは、エッチング
により他の部分より薄く形成され、片持ち梁２は図３
（ｂ）の矢印方向の加速度に対して変形する。そして、
片持ち梁２の変形量は、片持ち梁２の上面に形成された
拡散抵抗４ａのピエゾ抵抗効果により検出され、拡散抵
抗４ｂとの比較により加速度を求める。ここで、拡散抵
抗４ａと４ｂは高濃度拡散領域５と出力端子８に接続さ
れている。また、片持ち梁２の破壊を防止するために上
部ストッパ６と下部ストッパ７を配置し、さらに全体を
セラミック基板１０上に配置している。
より、半導体ウェハー上に薄膜形成、エッチングによ
り、半導体加速度センサが作製されている（例えば、IE
EE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-26, N
o.12, Dec 1979参照）。図３は、従来のマイクロマシニ
ングによる半導体加速度センサを示す図であり、図３
（ａ）は上面図、図３（ｂ）は断面図である。シリコン
基体１をエッチングし、片持ち梁２と重り３を形成した
ものである。ここで、片持ち梁２の厚みは、エッチング
により他の部分より薄く形成され、片持ち梁２は図３
（ｂ）の矢印方向の加速度に対して変形する。そして、
片持ち梁２の変形量は、片持ち梁２の上面に形成された
拡散抵抗４ａのピエゾ抵抗効果により検出され、拡散抵
抗４ｂとの比較により加速度を求める。ここで、拡散抵
抗４ａと４ｂは高濃度拡散領域５と出力端子８に接続さ
れている。また、片持ち梁２の破壊を防止するために上
部ストッパ６と下部ストッパ７を配置し、さらに全体を
セラミック基板１０上に配置している。
【０００３】図４（ａ）は、特開平１−３０２１６７号
公報に開示されるマイクロマシニングによる半導体加速
度センサを示す図であり、片持ち梁２の支持体９近傍に
エッチングにより溝部３５を形成し、薄肉部３６を設け
たものである。センサの上面には拡散抵抗４ｃ、４ｄ、
４ｅ、４ｆがあり、ブリッジ回路５０を構成している。
拡散抵抗４ｃと４ｆは、参照抵抗として働き支持体９の
上部に配置される。拡散抵抗４ｄと４ｅは、薄肉部３６
の変形量を検出する可変抵抗として働き、参照抵抗と直
交する位置に配置される。図４（ｂ）は、図４（ａ）に
示す装置の検出回路を示す。
公報に開示されるマイクロマシニングによる半導体加速
度センサを示す図であり、片持ち梁２の支持体９近傍に
エッチングにより溝部３５を形成し、薄肉部３６を設け
たものである。センサの上面には拡散抵抗４ｃ、４ｄ、
４ｅ、４ｆがあり、ブリッジ回路５０を構成している。
拡散抵抗４ｃと４ｆは、参照抵抗として働き支持体９の
上部に配置される。拡散抵抗４ｄと４ｅは、薄肉部３６
の変形量を検出する可変抵抗として働き、参照抵抗と直
交する位置に配置される。図４（ｂ）は、図４（ａ）に
示す装置の検出回路を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体加速度セ
ンサにおいては、検出感度向上のために図４（ａ）の薄
肉部３６を形成する必要があり、そのため全体の機械的
強度が低下する。ここで薄肉部３６の厚みは、検出感度
に関係するが、エッチングにより薄肉部３６を形成する
ため、均一な厚みを得るために、エッチング液の組成、
温度、攪拌条件を厳密に管理する必要があり、マスキン
グのパターン形成など製造工程が増す。
ンサにおいては、検出感度向上のために図４（ａ）の薄
肉部３６を形成する必要があり、そのため全体の機械的
強度が低下する。ここで薄肉部３６の厚みは、検出感度
に関係するが、エッチングにより薄肉部３６を形成する
ため、均一な厚みを得るために、エッチング液の組成、
温度、攪拌条件を厳密に管理する必要があり、マスキン
グのパターン形成など製造工程が増す。
【０００５】また図３（ａ）のように加速度センサの上
面に拡散抵抗４ａと４ｂを配置し、重り３を形成するた
めに、加速度センサの上面の面積が大きく、例えばシリ
コン基板１枚からのセンサの取り個数は限定され、製造
コストを低下させることが困難であった。また図４
（ａ）の加速度センサにおいても薄肉部３６の強度を保
つために片持ち梁２の幅、図面の手前から奥行き方向の
幅は所定の値が必要である。従って、図３（ａ）の加速
度センサと同様にセンサ上面の面積を小さくすることが
出来ず、半導体ウェハーからの取り個数が限定され、コ
ストダウンが困難である。
面に拡散抵抗４ａと４ｂを配置し、重り３を形成するた
めに、加速度センサの上面の面積が大きく、例えばシリ
コン基板１枚からのセンサの取り個数は限定され、製造
コストを低下させることが困難であった。また図４
（ａ）の加速度センサにおいても薄肉部３６の強度を保
つために片持ち梁２の幅、図面の手前から奥行き方向の
幅は所定の値が必要である。従って、図３（ａ）の加速
度センサと同様にセンサ上面の面積を小さくすることが
出来ず、半導体ウェハーからの取り個数が限定され、コ
ストダウンが困難である。
【０００６】さらに、加速度検出のための拡散抵抗４
が、加速度センサの加速度を受ける面にあるため、支持
体９の上部にある参照抵抗と可変抵抗の抵抗値の差が大
きくなるように拡散抵抗４の配置を行う必要があった。
本発明は、上記の問題を解決するためのものであり、製
造が容易で、１枚の半導体ウェハーから多数のセンサを
製造することができ安価な半導体加速度センサおよび圧
力センサを得ることを目的とする。
が、加速度センサの加速度を受ける面にあるため、支持
体９の上部にある参照抵抗と可変抵抗の抵抗値の差が大
きくなるように拡散抵抗４の配置を行う必要があった。
本発明は、上記の問題を解決するためのものであり、製
造が容易で、１枚の半導体ウェハーから多数のセンサを
製造することができ安価な半導体加速度センサおよび圧
力センサを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は１枚の半導体ウェハーから多数のセン
サを製造するために、センサの側面に感歪部である拡散
抵抗４を配置した。そして、このようにセンサ側面に変
位量の検出手段を設けることにより、エッチング工程を
使用せず、製造工程の少ない、高精度で安価なセンサを
得ることができる。また、歩留りの良い半導体加速度セ
ンサを含む半導体装置を供給することができる。
ために、本発明は１枚の半導体ウェハーから多数のセン
サを製造するために、センサの側面に感歪部である拡散
抵抗４を配置した。そして、このようにセンサ側面に変
位量の検出手段を設けることにより、エッチング工程を
使用せず、製造工程の少ない、高精度で安価なセンサを
得ることができる。また、歩留りの良い半導体加速度セ
ンサを含む半導体装置を供給することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の具体的実施例を
図１に基づいて説明する。図１は、本発明の半導体加速
度センサの斜視図である。半導体基板１１を直方体とし
そのひとつの面である側面１００に拡散抵抗４と、拡散
抵抗４と電気的に接続された出力端子８を配置した。こ
こで、半導体基板１１内の前記側面１００に増幅回路や
温度補償回路やフィルタ回路を配置することも可能であ
る。
図１に基づいて説明する。図１は、本発明の半導体加速
度センサの斜視図である。半導体基板１１を直方体とし
そのひとつの面である側面１００に拡散抵抗４と、拡散
抵抗４と電気的に接続された出力端子８を配置した。こ
こで、半導体基板１１内の前記側面１００に増幅回路や
温度補償回路やフィルタ回路を配置することも可能であ
る。
【０００９】半導体基板１１は、一辺にブリッジ回路５
０で構成された拡散抵抗４を有し、直方体の構造ででき
ている。この直方体の構造は、拡散抵抗４を有する半導
体ウェハー１２から切り出し作製する。切りだした素子
は、半導体ウェハー１２の厚みが前記直方体の拡散抵抗
４を有する面と直交する面である。拡散抵抗４が形成さ
れた半導体ウェハー１２表面が切り出し後、前記側面１
００に相当する。
０で構成された拡散抵抗４を有し、直方体の構造ででき
ている。この直方体の構造は、拡散抵抗４を有する半導
体ウェハー１２から切り出し作製する。切りだした素子
は、半導体ウェハー１２の厚みが前記直方体の拡散抵抗
４を有する面と直交する面である。拡散抵抗４が形成さ
れた半導体ウェハー１２表面が切り出し後、前記側面１
００に相当する。
【００１０】図２は上記半導体加速度センサの（ａ）上
面図と（ｂ）側面図である。上記半導体基板１１は、種
々の形状にすることが可能であるが、半導体ウェハー１
２から容易に取り出せるという理由により、直方体とす
ることが効果的である。さらに、半導体基板１１の厚み
Ｚは半導体基板１１の幅Ｗより小さくすると検出感度を
高めることができる。なお、支持体９と半導体基板１１
が固着されている部分Ｌ２支持部であり、固着されず揺
動可能な部分Ｌ１をセンサ部であり以降こう呼ぶ。
面図と（ｂ）側面図である。上記半導体基板１１は、種
々の形状にすることが可能であるが、半導体ウェハー１
２から容易に取り出せるという理由により、直方体とす
ることが効果的である。さらに、半導体基板１１の厚み
Ｚは半導体基板１１の幅Ｗより小さくすると検出感度を
高めることができる。なお、支持体９と半導体基板１１
が固着されている部分Ｌ２支持部であり、固着されず揺
動可能な部分Ｌ１をセンサ部であり以降こう呼ぶ。
【００１１】本実施例の拡散抵抗４の配置を図５（ａ）
に示す。拡散抵抗４１、４２、４３、４４はブリッジ回
路５０とすると良い。さらに、前記拡散抵抗は、半導体
基板１１の上面近傍の拡散抵抗４１、４２と下面近傍拡
散抵抗４３、４４に分けて配置すると良い。そして、上
面近傍の拡散抵抗４と下面近傍の拡散抵抗４により引っ
張り応力と圧縮応力を検出すると良い。また、拡散抵抗
４１、４２、４３、４４はその長軸方向が半導体基板１
１の長さ方向と平行、すなわち図５（ａ）の紙面の左右
方向に配置することが好ましい。
に示す。拡散抵抗４１、４２、４３、４４はブリッジ回
路５０とすると良い。さらに、前記拡散抵抗は、半導体
基板１１の上面近傍の拡散抵抗４１、４２と下面近傍拡
散抵抗４３、４４に分けて配置すると良い。そして、上
面近傍の拡散抵抗４と下面近傍の拡散抵抗４により引っ
張り応力と圧縮応力を検出すると良い。また、拡散抵抗
４１、４２、４３、４４はその長軸方向が半導体基板１
１の長さ方向と平行、すなわち図５（ａ）の紙面の左右
方向に配置することが好ましい。
【００１２】本実施例で用いた素子のサイズ、位置関係
を、図面を参考にして説明すると、形状は図２（ａ）と
図２（ｂ）に示すように長さ９ｍｍ（Ｌ１＝６ｍｍ、Ｌ
２＝３ｍｍ）、幅Ｗが０．６ｍｍ、高さＺが０．１ｍｍ
のシリコンを使用する。幅Ｗがシリコン基板の厚みであ
る。ここで、拡散抵抗４は図５（ａ）に示すように半導
体基板１１の側面１００の上面近傍の拡散抵抗４１、４
２と下面近傍の拡散抵抗４３、４４からなり、それぞれ
長さ０．３ｍｍ、幅０．０１ｍｍである。そして、拡散
抵抗４１と４２の左端は支持体９の右端と一致する。ま
た半導体基板の高さ方向について、半導体基板１１の表
面と拡散抵抗４の中心の距離０．０１５ｍｍである。
を、図面を参考にして説明すると、形状は図２（ａ）と
図２（ｂ）に示すように長さ９ｍｍ（Ｌ１＝６ｍｍ、Ｌ
２＝３ｍｍ）、幅Ｗが０．６ｍｍ、高さＺが０．１ｍｍ
のシリコンを使用する。幅Ｗがシリコン基板の厚みであ
る。ここで、拡散抵抗４は図５（ａ）に示すように半導
体基板１１の側面１００の上面近傍の拡散抵抗４１、４
２と下面近傍の拡散抵抗４３、４４からなり、それぞれ
長さ０．３ｍｍ、幅０．０１ｍｍである。そして、拡散
抵抗４１と４２の左端は支持体９の右端と一致する。ま
た半導体基板の高さ方向について、半導体基板１１の表
面と拡散抵抗４の中心の距離０．０１５ｍｍである。
【００１３】この時のブリッジ回路５０を図５（ｂ）に
示す。本実施例の拡散抵抗の配置がより感度がでる理由
について以下記述する。図３（ｂ）の従来の平面に拡散
抵抗４がある場合、４ｃ、４ｆを参照用抵抗、４ｄ、４
ｅを測定用抵抗のブリッジ回路５０を形成する。４ｃ、
４ｆをＲとした時、４ｄ、４ｅはＲ＋△Ｒで表される。
このときの出力ＶＯＵＴとすると以下の式で示される。 Ｖ１＝（Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ （１） Ｖ２＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ （２） ＶＯＵＴ＝Ｖ２−Ｖ１＝（△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ （３）
示す。本実施例の拡散抵抗の配置がより感度がでる理由
について以下記述する。図３（ｂ）の従来の平面に拡散
抵抗４がある場合、４ｃ、４ｆを参照用抵抗、４ｄ、４
ｅを測定用抵抗のブリッジ回路５０を形成する。４ｃ、
４ｆをＲとした時、４ｄ、４ｅはＲ＋△Ｒで表される。
このときの出力ＶＯＵＴとすると以下の式で示される。 Ｖ１＝（Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ （１） Ｖ２＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ （２） ＶＯＵＴ＝Ｖ２−Ｖ１＝（△Ｒ／２Ｒ＋△Ｒ）Ｖ （３）
【００１４】また、本発明の電気回路においては、圧縮
応力による抵抗値Ｒ＋△Ｒ、引っ張り応力による抵抗値
をＲ−△Ｒとすると以下の式で示される。 Ｖ１＝（Ｒ−△Ｒ／２Ｒ）Ｖ （４） Ｖ２＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ）Ｖ （５） ＶＯＵＴ＝Ｖ２−Ｖ１＝（△Ｒ／Ｒ）Ｖ （６） （３）、（６）式より△Ｒが非常に小さい値とし無視す
ると、本発明の電気回路で従来の回路と比較して２倍の
出力がある。以上の理由により、本発明では、拡散抵抗
４の配置で、引っ張り応力、圧縮応力を利用し、より高
感度になるよう拡散抵抗４を配置した。
応力による抵抗値Ｒ＋△Ｒ、引っ張り応力による抵抗値
をＲ−△Ｒとすると以下の式で示される。 Ｖ１＝（Ｒ−△Ｒ／２Ｒ）Ｖ （４） Ｖ２＝（Ｒ＋△Ｒ／２Ｒ）Ｖ （５） ＶＯＵＴ＝Ｖ２−Ｖ１＝（△Ｒ／Ｒ）Ｖ （６） （３）、（６）式より△Ｒが非常に小さい値とし無視す
ると、本発明の電気回路で従来の回路と比較して２倍の
出力がある。以上の理由により、本発明では、拡散抵抗
４の配置で、引っ張り応力、圧縮応力を利用し、より高
感度になるよう拡散抵抗４を配置した。
【００１５】本発明の半導体加速度センサの製造方法に
ついて、図７の工程図を用いて以下記述する。半導体加
速度センサの製造方法としては、半導体ウェハー１２の
表面に拡散抵抗４と出力端子８をパターンニング（ａ）
し、拡散抵抗４と出力端子８を同一平面に有するように
半導体ウェハー１２を切断し、半導体基板１１を得る
（ｂ）。最後に半導体基板１１を支持体９、重り３と接
合する（ｃ）。ここで、半導体ウェハー１２の表面には
拡散抵抗４や出力端子８の他に増幅回路やフィルタ回
路、温度補償回路をパターニングしても良い。また、半
導体ウェハー１２の切断にはダイシングが可能である。
ダイシングは、半導体基板１１の外形部にスクライブす
るためのラインを設け、このスクライブラインを基準に
ダイシングにより切削する。加速度センサ半導体素子１
０１が半導体ウェハー１２内にレイアウトされている。
ついて、図７の工程図を用いて以下記述する。半導体加
速度センサの製造方法としては、半導体ウェハー１２の
表面に拡散抵抗４と出力端子８をパターンニング（ａ）
し、拡散抵抗４と出力端子８を同一平面に有するように
半導体ウェハー１２を切断し、半導体基板１１を得る
（ｂ）。最後に半導体基板１１を支持体９、重り３と接
合する（ｃ）。ここで、半導体ウェハー１２の表面には
拡散抵抗４や出力端子８の他に増幅回路やフィルタ回
路、温度補償回路をパターニングしても良い。また、半
導体ウェハー１２の切断にはダイシングが可能である。
ダイシングは、半導体基板１１の外形部にスクライブす
るためのラインを設け、このスクライブラインを基準に
ダイシングにより切削する。加速度センサ半導体素子１
０１が半導体ウェハー１２内にレイアウトされている。
【００１６】本実施例では、低加速度の素子を作製し
た。低加速度とは、１から２Ｇ（Ｇ＝９．８ｍ／ｓ２)
を示す。素子全体の長さは、９ｍｍ（Ｌ１＝６ｍｍ、Ｌ
２＝３ｍｍ）、幅Ｗが０．６ｍｍ、高さＺが０．１ｍｍ
とした。ちなみに、低加速度用の加速度センサは、地震
検知のためや、バーチャルリアリティなどの用途に用い
られる。図７（ｂ）の素子の切り出しについて、この
後、半導体ウェハー１２からダイシングで切り出し個別
の素子にする。図７（ｂ）のような状態にする。図７
（ｂ）に、切り出し面を示す。
た。低加速度とは、１から２Ｇ（Ｇ＝９．８ｍ／ｓ２)
を示す。素子全体の長さは、９ｍｍ（Ｌ１＝６ｍｍ、Ｌ
２＝３ｍｍ）、幅Ｗが０．６ｍｍ、高さＺが０．１ｍｍ
とした。ちなみに、低加速度用の加速度センサは、地震
検知のためや、バーチャルリアリティなどの用途に用い
られる。図７（ｂ）の素子の切り出しについて、この
後、半導体ウェハー１２からダイシングで切り出し個別
の素子にする。図７（ｂ）のような状態にする。図７
（ｂ）に、切り出し面を示す。
【００１７】通常の切削水に水を用いたダイシング法に
おいては、半導体基板１１を切り出すことは可能である
が、本実施例においては、より精度を向上させるため以
下の方式において行った。半導体ウェハー１２の切断工
程において、素子を切り出す場合、素子への切削抵抗が
大きくなると、素子にチッピングが生じ、拡散抵抗４が
破壊してしまう課題や、所望の寸法で仕上がらない場合
がある。その課題に対処するため、超微細砥粒の電気泳
動現象を利用した。その原理を説明する。切削液に超微
細シリカ砥粒を用いる。超微細シリカ砥粒は、アルカリ
液中で負に帯電する。そのため、電場が作用すれば、シ
リカは陽極１３にむけて泳動する。陰極１４にはいかな
い。この現象を図８に示す。陽極１３の帯電した電極
に、超微細シリカ砥粒がある。コロイダルシリカのシリ
カ粒子１５は、電極表面で電気的に吸着現象を引き起こ
す。電場が作用している間は、電極表面に連続して吸着
層が形成される。つまり、ブレード１６に電場を作製す
ることにより容易に、超微細シリカ砥粒の吸着層を形成
でき、切削抵抗の少ない加工ができる。
おいては、半導体基板１１を切り出すことは可能である
が、本実施例においては、より精度を向上させるため以
下の方式において行った。半導体ウェハー１２の切断工
程において、素子を切り出す場合、素子への切削抵抗が
大きくなると、素子にチッピングが生じ、拡散抵抗４が
破壊してしまう課題や、所望の寸法で仕上がらない場合
がある。その課題に対処するため、超微細砥粒の電気泳
動現象を利用した。その原理を説明する。切削液に超微
細シリカ砥粒を用いる。超微細シリカ砥粒は、アルカリ
液中で負に帯電する。そのため、電場が作用すれば、シ
リカは陽極１３にむけて泳動する。陰極１４にはいかな
い。この現象を図８に示す。陽極１３の帯電した電極
に、超微細シリカ砥粒がある。コロイダルシリカのシリ
カ粒子１５は、電極表面で電気的に吸着現象を引き起こ
す。電場が作用している間は、電極表面に連続して吸着
層が形成される。つまり、ブレード１６に電場を作製す
ることにより容易に、超微細シリカ砥粒の吸着層を形成
でき、切削抵抗の少ない加工ができる。
【００１８】本実施例で使用した装置の構成を図９に示
す。装置構成は、通常一般的に使用されているダイシン
グ装置に、研磨材をダイシングブレード１６に供給する
機構、ダイシングブレード１６に電解をかけるための電
源１７から構成される。ブレード１６に切削材のコロイ
ダルシリカが供給され、ブレード１６上に直流電源１７
により電解をかけることによりブレード１６にシリカ層
を作製する。このような構成によりチャック１８上に半
導体ウェハー１２を設置、ダイシング装置により切削す
る。
す。装置構成は、通常一般的に使用されているダイシン
グ装置に、研磨材をダイシングブレード１６に供給する
機構、ダイシングブレード１６に電解をかけるための電
源１７から構成される。ブレード１６に切削材のコロイ
ダルシリカが供給され、ブレード１６上に直流電源１７
により電解をかけることによりブレード１６にシリカ層
を作製する。このような構成によりチャック１８上に半
導体ウェハー１２を設置、ダイシング装置により切削す
る。
【００１９】図１０に本実施例を用いての加工を説明す
る。固定された半導体ウェハー１２上を、ダイシングブ
レード１６が降下し、半導体ウェハー１２に接触する。
この時研磨材として、超微細シリカ砥粒がブレード１６
に供給される。ブレード１６にはシリカ粒子１５が吸着
した状態にある。超微細シリカ砥粒の粒径は、１０ｎｍ
から２０ｎｍであり、この粒径のシリカが陽極１３に帯
電した、ダイシングブレード１６上に吸着する。この吸
着層がワークである半導体ウェハー１２を切ることによ
り効果を示し、非常にきれいな加工を生み出す。
る。固定された半導体ウェハー１２上を、ダイシングブ
レード１６が降下し、半導体ウェハー１２に接触する。
この時研磨材として、超微細シリカ砥粒がブレード１６
に供給される。ブレード１６にはシリカ粒子１５が吸着
した状態にある。超微細シリカ砥粒の粒径は、１０ｎｍ
から２０ｎｍであり、この粒径のシリカが陽極１３に帯
電した、ダイシングブレード１６上に吸着する。この吸
着層がワークである半導体ウェハー１２を切ることによ
り効果を示し、非常にきれいな加工を生み出す。
【００２０】本実施例において、上述の寸法で素子を切
り出したところ、従来のダイシングでは、チッピング量
１０ミクロンであったものが、本実施例によれば２ミク
ロンの量に向上した。このことにより、配線切断や拡散
層の破壊を起こさず歩留まりの良い、安定した素子の供
給ができる。
り出したところ、従来のダイシングでは、チッピング量
１０ミクロンであったものが、本実施例によれば２ミク
ロンの量に向上した。このことにより、配線切断や拡散
層の破壊を起こさず歩留まりの良い、安定した素子の供
給ができる。
【００２１】また、チッピング量を削減する方法とし
て、ボンド材３２に鋳鉄を用いダイヤモンドの粒子３１
を有するダイシングブレード１６を用い、ダイシングブ
レード１６に電解をかける。ボンド材の電解に伴い不導
体被膜３０が砥石面に形成され、溶出が停止し一定の砥
粒突出が得られる。工程を図１２を用いて説明する。第
１ステップで、ブレード１６に電解をかける。ブレード
１６のボンド材の鋳鉄がが溶出する。鉄イオン３３とし
て溶出する。溶出後、酸化が始まり不導体被膜３０をブ
レード１６面に形成する（第２ステップ）。ブレード１
６からダイヤモンド粒子３１が突出する。この状態で、
切削を開始する。切削を続けると、ダイヤモンド粒子３
１が剥奪したり不導体被膜３０が徐々に除去していく。
このため、切削環境は悪化する。ここで、再度電解によ
り、ボンド材３２が溶出する（第３ステップ）。そし
て、不導体被膜３０を形成する（第２ステップに戻
る）。第２、から第３、第４のステップを繰り返し、切
削が進む。この方式を電解インプロセスと呼ぶ。
て、ボンド材３２に鋳鉄を用いダイヤモンドの粒子３１
を有するダイシングブレード１６を用い、ダイシングブ
レード１６に電解をかける。ボンド材の電解に伴い不導
体被膜３０が砥石面に形成され、溶出が停止し一定の砥
粒突出が得られる。工程を図１２を用いて説明する。第
１ステップで、ブレード１６に電解をかける。ブレード
１６のボンド材の鋳鉄がが溶出する。鉄イオン３３とし
て溶出する。溶出後、酸化が始まり不導体被膜３０をブ
レード１６面に形成する（第２ステップ）。ブレード１
６からダイヤモンド粒子３１が突出する。この状態で、
切削を開始する。切削を続けると、ダイヤモンド粒子３
１が剥奪したり不導体被膜３０が徐々に除去していく。
このため、切削環境は悪化する。ここで、再度電解によ
り、ボンド材３２が溶出する（第３ステップ）。そし
て、不導体被膜３０を形成する（第２ステップに戻
る）。第２、から第３、第４のステップを繰り返し、切
削が進む。この方式を電解インプロセスと呼ぶ。
【００２２】この時の装置の構成を図１１に説明する。
装置の構成は、ダイシングブレード１６に電解をかける
構成と、ダイシングブレード１６近傍に陰極アタッチメ
ント１４、直流電源１７によりブレード１６に電解をか
ける構成でなりたつ。このような構成で、半導体ウェハ
ー１２を切削する。
装置の構成は、ダイシングブレード１６に電解をかける
構成と、ダイシングブレード１６近傍に陰極アタッチメ
ント１４、直流電源１７によりブレード１６に電解をか
ける構成でなりたつ。このような構成で、半導体ウェハ
ー１２を切削する。
【００２３】本実施例では、ワークである半導体ウェハ
ー１２の固定方法として、紫外線を照射することにより
粘着力を軟化させる固定用ダイシングテープを使用した
これにより容易に離脱でき、しっかりとした固定ができ
る。上述したような方法により、ダイシング装置による
切削によりチッピング、加工変質層の少ない素子を取り
出すことができた。
ー１２の固定方法として、紫外線を照射することにより
粘着力を軟化させる固定用ダイシングテープを使用した
これにより容易に離脱でき、しっかりとした固定ができ
る。上述したような方法により、ダイシング装置による
切削によりチッピング、加工変質層の少ない素子を取り
出すことができた。
【００２４】さらに製造方法において、この半導体基板
１１に、図７（ｃ）に示すように加速度センサの検出感
度を高めるため、半導体基板１１の一端に重り３を設け
る。重り３としては、金属やシリコンが使用できる。そ
して半導体基板１１には重り３と支持体９を固着する。
支持基板１０に支持体９をあらかじめ固着しておいても
良い。本実施例では、３０ｍｇの重り３を固着した。こ
こでは、重り３の固着位置、つまり重心位置が非常に大
事なため、あらかじめ重り３の重心位置近傍に接着液を
塗布し容易に重心位置がでるような方法によりおこなっ
た。
１１に、図７（ｃ）に示すように加速度センサの検出感
度を高めるため、半導体基板１１の一端に重り３を設け
る。重り３としては、金属やシリコンが使用できる。そ
して半導体基板１１には重り３と支持体９を固着する。
支持基板１０に支持体９をあらかじめ固着しておいても
良い。本実施例では、３０ｍｇの重り３を固着した。こ
こでは、重り３の固着位置、つまり重心位置が非常に大
事なため、あらかじめ重り３の重心位置近傍に接着液を
塗布し容易に重心位置がでるような方法によりおこなっ
た。
【００２５】配線接続は、半導体基板１１、重３、支持
体９の構成の構造体を、支持および外部への出力するた
めの基板１０に固定し、半導体基板１１の出力端子８と
支持および外部への出力するための基板１０を接続配線
にて接続する。ここでは、半導体基板の出力端子８と基
板１０を接続するため、異方性導電膜（ＡＣＦ）４０を
利用した。直交する場合は、異方性導電膜が大変便利で
ある。
体９の構成の構造体を、支持および外部への出力するた
めの基板１０に固定し、半導体基板１１の出力端子８と
支持および外部への出力するための基板１０を接続配線
にて接続する。ここでは、半導体基板の出力端子８と基
板１０を接続するため、異方性導電膜（ＡＣＦ）４０を
利用した。直交する場合は、異方性導電膜が大変便利で
ある。
【００２６】また、他の構成例を図６に示す。図６
（ａ）が、半導体基板１１を支持基板１０に直接固定
し、導通も一緒に確保する場合である。半導体基板１１
の出力端子８にバンプ２５を形成する。バンプ２５側を
支持基板と対向させ、支持基板１０の端子に半導体基板
１１のバンプ２５を接触させる。そして、リフローする
ことにより、バンプ２５が溶融し、支持基板１０に固定
される。より感度を得るため、拡散抵抗４近傍に固定用
のバンプ２５を作り支持基板１０と固定させるとなお良
い。この方式においても特性的に満足する値を得られ
た。この時の接合状態を図１３に示す。支持基板１０
に、バンプ２５が接触し、溶融することにより図に示す
状態に固定される。拡散抵抗近傍がしっかり固定される
ことが必要なため、固定用バンプ２６を導通の目的以外
に用いた。
（ａ）が、半導体基板１１を支持基板１０に直接固定
し、導通も一緒に確保する場合である。半導体基板１１
の出力端子８にバンプ２５を形成する。バンプ２５側を
支持基板と対向させ、支持基板１０の端子に半導体基板
１１のバンプ２５を接触させる。そして、リフローする
ことにより、バンプ２５が溶融し、支持基板１０に固定
される。より感度を得るため、拡散抵抗４近傍に固定用
のバンプ２５を作り支持基板１０と固定させるとなお良
い。この方式においても特性的に満足する値を得られ
た。この時の接合状態を図１３に示す。支持基板１０
に、バンプ２５が接触し、溶融することにより図に示す
状態に固定される。拡散抵抗近傍がしっかり固定される
ことが必要なため、固定用バンプ２６を導通の目的以外
に用いた。
【００２７】図６（ｂ）においては、支持体９をあらか
じめ固着しておき、支持体９と支持基板１０を固着する
と共に、半導体基板１１のバンプ２５により導通をとる
方法を行った。図６（ｃ）は、異方性導電膜４０を用い
た接合方法である。異方性導電膜４０とは、接着剤４１
中に小さな導電粒子４２が分散されているものである。
図６（ｃ）のように、熱圧着により電極間は粒子が挟ま
れ電気的に導通され、かつ隣接電極間の絶縁は保たれ、
同時に機械的な接合も接着剤４１の硬化によって図れる
ものである。この方式により、バンプ２５と出力端子８
が導電粒子を介在して導通が得られる。
じめ固着しておき、支持体９と支持基板１０を固着する
と共に、半導体基板１１のバンプ２５により導通をとる
方法を行った。図６（ｃ）は、異方性導電膜４０を用い
た接合方法である。異方性導電膜４０とは、接着剤４１
中に小さな導電粒子４２が分散されているものである。
図６（ｃ）のように、熱圧着により電極間は粒子が挟ま
れ電気的に導通され、かつ隣接電極間の絶縁は保たれ、
同時に機械的な接合も接着剤４１の硬化によって図れる
ものである。この方式により、バンプ２５と出力端子８
が導電粒子を介在して導通が得られる。
【００２８】本実施例における半導体加速度センサにお
いては、重り３を３０ミリグラム設置することにより、
電圧として５ｍＶの出力が得られた。この値は、増幅し
ない出力電圧としては良好の特性を得た。また、多軸感
度に対しては、フルスケール値の２％であった。この良
好な多軸感度は、半導体基板１１の構成に起因する。セ
ンサ部、長さ６ｍｍ、幅は半導体ウェハー１２の厚み
０．６ｍｍである。センサ部の厚みは、ダイシング装置
の送りピッチ距離であり０．１ｍｍとした。この０．１
ｍｍのピッチ距離は、ダイシングによる素子流出など歩
留りを考慮した値である。ここで、半導体基板１１幅
０．６ｍｍに対し、半導体基板１１厚０．１ｍｍは約１
／６である。この構成で、多軸に感度をもたない素子を
実現できた。また、本実施例の拡散抵抗４の配置におい
ては、４つの拡散抵抗への変位量の差が小さいため多軸
感度への影響は少ない。
いては、重り３を３０ミリグラム設置することにより、
電圧として５ｍＶの出力が得られた。この値は、増幅し
ない出力電圧としては良好の特性を得た。また、多軸感
度に対しては、フルスケール値の２％であった。この良
好な多軸感度は、半導体基板１１の構成に起因する。セ
ンサ部、長さ６ｍｍ、幅は半導体ウェハー１２の厚み
０．６ｍｍである。センサ部の厚みは、ダイシング装置
の送りピッチ距離であり０．１ｍｍとした。この０．１
ｍｍのピッチ距離は、ダイシングによる素子流出など歩
留りを考慮した値である。ここで、半導体基板１１幅
０．６ｍｍに対し、半導体基板１１厚０．１ｍｍは約１
／６である。この構成で、多軸に感度をもたない素子を
実現できた。また、本実施例の拡散抵抗４の配置におい
ては、４つの拡散抵抗への変位量の差が小さいため多軸
感度への影響は少ない。
【００２９】上述の構成では、一辺のみの拡散抵抗４の
配置であるが、両側面に拡散抵抗４を配置しても良い。
以上のプロセスにより、支持基板上にセンサとなり得る
半導体基板１１と重り３、支持体９を設置した構造がで
きた。ここで、これをパッケージに設置し、センサとす
る。この時、センサを保護するためのシリコンオイル封
入しても良い。
配置であるが、両側面に拡散抵抗４を配置しても良い。
以上のプロセスにより、支持基板上にセンサとなり得る
半導体基板１１と重り３、支持体９を設置した構造がで
きた。ここで、これをパッケージに設置し、センサとす
る。この時、センサを保護するためのシリコンオイル封
入しても良い。
【００３０】本発明の半導体加速度センサを含む半導体
装置は、従来のような検出部を薄く、くびれのある形状
でないため耐衝撃性についても非常にすぐれた特性を示
す。本発明の半導体加速度センサを含む半導体装置を、
自動車に搭載し衝突時に人命を守るためのエアバック作
動用センサとして用いたところ、所定の特性が得られ充
分使用できる範囲であった。
装置は、従来のような検出部を薄く、くびれのある形状
でないため耐衝撃性についても非常にすぐれた特性を示
す。本発明の半導体加速度センサを含む半導体装置を、
自動車に搭載し衝突時に人命を守るためのエアバック作
動用センサとして用いたところ、所定の特性が得られ充
分使用できる範囲であった。
【００３１】
【発明の効果】この発明は、以上説明したような構成に
より下記の効果を有する。 拡散抵抗部を所持する半導体加速度センサが表裏とも
平面であり、拡散抵抗部が薄肉かされていないためデバ
イスが容易に作れる。煩雑なプロセスを必要としない。
さらには、耐衝撃性に強い。 拡散抵抗部に薄肉部が不要のため製造時間が少なくて
すみ、しいては低価格につながる。 精度のよいデバイスを供給できる。 半導体ウェハーから多数の加速度半導体基板を得られ
るため、低価格の加速度センサを供給できる。 圧縮応力、引っ張り応力を同時に検出するため精度の
良いデバイスを供給できる。
より下記の効果を有する。 拡散抵抗部を所持する半導体加速度センサが表裏とも
平面であり、拡散抵抗部が薄肉かされていないためデバ
イスが容易に作れる。煩雑なプロセスを必要としない。
さらには、耐衝撃性に強い。 拡散抵抗部に薄肉部が不要のため製造時間が少なくて
すみ、しいては低価格につながる。 精度のよいデバイスを供給できる。 半導体ウェハーから多数の加速度半導体基板を得られ
るため、低価格の加速度センサを供給できる。 圧縮応力、引っ張り応力を同時に検出するため精度の
良いデバイスを供給できる。
【図１】本発明の半導体加速度センサの構成を示す斜視
図である。
図である。
【図２】（ａ）は従来の半導体加速度センサの構成を示
す上面図で、（ｂ）は側面図である。
す上面図で、（ｂ）は側面図である。
【図３】（ａ）は従来の半導体加速度センサの構成を示
す上面図で、（ｂ）は断面図である。
す上面図で、（ｂ）は断面図である。
【図４】（ａ）は従来の半導体加速度センサの斜視図
で、（ｂ）はブリッジ回路である。
で、（ｂ）はブリッジ回路である。
【図５】（ａ）は本発明の半導体加速度センサの構成を
示す正面図で、（ｂ）はブリッジ回路である。
示す正面図で、（ｂ）はブリッジ回路である。
【図６】本発明の固定方法を説明するための説明図あ
る。
る。
【図７】本発明の半導体加速度センサの製造工程を示す
図である。
図である。
【図８】本発明の一実施例の電気泳動現象を説明図であ
る。
る。
【図９】本発明の一実施例のダイシング装置の説明図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の一実施例のダイシング方法の説明図
である。
である。
【図１１】本発明の一実施例のダイシング方法の説明図
である。
である。
【図１２】本発明の電解インプロセスを説明するための
説明図である。
説明図である。
１ シリコン基体 ２ 片持ち梁 ３ 重り ４ 拡散抵抗 ５ 高濃度拡散領域 ６ 上部ストッパ ７ 下部ストッパ ８ 出力端子 ９ 支持体 １０ 基板 １１ 半導体基板 １２ 半導体ウェハー １３ 陽極 １４ 陰極 １５ シリカ層 １６ ブレード １７ 直流電源 １８ チャック ２５ バンプ ２６ 固定用バンプ ３０ 不導体被膜 ３１ ダイヤモンド粒子 ３２ ボンド材 ３３ イオン ３５ 溝 ３６ 薄肉部 ４０ 異方性導電膜 ４１ 接着剤 ４２ 導電粒子 ５０ ブリッジ回路 １００ 側面 １０１ 加速度センサ半導体素子
フロントページの続き (72)発明者 加藤 健二 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 株式会社エスアイアイ・アールディセン ター内 (56)参考文献 特開 平８−233852（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−66831（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−305450（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−96280（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−302167（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−147644（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−127264（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/84 G01L 1/18 G01L 9/04 101 G01P 15/12 H01L 21/301
Claims (21)
- 【請求項１】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少
なくとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段から
なることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体
装置。 - 【請求項２】 感歪部を有する半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
ることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置であって、前記 感歪部を有する直方体の構造体を生み出すための前
記半導体ウェハーの厚み方向が、前記直方体の感歪部を
有する少なくとも一つの面と直交する半導体加速度セン
サを含む半導体装置。 - 【請求項３】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少
なくとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段から
なることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体
装置であって、前記半導体ウェハーから取り出した前記
直方体の構造体の半導体ウェハーの厚みに対し、前記感
歪部を有する面の前記支持体に向う方向の辺の寸法が小
さいことを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体
装置。 - 【請求項４】 感歪部を有する半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
ることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置であって、前記半導体ウェハーから取り出した直方体
の構造体の半導体ウェハーの厚み方向で、前記半導体ウ
ェハーの厚み方向の断面が長方形であり、感歪部が前記
半導体ウェハーの厚み方向の断面の短軸側にあることを
特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装置。 - 【請求項５】 感歪部を有する半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体を固定し支持する支持体および手
段、前記支持体の支持面の水平面に対し感歪部を有する
半導体ウェハーから取り出した直方体の構造体の感歪部
が、直交するように構成したことを特徴とする半導体加
速度センサを含む半導体装置。 - 【請求項６】 感歪部を有する半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
ることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置であって、前記感歪部がブリッジ回路を構成してなる
ことを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置。 - 【請求項７】 感歪部を有する半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
ることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置であって、前記感歪部のブリッジ回路を構成する抵抗
が拡散抵抗であることを特徴とする半導体加速度センサ
を含む半導体装置。 - 【請求項８】 感歪部を有する半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取り
出した直方体の構造体を固定し支持する支持体と、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
ることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置であって、前記感歪部の拡散抵抗の配置が、半導体ウ
ェハーの厚みに対応する面に直交する感歪部を有する面
の外周部にあり、ブリッジ回路を構成することを特徴と
する半導体加速度センサを含む半導体装置。 - 【請求項９】 請求項８項記載の半導体加速度センサを
含む半導体装置であって、正の加速度を受ける側に、前
記ブリッジ回路の一対の拡散抵抗を、負の加速度を受け
る側に一対の拡散抵抗を有する構成を特徴とする半導体
加速度センサを含む半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項８項記載の半導体加速度センサ
を含む半導体装置であって、正の加速度を受ける側と負
の加速度を受ける側とに拡散抵抗を有するブリッジ回路
を特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装置。 - 【請求項１１】 請求項８項記載の半導体加速度センサ
を含む半導体装置であって、前記拡散抵抗が圧縮応力を
検出する拡散抵抗と引っ張り応力を検出する拡散抵抗を
有することを特徴とする半導体加速度センサを含む半導
体装置。 - 【請求項１２】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
ることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置であって、片持ち梁の１つの面に複数の拡散抵抗があ
り、拡散抵抗の長軸方向が片持ち梁の長さ方向であるこ
とを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装置。 - 【請求項１３】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
ることを特徴とする半導体加速度センサを含む半導体装
置であって、前記半導体ウェハーから取り出した直方体
の構造体の一端に支持体、他端に重りがある構成を特徴
とする半導体加速度センサを含む半導体装置。 - 【請求項１４】 半導体ウェハーの表面に感歪部を形成
する工程、半導体ウェハーから感歪部を有する直方体の
構造体を切り出す工程、支持体と前記半導体ウェハーよ
り切り出した直方体の構造体を接合する工程、感歪部の
情報を取り出すための端子と端子を接続する工程、前記
構成に衝撃を防ぐための機能を付加しパッケージングす
る工程からなることを特徴とする半導体加速度センサを
含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１０項記載の半導体加速度セン
サを含む半導体装置の製造方法の半導体ウェハーから感
歪部を有する直方体の構造体を切り出す工程において、
前記半導体ウェハーの厚みより狭い寸法で半導体ウェハ
ー面の前記感歪部を有する面の拡散抵抗の長手方向に直
交な面の寸法を切り出すことを特徴とする半導体加速度
センサを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１０項記載の半導体加速度セン
サを含む半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハ
ーから切り出した感歪部を有する直方体の構造体の感歪
面が支持体と接する面に直交する面にあることを特徴と
する半導体加速度センサを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 物理量変化を抵抗値変化に変換する感
歪部を有し、感歪部がブリッジ回路を構成した半導体ウ
ェハー、半導体ウェハーを上面から下面に切り出し直方
体を形成する工程であって、切断刃に電解、砥粒を帯電
する工程を含むことを特徴とする半導体加速度センサを
含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１８】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
る半導体加速度センサを含む半導体装置を搭載した二輪
車。 - 【請求項１９】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
る半導体加速度センサを含む半導体装置を搭載した自動
車。 - 【請求項２０】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
る半導体加速度センサを含む半導体装置を搭載した航空
機。 - 【請求項２１】 感歪部を有する半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体と、前記半導体ウェハーから取
り出した直方体の構造体を固定し支持する支持体、少な
くとも前記直方体の構造体の一端を固定する手段からな
る半導体加速度センサを含む半導体装置を搭載した電子
機器。
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