JP2775313B2 - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光ディスクおよびその製造方法Info
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Description
に低融点、低熱伝導率の層と高反射率の層とを交互に複
数回積層してC/N比(キャリア信号対雑音比)やS/N比
(信号対雑音比)を高めた優れた記録膜を持つ光ディス
クを得ることを特徴とする光ディスクおよびその製造方
法に関する。
原盤記録用のフォトレジスト盤は、記録後現像、蒸着、
メッキするため記録膜がむきだしの基板構成となってい
るが、通常、オフィス環境等での使用のため、記録膜の
上に透明カバーを施すことによって記録膜の保護を行
い、光ディスクの特徴である基板越しの記録・再生を行
っている。
合には、情報をブロック単位に記録する必要があるた
め、トラック1周を複数のセクタに分割し、各セクタの
先頭には、セクタの番地や同期をとるための信号が、凹
凸ピットの形で設けられている。これはトラック案内溝
と一緒に、ディスク基板作製時に、ディスク原盤から複
製転写され、記録膜は、セクタ・ヘッダのピットやトラ
ック案内溝が形成されたディスク基板上に蒸着やスパッ
タリングによってつけられている。
設ける記録膜としては、主としてTe、In、Se等の低融点
低熱伝導率を有する材料が用いられてきたが、近年は、
これらの金属にPb、Ag、Sn等を加えて合金化させ、C/N
比やS/N比の向上を図ることが行われている。
点、低熱伝導率を有する材料あるいはそれらを合金化さ
せたものから作製されただけの記録膜は、反射率が低い
ため、C/N比やS/N比を所望通りに向上させることが難し
いという問題があった。
れるようにした記録膜の作製方法が求められていた。
ところ、記録膜をビット形成させるための低融点、低熱
伝導率の層(以下単に「低融点膜」ということがあ
る。)と低融点膜の1/100〜1/10の厚さの極薄の高反射
率の層(高反射膜)とを交互に幾層も積層し、該積層の
全体としての厚みを1μm前後に制御することによって
C/N比やS/N比の高められた記録膜を得ることが可能であ
ることを見い出し、本発明を達成することができた。
伝導率を有する金属または合金からなる低融点膜をたと
えば0.03〜0.15μmの厚さに成膜し、次いで該膜上に、
Cu、Al、Agのうちから選んだ少なくとも1種の金属から
なる高反射膜をたとえば0.005〜0.01μmの厚さに成膜
することを交互に複数回繰り返して全体としての厚さが
0.05〜1.2μmの積層型記録膜を成したことを特徴とす
る光ディスクおよびその製造方法を提供するものであ
る。
熱伝導率を有する材料として使用できるものには、たと
えばTe、In、Se等の金属グループおよびTe-In-Sb、Te-I
n-Pb、Te-Ag等の合金グループから選ばれる少なくとも
1種の金属または合金があり、前記低融点膜はこれらの
グループから選んだ少なくとも1種を用いてスパッタ装
置で0.03〜0.15μmの厚さに成膜することにより形成で
きる。
えばCu、Al、Agのうちから選ばれる少なくとも1種の金
属を用いることができ、前記高反射膜はこれを用いてス
パッタ装置でたとえば0.005〜0.01μmの厚さに成膜し
て形成することができる。
形成される低融点膜と高反射率の材料から形成される高
反射膜とを交互に複数層積層させることにあるが、高反
射膜の厚さを低融点膜の厚さの1/100〜1/10という極薄
にしその積層全体の厚さを、0.05〜1.2μm、好ましく
は1μm以下に制御することが、C/N比またはS/N比向上
の見地から最も好ましいことが実験で確認された。
ゲットを用いて、スパッタ法によりパワー120W、ガス圧
5×10-3ton、Ar:O2=3:1のガス雰囲気という条件下で
予め2,000ÅのSiO2膜を形成したものを本発明の光ディ
スク基板として用いた。
らなるTe系4インチターゲット材を用いて、スパッタ法
によりパワー150W、ガス圧5×10-3ton、Arガスのみの
雰囲気という条件下で低融点膜を0.1μmの厚さに成膜
した。
て、スパッタ法によりパワー150W、ガス圧5×10-3to
n、Arガスのみの雰囲気という条件下で高反射膜を50Å
の厚さに成膜した。
ことを繰り返し、全体としての形成膜の厚さが0.5μm
程度となったとき成膜を終了して、光ディスク用記録膜
と成した。
ラムアナライザーで1MHzのキャリア信号について測定し
たところ40dBであった。
In-Sb-Pb(原子比1.0:0.3:0.5)の組成からなるIn系4
インチターゲット材を用いて、スパッタ法によりパワー
150W、ガス圧5×10-3ton、Arガスのみの雰囲気という
条件下で低融点膜を0.1μmの厚さに成膜した。
いて、スパッタ法によりパワー150W、ガス圧5×10-3to
n、Arガス雰囲気という条件下で高反射膜を50Åの厚さ
に成膜した。
られた全体の厚さ1.0μmの記録膜のC/N比を実施例1の
場合と同様の方法で調べたところ38dBであった。
に、Te4インチターゲット材を用いて、スパッタ法によ
りパワー150W、ガス圧5×10-3ton、Arガスのみの雰囲
気という条件下で低融点膜を0.1μmの厚さに成膜し
た。
て、スパッタ法によりパワー150W、ガス圧5×10-3to
n、Arガス雰囲気という条件下で高反射膜を50Åの厚さ
に成膜した。
化することにより、得られた厚さ1.2μmの記録膜のC/N
比を実施例1と同様の方法で調べたところ40dBであっ
た。
に、Te4インチターゲット材のみを用いて、スパッタ法
によりパワー150W、ガス圧5×10-3ton、Arガス雰囲気
という条件下で低融点膜を0.5μm成膜して、これを光
ディスク用記録膜とした。
ろ35dBであり、本発明法で得られたものに比較すると格
段に値が低いことがわかった。
0の厚さの極めて薄い高反射膜を間にはさんで低融点膜
を幾層も積層させたものからなる記録膜とすることによ
って改善された強度の反射光と高いC/N比またはS/N比の
記録膜を持つ光ディスクを得ることができる。
Claims (5)
- 【請求項1】基板上に低融点物質からなる金属性低融点
膜と高反射率物質からなる金属性高反射膜とを交互に複
数層積層した記録膜を有してなり、前記高反射膜の厚さ
が前記低融点膜の厚さの1/100〜1/10であることを特徴
とする光ディスク。 - 【請求項2】前記高反射膜の厚さが100Å以下であり、
前記低融点膜の厚さが1μm以下である請求項1記載の
光ディスク。 - 【請求項3】前記高反射膜がAl、CuおよびAgからなる群
より選ばれる少なくとも1種の金属からなり、前記低融
点膜がInおよびTeからなる群より選ばれる少なくとも1
種の金属またはその合金からなる請求項1または2記載
の光ディスク。 - 【請求項4】基板上に低融点、低熱伝導率の金属または
合金の薄膜を0.03〜0.15μmの厚さに成膜し、次いで該
膜上に、Cu、AlおよびAgからなる群より選ばれる少なく
とも1種の金属からなる高反射膜を0.005〜0.01μmの
厚さに成膜することを交互に複数回繰り返して全体とし
ての厚さが0.05〜1.2μmとなるように記録膜を形成す
ることを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項5】前記低融点、低熱伝導率金属または合金
が、Te、InおよびSeからなる群より選ばれる少なくとも
1種の金属またはTe-In-Sb合金、Te-In-Pb合金およびTe
-Ag合金からなる群より選ばれる少なくとも1種の合金
または前記金属と前記合金との組合せであることを特徴
とする請求項4記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1243143A JP2775313B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1243143A JP2775313B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03105738A JPH03105738A (ja) | 1991-05-02 |
JP2775313B2 true JP2775313B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17099429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1243143A Expired - Fee Related JP2775313B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2775313B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06139621A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5934519B2 (ja) * | 1974-05-25 | 1984-08-23 | キヤノン株式会社 | ヒ−トモ−ド記録媒体 |
JP2537165B2 (ja) * | 1984-04-25 | 1996-09-25 | 株式会社東芝 | 情報記録媒体 |
JPH0762917B2 (ja) * | 1986-01-20 | 1995-07-05 | ソニー株式会社 | 光学式記録媒体 |
JPS62183044A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Canon Inc | 光記録媒体 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1243143A patent/JP2775313B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH03105738A (ja) | 1991-05-02 |
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