JPH01211918A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
導電性ポリマにより絶縁性ポリマ及び無機物等の絶縁体
を導電化する導電化方法に関し、導電性ポリマにより絶
縁性ポリマ等の絶縁体を導電化することができる絶縁体
の導電化方法を提供することを目的とし、 ５員環構造の複素環式化合物の電解重合物である導電性
ポリマを絶縁性ポリマ上に真空蒸着することにより、こ
の絶縁性ポリマを導電化することを特徴とする絶縁体の
導電化方法を含み構成する。
を導電化する導電化方法に関し、導電性ポリマにより絶
縁性ポリマ等の絶縁体を導電化することができる絶縁体
の導電化方法を提供することを目的とし、 ５員環構造の複素環式化合物の電解重合物である導電性
ポリマを絶縁性ポリマ上に真空蒸着することにより、こ
の絶縁性ポリマを導電化することを特徴とする絶縁体の
導電化方法を含み構成する。
本発明は、導電性ポリマにより絶縁性ポリマ及び無機物
等の絶縁体を導電化する導電化方法に関する。
等の絶縁体を導電化する導電化方法に関する。
一般に、有機物は絶縁性を有するものが多いが、この有
機物を導電化することによって、新しい機能性材料とし
て使用することができるものであるので、現在導電性ポ
リマの機能化が各分野において進められている。
機物を導電化することによって、新しい機能性材料とし
て使用することができるものであるので、現在導電性ポ
リマの機能化が各分野において進められている。
しかし、この導電材料としての可能性を追求する場合、
導電性ポリマ自身を絶縁物上に形成、成長させるか、あ
るいは絶縁物と導電性ポリマの混合体を形成する必要が
ある。ところが、導電性ポリマは有機物であるが、金属
的性質を有し、溶媒等に不溶であり、そのために塗布等
により絶縁体上に導電性ポリマ層の膜を形成したりする
ことが困難で、絶縁体の導電化ができない問題点があっ
た。
導電性ポリマ自身を絶縁物上に形成、成長させるか、あ
るいは絶縁物と導電性ポリマの混合体を形成する必要が
ある。ところが、導電性ポリマは有機物であるが、金属
的性質を有し、溶媒等に不溶であり、そのために塗布等
により絶縁体上に導電性ポリマ層の膜を形成したりする
ことが困難で、絶縁体の導電化ができない問題点があっ
た。
そこで本発明は、導電性ポリマにより絶縁性ポリマ等の
絶縁体を導電化することができる絶縁体の導電化方法を
提供することを目的とする。
絶縁体を導電化することができる絶縁体の導電化方法を
提供することを目的とする。
上記問題点は、５員環構造の複素環式化合物の電解重合
物である導電性ポリマを絶縁性ポリマ上に真空蒸着する
ことにより、この絶縁性ポリマを導電化することを特徴
とする絶縁体の導電化方法によって解決される。
物である導電性ポリマを絶縁性ポリマ上に真空蒸着する
ことにより、この絶縁性ポリマを導電化することを特徴
とする絶縁体の導電化方法によって解決される。
すなわち、本発明は、電解重合法などにより重合した導
電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無機物上に真空蒸着
することにより、表面に導電性ポリマ層が形成され導電
化される。このとき、絶縁性ポリマでは導電化が内部ま
で進み、無機物では表面層のみの導電化が可能になる。
電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無機物上に真空蒸着
することにより、表面に導電性ポリマ層が形成され導電
化される。このとき、絶縁性ポリマでは導電化が内部ま
で進み、無機物では表面層のみの導電化が可能になる。
以下に電解重合法により合成したポリピロール（導電性
ポリマ）を絶縁性ポリマ上に真空蒸着した実施例につい
て説明する。
ポリマ）を絶縁性ポリマ上に真空蒸着した実施例につい
て説明する。
まず、ポリピロールの電解重合は、第１図に示す電解重
合装置を用いて行なった。同図において、電解重合装置
は、電解容器１１がマグネティックスクーラー１２上に
配置され、この電解容器１１中に白金（Ｐｔ）板から成
る電極１３．１４が設けられている。
合装置を用いて行なった。同図において、電解重合装置
は、電解容器１１がマグネティックスクーラー１２上に
配置され、この電解容器１１中に白金（Ｐｔ）板から成
る電極１３．１４が設けられている。
電極１３．１４は、直流電圧を供給する電源１５に接続
されている。電解容器１１中には、複素環式化合物であ
る５員環構造のピロール（Ｘ＝ＮＨ）のモノマーに、例
えばアセトニトリル（ＣＩ（３ＣＮ）とテトラエチルア
ンモニウムフルオロボレイト（Ｎ（Ｃｚｌｌｓ） ４８
Ｆ４）が電解液として用いられる。電解容器１１とマグ
ネテインクスターラー１２とは、アルゴンを供給した容
器１６中に配設される。
されている。電解容器１１中には、複素環式化合物であ
る５員環構造のピロール（Ｘ＝ＮＨ）のモノマーに、例
えばアセトニトリル（ＣＩ（３ＣＮ）とテトラエチルア
ンモニウムフルオロボレイト（Ｎ（Ｃｚｌｌｓ） ４８
Ｆ４）が電解液として用いられる。電解容器１１とマグ
ネテインクスターラー１２とは、アルゴンを供給した容
器１６中に配設される。
二のような電解重合装置により、電源１５から５Ｖ程度
の電圧を印加することにより、電解重合が進み、プラス
電極１３側にポリピロールが形成される。このポリピロ
ールは、約１０Ωｃｍの抵抗を有し導電性ポリマである
。
の電圧を印加することにより、電解重合が進み、プラス
電極１３側にポリピロールが形成される。このポリピロ
ールは、約１０Ωｃｍの抵抗を有し導電性ポリマである
。
次に、上記電解重合装置で重合したポリピロールは、第
２図に示す真空蒸着装置により絶縁性ポリマー上に蒸着
される。すなわち、同図において、真空容器２１中に配
設された皿２２に蒸発源としてポリピロールを入れヒー
タ等で加熱し蒸発させる。
２図に示す真空蒸着装置により絶縁性ポリマー上に蒸着
される。すなわち、同図において、真空容器２１中に配
設された皿２２に蒸発源としてポリピロールを入れヒー
タ等で加熱し蒸発させる。
真空容器２１中の皿２２の上部には、例えば、クロロナ
チル化ポリスチレン、あるいはクレゾールノボラック等
の絶縁性ポリマ２３をレジスト膜として塗布したシリコ
ン基板２４が配置される。この真空蒸着装置により、絶
縁性ポリマ２３上には、ポリピロールが導電性ポリマ層
として蒸着する。
チル化ポリスチレン、あるいはクレゾールノボラック等
の絶縁性ポリマ２３をレジスト膜として塗布したシリコ
ン基板２４が配置される。この真空蒸着装置により、絶
縁性ポリマ２３上には、ポリピロールが導電性ポリマ層
として蒸着する。
上記方法により、ポリピロールが絶縁性ポリマ２３上に
数１０人程度の厚さに形成され、この結果、絶縁性ポリ
マ２３の抵抗は、約ｌＯＳΩＣｌ１１以上も低下し、導
電化された。また、この導電化は内部まで進行している
と考えられる。
数１０人程度の厚さに形成され、この結果、絶縁性ポリ
マ２３の抵抗は、約ｌＯＳΩＣｌ１１以上も低下し、導
電化された。また、この導電化は内部まで進行している
と考えられる。
以上のように、本実施例の方法によれば、導電性ポリマ
層を絶縁物上に形成し、導電化が可能になる。このよう
な絶縁性ポリマ２３を塗布したシリコン基板２４では、
この絶縁性ポリマ２３が導電化されるため、電子ビーム
露光等を行なうときにレジスト膜への電荷の帯電を防止
することに利用できる。
層を絶縁物上に形成し、導電化が可能になる。このよう
な絶縁性ポリマ２３を塗布したシリコン基板２４では、
この絶縁性ポリマ２３が導電化されるため、電子ビーム
露光等を行なうときにレジスト膜への電荷の帯電を防止
することに利用できる。
上記した例は、
で示される構造のものであり、さらに他の導電性ポリマ
としては、ポリピロールと同様に複素環式化合物である
５員構造のモノマーを重合したポリセレノフェン（ｘ＝
３） 、ポリフラン（ｘ＝Ｏ）、ポリセレノフェン（Ｘ
＝Ｓｅ）等の導電性ポリマがある。さらに他の導電性ポ
リマとしては、で示されるポリアニン、 で示されるポリパラフェニレンがある。
としては、ポリピロールと同様に複素環式化合物である
５員構造のモノマーを重合したポリセレノフェン（ｘ＝
３） 、ポリフラン（ｘ＝Ｏ）、ポリセレノフェン（Ｘ
＝Ｓｅ）等の導電性ポリマがある。さらに他の導電性ポ
リマとしては、で示されるポリアニン、 で示されるポリパラフェニレンがある。
また、上記実施例において、絶縁性ポリマ２３じように
導電性ポリマを蒸着した場合には、導電化は内部まで進
行していると考えられるが、例えばガラス等の無機物状
に蒸着してもよく、この場合には蒸着した表面層のみが
導電化される。
導電性ポリマを蒸着した場合には、導電化は内部まで進
行していると考えられるが、例えばガラス等の無機物状
に蒸着してもよく、この場合には蒸着した表面層のみが
導電化される。
さらに、絶縁性ポリマは、例えば半導体製造プロセスに
おける基板上に塗布されるレジスト材料であれば適用が
可能であり、レジスト膜への電荷の帯電を防止できる。
おける基板上に塗布されるレジスト材料であれば適用が
可能であり、レジスト膜への電荷の帯電を防止できる。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、電解重合法などに
より重合した導電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無機
物上に真空蒸着することにより、表面に導電性ポリマ層
が形成され導電化することができ、レジスト膜へ適用し
たとき（電子ビーム露光を行なった時などに）には、電
荷の帯電を防止できるなどの効果がある。
より重合した導電性ポリマを絶縁性ポリマ上または無機
物上に真空蒸着することにより、表面に導電性ポリマ層
が形成され導電化することができ、レジスト膜へ適用し
たとき（電子ビーム露光を行なった時などに）には、電
荷の帯電を防止できるなどの効果がある。
第１図は本発明実施例の導電性ポリマの重合に用いる電
解重合装置の構造図、 第２図は導電性ポリマの真空蒸着に用いる真空蒸着装置
の構成図である。 図において、 １１は電解容器、 １２はマグネティックスクーラー、 １３、１４は電極、 １５は電源、 １６は容器、 ２Ｉは真空容器、 ２２は皿、 ２３は絶縁性ポリマ、 ２４はシリコン基板、 を示す。
解重合装置の構造図、 第２図は導電性ポリマの真空蒸着に用いる真空蒸着装置
の構成図である。 図において、 １１は電解容器、 １２はマグネティックスクーラー、 １３、１４は電極、 １５は電源、 １６は容器、 ２Ｉは真空容器、 ２２は皿、 ２３は絶縁性ポリマ、 ２４はシリコン基板、 を示す。
Claims (1)
- ５員環構造の複素環式化合物の電解重合物である導電
性ポリマを絶縁性ポリマ上に真空蒸着することにより、
この絶縁性ポリマを導電化することを特徴とする絶縁体
の導電化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035381A JP2796970B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035381A JP2796970B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211918A true JPH01211918A (ja) | 1989-08-25 |
| JP2796970B2 JP2796970B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12440319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035381A Expired - Lifetime JP2796970B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2796970B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0459255A2 (en) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method for suppression of electrification |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156721A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-08-16 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | ピロール重合物の導電率の長期安定性を改善する方法 |
| JPS61168651A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-30 | チバ‐ガイギー アクチエンゲゼルシヤフト | ポリピロール／ポリイミド組成物及びその製造方法 |
| JPS624326A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
| JPS62250166A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリ−ｐ−フエニレンビニレン薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63035381A patent/JP2796970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156721A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-08-16 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | ピロール重合物の導電率の長期安定性を改善する方法 |
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| JPS62250166A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリ−ｐ−フエニレンビニレン薄膜の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0459255A2 (en) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method for suppression of electrification |
| US5256454A (en) * | 1990-05-30 | 1993-10-26 | Hitachi, Ltd. | Method for suppression of electrification |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2796970B2 (ja) | 1998-09-10 |
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