JPH03105738A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH03105738A JPH03105738A JP1243143A JP24314389A JPH03105738A JP H03105738 A JPH03105738 A JP H03105738A JP 1243143 A JP1243143 A JP 1243143A JP 24314389 A JP24314389 A JP 24314389A JP H03105738 A JPH03105738 A JP H03105738A
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Landscapes
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、光ディスクおよびその製造方法に関し、特に
低融点、低熱伝導率の層と高反射率の層とを交互に複数
回積層してＣ／Ｎ比（キャリア信号対雑音比）やＳ／Ｎ
比（信号対雑音比）を高めた優れた記録膜を持つ光ディ
スクを得ることを特黴とする光ディスクおよびその製造
方法に関する。
低融点、低熱伝導率の層と高反射率の層とを交互に複数
回積層してＣ／Ｎ比（キャリア信号対雑音比）やＳ／Ｎ
比（信号対雑音比）を高めた優れた記録膜を持つ光ディ
スクを得ることを特黴とする光ディスクおよびその製造
方法に関する。
光ディスクは、基板と記録膜とから構成されている。原
盤記録用のフォトレジスト盤は、記録後現像、蒸着、メ
ッキするため記録膜がむきだしの基板構成となっている
が、通常、オフィス環境等での使用のため、記録膜の上
に透明カバーを施すことによって記録膜の保護を行い、
光ディスクの特徴である基板越しの記録・再生を行って
いる。 光ディスクを計算機用ファイルメモリとして用いる場合
には、情報をブロック単位に記録する必要があるため、
トラック１周を複数のセクタに分割し、各セクタの先頭
には、セクタの番地や同期をとるための信号が、凹凸ビ
ットの形で設けられている。これはトラック案内溝と一
緒に、ディスク基板作製時に、ディスク原盤から複製転
写され、記録膜は、セクタ・ヘッダのビットやトラック
案内溝が形成されたディスク基板上に蒸着やスパッタリ
ングによってつけられている。 上記各種の光ディスク製造に際し、ディスク基坂上に設
ける記録膜としては、主としてＴｅ、Ｉｎ，Ｓｅ等の低
融点低熱伝導率を有する材料が用いられてきたが、近年
は、これらの金属にＰｂ１Ａｇ，Ｓｎ等を加えて合金化
させ、Ｃ／Ｎ比やＳ／Ｎ比の向上を図ることが行われて
いる。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上述のように単にＴｅ，Ｉｎ，Ｓｅ等の低
融点、低熱伝導率を有する材料あるいはそれらを合金化
させたものから作製されただけの記録膜は、反射率が低
いため、Ｃ／Ｎ比やＳ／Ｎ比を所望通りに向上させるこ
とが難しいという問題があった。 このため何らかの手段でより高いＣ／Ｎ比やＳ／Ｎ比が
得られるようにした記録膜の作製方法が求められていた
。 ［課題を解決するための手段］ 本発明者等は斯る課題を解決するために鋭意研究したと
ころ、記録膜をビット形威させるための低融点、低熱伝
導率の層（以下単に「低融点膜」ということがある。）
と低融点膜の１／ １００〜ｉ／ｔｏの厚さの極薄の高
反射率の層（高反射膜）とを交互に幾層も積層し、該積
層の全体としての厚みを１伽前後に制御することによっ
てＣ／Ｎ比やＳ／Ｎ比の高められた記録膜を得ることが
可能であることを見い出し、本発明を達成することがで
きた。 すなわち本発明は、光ディスク基板上に低融点、低熱伝
導率を有する金属または合金からなる低融点膜をたとえ
ば０．０３〜０．１５ｍの厚さに成膜し、次いで該膜上
に、Ｃｕ，Ａｌ％Ａｇのうちから選んだ少なくとも１種
の金属からなる高反射膜をたとえば０．００５〜０．０
１ｍの厚さに成膜することを交互に複数回繰り返して全
体としての厚さが０．０５〜１．２ ｍｓの積層型記録
膜を成したことを特徴とする光ディスクおよびその製造
方法を提供するものである。 ［作 用］ 本発明において低融点膜を形成するための低融点・低熱
伝導率を有する材料として使用できるものには、たとえ
ばＴｅ，Ｉｎ，Ｓｅ等の金属グループおよびＴｅ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ， Ｔｅ−１ ｎ −Ｐｂ，Ｔｅ−Ａｇ等の合
金グループから選ばれる少なくとも１種の金属または合
金があり、前記低融点膜はこれらのグループから選んだ
少なくとも１種を用いてスパッタ装置で０．０３〜０．
ｌ５ｉＩＪａの厚さに成膜することにより形成できる。 また、高反射膜を形成するための材料としては、たとえ
ばＣ ＬＩ ＳＡ Ｉ ｓ Ａｇのうちから選ばれる少
なくとも１種の金属を用いることができ、前記高反射膜
はこれを用いてスパッタ装置でたとえば０．００５〜０
．０１ ｉｎｓの厚さに威膜して形成することができる
。 本発明の特徴は、上記の低融点・低熱伝導率材料から形
成される低融点膜と高反射率の材料から形成される高反
射膜とを交互に複数層積層させることにあるが、高反射
膜の厚さを低融点膜の厚さの１／１００〜ｌ／ｔｏとい
う極薄にしその積層全体の厚さを、０．０５〜１．２血
、好ましくはＩＩ！Ｊａ以下に制御することが、Ｃ／Ｎ
比またはＳ／Ｎ比向上の見地から最も好ましいことが実
験で確認された。 ？下、実施例をもって詳細に説明する。 ［実施例１］ 光ディスク基板上に保護膜として、Ｓｉ０２４インチタ
ーゲットを用いて、スバッタ法によりバワー１２ロＷ１
ガス圧５ Ｘ １０−’ ｔｏｎＳＡ ｒ ： ０ ２
−３：１のガス雰囲気という条件下で予め２，０００
人のＳｉＯ■膜を形或したものを本発明の光ディスク基
板として用いた。 該基板上に、Ｔｅ−Ｉｎ−Ａｇ（原子比１：０ ． ２
： ０．０５）の組或からなるＴｅ系４インチターゲ
ット材を用いて、スバッタ法によりバワー１ ５ ０Ｗ
，ガス圧５ ＸＩＯ ’ ｔｏｎ， Ａ ｒガスのみの
雰囲気という条件下で低融点膜を０． ｌＩＩＭの厚さ
に成膜した。 次いで該低融点膜上にＡｌ４インチターゲット材を用い
て、スバッタ法によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５ ＸＩ
Ｏ−’ ｔｏｎ， Ａ ｒガスのみの雰囲気という条件
下で高反射膜を５０人の厚さに成膜した。 同様にして、低融点膜と高反射膜とを交互に形或するこ
とを繰り返し、全体としての形戊膜の厚さが０．５ａｍ
程度となったとき成膜を終了して、光ディスク用記録膜
と威した。 このようにして得られた記録膜のＣ／Ｎ比を、スベクト
ラムアナライザーでＩ Ｍ ＩＩ ｚのキャリア信号に
ついて測定したところ４０ ｄＢであった。 ［実施例２］ 実施例１と同様に予め準備した光ディスク基板上に、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｐｂ（原子比１．（１ ： ０．３ ：０．
５）の組成からなるＩｎ系４インチターゲット材を用い
て、スパッタ法によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５ ＸＩ
Ｏ−３ｔｏｎＳＡ ｒガスのみの雰囲気という条件下で
低融点膜を０．ＩＩＩＭの厚さに成膜した。 次いで該低融点膜上に、Ｃｕ４インチターゲット材を用
いて、スバッタ法によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５ Ｘ
Ｉ（＋−’ ｔｏｎ， Ａ ｒガス雰囲気という条件下
で高反射膜を５０人の厚さに成膜した。 上記の威膜を交互に繰り返し積層することによって得ら
れた全体の厚さｌ．ｏｕｓの記録膜のＣ／Ｎ比を実施例
１の場合と同様の方法で調べたところ３８ ｄＢであっ
た。 ［実施例３］ 実施例１と同様にして予め準備した光ディスク基板上に
、Ｔｅ４インチターゲット材を用いて、スバッタ法によ
りパワー１５０ Ｗ，ガス圧５×１０−’ ｔｏｎＳＡ
ｒガスのみの雰囲気という条件下で低融点膜を０．１
ｚｏｓの厚さに戊膜した。 次いで該低融点膜上にＡｇ４インチターゲット材を用い
て、スバッタ法によりバワー１５０ Ｗ，ガス圧５ Ｘ
ｔｏ−’ ｔｏｎＳＡ ｒガス雰囲気という条件下で
高反射膜を５ＯＡの厚さに成膜した。 上記の成膜を交互に繰り返して実施例１と同様に積層化
することにより、得られた厚さｌ．２ＩＩｊ＠の記録膜
のＣ／Ｎ比を実施例１と同様の方法で調べたところ４０
ｄＢであった。 ［比較例］−〕 実施例１と同様にして予め準備した光ディスク基板上に
、Ｔｅ４インチターゲット材のみを用いて、スバッタ法
によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５×１０”−３ｔｏｎ，
Ａ ｒガス雰囲気という条件下で低融点膜を０ ．
５ ｔｔｐａ成膜して、これを光ディスク用記録膜とし
た。 該記録膜のＣ／Ｎ比を、実施例１と同様に検査したとこ
ろ３５ ｄＢであり、本発明法で得られたものに比較す
ると格段に値が低いことがわかった。 ［発明の効果］ 本発明によれば、上述のように低融点膜の１／１００〜
ｌ／１０の厚さの極めて薄い高反射膜を間にはさんで低
融点膜を幾層も積層させたものからなる記録膜とするこ
とによって改善された強度の反ＩＮ光と高いＣ／Ｎ比ま
たはＳ／Ｎ比の記録膜を持つ光ディスクを得ることがで
きる。
盤記録用のフォトレジスト盤は、記録後現像、蒸着、メ
ッキするため記録膜がむきだしの基板構成となっている
が、通常、オフィス環境等での使用のため、記録膜の上
に透明カバーを施すことによって記録膜の保護を行い、
光ディスクの特徴である基板越しの記録・再生を行って
いる。 光ディスクを計算機用ファイルメモリとして用いる場合
には、情報をブロック単位に記録する必要があるため、
トラック１周を複数のセクタに分割し、各セクタの先頭
には、セクタの番地や同期をとるための信号が、凹凸ビ
ットの形で設けられている。これはトラック案内溝と一
緒に、ディスク基板作製時に、ディスク原盤から複製転
写され、記録膜は、セクタ・ヘッダのビットやトラック
案内溝が形成されたディスク基板上に蒸着やスパッタリ
ングによってつけられている。 上記各種の光ディスク製造に際し、ディスク基坂上に設
ける記録膜としては、主としてＴｅ、Ｉｎ，Ｓｅ等の低
融点低熱伝導率を有する材料が用いられてきたが、近年
は、これらの金属にＰｂ１Ａｇ，Ｓｎ等を加えて合金化
させ、Ｃ／Ｎ比やＳ／Ｎ比の向上を図ることが行われて
いる。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上述のように単にＴｅ，Ｉｎ，Ｓｅ等の低
融点、低熱伝導率を有する材料あるいはそれらを合金化
させたものから作製されただけの記録膜は、反射率が低
いため、Ｃ／Ｎ比やＳ／Ｎ比を所望通りに向上させるこ
とが難しいという問題があった。 このため何らかの手段でより高いＣ／Ｎ比やＳ／Ｎ比が
得られるようにした記録膜の作製方法が求められていた
。 ［課題を解決するための手段］ 本発明者等は斯る課題を解決するために鋭意研究したと
ころ、記録膜をビット形威させるための低融点、低熱伝
導率の層（以下単に「低融点膜」ということがある。）
と低融点膜の１／ １００〜ｉ／ｔｏの厚さの極薄の高
反射率の層（高反射膜）とを交互に幾層も積層し、該積
層の全体としての厚みを１伽前後に制御することによっ
てＣ／Ｎ比やＳ／Ｎ比の高められた記録膜を得ることが
可能であることを見い出し、本発明を達成することがで
きた。 すなわち本発明は、光ディスク基板上に低融点、低熱伝
導率を有する金属または合金からなる低融点膜をたとえ
ば０．０３〜０．１５ｍの厚さに成膜し、次いで該膜上
に、Ｃｕ，Ａｌ％Ａｇのうちから選んだ少なくとも１種
の金属からなる高反射膜をたとえば０．００５〜０．０
１ｍの厚さに成膜することを交互に複数回繰り返して全
体としての厚さが０．０５〜１．２ ｍｓの積層型記録
膜を成したことを特徴とする光ディスクおよびその製造
方法を提供するものである。 ［作 用］ 本発明において低融点膜を形成するための低融点・低熱
伝導率を有する材料として使用できるものには、たとえ
ばＴｅ，Ｉｎ，Ｓｅ等の金属グループおよびＴｅ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ， Ｔｅ−１ ｎ −Ｐｂ，Ｔｅ−Ａｇ等の合
金グループから選ばれる少なくとも１種の金属または合
金があり、前記低融点膜はこれらのグループから選んだ
少なくとも１種を用いてスパッタ装置で０．０３〜０．
ｌ５ｉＩＪａの厚さに成膜することにより形成できる。 また、高反射膜を形成するための材料としては、たとえ
ばＣ ＬＩ ＳＡ Ｉ ｓ Ａｇのうちから選ばれる少
なくとも１種の金属を用いることができ、前記高反射膜
はこれを用いてスパッタ装置でたとえば０．００５〜０
．０１ ｉｎｓの厚さに威膜して形成することができる
。 本発明の特徴は、上記の低融点・低熱伝導率材料から形
成される低融点膜と高反射率の材料から形成される高反
射膜とを交互に複数層積層させることにあるが、高反射
膜の厚さを低融点膜の厚さの１／１００〜ｌ／ｔｏとい
う極薄にしその積層全体の厚さを、０．０５〜１．２血
、好ましくはＩＩ！Ｊａ以下に制御することが、Ｃ／Ｎ
比またはＳ／Ｎ比向上の見地から最も好ましいことが実
験で確認された。 ？下、実施例をもって詳細に説明する。 ［実施例１］ 光ディスク基板上に保護膜として、Ｓｉ０２４インチタ
ーゲットを用いて、スバッタ法によりバワー１２ロＷ１
ガス圧５ Ｘ １０−’ ｔｏｎＳＡ ｒ ： ０ ２
−３：１のガス雰囲気という条件下で予め２，０００
人のＳｉＯ■膜を形或したものを本発明の光ディスク基
板として用いた。 該基板上に、Ｔｅ−Ｉｎ−Ａｇ（原子比１：０ ． ２
： ０．０５）の組或からなるＴｅ系４インチターゲ
ット材を用いて、スバッタ法によりバワー１ ５ ０Ｗ
，ガス圧５ ＸＩＯ ’ ｔｏｎ， Ａ ｒガスのみの
雰囲気という条件下で低融点膜を０． ｌＩＩＭの厚さ
に成膜した。 次いで該低融点膜上にＡｌ４インチターゲット材を用い
て、スバッタ法によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５ ＸＩ
Ｏ−’ ｔｏｎ， Ａ ｒガスのみの雰囲気という条件
下で高反射膜を５０人の厚さに成膜した。 同様にして、低融点膜と高反射膜とを交互に形或するこ
とを繰り返し、全体としての形戊膜の厚さが０．５ａｍ
程度となったとき成膜を終了して、光ディスク用記録膜
と威した。 このようにして得られた記録膜のＣ／Ｎ比を、スベクト
ラムアナライザーでＩ Ｍ ＩＩ ｚのキャリア信号に
ついて測定したところ４０ ｄＢであった。 ［実施例２］ 実施例１と同様に予め準備した光ディスク基板上に、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｐｂ（原子比１．（１ ： ０．３ ：０．
５）の組成からなるＩｎ系４インチターゲット材を用い
て、スパッタ法によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５ ＸＩ
Ｏ−３ｔｏｎＳＡ ｒガスのみの雰囲気という条件下で
低融点膜を０．ＩＩＩＭの厚さに成膜した。 次いで該低融点膜上に、Ｃｕ４インチターゲット材を用
いて、スバッタ法によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５ Ｘ
Ｉ（＋−’ ｔｏｎ， Ａ ｒガス雰囲気という条件下
で高反射膜を５０人の厚さに成膜した。 上記の威膜を交互に繰り返し積層することによって得ら
れた全体の厚さｌ．ｏｕｓの記録膜のＣ／Ｎ比を実施例
１の場合と同様の方法で調べたところ３８ ｄＢであっ
た。 ［実施例３］ 実施例１と同様にして予め準備した光ディスク基板上に
、Ｔｅ４インチターゲット材を用いて、スバッタ法によ
りパワー１５０ Ｗ，ガス圧５×１０−’ ｔｏｎＳＡ
ｒガスのみの雰囲気という条件下で低融点膜を０．１
ｚｏｓの厚さに戊膜した。 次いで該低融点膜上にＡｇ４インチターゲット材を用い
て、スバッタ法によりバワー１５０ Ｗ，ガス圧５ Ｘ
ｔｏ−’ ｔｏｎＳＡ ｒガス雰囲気という条件下で
高反射膜を５ＯＡの厚さに成膜した。 上記の成膜を交互に繰り返して実施例１と同様に積層化
することにより、得られた厚さｌ．２ＩＩｊ＠の記録膜
のＣ／Ｎ比を実施例１と同様の方法で調べたところ４０
ｄＢであった。 ［比較例］−〕 実施例１と同様にして予め準備した光ディスク基板上に
、Ｔｅ４インチターゲット材のみを用いて、スバッタ法
によりバワー１５０Ｗ，ガス圧５×１０”−３ｔｏｎ，
Ａ ｒガス雰囲気という条件下で低融点膜を０ ．
５ ｔｔｐａ成膜して、これを光ディスク用記録膜とし
た。 該記録膜のＣ／Ｎ比を、実施例１と同様に検査したとこ
ろ３５ ｄＢであり、本発明法で得られたものに比較す
ると格段に値が低いことがわかった。 ［発明の効果］ 本発明によれば、上述のように低融点膜の１／１００〜
ｌ／１０の厚さの極めて薄い高反射膜を間にはさんで低
融点膜を幾層も積層させたものからなる記録膜とするこ
とによって改善された強度の反ＩＮ光と高いＣ／Ｎ比ま
たはＳ／Ｎ比の記録膜を持つ光ディスクを得ることがで
きる。
Claims (5)
- （１）基板上に低融点物質からなる低融点膜と高反射率
物質からなる高反射膜とを交互に複数層積層した記録膜
を有してなり、前記高反射膜の厚さが前記低融点膜の厚
さの１／１００〜１／１０であることを特徴とする光デ
ィスク。 - （２）前記高反射膜の厚さが１００Å以下であり、前記
低融点膜の厚さが１μｍ以下である請求項１記載の光デ
ィスク。 - （３）前記高反射膜がＡｌ、ＣｕおよびＡｇからなる群
より選ばれる少なくとも１種の金属からなり、前記低融
点膜がＩｎおよびＴｅからなる群より選ばれる少なくと
も１種の金属またはその合金からなる請求項１または２
記載の光ディスク。 - （４）基板上に低融点、低熱伝導率の金属または合金の
薄膜を０．０３〜０．１５μｍの厚さに成膜し、次いで
該膜上に、Ｃｕ、ＡｌおよびＡｇからなる群より選ばれ
る少なくとも１種の金属からなる高反射膜を０．００５
〜０．０１μｍの厚さに成膜することを交互に複数回繰
り返して全体としての厚さが０．０５〜１．２μｍとな
るように記録膜を形成することを特徴とする光ディスク
の製造方法。 - （５）前記低融点、低熱伝導率金属または合金が、Ｔｅ
、ＩｎおよびＳｅからなる群より選ばれる少なくとも１
種の金属またはＴｅ−Ｉｎ−Ｓｂ合金、Ｔｅ−Ｉｎ−Ｐ
ｂ合金およびＴｅ−Ａｇ合金からなる群より選ばれる少
なくとも１種の合金または前記金属と前記合金との組合
せであることを特徴とする請求項４記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243143A JP2775313B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243143A JP2775313B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105738A true JPH03105738A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2775313B2 JP2775313B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=17099429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243143A Expired - Fee Related JP2775313B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 光ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2775313B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656370A (en) * | 1992-10-29 | 1997-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151151A (ja) * | 1974-05-25 | 1975-12-04 | ||
| JPS60226039A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPS62167637A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPS62183044A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Canon Inc | 光記録媒体 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1243143A patent/JP2775313B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151151A (ja) * | 1974-05-25 | 1975-12-04 | ||
| JPS60226039A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPS62167637A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-24 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPS62183044A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Canon Inc | 光記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656370A (en) * | 1992-10-29 | 1997-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2775313B2 (ja) | 1998-07-16 |
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