JP2768872B2 - 画像読み取り方法及び装置 - Google Patents

画像読み取り方法及び装置

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JP2768872B2
JP2768872B2 JP4216109A JP21610992A JP2768872B2 JP 2768872 B2 JP2768872 B2 JP 2768872B2 JP 4216109 A JP4216109 A JP 4216109A JP 21610992 A JP21610992 A JP 21610992A JP 2768872 B2 JP2768872 B2 JP 2768872B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線写真フィルム等の
読み取り対象物に光を照射してそのフィルム上における
画像を読み取る画像読み取り装置に関する。更に詳細に
は、本発明は、装置の周囲温度が変化してもイメージセ
ンサー出力の温度補正を行うことで精度よく画像読み取
りを可能とした画像読み取り装置を提供するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】X線写真フィルムの画像読み取りの応用
例として、被検骨にX線照射して得られたX線写真フィ
ルムを用いてそのフィルムにおける影像の濃淡をマイク
ロデンシトメーターにより測定して骨測定を行うMD法
(「骨代謝」第13巻、187―195頁(1980
年)、第14巻、91―104頁(1981年)等参
照)がある。
【0003】なお、MD法は、骨折の診断等のための装
置として広く普及しているX線像の撮影装置を用いて容
易に得られるX線写真フィルムを用いる点で採用しやす
く、次第に広く普及していている。
【0004】特開平3―215256号公報には、かか
るMD法のための画像読み取り装置が開示されている。
ここでは、X線写真フィルムを照射するための光発生手
段としてLED(Light Emitting Diode)等の帯状光源
を用い、X線写真フィルムを透過してきた光量を読み取
るためCCD(Charge Coupled Device )等のイメージ
センサーが用いられている。
【0005】しかしながら一般にCCD等のイメージセ
ンサーは図1のように温度上昇と共に光入力が0の時の
出力である暗時出力電圧が増加し信号に重畳するので光
量の絶対値測定に計測誤差を生んでいた。
【0006】さらに、Aサイズ程度のCCDセンサー
は例えば図2のように1012の素子群(チップ)を4
組(4チップ)組み合わせたものから構成されているの
で、暗時出力電圧の温度特性はセンサーチップ毎にはも
ちろん、1つ1つの素子毎に異なっているため計測して
いるセンサー素子が異なると温度変化による測定誤差が
発生していた。
【0007】また、温度上昇による、暗時出力電圧の増
加により有効なダイナミックレンジが減少し、分解能が
低下したり、画像計測においては画像が白くなり物体の
判別が不可能になるような問題も起こっていた。
【0008】これらを解決するためCCDセンサーには
図3のようにチップ毎に暗時出力電力補正用の光シール
ド素子があり、各素子の露光時出力電圧からの該光シー
ルド部出力電圧を減算する方法がとられている(図4参
照)。しかし、この方法ではチップごとの大ざっぱな暗
時出力電圧は補正でできるが、高階調の画像読み取りに
おいては素子毎の暗時出力バラツキの影響は無視できな
く、計測誤差の問題として残っていた。図5に光シール
ド出力を利用して補正した、素子毎の暗時出力を示す。
【0009】これに対して、各素子について、光を遮断
した状態で測定した暗時出力電圧を露光時出力電圧から
減算する方法もあるがハード的に実現すれば図6のよう
に構成が複雑になりコストアップにつながる。一方、ソ
フト的には実時間で行うことは不可能でありさらに、ダ
イナミックレンジの減少は改善できない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】そこで我々は、簡単な
構成による温度補正で温度ドリフトを減少させ、計測精
度の確保とダイナミックレンジの確保を可能にした画像
読み取り方法と装置を提供することを課題とした。
【0011】
【発明の構成】本発明者らは、かかる目的を達成するた
めに鋭意研究した結果、イメージセンサーの持つ光シー
ルド出力を利用し、おおまかに第1次の暗時出力補正を
行い、ひき続いて光を遮断した状態で第1次補正で補正
し得なかった暗時出力を測定し、露光時出力から減算す
る第2次暗時出力補正を行うことで詳細に温度補正が可
能となり、該目標が達成できることを見いだし本発明に
到達した。
【0012】即ち本発明は、光源手段からの光が画像読
み取り対象物を透過した又は該対象物に反射した光を
子を線状に配設したチップからなるイメージセンサー手
段によって検知することにより該対象物中の画像を読み
取る画像読み取り方法において、該イメージセンサー手
段を構成する少なくとも一部のチップ(I)について (i)該チップにおける一部の暗時出力電圧V0 (I)
を測定し次いで該チップの各素子(X)について露光時
出力電圧V(X)を測定して、第1次補正電圧V1
(X)(=V(X)−V0 (I))をアナログ的に
め、 (ii)該チップの各素子(X)についての第1次補正暗
時出力電圧V10 (X)を測定しA/D変換して、NV
0 (X)を求め、さらに該チップの各素子(X)につ
いての第1次補正露光時出力電圧V1(X)のA/D変
換した値NV1(X)を求めて、第2次補正値NV2
(X)(=NV1(X)−NV10 (X))を求め、 (iii )かくして得られる第2次補正値を用いて該対象
物中の画像を読み取ることを特徴とした画像読み取り方
法である。
【0013】かかる本発明には、該第2次補正値を、読
み取り対象の一部についてのみ行う画像読み取り方法も
含まれる。
【0014】また、本発明には、該チップの各素子
(X)について該NV10 (X)及び該NV1(X)を
求めると共にA/D変換したシェーディング測定値NR
1(X)も求めて、シェーディング補正済みの第2次補
正値NVS(X)を下記式(1)により算出したことを
特徴とした画像読み取り方法も含まれる。
【0015】
【数3】
【0016】さらに、該第2次補正値NV2(X)を求
めた後に、第2次補正済みのA/D変換したシェーディ
ング測定値NR2(X)を求めて、式(2)によりシェ
ーディング補正済みの第2次補正値NVS(X)を求め
ることを特徴とした画像読み取り方法も含まれる。
【0017】
【数4】
【0018】さらにまた、該暗時出力電圧V0 (I)と
して、該チップの素子の暗時出力電圧の中で最小のもの
を採用したことを特徴とした画像読み取り方法も含まれ
る。
【0019】そして本発明は光源手段と画像読み取り対
象物を透過した又は該対象物に反射した光を検知するた
めのイメージセンサー手段とを備えた画像読み取り装置
において、(i)該イメージセンサー手段を構成する少
なくとも一部のチップにおける一部の暗時出力電圧V0
(I)と該チップの各素子(X)についての露光時出力
電圧V(X)を測定するための第1次測定制御手段と、
(ii)該イメージセンサーの暗時出力補正のために該第
1次補正電圧V1(X)(=V(X)−V0 (I))を
求める第1次補正手段と、(iii )第1次補正出力電圧
のA/D変換手段と、(iv)第1次補正出力電圧のA/
D変換後の、各素子(X)の第1次暗時出力値NV10
(X)と第1次露光時出力値NV1(X)を測定する第
2次測定制御手段と、(v)さらに第2次補正値NV2
(X)(=NV1(X)−NV10 (X))を求める第
2次補正手段を有したことを特徴とする画像読み取り装
置を提供するものである。
【0020】本発明における光源手段としては、多数の
LEDを実質上帯状又は面状に配列したものや、多数の
光ファイバーの一方の端面を帯状又は面状に配列させて
他方の端面に光を入射するようにしたもの等があげられ
る。
【0021】イメージセンサー手段として、かかる光源
手段からの光が被検物を透過又は反射してくる光量を検
出できる物で暗時補正出力があるCCDラインセンサー
やエリアセンサー等が用いられる。A4程度のサイズの
ラインセンサーにおいては短いチップを幾つか組み合わ
せたものから構成されているものもあるが、このような
場合チップごとに暗時補正出力がついているものが好適
である。
【0022】図7に本発明における測定制御手段と補正
手段の構成例を示す。
【0023】第1次測定制御手段の具体例としては、イ
メージセンサーからの暗時補正出力電圧(光シールド出
力)V0 (I)と露光時出力電圧V(X)を図3のタイ
ミングチャートにしたがってタイミング制御で取り出す
ハードウェアが好ましい。
【0024】第1次補正手段としては、イメージセンサ
ーの暗時出力電圧のAD変換を行い、同一チップ内にお
ける露光時出力電圧が出力されている間デジタル的に暗
時出力電圧を暗時出力値NV0 (I)としてホールド
し、該暗時出力値をDA変換してV0 (I)に戻し、該
出力電圧を各素子V1(X)=V(X)−V0 (I)で
補正するのである。温度特性はチップ毎に異なり、また
時間によっても変化するために暗時補正出力はチップが
変わる毎にまた、1ラインの走査毎に更新するのが温度
補正精度を上げるためには好ましい。
【0025】暗時出力のサンプルホールド方式におい
て、画像処理のような高速で且つ高精度でチャージ、デ
ィスチャージができまたリークの少ないアナログサンプ
ルホールドは極めて精度の高い部品構成となり実際的で
はないが、該デジタルサンプルホールド方式ではラッチ
TTLとAD、DA変換器で済むため簡単な構成で精度
の高いものを実現できる。また、補正用AD変換器は、
通常測定用AD変換器と兼ねることができるので補正だ
けに必要な回路は実際もっと少ない。
【0026】暗時出力の減算方式において、デジタル演
算すれば減算LSIが必要でそれに伴って周辺回路も含
めて構成が複雑になる。さらにAD変換器で階調のダイ
ナミックレンジは決まるのでデジタル変換後のダイナミ
ックレンジの改善はできない。一方アナログ的にはOP
アンプだけで構成できるので簡単で、しかもダイナミッ
クレンジの改善である。
【0027】暗時出力補正用の光シールド出力は各チッ
プに通常10セル程度あり、例えばこのうち任意の素子
を代表にしても使ってもよいし、もちろん光シールド出
力のすべての素子の平均を補正に使ってもよい。ただ
し、おおまかな補正という意味で、回路構成を簡単にコ
ストダウンのため1つの素子を代表にするほうが好まし
い。
【0028】光シールド補正信号は小さいため、量子化
誤差の影響を減らし精度よく補正を行うために通常の信
号よりゲインをあげてAD変換を行い、DA変換したし
たあとゲインを戻すことが好ましい。具体的には、通常
の信号よりゲインを10〜20倍にすることが望まし
い。
【0029】第2次測定制御手段としては、各素子
(X)における暗時出力電圧V10 (X)と露光時出力
電圧V1(X)を得るため光源光量を0(消灯)及び所
定の露光光量に設定する光量制御回路LEDコントロー
ラとこれらを制御するMPU(MICRO PROCESSING UNIT
)、データを記録するRAM(RANDOM ACCESS MEMOR
Y)、及び制御プログラムが記憶されているROM(REA
D ONLY MEMORY)があげられる。
【0030】第2次補正手段として該第1次暗時補正電
圧V10 (X)及び露光時出力電圧V1(X)をAD変
換した値NV10 (X)、NV(X)を記憶するRAM
と露光時出力値から暗時出力値を各素子毎に減算処理
し、第2次補正値N2(X)(=NV10 (X)−NV
1(X))を求めるためのMPUと及びプログラミング
を記憶しているROMがあげられる。演算時間節約のた
め関心領域にだけ演算させるのが実際的である。
【0031】なお、ライセンサー及び帯状光源、ロッ
ドレンズに素子間の特性のバラツキいわゆるシェーディ
ングの補正を第2次補正と同時に行ったり、また第2次
補正後に行ってもよい。例えば、各素子(X)について
光量が0の暗状態で第1次暗時補正電圧を、次の所定の
光量で第1次補正後のシェーディング電圧と被検物の露
光時電圧を測定しRAMに記憶し、式(1)を用いて一
挙に温度補正とシェーディング補正を行うのである。
【0032】また、各素子(X)について、所定の光量
で第2次暗時出力補正後のシェーディング出力と被検物
の露光時出力値を測定し式(2)を用いて補正を行うも
のである。これらの具体的手段は光量を制御したりデー
タを制御するCPU、RAM、ROMが好適である。実
際的には(1)式を用いて温度補正とシェーディング補
正を同時に行ったほうが効率的で好ましい。シェーディ
ング補正の効果を図8に示す。即ち図8(a)が補正前
の状態を示し、図8(b)が補正後の状態を示してい
る。
【0033】第1次暗時補正出力として、該チップの光
シールド素子内の暗時出力電圧の最小値を選定するのが
好適である。もし、大きい値の部分を選定すると第1次
補正で補正し過ぎてその結果補正出力が実際は0以下
あるが0となり、第2次補正が効かせることができなく
好ましくないためである。
【0034】図9は、本発明の画像読み取り装置の好ま
しい実施態様例としての骨計測装置を模式的に示したも
のである。即ち、自動読み取り部10は、ラインセンサ
ー(CCD)をフィルム移動方向に直角に並べて、X線
写真フィルムの上面又は下面から帯状光源(LED)に
よりフィルムを照射し、その透過光をラインセンサー上
に焦点を結ぶように配置したロッドレンズにより集光
し、そのX線フィルム濃度に応じた透過光の強度等の信
号を得るようにすると同時に、ラインセンサー及び帯状
光源と直角方向に微少移動することのできるパルスモー
タを用いた微少フィルム走行手段を具備している。
【0035】フィルムフィードコントローラーは、かか
るX線写真フィルムでの特定部位にしぼって透過光の検
知を可能にしたり、フィルムを所定の速度で間欠的に走
行させることを制御するための制御手段である。CCD
ドライバーは、CCDに蓄積されたデータを所定のタイ
ミングで取り出せるように制御する機能を有するもので
ある。またLEDコントローラは、X線写真フィルムの
濃淡のレベルに合わせて光源の強さを調節するための光
源の光強度調節手段である。
【0036】図10は、図9における骨計測データ処理
部20におけるCRTなる画像表示手段に拡大されて表
示された第2中手骨の例である。1が表示画面であり、
2が第2中手骨の画像であり、3、4、5が骨計測のた
めに必要とされる基準ポイントの位置を示すものであ
る。そのポイント入力手段としては、カーソル位置表
示制御手段や、ライトペン型入力手段、タッチパネル
により外部より入力する方法等があげられる。
【0037】図9における自動読み取り部10によって
読み取られたデータ群がデータ処理部20におけるイメ
ージ入出力部及びイメージメモリーから主としてなる影
像記憶手段によって記憶されて、記憶された影像に関す
るデータ群は、CRT及びCRTから主としてなる画像
表示手段によって図11に示す如き拡大された被検骨の
画像として表示される。
【0038】さらに本発明の像読み取り装置を用いた
骨計測装置に含まれる演算手段としては、ポイント入力
手段により入力された基準ポイントを基準として、影像
記憶手段に記憶された被検骨の影像における測定すべき
所定の位置を決定し、かかる所定位置での被検骨の影像
に関する記憶データ群を用いて骨測定のための演算を行
うことができるものであればいかなるものであってもよ
い。その例としては骨計測のための演算プログラムが入
力されたROM及び演算・一時記憶のためのRAMから
構成されるマイクロコンピューター手段があげられる。
【0039】演算の内容の具体例を示すために、図11
に例示された如き第2中手骨の長軸の中間点の横断線上
での記憶データをパターンとして表示したものである。
即ちDが骨幅を示し、斜線部で示される部分によって骨
密度分布が表現されたものである。d1、d2がそれぞ
れ骨皮質幅を示し、Dが骨髄幅を示す。SGminはピ
ーク6、ピーク8の間の谷部7の最小値に相当し、(骨
皮質、骨髄質)の密度の指標を示すものであり、GSm
ax1、GSmax2は各々ピーク部の最大値に相当す
る。ΣGSは幅Dについての斜線部の全面積に相当する
ものである。(「骨代謝」第4巻、319―325頁
(1981年)参照)。
【0040】補正前、第1次補正後、第2次補正後のΣ
GS/Dの温度特性を図12に示した。大まかな補正前
と比べて第1次補正でもドリフトは減少しているが、第
2次補正を行うことでほとんどドリフトが見られないこ
とがわかる。
【0041】なお、図9のRS232C及びMODEM
は、骨計測装置を通信手段を介した骨評価システムに用
いる場合の通信手段に連結されて通信機能を付与するた
めのものであり、PIOはディジタル制御入出力をコン
ピューターシステムへ入出力するためのインターフェイ
スとして機能するものである。
【0042】
【発明の効果】本発明は、簡単な構成による温度ドリフ
トの減少化で、計測精度を確保し、またダイナミックレ
ンジを確保することを可能にした画像読み取り方法と装
置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】CCDにおける温度と暗時出力電圧との関係の
例示。
【図2】4組の素子群を組み合わせたCCDセンサーの
例示。
【図3】暗時出力補正用の光シールド素子を具備したC
CDセンサーの例示。
【図4】図3のCCDセンサーでの暗時出力電圧の補正
回路の例示。
【図5】光シールド素子を用いた場合の暗時出力の例
示。
【図6】暗時出力電圧を露光時出力電圧から減算するた
めのハードの例示。
【図7】本発明における測定制御手段と補正手段の構成
例。
【図8】本発明でシェーディング補正を用いた場合の補
正効果の例示。
【図9】本発明の画像読み取り装置の好ましい実施態様
例。
【図10】図8のCRTにおける第2中手骨の表示例。
【図11】本発明の方法を利用して骨計測を行う場合の
計測の例示。
【図12】本発明における補正効果の例示。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 仁志 山口県岩国市日の出町2番1号 帝人株 式会社 岩国研究センター内 (72)発明者 石崎 多嘉之 山口県岩国市日の出町2番1号 帝人株 式会社 医療岩国製造所内 (56)参考文献 特開 昭63−158536(JP,A) 特開 昭63−131134(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03B 42/02 H04N 1/40

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源手段からの光が画像読み取り対象物
    を透過した又は該対象物に反射した光を素子を線状に配
    設したチップからなるイメージセンサー手段によって検
    知することにより該対象物中の画像を読み取る画像読み
    取り方法において、該イメージセンサー手段を構成する
    少なくとも一部のチップ(I)について (i)該チップにおける一部の暗時出力電圧V0 (I)
    を測定し次いで該チップの各素子(X)について露光時
    出力電圧V(X)を測定して、第1次補正電圧V1
    (X)(=V(X)−V0 (I))をアナログ的に求
    め、 (ii)該チップの各素子(X)についての第1次補正暗
    時出力電圧V10 (X)を測定しA/D変換して、NV
    0 (X)を求め、さらに該チップの各素子(X)につ
    いての第1次補正露光時出力電圧V1(X)のA/D変
    換した値NV1(X)を求めて、第2次補正値NV2
    (X)(=NV1(X)−NV10 (X))を求め、 (iii )かくして得られる第2次補正値を用いて該対象
    物中の画像を読み取ることを特徴とした画像読み取り方
    法。
  2. 【請求項2】 該第2次補正値を、読み取り対象の一部
    についてのみ行う請求項1の画像読み取り方法。
  3. 【請求項3】 光源手段からの光が画像読み取り対象物
    を透過した又は該対象物に反射した光を素子を線状に配
    設したチップからなるイメージセンサー手段によって検
    知することにより該対象物中の画像を読み取る画像読み
    取り方法において、該イメージセンサー手段を構成する
    少なくとも一部のチップ(I)について (i)該チップにおける一部の暗時出力電圧V
    (I)を測定し次いで該チップの各素子(X)につ
    いて露光時出力電圧V(X)を測定して、第1次補正電
    圧V1(X)(=V(X)−V (I))をアナログ
    的に求め、 (ii) 該チップの各素子(X)について該NV1
    0 (X)及び該NV1(X)を求めると共にA/D変換
    したシェーディング測定値NR1(X)も求めて、シェ
    ーディング補正済みの第2次補正値NVS(X)を下記
    式(1)により算出したことを特徴とした画像読み取り
    方法。 【数1】
  4. 【請求項4】 該第2次補正値NV2(X)を求めた後
    に、第2次補正済みのA/D変換したシェーディング測
    定値NR2(X)を求めて、式(2)によりシェーディ
    ング補正済みの第2次補正値NVS(X)を求めること
    を特徴とした請求項1の画像読み取り方法。 【数2】
  5. 【請求項5】 該暗時出力電圧V0 (I)として、該チ
    ップの素子の暗時出力電圧の中で最小のものを採用した
    ことを特徴とした請求項1又は請求項3の画像読み取り
    方法。
  6. 【請求項6】 光源手段と画像読み取り対象物を透過し
    た又は該対象物に反射した光を検知するためのイメージ
    センサー手段とを備えた画像読み取り装置において、
    (i)該イメージセンサー手段を構成する少なくとも一
    部のチップにおける一部の暗時出力電圧V0 (I)と該
    チップの各素子(X)についての露光時出力電圧V
    (X)を測定するための第1次測定制御手段と、(ii)
    該イメージセンサーの暗時出力補正のために該第1次補
    正電圧V1(X)(=V(X)−V0 (I))を求める
    第1次補正手段と、(iii )第1次補正出力電圧のA/
    D変換手段と、(iv)第1次補正出力電圧のA/D変換
    後の、各素子(X)の第1次暗時出力値NV10 (X)
    と第1次露光時出力値NV1(X)を測定する第2次測
    定制御手段と、(v)さらに第2次補正値NV2(X)
    (=NV1(X)−NV10 (X))を求める第2次補
    正手段を有したことを特徴とする画像読み取り装置。
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