JP2770427B2 - 基準光ディスク - Google Patents
基準光ディスクInfo
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- JP2770427B2 JP2770427B2 JP1151019A JP15101989A JP2770427B2 JP 2770427 B2 JP2770427 B2 JP 2770427B2 JP 1151019 A JP1151019 A JP 1151019A JP 15101989 A JP15101989 A JP 15101989A JP 2770427 B2 JP2770427 B2 JP 2770427B2
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Description
【発明の詳細な説明】 Ａ産業上の利用分野 本発明は基準光デイスクに関し、例えばコンパクトデ
イスクプレーヤのプレーヤ特性を評価するものに適用し
得る。
イスクプレーヤのプレーヤ特性を評価するものに適用し
得る。
Ｂ発明の概要 本発明は、基準光デイスクにおいて、テスト対象とな
る再生装置の再生ヘツドによつて、アドレス情報ごとに
順次評価用情報信号を再生したとき、傷に入る前の領域
部分についての再生状態を、傷を出た後の領域部分にお
いても維持できるか否かを検出することにより、再生装
置の性能を評価することができる。
る再生装置の再生ヘツドによつて、アドレス情報ごとに
順次評価用情報信号を再生したとき、傷に入る前の領域
部分についての再生状態を、傷を出た後の領域部分にお
いても維持できるか否かを検出することにより、再生装
置の性能を評価することができる。
Ｃ従来の技術 従来、コンパクトデイスクの急速な市場拡大に伴い、
コンパクトデイスクプレーヤの信頼性等でなるプレーヤ
ビリテイを評価するため種々の基準光デイスクが用いら
れている。
コンパクトデイスクプレーヤの信頼性等でなるプレーヤ
ビリテイを評価するため種々の基準光デイスクが用いら
れている。
このような基準光デイスクとしては、例えば光デイス
クの読取り面上に種々の傷パターン（以下これをデイフ
エクトパターンと呼ぶ）を形成し、コンパクトデイスク
の読取り面についた傷や汚れに対するコンパクトデイス
クプレーヤの信頼性を評価するものや、光デイスクのア
ルミニウム反射膜にデイフエクトパターンを形成し、コ
ンパクトデイスクのアルミニウム反射膜に付いた傷等に
対するコンパクトデイスクプレーヤの信頼性を評価する
ものがある。
クの読取り面上に種々の傷パターン（以下これをデイフ
エクトパターンと呼ぶ）を形成し、コンパクトデイスク
の読取り面についた傷や汚れに対するコンパクトデイス
クプレーヤの信頼性を評価するものや、光デイスクのア
ルミニウム反射膜にデイフエクトパターンを形成し、コ
ンパクトデイスクのアルミニウム反射膜に付いた傷等に
対するコンパクトデイスクプレーヤの信頼性を評価する
ものがある。
Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところで上述のように、読取り面上にデイフエクトパ
ターンを形成する基準光デイスクは、スクリーン印刷等
の手法で種々のデイフエクトパターンを印刷したり、ま
た読取り面上に細かな傷を付けることにより、比較的容
易に再現性の良いものを製造しかつ量産することができ
る。
ターンを形成する基準光デイスクは、スクリーン印刷等
の手法で種々のデイフエクトパターンを印刷したり、ま
た読取り面上に細かな傷を付けることにより、比較的容
易に再現性の良いものを製造しかつ量産することができ
る。
ところがアルミニウム反射膜にデイフエクトパターン
を形成する場合には、光デイスクの保護膜側から傷を入
れたり、またアルミニウム反射膜の成膜時にピンホール
を混入して形成されており、このため個々の基準光デイ
スクでばらつきが発生し、かつ量産が困難であるという
問題があつた。
を形成する場合には、光デイスクの保護膜側から傷を入
れたり、またアルミニウム反射膜の成膜時にピンホール
を混入して形成されており、このため個々の基準光デイ
スクでばらつきが発生し、かつ量産が困難であるという
問題があつた。
またこのような基準光デイスクの基板は、一般のコン
パクトデイスクと同様に例えばポリカーボネイト等のプ
ラスチツク樹脂材料で形成されているため傷や汚れが付
きやすい問題があり、使用時に新たな傷や汚れが発生す
ると基準光デイスクとしての機能を果たさなくなり、信
頼性及び耐久性の点で実用上未だ不十分であつた。
パクトデイスクと同様に例えばポリカーボネイト等のプ
ラスチツク樹脂材料で形成されているため傷や汚れが付
きやすい問題があり、使用時に新たな傷や汚れが発生す
ると基準光デイスクとしての機能を果たさなくなり、信
頼性及び耐久性の点で実用上未だ不十分であつた。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来の
問題を一挙に解決して、信頼性及び耐久性を格段的に向
上し得ると共に高い精度で量産可能な基準光デイスクを
提案しようとするものである。
問題を一挙に解決して、信頼性及び耐久性を格段的に向
上し得ると共に高い精度で量産可能な基準光デイスクを
提案しようとするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段 かかる課題を解決するため本発明においては、トラッ
ク方向の所定の領域において、半径方向に、無音信号DT
NOiと、アドレス情報TNOjが付加された音声信号DTMUj及
び又は基準信号DTBSTjとを評価用情報信号SREFとして順
次交互に記録してなる評価用情報記録領域を有する情報
記録膜７と、情報記録膜７において、無音信号DTNOiの
一方の記録領域から、半径方向に、音声信号DTMUj及び
又は基準信号DTBSTjの記録領域を横切つて、無音信号DT
NOiの他方の記録領域に至るまでの領域に形成され、か
つトラツク方向にアドレス情報TNOjに対応する幅を有す
る傷PTDFとを設け、テスト対象となる再生装置の再生ヘ
ツドによつて、アドレス情報TNOjごとに順次評価用情報
信号SREFを再生したとき、傷PTDFに入る前の領域部分に
ついての再生状態を、傷PTDFを出た後の領域部分におい
ても維持できるか否かを検出することにより、再生装置
の性能を評価できるようにした。
ク方向の所定の領域において、半径方向に、無音信号DT
NOiと、アドレス情報TNOjが付加された音声信号DTMUj及
び又は基準信号DTBSTjとを評価用情報信号SREFとして順
次交互に記録してなる評価用情報記録領域を有する情報
記録膜７と、情報記録膜７において、無音信号DTNOiの
一方の記録領域から、半径方向に、音声信号DTMUj及び
又は基準信号DTBSTjの記録領域を横切つて、無音信号DT
NOiの他方の記録領域に至るまでの領域に形成され、か
つトラツク方向にアドレス情報TNOjに対応する幅を有す
る傷PTDFとを設け、テスト対象となる再生装置の再生ヘ
ツドによつて、アドレス情報TNOjごとに順次評価用情報
信号SREFを再生したとき、傷PTDFに入る前の領域部分に
ついての再生状態を、傷PTDFを出た後の領域部分におい
ても維持できるか否かを検出することにより、再生装置
の性能を評価できるようにした。
Ｆ作用 テスト対象となる再生装置の再生ヘツドによつて、ア
ドレス情報TNOjごとに順次評価用情報信号SREFを再生し
たとき、傷PTDFに入る前の領域部分についての再生状態
を、傷PTDFを出た後の領域部分においても維持できるか
否かを検出することにより、再生装置の性能を評価する
ことができる。
ドレス情報TNOjごとに順次評価用情報信号SREFを再生し
たとき、傷PTDFに入る前の領域部分についての再生状態
を、傷PTDFを出た後の領域部分においても維持できるか
否かを検出することにより、再生装置の性能を評価する
ことができる。
Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
第１図において、１は全体としてコンパクトデイスク
（CD）のフオーマツトに応じて直径120〔mm〕を有する
基準光デイスクを示し、内径46〔mm〕から外径50〔mm〕
の２〔mm〕幅を有するリードインエリアARRI、内径116
〔mm〕から外径118〔mm〕の１〔mm〕幅を有するリード
アウトエリARROに挟まれた内径50〔mm〕から外径116〔m
m〕までのプログラム記録エリアARPRには、所定の評価
用基準信号SREFが記録されている。
（CD）のフオーマツトに応じて直径120〔mm〕を有する
基準光デイスクを示し、内径46〔mm〕から外径50〔mm〕
の２〔mm〕幅を有するリードインエリアARRI、内径116
〔mm〕から外径118〔mm〕の１〔mm〕幅を有するリード
アウトエリARROに挟まれた内径50〔mm〕から外径116〔m
m〕までのプログラム記録エリアARPRには、所定の評価
用基準信号SREFが記録されている。
またこのプログラム記録エリアARPRの所定の位置には
内周側から、所定の半径毎に順次記録トラツク方向に幅
の広くなる傷（デイフエクト）パターンPTDFが、半径方
向に伸長するような階段形状の範囲で、評価用基準信号
SREFのピツトパターンを潰すようにして形成されてい
る。
内周側から、所定の半径毎に順次記録トラツク方向に幅
の広くなる傷（デイフエクト）パターンPTDFが、半径方
向に伸長するような階段形状の範囲で、評価用基準信号
SREFのピツトパターンを潰すようにして形成されてい
る。
実際上プログラム記録エリアARPRの評価用基準信号S
REFは、第２図に示すように、デイジタル的に無音情報
を表す無音信号DTNOi（但し、ｉ＝１、２、３、……、
８）、例えば任意の音楽情報が60秒分だけ録音されたEF
M変調信号でなる音楽信号DTMUj（但し、ｊ＝１、２、
３、……、７）及び周波数400〔Hz〕の単一周波数情報
が20秒分だけ録音された基準信号DTBSTjが、順次交互に
記録されている。
REFは、第２図に示すように、デイジタル的に無音情報
を表す無音信号DTNOi（但し、ｉ＝１、２、３、……、
８）、例えば任意の音楽情報が60秒分だけ録音されたEF
M変調信号でなる音楽信号DTMUj（但し、ｊ＝１、２、
３、……、７）及び周波数400〔Hz〕の単一周波数情報
が20秒分だけ録音された基準信号DTBSTjが、順次交互に
記録されている。
なお、この実施例の場合、音楽信号DTMUj及び基準信
号DTBSTjには、それぞれ内周側から順次増加する曲番号
が評価番号TNOjとして付されており、また無音信号DT
NOiは、音楽信号DTMUj及び基準信号DTBSTjを録音した記
録トラツクを、基準光デイスク１上にほぼ等間隔で配置
するため、それぞれ内周側から例えば96、47、54、61、
68、75、83秒分ずつ録音されている。
号DTBSTjには、それぞれ内周側から順次増加する曲番号
が評価番号TNOjとして付されており、また無音信号DT
NOiは、音楽信号DTMUj及び基準信号DTBSTjを録音した記
録トラツクを、基準光デイスク１上にほぼ等間隔で配置
するため、それぞれ内周側から例えば96、47、54、61、
68、75、83秒分ずつ録音されている。
ここでデイフエクトパターンPTDFは、それぞれ幅の異
なる第１〜第７の評価用デイフエクト部DF1〜DF7より形
成されている。
なる第１〜第７の評価用デイフエクト部DF1〜DF7より形
成されている。
この第１の評価用デイフエクト部DF1は、基準光デイ
スク１の半径方向に第１の音楽信号DTMU1及び基準信号D
TBST1を亘たり、かつ第１及び第２の無音信号DTNO1及び
DTNO2の所定量ずつを含み、記録トラツク方向に0.3〔m
m〕の幅を有して形成されている。
スク１の半径方向に第１の音楽信号DTMU1及び基準信号D
TBST1を亘たり、かつ第１及び第２の無音信号DTNO1及び
DTNO2の所定量ずつを含み、記録トラツク方向に0.3〔m
m〕の幅を有して形成されている。
また同様に、第２〜第７の評価用デイフエクト部DF2
〜DF7は、基準光デイスク１の半径方向に、それぞれ第
２〜第７の音楽信号DTMU2〜DTMU7及び基準信号DTBST2〜
DTBST7を亘たり、かつ第２〜第７及び第３〜第８の無音
信号DTNO2〜DTNO7及びDTNO3〜DTNO8の所定量ずつを含
み、それぞれ記録トラツク方向に0.4、0.5、0.6、0.7、
0.9、1.1〔mm〕の幅を有し形成されている。
〜DF7は、基準光デイスク１の半径方向に、それぞれ第
２〜第７の音楽信号DTMU2〜DTMU7及び基準信号DTBST2〜
DTBST7を亘たり、かつ第２〜第７及び第３〜第８の無音
信号DTNO2〜DTNO7及びDTNO3〜DTNO8の所定量ずつを含
み、それぞれ記録トラツク方向に0.4、0.5、0.6、0.7、
0.9、1.1〔mm〕の幅を有し形成されている。
以上の構成において、この基準光デイスク１をコンパ
クトデイスクプレーヤに装着して、デイフエクトパター
ンPTDFを再生すれば、コンパクトデイスクプレーヤの光
ヘツドから送出される再生信号SRFによつて、光デイス
ク上に実際に付いた傷を再現できることがわかる。
クトデイスクプレーヤに装着して、デイフエクトパター
ンPTDFを再生すれば、コンパクトデイスクプレーヤの光
ヘツドから送出される再生信号SRFによつて、光デイス
ク上に実際に付いた傷を再現できることがわかる。
因に実験によれば、第３図に示すように、基準光デイ
スク１のデイフエクトパターンPTDFのうち、第１の評価
用デイフエクト部DF1を再生して得られる再生信号SRFD1
（第３図（Ａ））は、保護膜側からアルミニウム反射膜
に0.3〔mm〕幅の傷を付けた光デイスクを再生して得ら
れる再生信号SRFR（第３図（Ｂ））と、ほぼ等価である
ことが分かつた。
スク１のデイフエクトパターンPTDFのうち、第１の評価
用デイフエクト部DF1を再生して得られる再生信号SRFD1
（第３図（Ａ））は、保護膜側からアルミニウム反射膜
に0.3〔mm〕幅の傷を付けた光デイスクを再生して得ら
れる再生信号SRFR（第３図（Ｂ））と、ほぼ等価である
ことが分かつた。
また実験において、デイフエクトパターンPTDFの第１
〜第７の評価用デイフエクト部DF1〜DF7を再生して得ら
れる再生信号SRFD1〜SRFD7は、第３図（Ａ）及び第４図
（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、それぞれ第１〜第７の評
価用デイフエクト部DF1〜DF7の幅に応じた変動をするこ
とが分かる。
〜第７の評価用デイフエクト部DF1〜DF7を再生して得ら
れる再生信号SRFD1〜SRFD7は、第３図（Ａ）及び第４図
（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、それぞれ第１〜第７の評
価用デイフエクト部DF1〜DF7の幅に応じた変動をするこ
とが分かる。
従つて、この基準光デイスク１を用いれば、光デイス
クのアルミニウム反射膜に付いた傷によるコンパクトデ
イスクプレーヤに対する影響を確実に再現することがで
きる。
クのアルミニウム反射膜に付いた傷によるコンパクトデ
イスクプレーヤに対する影響を確実に再現することがで
きる。
かくして、曲番号でなる評価番号TNOjを検出しながら
基準光デイスク１を再生することにより、デイフエクト
パターンPTDFのうち、何〔mm〕幅の評価用デイフエクト
部DF1〜DF7まで再生できるか、すなわち、何〔mm〕幅の
評価用デイフエクト部DF1〜DF7からは、フオーカスエラ
ーやトラツキングエラーが発生して再生できなくなるか
を検出することができ、このようにして光デイスクのア
ルミニウム反射膜に付いた傷の大きさに対するコンパク
トデイスクプレーヤの信頼性を確実に評価することがで
きる。
基準光デイスク１を再生することにより、デイフエクト
パターンPTDFのうち、何〔mm〕幅の評価用デイフエクト
部DF1〜DF7まで再生できるか、すなわち、何〔mm〕幅の
評価用デイフエクト部DF1〜DF7からは、フオーカスエラ
ーやトラツキングエラーが発生して再生できなくなるか
を検出することができ、このようにして光デイスクのア
ルミニウム反射膜に付いた傷の大きさに対するコンパク
トデイスクプレーヤの信頼性を確実に評価することがで
きる。
なおこの基準光デイスク１は、基板としてガラス基板
上に紫外線硬化樹脂を用いて光デイスクを複製するよう
になされた2P（photo polymerization）法（特願昭61−
111199号、特願昭61−146731号）によつて製造されてい
る。
上に紫外線硬化樹脂を用いて光デイスクを複製するよう
になされた2P（photo polymerization）法（特願昭61−
111199号、特願昭61−146731号）によつて製造されてい
る。
すなわち2P法においては、まず第５図（Ａ）に示すよ
うに、記録信号に応じて微細な凹凸パターンが形成され
たデイスクスタンパ２及び厚さ約1.2〔mm〕程度でなる
ガラス基板３間に、紫外線照射前は液状でなる紫外線硬
化樹脂４を挟むと共に、加圧ローラ（図示せず）等を用
いてガラス基板３側から加圧することにより、スタンパ
２及びガラス基板３間に紫外線硬化樹脂４を充填する。
うに、記録信号に応じて微細な凹凸パターンが形成され
たデイスクスタンパ２及び厚さ約1.2〔mm〕程度でなる
ガラス基板３間に、紫外線照射前は液状でなる紫外線硬
化樹脂４を挟むと共に、加圧ローラ（図示せず）等を用
いてガラス基板３側から加圧することにより、スタンパ
２及びガラス基板３間に紫外線硬化樹脂４を充填する。
続いて、第５図（Ｂ）に示すように、ガラス基板３側
から紫外線ランプ等でなる光源５より発せられる紫外線
光LUVを照射して、紫外線硬化樹脂４を硬化させた後、
第５図（Ｃ）に示すように、この紫外線硬化樹脂４をガ
ラス基板３と共にスタンパ２から剥離する。
から紫外線ランプ等でなる光源５より発せられる紫外線
光LUVを照射して、紫外線硬化樹脂４を硬化させた後、
第５図（Ｃ）に示すように、この紫外線硬化樹脂４をガ
ラス基板３と共にスタンパ２から剥離する。
これにより、ガラス基板３上にスタンパ２の微細な凹
凸パターンを転写した信号パターン転写層を形成する。
凸パターンを転写した信号パターン転写層を形成する。
この後、第５図（Ｅ）に示すように、信号パターン転
写層が形成されてなる転写ガラス基板６のピツト側か
ら、例えばスパツタリングや真空蒸着又はスピンコート
等の手法を用いてアルミニウム反射膜７を形成した後、
当該アルミニウム反射膜７側に厚さ10〔μｍ〕程度の保
護膜８を紫外線硬化樹脂で形成し、このようにしてスタ
ンパ２の凹凸パターンに応じたピツトパターンが形成さ
れた基準光デイスク１を製造し得るようになされてい
る。
写層が形成されてなる転写ガラス基板６のピツト側か
ら、例えばスパツタリングや真空蒸着又はスピンコート
等の手法を用いてアルミニウム反射膜７を形成した後、
当該アルミニウム反射膜７側に厚さ10〔μｍ〕程度の保
護膜８を紫外線硬化樹脂で形成し、このようにしてスタ
ンパ２の凹凸パターンに応じたピツトパターンが形成さ
れた基準光デイスク１を製造し得るようになされてい
る。
なおこの基準光デイスク１の場合、デイスクスタンパ
２には、第２図について上述したように評価用基準信号
SREFに応じて、深さ0.1〔μｍ〕程度の微細な凹凸パタ
ーンが形成されている。
２には、第２図について上述したように評価用基準信号
SREFに応じて、深さ0.1〔μｍ〕程度の微細な凹凸パタ
ーンが形成されている。
さらにこの凹凸パターンに対して、例えば３次元可動
の電気マイクロの先端に取り付けたダイヤモンドバイト
等によつて、数〔μｍ〕のピツチで表面に引掻き傷を入
れていくことにより、５〔μｍ〕程度の深さで上述した
デイフエクトパターンPTDFに応じて凹凸パターンが潰さ
れている。
の電気マイクロの先端に取り付けたダイヤモンドバイト
等によつて、数〔μｍ〕のピツチで表面に引掻き傷を入
れていくことにより、５〔μｍ〕程度の深さで上述した
デイフエクトパターンPTDFに応じて凹凸パターンが潰さ
れている。
実際上、先端の尖つたダイヤモンドバイトを、厚さ約
0.3〜0.4〔mm〕のニツケル製のスタンパ２に対して、10
〔gf〕程度の荷重かつ数〔cm/秒〕程度の引掻き速度で
加工すれば、幅３〜５〔μｍ〕で深さ５〔μｍ〕以下の
傷を入れることができる。
0.3〜0.4〔mm〕のニツケル製のスタンパ２に対して、10
〔gf〕程度の荷重かつ数〔cm/秒〕程度の引掻き速度で
加工すれば、幅３〜５〔μｍ〕で深さ５〔μｍ〕以下の
傷を入れることができる。
このようにしてこの実施例の場合、デイスクスタンパ
２の凹凸パターンをデイフエクトパターンPTDFに応じて
潰し、ガラス基板３上に2P法によつてこれを転写するよ
うにしたことにより、精度良く基準光デイスク１を複製
し得るようになされている。
２の凹凸パターンをデイフエクトパターンPTDFに応じて
潰し、ガラス基板３上に2P法によつてこれを転写するよ
うにしたことにより、精度良く基準光デイスク１を複製
し得るようになされている。
またこれに加えてこの基準光デイスク１の場合には、
転写ガラス基板６のアルミニウム反射膜７側に保護膜８
を形成した後、さらにこの保護膜８上に50〔μｍ〕程度
の厚さのラミネートフイルム９を貼着するようになされ
ており、これにより、使用中の傷や汚れの付着を有効に
防止できる基準光デイスク１を得るようになされてい
る。
転写ガラス基板６のアルミニウム反射膜７側に保護膜８
を形成した後、さらにこの保護膜８上に50〔μｍ〕程度
の厚さのラミネートフイルム９を貼着するようになされ
ており、これにより、使用中の傷や汚れの付着を有効に
防止できる基準光デイスク１を得るようになされてい
る。
以上の構成によれば、プログラム記録エリアARPRの評
価用基準信号SREFに対して、内周側から半径情報に応じ
て順次記録トラツク方向に幅の広くなるデイフエクトパ
ターンPTDFを、半径方向に伸長するような形状で、評価
用基準信号SREFのピツトパターンを潰すようにして形成
したことにより、光デイスクのアルミニウム反射膜７に
付いた傷を再現することができ、かくしてアルミニウム
反射膜７に付いた傷に対するコンパクトデイスクプレー
ヤのプレーヤビリテイを確実に評価し得る基準光デイス
ク１を実現できる。
価用基準信号SREFに対して、内周側から半径情報に応じ
て順次記録トラツク方向に幅の広くなるデイフエクトパ
ターンPTDFを、半径方向に伸長するような形状で、評価
用基準信号SREFのピツトパターンを潰すようにして形成
したことにより、光デイスクのアルミニウム反射膜７に
付いた傷を再現することができ、かくしてアルミニウム
反射膜７に付いた傷に対するコンパクトデイスクプレー
ヤのプレーヤビリテイを確実に評価し得る基準光デイス
ク１を実現できる。
さらに上述の構成によれば、デイスクスタンパ２の凹
凸パターンをデイフエクトパターンPTDFに応じて潰し、
2P法によつて複製するようにしたことにより、量産性を
格段的に向上し得る基準光デイスク１を実現できる。
凸パターンをデイフエクトパターンPTDFに応じて潰し、
2P法によつて複製するようにしたことにより、量産性を
格段的に向上し得る基準光デイスク１を実現できる。
さらに上述の構成によれば、基板としてガラス基板３
を用い、さらに転写後の保護膜８上にラミネートフイル
ム９を貼着するようにしたことにより、使用中の傷や汚
れの付着を未然に防止し得、かくして、高い信頼性でコ
ンパクトデイスクプレーヤのプレーヤビリテイを評価し
得る基準光デイスク１を実現できる。
を用い、さらに転写後の保護膜８上にラミネートフイル
ム９を貼着するようにしたことにより、使用中の傷や汚
れの付着を未然に防止し得、かくして、高い信頼性でコ
ンパクトデイスクプレーヤのプレーヤビリテイを評価し
得る基準光デイスク１を実現できる。
なお上述の実施例においては、評価用基準信号SREFと
して、無音信号DTNOi間に音楽信号DTMUj及び周波数400
〔Hz〕の基準信号DTBSTjを、順次交互に記録した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、音楽信号又は
一定周波数の基準信号のみを用いるようにしても良い。
して、無音信号DTNOi間に音楽信号DTMUj及び周波数400
〔Hz〕の基準信号DTBSTjを、順次交互に記録した場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、音楽信号又は
一定周波数の基準信号のみを用いるようにしても良い。
また上述の実施例においては、デイフエクトパターン
として、半径方向に0.3〔mm〕から順次幅の広くなる評
価用デイフエクト部を７個設けた場合について述べた
が、評価用デイフエクト部の幅及び個数は、必要に応じ
て種々選択するようにしても上述の実施例と同様の効果
を実現できる。
として、半径方向に0.3〔mm〕から順次幅の広くなる評
価用デイフエクト部を７個設けた場合について述べた
が、評価用デイフエクト部の幅及び個数は、必要に応じ
て種々選択するようにしても上述の実施例と同様の効果
を実現できる。
さらに上述の実施例においては、本発明をコンパクト
デイスクプレーヤのプレーヤビリテイを評価する基準光
デイスクに適用した場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、レーザデイスク装置や光磁気デイスク装置
等他の光デイスク装置の特性を評価する基準光デイスク
にも広く適用して好適なものである。
デイスクプレーヤのプレーヤビリテイを評価する基準光
デイスクに適用した場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、レーザデイスク装置や光磁気デイスク装置
等他の光デイスク装置の特性を評価する基準光デイスク
にも広く適用して好適なものである。
因に、光磁気デイスク装置の特性を評価する基準光デ
イスクに適用する場合、アルミニウム反射膜に代え垂直
磁化膜にデイフエクトパターンを形成すれば良い。
イスクに適用する場合、アルミニウム反射膜に代え垂直
磁化膜にデイフエクトパターンを形成すれば良い。
Ｈ発明の効果 上述のように本発明によれば、テスト対象となる再生
装置の再生ヘツドによつて、アドレス情報ごとに順次評
価用情報信号を再生したとき、傷に入る前の領域部分に
ついての再生状態を、傷を出た後の領域部分においても
維持できるか否かを検出して再生装置の性能を評価する
ようにしたことにより、信頼性及び耐久性を格段的に向
上し得ると共に高い精度で量産可能な基準光デイスクを
実現することができる。
装置の再生ヘツドによつて、アドレス情報ごとに順次評
価用情報信号を再生したとき、傷に入る前の領域部分に
ついての再生状態を、傷を出た後の領域部分においても
維持できるか否かを検出して再生装置の性能を評価する
ようにしたことにより、信頼性及び耐久性を格段的に向
上し得ると共に高い精度で量産可能な基準光デイスクを
実現することができる。
第１図は本発明の一実施例による基準光デイスクを示す
略線的平面図、第２図はデイフエクトパターンの説明に
供する略線図、第３図は基準光デイスクのデイフエクト
パターン及び光デイスクの傷の再生信号を示す信号波形
図、第４図はデイフエクトパターンによる再生信号を示
す信号波形図、第５図は基準光デイスクの製造工程を示
す略線図である。 １……基準光デイスク、２……デイスクスタンパ、３…
…ガラス基板、４……紫外線硬化樹脂、７……アルミニ
ウム反射膜、８……保護膜、９……ラミネートフイル
ム。
略線的平面図、第２図はデイフエクトパターンの説明に
供する略線図、第３図は基準光デイスクのデイフエクト
パターン及び光デイスクの傷の再生信号を示す信号波形
図、第４図はデイフエクトパターンによる再生信号を示
す信号波形図、第５図は基準光デイスクの製造工程を示
す略線図である。 １……基準光デイスク、２……デイスクスタンパ、３…
…ガラス基板、４……紫外線硬化樹脂、７……アルミニ
ウム反射膜、８……保護膜、９……ラミネートフイル
ム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/00 G11B 7/007 G11B 7/24 571 G11B 7/26
Claims (1)
- 【請求項１】トラツク方向の所定の領域において、半径
方向に、無音信号と、アドレス情報が付加された音声信
号及び又は基準信号とを評価用情報信号として順次交互
に記録してなる評価用情報記録領域を有する情報記録膜
と、 上記情報記録膜において、上記無音信号の一方の記録領
域から、半径方向に、上記音声信号及び又は上記基準信
号の記録領域を横切つて、上記無音信号の他方の記録領
域に至るまでの領域に形成され、かつ上記トラツク方向
に上記アドレス情報に対応する幅を有する傷と を具え、テスト対象となる再生装置の再生ヘツドによつ
て、上記アドレス情報とに順次上記評価用情報信号を再
生したとき、上記傷に入る前の領域部分についての再生
状態を、上記傷を出た後の領域部分においても維持でき
るか否かを検出することにより、上記再生装置の性能を
評価できるようにした ことを特徴とする基準用光デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151019A JP2770427B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 基準光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151019A JP2770427B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 基準光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316025A JPH0316025A (ja) | 1991-01-24 |
| JP2770427B2 true JP2770427B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=15509524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1151019A Expired - Fee Related JP2770427B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 基準光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770427B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5526341A (en) * | 1993-07-30 | 1996-06-11 | Teac Corporation | Test disk having defect patterns uniformly distributed in recording areas |
| JP3241614B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2001-12-25 | シャープ株式会社 | 現像装置 |
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| US6804797B2 (en) | 2000-04-08 | 2004-10-12 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method of verifying defect management area information of disc and test apparatus for performing the same |
| US6845473B2 (en) | 2000-04-08 | 2005-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of verifying defect management area information of optical disc |
| CN111784021B (zh) * | 2020-05-08 | 2021-05-07 | 国网浙江省电力有限公司 | 基于关键断面的机组分区识别及有效备用分配方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217544A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ディジタル信号再生用テストディスクの製造方法 |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1151019A patent/JP2770427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316025A (ja) | 1991-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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