JP2777076B2 - 高周波用低損失誘電体材料 - Google Patents
高周波用低損失誘電体材料Info
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- JP2777076B2 JP2777076B2 JP7011577A JP1157795A JP2777076B2 JP 2777076 B2 JP2777076 B2 JP 2777076B2 JP 7011577 A JP7011577 A JP 7011577A JP 1157795 A JP1157795 A JP 1157795A JP 2777076 B2 JP2777076 B2 JP 2777076B2
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- dielectric material
- dielectric
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波、ミリ波等
の高周波領域における発振器、アンテナ、フィルター、
あるいは電子回路基板等に適用される高周波用低損失誘
電体材料に関する。
の高周波領域における発振器、アンテナ、フィルター、
あるいは電子回路基板等に適用される高周波用低損失誘
電体材料に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、自動車電話、コードレスフォン等の
移動体通信や簡易型携帯電話システム（ＰＨＳ）、衛星
放送受信機等あるいは半導体、液晶製造用ＣＶＤ装置等
の高周波機器、装置の発展、普及に伴い、高周波領域で
使用する電子部品や電子回路基板として高周波用誘電体
セラミックスが積極的に利用されている。
移動体通信や簡易型携帯電話システム（ＰＨＳ）、衛星
放送受信機等あるいは半導体、液晶製造用ＣＶＤ装置等
の高周波機器、装置の発展、普及に伴い、高周波領域で
使用する電子部品や電子回路基板として高周波用誘電体
セラミックスが積極的に利用されている。
【０００３】これら高周波用に用いられる誘電体材料は
高性能化のために高周波における誘電損失を小さくする
ことが要求されているが、近年の高周波技術の汎用化に
従い、高温、腐食等の特殊環境下で利用することも検討
されており、機械的特性に優れ、化学的に安定な高信頼
性の高周波用低損失誘電体材料が望まれている。
高性能化のために高周波における誘電損失を小さくする
ことが要求されているが、近年の高周波技術の汎用化に
従い、高温、腐食等の特殊環境下で利用することも検討
されており、機械的特性に優れ、化学的に安定な高信頼
性の高周波用低損失誘電体材料が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】これら課題を解決す
るために、誘電特性に優れる従来のＢａＯ−ＴｉＯ
2 系、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2 、ＣａＯ−ＺｒＯ2 系
等の誘電体セラミック材料の機械的、化学的特性の改良
が各種図られているが、その強度は室温でせいぜい１０
０ＭＰａ程度であり、機械的、化学的特性は材料固有の
ヤング率、原子間結合様式、結合力に強く依存するため
大幅な改良は未だ達成されていないのが現状である。
るために、誘電特性に優れる従来のＢａＯ−ＴｉＯ
2 系、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2 、ＣａＯ−ＺｒＯ2 系
等の誘電体セラミック材料の機械的、化学的特性の改良
が各種図られているが、その強度は室温でせいぜい１０
０ＭＰａ程度であり、機械的、化学的特性は材料固有の
ヤング率、原子間結合様式、結合力に強く依存するため
大幅な改良は未だ達成されていないのが現状である。
【０００５】一方、機械的、化学的特性に優れるセラミ
ックスの代表として、窒化珪素質焼結体が知られている
が、一般に機械部品に適用されている窒化珪素質焼結体
の高周波における誘電損失は、例えば精密工学会誌第５
３巻第５号（１９８７年）ｐ７４３−ｐ７４８によれば
６ＧＨｚで７×１０-4と大きく、高周波用の誘電体材料
としては不適であった。誘電体材料としてこれまで窒化
珪素はほとんど検討されていなかった。
ックスの代表として、窒化珪素質焼結体が知られている
が、一般に機械部品に適用されている窒化珪素質焼結体
の高周波における誘電損失は、例えば精密工学会誌第５
３巻第５号（１９８７年）ｐ７４３−ｐ７４８によれば
６ＧＨｚで７×１０-4と大きく、高周波用の誘電体材料
としては不適であった。誘電体材料としてこれまで窒化
珪素はほとんど検討されていなかった。
【０００６】本発明者等は、高い強度を有するとともに
高周波帯域において低損失な材料について検討を重ね、
窒化珪素質焼結体の機械的強度が高いことから、この窒
化珪素質焼結体をベースにその誘電損失を低減すること
に対して検討を進めた結果、窒化珪素質焼結体中に含ま
れるアルミニウム含有量を特定量に制御することにより
１０ＧＨｚにおける誘電損失が４×１０-4以下まで低減
し、高周波用に適した材料となることを見いだし本発明
に至った。
高周波帯域において低損失な材料について検討を重ね、
窒化珪素質焼結体の機械的強度が高いことから、この窒
化珪素質焼結体をベースにその誘電損失を低減すること
に対して検討を進めた結果、窒化珪素質焼結体中に含ま
れるアルミニウム含有量を特定量に制御することにより
１０ＧＨｚにおける誘電損失が４×１０-4以下まで低減
し、高周波用に適した材料となることを見いだし本発明
に至った。
【０００７】即ち、本発明の高周波用低損失誘電体材料
は、窒化珪素を主体とし、不純物的酸素、あるいは不純
物的酸素と周期律表第３ａ族化合物を含有する窒化珪素
質焼結体からなり、該焼結体中におけるアルミニウムの
酸化物換算量が０．５重量％以下であり、且つ１０ＧＨ
ｚにおける誘電損失が４×１０-4以下であることを特徴
とするものである。
は、窒化珪素を主体とし、不純物的酸素、あるいは不純
物的酸素と周期律表第３ａ族化合物を含有する窒化珪素
質焼結体からなり、該焼結体中におけるアルミニウムの
酸化物換算量が０．５重量％以下であり、且つ１０ＧＨ
ｚにおける誘電損失が４×１０-4以下であることを特徴
とするものである。
【０００８】以下、本発明を詳述する。本発明における
誘電体材料は、窒化珪素を主成分とするものであり、窒
化珪素以外の成分として、少なくとも不純物的酸素、あ
るいは不純物的酸素と周期律表第３ａ族元素化合物を含
むものである。ここで、不純物的酸素とは、窒化珪素質
焼結体中に含まれる酸素のうちの二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）成分を示している。この不純物的酸素は、窒化珪
素原料中に不可避的に含まれる不純物酸素、あるいは意
図的に添加された酸化珪素（ＳｉＯ2 ）によるものであ
る。
誘電体材料は、窒化珪素を主成分とするものであり、窒
化珪素以外の成分として、少なくとも不純物的酸素、あ
るいは不純物的酸素と周期律表第３ａ族元素化合物を含
むものである。ここで、不純物的酸素とは、窒化珪素質
焼結体中に含まれる酸素のうちの二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）成分を示している。この不純物的酸素は、窒化珪
素原料中に不可避的に含まれる不純物酸素、あるいは意
図的に添加された酸化珪素（ＳｉＯ2 ）によるものであ
る。
【０００９】また、周期律表第３ａ族元素化合物は、焼
結助剤として添加される成分であり、例えば、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕおよび
Ｓｃなどが挙げられるが、これらの中でも強度の点から
イオン半径の小さいＥｒ、Ｙｂ、Ｌｕ等が望ましく、こ
れらの中でも特にＬｕが望ましい。この周期律表第３ａ
族元素化合物は、酸化物換算で１０ｍｏｌ％以下が適当
で、望ましくは３ｍｏｌ％以下である。また、上記不純
物的酸素、即ち二酸化珪素含有量は、周期律表第３ａ族
元素化合物の酸化物換算（ＲＥ2 Ｏ3 ）量とのモル比
（ＳｉＯ2 ／ＲＥ2Ｏ3 ）で１．５〜１０が適当で、特
に１．８〜３．５が望ましい。
結助剤として添加される成分であり、例えば、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕおよび
Ｓｃなどが挙げられるが、これらの中でも強度の点から
イオン半径の小さいＥｒ、Ｙｂ、Ｌｕ等が望ましく、こ
れらの中でも特にＬｕが望ましい。この周期律表第３ａ
族元素化合物は、酸化物換算で１０ｍｏｌ％以下が適当
で、望ましくは３ｍｏｌ％以下である。また、上記不純
物的酸素、即ち二酸化珪素含有量は、周期律表第３ａ族
元素化合物の酸化物換算（ＲＥ2 Ｏ3 ）量とのモル比
（ＳｉＯ2 ／ＲＥ2Ｏ3 ）で１．５〜１０が適当で、特
に１．８〜３．５が望ましい。
【００１０】本発明によれば、焼結体中のアルミニウム
（Ａｌ）含有量は、焼結体の誘電損失を決定する大きな
要因でありＡｌ量が低減するに従い誘電損失も低減され
る。
（Ａｌ）含有量は、焼結体の誘電損失を決定する大きな
要因でありＡｌ量が低減するに従い誘電損失も低減され
る。
【００１１】従って、Ａｌ量が酸化物（Ａｌ2 Ｏ3 ）換
算で０．５重量％以下であることが重要であり、特に
０．１重量％未満であることが望ましい。このＡｌ量
は、０．５重量％を越えると低損失の焼結体が得られな
い。
算で０．５重量％以下であることが重要であり、特に
０．１重量％未満であることが望ましい。このＡｌ量
は、０．５重量％を越えると低損失の焼結体が得られな
い。
【００１２】また、本発明の誘電体材料は、上記Ａｌ量
を満足することを除き、他の成分としてアルカリ土類金
属やモリブデン、タングステン化合物等の複合粒子を微
量含有していても構わない。
を満足することを除き、他の成分としてアルカリ土類金
属やモリブデン、タングステン化合物等の複合粒子を微
量含有していても構わない。
【００１３】さらに、本発明の誘電体材料は、焼結体と
して緻密化しているものであれば、特にその密度を格別
制限するものでないが、高強度化の面から相対密度９０
％、特には９５％以上であることが望ましい。組織的に
は、窒化珪素結晶粒とその粒界相により構成され、前述
の周期律表第３ａ族元素化合物および不純物的酸素は、
焼結体の粒界を構成する成分としてガラス相あるいは結
晶相を形成する。結晶相についても窒化珪素結晶粒はα
型、β型のいずれの結晶相でも問題は無いが、高温強度
を高めるには粒界結晶相は結晶化しているほうがよい。
して緻密化しているものであれば、特にその密度を格別
制限するものでないが、高強度化の面から相対密度９０
％、特には９５％以上であることが望ましい。組織的に
は、窒化珪素結晶粒とその粒界相により構成され、前述
の周期律表第３ａ族元素化合物および不純物的酸素は、
焼結体の粒界を構成する成分としてガラス相あるいは結
晶相を形成する。結晶相についても窒化珪素結晶粒はα
型、β型のいずれの結晶相でも問題は無いが、高温強度
を高めるには粒界結晶相は結晶化しているほうがよい。
【００１４】陽イオン不純物としては、アルミニウムが
前述の範囲を満足すれば特に制限しないが、強度の点か
らは少ない方が好ましく、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ等の遷移金
属は酸化物換算の合量で１重量％以下、好ましくは０．
５重量％以下が良い。また、窒化珪素原料に吸着してい
るフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）は市販されている窒化珪
素粉末レベル、即ち、０．１重量％以下であれば問題な
いが少ないほうが好ましい。またＮａやＫなどのアルカ
リ金属は、その量が多すぎると、誘電損失に影響を与え
る場合があるため、アルカリ金属量は、０．１重量％以
下であることをが望ましい。
前述の範囲を満足すれば特に制限しないが、強度の点か
らは少ない方が好ましく、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ等の遷移金
属は酸化物換算の合量で１重量％以下、好ましくは０．
５重量％以下が良い。また、窒化珪素原料に吸着してい
るフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）は市販されている窒化珪
素粉末レベル、即ち、０．１重量％以下であれば問題な
いが少ないほうが好ましい。またＮａやＫなどのアルカ
リ金属は、その量が多すぎると、誘電損失に影響を与え
る場合があるため、アルカリ金属量は、０．１重量％以
下であることをが望ましい。
【００１５】なお、本発明の誘電体材料は、例えば、窒
化珪素原料としてＡｌ量の少ない原料を用いて、これに
酸化珪素あるいは周期律表第３ａ族元素の酸化物等の化
合物を添加し、これを混合した後、所望の成形手段、例
えば、金型プレス，冷間静水圧プレス，押出し成形、ド
クターブレード法等によりブロック形状あるいはシート
形状などの任意の形状に成形後、焼成する。
化珪素原料としてＡｌ量の少ない原料を用いて、これに
酸化珪素あるいは周期律表第３ａ族元素の酸化物等の化
合物を添加し、これを混合した後、所望の成形手段、例
えば、金型プレス，冷間静水圧プレス，押出し成形、ド
クターブレード法等によりブロック形状あるいはシート
形状などの任意の形状に成形後、焼成する。
【００１６】焼成は、窒素中で窒化珪素の分解を抑制し
える条件下で焼成することが必要で、常圧焼成、窒素ガ
ス加圧焼成、熱間静水圧焼成法など周知の焼成方法を採
用することができる。焼成温度としてはその組成にもよ
るが、１６００〜２０００℃の温度範囲で密度９０％以
上が達成されるように焼成する。
える条件下で焼成することが必要で、常圧焼成、窒素ガ
ス加圧焼成、熱間静水圧焼成法など周知の焼成方法を採
用することができる。焼成温度としてはその組成にもよ
るが、１６００〜２０００℃の温度範囲で密度９０％以
上が達成されるように焼成する。
【００１７】
【作用】本発明によれば、高周波用に使用される誘電体
材料として、窒化珪素を主成分として、他の成分として
不純物的酸素、あるいは不純物的酸素と周期律表第３ａ
族元素化合物を含むもので、その中のＡｌ量を酸化物換
算で０．５重量％以下に制御し、１０ＧＨｚにおける誘
電損失が４×１０-4以下の優れた低損失の高周波用誘電
体材料となるものである。
材料として、窒化珪素を主成分として、他の成分として
不純物的酸素、あるいは不純物的酸素と周期律表第３ａ
族元素化合物を含むもので、その中のＡｌ量を酸化物換
算で０．５重量％以下に制御し、１０ＧＨｚにおける誘
電損失が４×１０-4以下の優れた低損失の高周波用誘電
体材料となるものである。
【００１８】特にＡｌ量は誘電体としての誘電損失を大
きく影響を与える。アルミニウムの存在が誘電損失を大
きくする明確な理由は定かでは無いが、通常アルミニウ
ムは、窒化珪素に固溶しサイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ）を形成し熱伝導を低下させると同時に粒界に低融点
組成を形成し高温強度も劣化させることが知られてい
る。このようなことからサイアロンまたは低融点組成物
が誘電損失特性に大きく影響するのではないかと推測さ
れる。
きく影響を与える。アルミニウムの存在が誘電損失を大
きくする明確な理由は定かでは無いが、通常アルミニウ
ムは、窒化珪素に固溶しサイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ）を形成し熱伝導を低下させると同時に粒界に低融点
組成を形成し高温強度も劣化させることが知られてい
る。このようなことからサイアロンまたは低融点組成物
が誘電損失特性に大きく影響するのではないかと推測さ
れる。
【００１９】本発明の誘電体材料は、１０ＧＨｚの高周
波でも誘電損失（ｔａｎδ）４×１０-4以下の低損失で
ありしかもこれまで知られる誘電体材料に比較して格段
に高強度を有する。よって、本発明の誘電体材料は、過
酷な条件下で使用されるマイクロ波、ミリ波等の数百Ｍ
Ｈｚ〜３００ＧＨｚ、特に１ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの高
周波帯域に適用される発振器、アンテナ、フィルター、
あるいは電子回路基板等に適した誘電体材料であり、か
かる誘電体材料を用いることにより信頼性の高い高周波
用電子部品が提供できる。
波でも誘電損失（ｔａｎδ）４×１０-4以下の低損失で
ありしかもこれまで知られる誘電体材料に比較して格段
に高強度を有する。よって、本発明の誘電体材料は、過
酷な条件下で使用されるマイクロ波、ミリ波等の数百Ｍ
Ｈｚ〜３００ＧＨｚ、特に１ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの高
周波帯域に適用される発振器、アンテナ、フィルター、
あるいは電子回路基板等に適した誘電体材料であり、か
かる誘電体材料を用いることにより信頼性の高い高周波
用電子部品が提供できる。
【００２０】
【実施例】イミド分解法にて製造されたα率９５％の高
純度窒化珪素原料（遷移金属不純物総量１００ｐｐｍ以
下、Ａｌ量２０ｐｐｍ以下；Ａ原料）と、直接窒化法に
て製造されたα率９０％の窒化珪素原料（遷移金属不純
物総量１０００ｐｐｍ以下、Ａｌ量２００ｐｐｍ以下；
Ｂ原料）、及び直接窒化法にて製造されたα率７０％の
低純度窒化珪素原料（遷移金属不純物量１００００ｐｐ
ｍ以下、Ａｌ量１０００ｐｐｍ以下；Ｃ原料）の３種
（いずれもＢＥＴ比表面積８ｍ2 ／ｇ以上、平均粒径２
〜５μｍ）を用意した。
純度窒化珪素原料（遷移金属不純物総量１００ｐｐｍ以
下、Ａｌ量２０ｐｐｍ以下；Ａ原料）と、直接窒化法に
て製造されたα率９０％の窒化珪素原料（遷移金属不純
物総量１０００ｐｐｍ以下、Ａｌ量２００ｐｐｍ以下；
Ｂ原料）、及び直接窒化法にて製造されたα率７０％の
低純度窒化珪素原料（遷移金属不純物量１００００ｐｐ
ｍ以下、Ａｌ量１０００ｐｐｍ以下；Ｃ原料）の３種
（いずれもＢＥＴ比表面積８ｍ2 ／ｇ以上、平均粒径２
〜５μｍ）を用意した。
【００２１】焼結助剤として純度９９．９％以上、微粉
のＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、周期律表第３ａ族元素酸化物
（ＲＥ2 Ｏ3 ）を使用し、表１、表２に示す組成に秤量
した。このうち、ＳｉＯ2 は窒化珪素原料中の不純物酸
素をＳｉＯ2 換算したものも含めた。この秤量粉末を所
定量ポリエチレン製５００ｍｌポットにいれウレタンボ
ールを用い、ＩＰＡ（イソプロパノール）を有機溶媒と
して７２時間回転ミルにて混合、粉砕し、得たスラリー
にバインダーを添加しスプレードライして造粒粉末を得
た。成形は金型プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ2 の成形圧で
直径２０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの形状及び強度測定用とし
て５×６×４５ｍｍ形状に成形し、成形体は５００℃に
て脱脂後、焼成用試料とした。
のＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、周期律表第３ａ族元素酸化物
（ＲＥ2 Ｏ3 ）を使用し、表１、表２に示す組成に秤量
した。このうち、ＳｉＯ2 は窒化珪素原料中の不純物酸
素をＳｉＯ2 換算したものも含めた。この秤量粉末を所
定量ポリエチレン製５００ｍｌポットにいれウレタンボ
ールを用い、ＩＰＡ（イソプロパノール）を有機溶媒と
して７２時間回転ミルにて混合、粉砕し、得たスラリー
にバインダーを添加しスプレードライして造粒粉末を得
た。成形は金型プレスにて１ｔｏｎ／ｃｍ2 の成形圧で
直径２０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの形状及び強度測定用とし
て５×６×４５ｍｍ形状に成形し、成形体は５００℃に
て脱脂後、焼成用試料とした。
【００２２】焼成は、１７５０℃、５時間、１．２気圧
窒素中焼成（ＰＬＳ法）、前記ＰＬＳ法で焼成後、さら
に１８５０℃、５時間、９気圧窒素中焼成（ＧＰＳ）、
１９５０℃、３時間、２０００気圧アルゴン中、ガラス
浴中に成形体を埋めてＨＩＰ焼成（ＨＩＰ）の３種検討
した。
窒素中焼成（ＰＬＳ法）、前記ＰＬＳ法で焼成後、さら
に１８５０℃、５時間、９気圧窒素中焼成（ＧＰＳ）、
１９５０℃、３時間、２０００気圧アルゴン中、ガラス
浴中に成形体を埋めてＨＩＰ焼成（ＨＩＰ）の３種検討
した。
【００２３】試料は９５％以上に緻密化していることを
確認し、円筒、平面研削を施し誘電損失特性測定用とし
て直径１５ｍｍ、厚さ７mmの試料に加工し、また強度そ
の他分析用としてＪＩＳ試験片形状（３×４×３５ｍ
ｍ）に加工し評価用試料とした。誘電損失の測定は円柱
共振器測定法により１０ＧＨｚの共振周波数にて測定し
た。試料は測定後中心部を切り出し、ＩＣＰ分析からＡ
ｌ量を定量しアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）換算し、また粉末
Ｘ線回折より窒化珪素結晶相以外の結晶相を同定した。
また強度特性はＪＩＳＲ１６０１に準じて４点曲げ試験
にて測定し結果を表１、表２に示した。
確認し、円筒、平面研削を施し誘電損失特性測定用とし
て直径１５ｍｍ、厚さ７mmの試料に加工し、また強度そ
の他分析用としてＪＩＳ試験片形状（３×４×３５ｍ
ｍ）に加工し評価用試料とした。誘電損失の測定は円柱
共振器測定法により１０ＧＨｚの共振周波数にて測定し
た。試料は測定後中心部を切り出し、ＩＣＰ分析からＡ
ｌ量を定量しアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）換算し、また粉末
Ｘ線回折より窒化珪素結晶相以外の結晶相を同定した。
また強度特性はＪＩＳＲ１６０１に準じて４点曲げ試験
にて測定し結果を表１、表２に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】表１、表２から明らかなように、Ａｌ量が
酸化物換算で０．５重量％を越える試料Ｎo.１０〜１
４、１６、１７、１９、３３は強度は十分であるが、誘
電損失４×１０-4を越えるのに対して、Ａｌ量が酸化物
換算で０．５重量％以下の本発明の誘電体材料は、１０
ＧＨｚの高周波にて測定した時の誘電損失が４×１０-4
以下、室温強度が４００ＭＰａ以上、特に６００ＭＰａ
以上が達成された。特にＡｌ量が酸化物換算で０．１重
量％未満では、誘電損失３×１０-4以下の優れた特性が
得られた。
酸化物換算で０．５重量％を越える試料Ｎo.１０〜１
４、１６、１７、１９、３３は強度は十分であるが、誘
電損失４×１０-4を越えるのに対して、Ａｌ量が酸化物
換算で０．５重量％以下の本発明の誘電体材料は、１０
ＧＨｚの高周波にて測定した時の誘電損失が４×１０-4
以下、室温強度が４００ＭＰａ以上、特に６００ＭＰａ
以上が達成された。特にＡｌ量が酸化物換算で０．１重
量％未満では、誘電損失３×１０-4以下の優れた特性が
得られた。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の誘電体材
料は、高周波においても低損失を有するものでしかも高
い強度を有することから、過酷な条件下で強度が要求さ
れるような高周波用電子部品に適用した場合に高い信頼
性を付与することができる。
料は、高周波においても低損失を有するものでしかも高
い強度を有することから、過酷な条件下で強度が要求さ
れるような高周波用電子部品に適用した場合に高い信頼
性を付与することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 後谷 陽一 (56)参考文献 米国特許4654315（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/584 H01B 3/12 336 H01P 7/10
Claims (1)
- 【請求項１】窒化珪素を主体とし、不純物的酸素、ある
いは不純物的酸素と周期律表第３ａ族化合物を含有する
窒化珪素質焼結体からなり、該焼結体中におけるアルミ
ニウムの酸化物換算量が０．５重量％以下であり、且つ
１０ＧＨｚにおける誘電損失が４×１０-4以下であるこ
とを特徴とする高周波用低損失誘電体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011577A JP2777076B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 高周波用低損失誘電体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011577A JP2777076B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 高周波用低損失誘電体材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208340A JPH08208340A (ja) | 1996-08-13 |
| JP2777076B2 true JP2777076B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=11781779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7011577A Expired - Fee Related JP2777076B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 高周波用低損失誘電体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777076B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8622021B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-01-07 | Lam Research Corporation | High lifetime consumable silicon nitride-silicon dioxide plasma processing components |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654315A (en) | 1985-04-08 | 1987-03-31 | Gte Products Corporation | Low dielectric loss silicon nitride based material |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7011577A patent/JP2777076B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654315A (en) | 1985-04-08 | 1987-03-31 | Gte Products Corporation | Low dielectric loss silicon nitride based material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08208340A (ja) | 1996-08-13 |
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