JP2796970B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2796970B2 JP2796970B2 JP63035381A JP3538188A JP2796970B2 JP 2796970 B2 JP2796970 B2 JP 2796970B2 JP 63035381 A JP63035381 A JP 63035381A JP 3538188 A JP3538188 A JP 3538188A JP 2796970 B2 JP2796970 B2 JP 2796970B2
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- conductive
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- conductive polymer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造方法に関し、 導電性ポリマにより絶縁性ポリマ等の絶縁体を導電化
することを利用する半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とし、 絶縁性ポリマからなるレジストを基板上に塗布する工
程と、５員環構造の複素環式化合物の電解重合物である
導電性ポリマを、前記レジスト上に真空蒸着し、前記レ
ジストを導電化する工程とを有する半導体装置の製造方
法を含み構成する。
することを利用する半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とし、 絶縁性ポリマからなるレジストを基板上に塗布する工
程と、５員環構造の複素環式化合物の電解重合物である
導電性ポリマを、前記レジスト上に真空蒸着し、前記レ
ジストを導電化する工程とを有する半導体装置の製造方
法を含み構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
一般に、有機物は絶縁性を有するものが多いが、この
有機物が導電化することによって、新しい機能性材料と
して使用することができるので、現在導電性ポリマの機
能化が各分野において進められている。
有機物が導電化することによって、新しい機能性材料と
して使用することができるので、現在導電性ポリマの機
能化が各分野において進められている。
しかし、この導電材料としての可能性を追求する場
合、導電性ポリマ自身を絶縁上に形成、成長させるか、
あるいは絶縁物と導電性ポリマの混合体を形成する必要
がある。ところが、導電性ポリマは有機物であるが、金
属的性質を有し、溶媒等に不溶であり、そのために塗布
等により絶縁体上に導電性ポリマ層の膜を形成したりす
ることが困難で、絶縁体の導電化ができない問題点があ
った。
合、導電性ポリマ自身を絶縁上に形成、成長させるか、
あるいは絶縁物と導電性ポリマの混合体を形成する必要
がある。ところが、導電性ポリマは有機物であるが、金
属的性質を有し、溶媒等に不溶であり、そのために塗布
等により絶縁体上に導電性ポリマ層の膜を形成したりす
ることが困難で、絶縁体の導電化ができない問題点があ
った。
そこで本発明は、導電性ポリマにより絶縁性ポリマ等
の絶縁体を導電化することができる絶縁体の導電化方法
を利用する半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
の絶縁体を導電化することができる絶縁体の導電化方法
を利用する半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
上記問題点は、絶縁性ポリマからなるレジストを基板
上に塗布する工程と、５員環構造の複素環式化合物の電
解重合物である導電性ポリマを、前記レジスト上に真空
蒸着し、前記レジストを導電化する工程とを有する半導
体装置の製造方法によって解決される。
上に塗布する工程と、５員環構造の複素環式化合物の電
解重合物である導電性ポリマを、前記レジスト上に真空
蒸着し、前記レジストを導電化する工程とを有する半導
体装置の製造方法によって解決される。
すなわち、本発明は、電解重合法などにより重合した
導電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無機物上に真空蒸
着することにより、表面に導電性ポリマ層が形成され導
電化される。このとき、絶縁性ポリマでは導電化が内部
まで進み、無機物では表面層のみの導電化が可能になる
ので、この技術を半導体装置の製造においてレジストに
適用し、電子ビーム露光を行ったとき電荷の帯電を防止
する。
導電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無機物上に真空蒸
着することにより、表面に導電性ポリマ層が形成され導
電化される。このとき、絶縁性ポリマでは導電化が内部
まで進み、無機物では表面層のみの導電化が可能になる
ので、この技術を半導体装置の製造においてレジストに
適用し、電子ビーム露光を行ったとき電荷の帯電を防止
する。
以下に電解重合法により合成したポリピロール（導電
性ポリマ）を絶縁性ポリマ上に真空蒸着する例について
説明する。
性ポリマ）を絶縁性ポリマ上に真空蒸着する例について
説明する。
まず、ポリピロールの電解重合は、第１図に示す電解
重合装置を用いて行なった。同図において、電解重合装
置は、電解容器11がマグネティックスターラー12上に配
置され、この電解容器11中に白金（Pt）板から成る電極
13,14が設けられている。電極13,14は、直流電圧を供給
する電源15に接続されている。電解容器11中には、複素
環式化合物である５員環構造のピロール（Ｘ＝NH）のモ
ノマーに、例えばアセトニトリル(CH3CN)とテトラエチ
ルアンモニウムフルオロボレイト(N(C2H5)4BF4)が電解
液として用いられる。電解容器11とマグネティックスタ
ーラー12とは、アルゴンを供給した容器16中に配設され
る。
重合装置を用いて行なった。同図において、電解重合装
置は、電解容器11がマグネティックスターラー12上に配
置され、この電解容器11中に白金（Pt）板から成る電極
13,14が設けられている。電極13,14は、直流電圧を供給
する電源15に接続されている。電解容器11中には、複素
環式化合物である５員環構造のピロール（Ｘ＝NH）のモ
ノマーに、例えばアセトニトリル(CH3CN)とテトラエチ
ルアンモニウムフルオロボレイト(N(C2H5)4BF4)が電解
液として用いられる。電解容器11とマグネティックスタ
ーラー12とは、アルゴンを供給した容器16中に配設され
る。
このような電解重合装置により、電源15から5V程度の
電圧を印加することにより、電解重合が進み、プラス電
極13側にポリピロールが形成される。このポリピロール
は、約10Ωcmの抵抗を有する導電性ポリマである。
電圧を印加することにより、電解重合が進み、プラス電
極13側にポリピロールが形成される。このポリピロール
は、約10Ωcmの抵抗を有する導電性ポリマである。
次に、上記電解重合装置で重合したポリピロールは、
第２図に示す真空蒸着装置により絶縁性ポリマー上に蒸
着される。すなわち、同図において、真空容器21中に配
設された皿22に蒸発源としてポリピロールを入れヒータ
等で加熱し蒸発させる。真空容器21中の皿22の上部に
は、例えば、クロロナチル化ポリスチレン、あるいはク
レゾールノボラック等の絶縁性ポリマ23をレジスト膜と
して塗布したシリコン基板24が配置される。この真空蒸
着装置により、絶縁性ポリマ23上には、ポリピロールが
導電性ポリマ層として蒸着する。
第２図に示す真空蒸着装置により絶縁性ポリマー上に蒸
着される。すなわち、同図において、真空容器21中に配
設された皿22に蒸発源としてポリピロールを入れヒータ
等で加熱し蒸発させる。真空容器21中の皿22の上部に
は、例えば、クロロナチル化ポリスチレン、あるいはク
レゾールノボラック等の絶縁性ポリマ23をレジスト膜と
して塗布したシリコン基板24が配置される。この真空蒸
着装置により、絶縁性ポリマ23上には、ポリピロールが
導電性ポリマ層として蒸着する。
上記方法により、ポリピロールが絶縁性ポリマ23上に
数10Å程度の厚さに形成され、この結果、絶縁性ポリマ
23の抵抗は、約105Ωcm以上も低下し、導電化された。
また、この導電化は内部まで進行していると考えられ
る。
数10Å程度の厚さに形成され、この結果、絶縁性ポリマ
23の抵抗は、約105Ωcm以上も低下し、導電化された。
また、この導電化は内部まで進行していると考えられ
る。
以上に説明した方法によれば、導電性ポリマ層を絶縁
物上に形成し、導電化が可能になる。このような絶縁性
ポリマ23を塗布したシリコン基板24では、この絶縁性ポ
リマ23が導電化されるため、電子ビーム露光等を行なう
ときにレジスト膜への電荷の帯電を防止することに利用
できる。
物上に形成し、導電化が可能になる。このような絶縁性
ポリマ23を塗布したシリコン基板24では、この絶縁性ポ
リマ23が導電化されるため、電子ビーム露光等を行なう
ときにレジスト膜への電荷の帯電を防止することに利用
できる。
上記した例は、 で示される構造のものである。さらに他の導電性ポリマ
としては、ポリピロールと同様に複素環式化合物である
５員環構造のモノマーを重合したポリセチオフェン（Ｘ
＝Ｓ）、ポリフラン（Ｘ＝Ｏ）、ポリセレノフェン（Ｘ
＝Se）等の導電性ポリマがある。
としては、ポリピロールと同様に複素環式化合物である
５員環構造のモノマーを重合したポリセチオフェン（Ｘ
＝Ｓ）、ポリフラン（Ｘ＝Ｏ）、ポリセレノフェン（Ｘ
＝Se）等の導電性ポリマがある。
さらに他の導電性ポリマとしては、 で示されるポリアニン、 で示されるポリパラフェニレンがある。
また、上記実施例において、絶縁性ポリマ23上に導電
性ポリマを蒸着した場合には、導電化は内部まで進行し
ていると考えられるが、例えばガラス等の無機物状に蒸
着してもよく、この場合には蒸着した表面層のみが導電
化される。
性ポリマを蒸着した場合には、導電化は内部まで進行し
ていると考えられるが、例えばガラス等の無機物状に蒸
着してもよく、この場合には蒸着した表面層のみが導電
化される。
さらに、絶縁性ポリマは、例えば半導体製造プロセス
における基板上に塗布されるレジスト材料であれば適用
が可能であり、レジスト膜への電荷の帯電を防止でき
る。
における基板上に塗布されるレジスト材料であれば適用
が可能であり、レジスト膜への電荷の帯電を防止でき
る。
以上説明したように本発明によれば、電解重合法など
により重合した導電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無
機物上に真空蒸着することにより、表面に導電性ポリマ
層が形成され導電化することができ、半導体装置の製造
においてレジスト膜へ適用したとき、電子ビーム露光を
行なった時などには、電荷の帯電を防止できるなどの効
果がある。
により重合した導電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無
機物上に真空蒸着することにより、表面に導電性ポリマ
層が形成され導電化することができ、半導体装置の製造
においてレジスト膜へ適用したとき、電子ビーム露光を
行なった時などには、電荷の帯電を防止できるなどの効
果がある。
第１図は導電性ポリマの重合に用いる電解重合装置の構
造図、 第２図は導電性ポリマの真空蒸着に用いる真空蒸着装置
の構成図である。 図において、 11は電解容器、12はマグネティックスターラー、13,14
は電極、15は電源、16は容器、21は真空容器、22は皿、
23は絶縁性ポリマ、24はシリコン基板、 を示す。
造図、 第２図は導電性ポリマの真空蒸着に用いる真空蒸着装置
の構成図である。 図において、 11は電解容器、12はマグネティックスターラー、13,14
は電極、15は電源、16は容器、21は真空容器、22は皿、
23は絶縁性ポリマ、24はシリコン基板、 を示す。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−4326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−250166（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−156721（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−168651（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−254729（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−54323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−57218（ＪＰ，Ａ) 特表 平１−501345（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/88 - 21/90 H01L 21/203
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性ポリマからなるレジストを基板上に
塗布する工程と、 ５員環構造の複素環式化合物の電解重合物である導電性
ポリマを、前記レジスト上に真空蒸着し、前記レジスト
を導電化する工程と を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035381A JP2796970B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035381A JP2796970B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211918A JPH01211918A (ja) | 1989-08-25 |
| JP2796970B2 true JP2796970B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12440319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035381A Expired - Lifetime JP2796970B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2796970B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2902727B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1999-06-07 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線照射方法及び観察方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3346935A1 (de) * | 1983-12-24 | 1985-07-04 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur verbesserung der langzeitstabilitaet der elektrischen leitfaehigkeit von pyrrol-polymerisaten |
| EP0191726A3 (de) * | 1985-01-17 | 1988-05-11 | Ciba-Geigy Ag | Polypyrrol-Polyimidzusammensetzungen |
| JPS624326A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
| JPS62250166A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリ−ｐ−フエニレンビニレン薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63035381A patent/JP2796970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01211918A (ja) | 1989-08-25 |
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