JP2003087529A

JP2003087529A - 画像読取方法および装置

Info

Publication number: JP2003087529A
Application number: JP2001275917A
Authority: JP
Inventors: Naoto Iwakiri; 直人岩切
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-09-12
Filing date: 2001-09-12
Publication date: 2003-03-20

Abstract

(57)【要約】【課題】蓄積性蛍光体シート等に蓄積された放射線画
像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセン
サにより読み取る放射線画像読取装置において、ライン
センサにおける光電変換素子のピッチずれが生じている
場合においても画像診断等において問題のない画像信号
を得る。【解決手段】予め斜めの直線画像をラインセンサ２０
により読み取ることによりラインセンサ２０における所
定のピッチで配置されていない光電変換素子２１を検出
し、その検出された光電変換素子２１のラインセンサ２
０における所定のピッチに対するずれ量に基づいて画素
データを補正する

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は所定の記録体に記録
された画像を多数の光電変換素子が直線状に配列されて
なるラインセンサにより読み取る画像読取方法および装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ネガフィルム、リバーサルフ
ィルム等の写真フィルムや印刷物等に記録された画像を
光電的に読み取って、読み取った画像をデジタル信号と
して出力する画像読取装置が種々の分野で広く利用され
ている。

【０００３】また、医療分野においては、放射線（Ｘ
線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）を照射する
とこの放射線エネルギーの一部が蓄積され、その後、可
視光やレーザ光などの励起光を照射すると、蓄積された
放射線エネルギーに応じて輝尽発光光が発光される蓄積
性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、例えば支持体上
にこの蓄積性蛍光体を積層した蓄積性蛍光体シートに人
体などの被写体を透過した放射線を照射することによ
り、放射線画像情報を一旦蓄積記録し、この蓄積性蛍光
体シートにレーザ光などの励起光を照射して、輝尽発光
光を生じさせ、この輝尽発光光を光電変換して画像信号
を得る放射線画像読取装置がCR（Computed Radiograph
y）として、広く実用に供されている。

【０００４】そして、上記蓄積性蛍光体シートを利用し
た放射線画像読取装置においては、輝尽発光光の読取時
間の短縮や、装置のコンパクト化およびコストの低減の
視点から、励起光源として、シートに対して線状に励起
光を照射するライン光源を使用し、ライン光源により励
起光が照射されたシートの線状の部分の長さ方向（以
下、主走査方向という）に沿って多数の光電変換素子が
配列されたラインセンサを使用するとともに、上記ライ
ン光源およびラインセンサと上記蛍光体シートとの一方
を他方に対して相対的に、上記主走査方向に略直交する
方向（以下、副走査方向とする）に移動させる走査手段
を備えた構成が提案されている（特開昭６０-１１１５
６８号公報、特開昭６０-２３６３５４号公報、特開平
１-１０１５４０号公報など）。

【０００５】ここで、上記ラインセンサにおける光電変
換素子は半導体素子であり、その受光部は、一定のピッ
チで各受光部が配列されたパターンを有するマスクを利
用して露光することにより基板上に形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ライン
センサは長尺である。特に上記蓄積性蛍光体シートは約
４０ｃｍ程度の幅を有するものが一般に用いられてお
り、それ以上の長さのラインセンサが要求される。その
ため、一枚のマスクで全ての光電変換素子の受光部を形
成することは、大型のマスクおよび露光装置を必要とし
現実的でなく非常に困難であり、また、コストアップに
もなる。従って、通常、1枚のマスクを主走査方向に移
動させながら露光して受光部を形成する。このとき、例
えば、マスクを移動させるピッチがずれた場合、図５に
示すように本来２２ａの位置の形成されるべき受光部が
２２ｂの位置に形成されてしまう（図５のラインセンサ
２０において受光部は左側から形成されるものとし、受
光部２２ｂより右に並ぶ受光部は、受光部２２ｂと同様
に全て所定の位置からずれた位置に形成されるものとす
る）。上記のような所定のピッチで配置されていない光
電変換素子（受光部２２ｂおよび受光部２２ｂより右側
に配列する全ての受光部を有する光電変換素子）を有す
るラインセンサにより、例えば、放射線画像等を読み取
り、その読み取られた画素データに基づいて画像を表示
させて画像診断を行なう場合、偽画像が表示され、誤診
断をしてしまう若しくは画像診断することが不可能とな
る恐れがある。

【０００７】本発明は、上記のような問題点に鑑みて、
例えば、ラインセンサの製造過程において上記のような
光電変換素子のピッチずれが生じ、所定のピッチで光電
変換素子が配置されていない場合、これを検出すること
ができる画像読取方法および装置、およびさらにこのよ
うな光電変換素子のピッチずれがあった場合においても
特に問題のない画像信号を得ることができる画像読取方
法および装置を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の画像読取方法
は、原稿画像が記録された記録体の主走査方向に複数の
光電変換素子が線状に配列されてなるラインセンサを有
する画像読取手段によりラインセンサおよび記録体のい
ずれか一方を副走査方向に走査することにより原稿画像
を画像信号として光電的に読み取る画像読取方法におい
て、ラインセンサにおいて所定のピッチで配置されてい
ない光電変換素子を検出することを特徴とする。

【０００９】ここで、上記「記録体」とは、原稿画像が
記録されるものであれば如何なるものでもよく、例え
ば、カメラなどにより撮影された画像が記録される写真
フィルム、放射線画像が蓄積される蓄積性蛍光体シー
ト、および印刷物などがある。

【００１０】また、上記「ラインセンサにおいて所定の
ピッチで配置されていない光電変換素子」とは、例え
ば、ラインセンサの製造過程において、光電変換素子の
受光部の形成のためのマスクが移動ピッチずれを生じ、
そのため受光部が所定のピッチで形成されなかった光電
変換素子を意味し、例えば、図５に示すように本来２２
ａの位置に形成されるべき光電変換素子の受光部が上記
マスクの移動ピッチずれにより２２ｂに形成されてしま
ったときは、この受光部２２ｂおよび受光部２２ｂより
右側に並ぶ各受光部を有する各光電変換素子の全てのこ
とをいう（但し、受光部２２ｂが形成された後はマスク
の移動ピッチずれは生じなかったものとする）。つま
り、本来所定のピッチで配置されるべき位置に配置され
ていない光電変換素子を意味する。また、上記のような
場合に限らず、所定の数個の隣接して並ぶ受光部のみ
が、本来所定のピッチで配置されるべき位置に形成され
なかったときは、これらの受光部を有する光電変換素子
のみを「所定のピッチで配置されていない光電変換素
子」とする。

【００１１】また、上記「所定のピッチで配置されてい
ない光電変換素子を検出する」とは、例えば、斜めの直
線画像をラインセンサにより読み取った画素データに基
づいて所定のピッチで配置されていない光電変換素子を
検出するようにすることをいう。斜めの直線画像とは少
なくとも１本の斜めの直線を含む画像であればよく、複
数の斜めの直線画像からなるストライプ画像でもよい。
または、垂直な直線画像をラインセンサの主走査方向に
対して斜めの方向に移動させて読み取るようにしてもよ
い。もしくは、予め間隔が既知である複数の垂直な直線
からなるストライプ画像を読み取るようにしてもよい。

【００１２】また、検出された光電変換素子のラインセ
ンサにおける所定のピッチに対するずれ量に基づいて検
出された光電変換素子に対応する画素データを補正する
ようにすることができる。

【００１３】ここで、上記「所定のピッチに対するずれ
量に基づいて検出された光電変換素子に対応する画素デ
ータを補正する」とは、例えば、上記検出された光電変
換素子およびその近傍の光電変換素子の画素データと上
記ずれ量から本来出力されるべき画素データを算出する
ようにしてもよいし、上記検出された光電変換素子から
出力された画素データの位置を上記ずれ量に基づいて主
走査方向にシフトするような処理も含むものとする。

【００１４】本発明の画像読取装置は、原稿画像が記録
された記録体の主走査方向に複数の光電変換素子が線状
に配列されてなるラインセンサを有し、ラインセンサお
よび記録体のいずれか一方を副走査方向に走査すること
により原稿画像を画像信号として光電的に読み取る画像
読取手段を備えた画像読取装置において、ラインセンサ
において所定のピッチで配置されていない光電変換素子
を検出する検出手段を備えたことを特徴とするものであ
る。

【００１５】また、検出手段により検出された光電変換
素子のラインセンサにおける所定のピッチに対するずれ
量に基づいて検出された光電変換素子に対応する画素デ
ータを補正する補正手段を備えたものとすることができ
る。

【００１６】また、検出手段が、斜めの直線画像を画像
読取手段により読み取った画素データに基づいて所定の
位置に配置されていない光電変換素子を検出するものと
することができる。

【００１７】また、原稿画像として放射線画像を用いる
ことができる。

【００１８】

【発明の効果】本発明による画像読取方法および装置に
よれば、原稿画像が記録された記録体の主走査方向に複
数の光電変換素子が線状に配列されてなるラインセンサ
を有する画像読取手段により原稿画像を画像信号として
光電的に読み取る画像信号読取方法および装置におい
て、ラインセンサにおいて所定のピッチで配置されてい
ない光電変換素子を検出するようにしたので、例えば、
ラインセンサの製造過程において上記のような光電変換
素子のピッチずれが生じている場合、これを検出して正
常な画像信号が出力されていないことを認識することが
できる。

【００１９】また、上記ようにして検出された光電変換
素子のラインセンサにおける所定のピッチに対するずれ
量に基づいて上記検出された光電変換素子に対応する画
素データを補正するようにした場合には、例えば、読み
取った画像信号に基づいて画像を表示する際、上記ピッ
チずれによる影響を抑制した画像を表示することができ
る。

【００２０】また、特に上記原稿画像として放射線画像
を用いた場合には、読み取られた放射線画像に基づいて
画像を表示して画像診断を行う際、誤診断を招いたりも
しくは診断することができないといったような事態を回
避することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像読取方法を実
施する画像読取装置の一実施形態を適用した放射線画像
読取装置について図面を用いて説明する。本放射線画像
読取装置の概略構成図を図１および図２に示す。図１は
本実施形態の放射線画像読取装置の斜視図、図２は図１
に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ線断面を示す断面
図、また、図３は図１と図２に示した放射線画像読取装
置のラインセンサ２０の構成を示す図である。

【００２２】本発明による放射線画像読取装置は、放射
線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート（以下、蛍
光体シートという）５０を載置して矢印Ｙ方向に搬送す
る走査ベルト４０、線状の励起光（以下、単に励起光と
いう）Ｌを蛍光体シート５０表面に略平行に出射する励
起光源１１、励起光源１１から出射された線状の励起光
Ｌを集光するコリメータレンズおよび一方向にのみビー
ムを拡げるトーリックレンズの組合せからなる光学系１
２、蛍光体シート５０表面に対して４５度の角度を傾け
て配置され、励起光Ｌを蛍光体シート５０に向かって略
垂直方向に反射し後述する輝尽発光光Ｍを透過するよう
に設定されたダイクロイックミラー１４、ダイクロイッ
クミラー１４により反射された線状の励起光Ｌを、蛍光
体シート５０上にＸ方向に沿って延びる線状に集光する
とともに、励起光の照射により蛍光体シート５０から発
せられる蓄積記録された放射線画像に応じた輝尽発光光
Ｍを平行光束とする屈折率分布形レンズアレイ１５（多
数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであ
り、以下、第１のセルフォックレンズアレイという）、
この第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光
束とされ、ダイクロイックミラー１４を透過した輝尽発
光光Ｍを、後述するラインセンサ２０に集光させる第２
のセルフォックレンズアレイ１６、第２のセルフォック
レンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在
する、蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌをカッ
トし、輝尽発光光Ｍは透過する励起光カットフィルタ１
７、励起光カットフィルタ１７を透過した輝尽発光光Ｍ
を受光して光電変換するラインセンサ２０、ラインセン
サ２０から出力された各光電変換素子に応じた画素信号
からなる出力信号を読み取って相関２重サンプリング処
理を施して画素データとして出力する読取手段３０、読
取手段３０から出力された画素データに基づいてライン
センサ２０における光電変換素子２１が所定のピッチで
配置されていないことを検出する検出手段６０、検出手
段６０からの検出信号に応じて所定のピッチで配置され
ていない光電変換素子に対応する画素データを補正する
補正手段７０とから構成されている。ここで、本実施の
形態では、走査ベルト４０、励起光源１１、光学系１
２、ダイクロイックミラー１４、第１のセルフォックレ
ンズアレイ１５、第２のセルフォックレンズアレイ１
６、励起光カットフィルタ１７、ラインセンサ２０およ
び読取手段３０が請求項における画像読取手段である。

【００２３】励起光源としては、光源自体が線状の励起
光を射出するものでもよいし、走査ビームを射出するも
のを用いて光学系により線状にするようにしてもよい。

【００２４】また、コリメータレンズとトーリックレン
ズからなる光学系１２は、励起光源１１からの励起光Ｌ
を蛍光体シート５０上に所望の照射域に拡大する。

【００２５】また、セルフォックレンズアレイ１６は、
ラインセンサの受光面において、蛍光体シート５０上に
おける輝尽発光光Ｍの像を１対１の大きさで結像する作
用をなす。

【００２６】また、読取手段３０は詳細には図４に示す
ようにラインセンサ２０からの出力信号を増幅するバッ
ファ３１、バッファ３１により増幅された出力信号をタ
イミングジェネレータ（図示せず）から出力されるタイ
ミング信号に応じてサンプリングしてデジタル化するＡ
／Ｄ変換器３２、Ａ／Ｄ変換器３２から出力されるデジ
タル信号に相関２重サンプリング処理を施して画素デー
タとして出力する相関２重サンプリング回路（以下、Ｃ
ＤＳいう。）とを備えている。一般にラインセンサの出
力信号には１画素毎（１周期毎）に、蓄積された電荷を
キャンセルする期問に相当するリセットパルス成分と、
電荷が蓄積されていない期間に相当するフィードスルー
成分と、光電変換素子の受光部に照射された光の強さに
応じて蓄積された電荷に応じたレベルとなる画索信号成
分により構成されている。ＣＤＳ３３では、Ａ／Ｄ変換
器３２でサンプリングされたフィールドスルー成分のレ
ベルを表すフィールドデータおよび画素信号成分のレベ
ルを表すデータレベルを各々サンプリングし、各画素毎
にデータレベルからフィールドスルーデータを減算す
る。そして、その結果を画素データとして出力する。

【００２７】また、ラインセンサ２０は、図３に示すよ
うに光電変換素子２１がＸ方向に沿って多数（例えば１
０００個以上）配列した構成となっており、さらに詳細
には図５に示すように光電変換素子２１の受光部２２が
Ｘ方向に一定のピッチで配列されている。

【００２８】ここで、ラインセンサ２０の光電変換素子
２１は半導体素子であり、その受光部は、一定のピッチ
で各受光部が配列されたパターンを有するマスクを利用
して露光することにより基板上に形成される。このとき
ラインセンサは長尺であるため一枚のマスクで全ての光
電変換素子の受光部を形成することは、大型のマスクお
よび露光装置が必要となり現実的でなく非常に困難であ
る。従って、通常1枚のマスクを主走査方向に移動させ
ながら露光し受光部を形成する。このとき、マスクの移
動するピッチがずれた場合、例えば、図５に示すように
本来２２ａの位置の形成されるべき受光部が２２ｂの位
置に形成されることになり、その後形成される受光部は
全て本来所定のピッチで配置されるべき位置からずれて
形成されることになる（ただし、受光部２２ｂが形成さ
れた後はマスクの移動ピッチずれは生じなかったものと
する）。本放射線画像読装置における検出手段６０は、
例えば、このマスクの移動ピッチずれ等に起因する光電
変換素子２１のピッチずれを検出するものである。その
検出方法については詳細に後述する。

【００２９】そして、さらに補正手段７０は、上記検出
手段６０により検出された光電変換素子の所定のピッチ
に対するずれ量に基づいてその所定のピッチで配置され
ていない光電変換素子に対応した画素データを補正する
ものである。

【００３０】また、補正手段７０は、詳細には図４に示
すような構成となっており、読取手段３０のＣＤＳから
出力された画素データをログ変換して変換画素データを
出力するログ変換ＬＵＴ７１と、予め明補正データＬＵ
Ｔ７３に記憶された明補正データに基づいて変換画素デ
ータに明補正を施す明補正回路７２と、変換画素データ
に基づいてスミア量を検出するスミア量検出回路７４
と、各光電変換素子の暗電流に応じた暗出力レベルを検
出する暗電流検出回路７５と、上記検出手段６０から出
力された所定のピッチで配置されていない光電変換素子
の所定のピッチに対するずれ量を記憶するピッチ補正値
メモリ７６と、明補正回路７２により明補正された画素
データにスミア量検出回路７４から出力されたスミア量
に基づいてスミア補正を施し、暗電流メモリ７５に記憶
された暗出力レベルに基づいて暗電流補正を施し、ピッ
チ補正値メモリに記憶された上記位置とずれ量に基づい
てピッチ補正を施す補正演算部７７、上記補正手段７０
における一連の動作を制御する制御部７８とから構成さ
れている。なお、制御部７８は必ずしも補正手段７０に
設ける必要はなく本装置全体の制御部（図示せず）もし
くは他の手段の制御部と共通にしてもよい。

【００３１】上記明補正は、ラインセンサ２０の各光電
変換素子２１の光電変換特性のバラツキを補正するもの
であり、予めラインセンサ２０により画像全体の濃度が
一様なベタ画像を読み取り、この画素データのばらつき
に基づいて各光電変換素子のゲインを算出し、このゲイ
ンを明補正データＬＵＴ７３に記憶しておき、実際の放
射線画像の読取りのときには、このゲインに基づいて補
正を施す処理である。

【００３２】また、上記スミア補正は、放射線画像中の
スミアが生じた場合にこれを補正する処理であるが、具
体的には、実際に読み取っているラインの画素データの
内ラインセンサ２０におけるオプティカルブラック部
（ラインセンサ２０の光電変換素子２１の中で放射線画
像領域を読み取ることなく、遮光膜等が設けられて光の
入射が遮断された光電変換素子）から出力された画素デ
ータとその読取ラインの直前の数ラインの画素データの
内上記オプティカルブラック部から出力された同じ水平
アドレスを持つ画素データの平均値を求め、読取ライン
の画素データからこの平均値を減算する処理である。上
記スミア補正は、スミアが検出されたときのみ、つまり
上記オプティカルブラック部から出力された画素データ
が所定の閾値よりも大きいときにのみ行うようにしても
よいし、読取りの間常に行うようにしてもよい。また、
上記スミア補正と暗電流補正は同様の処理で行うことが
できるため、本実施の形態では、上記スミア補正は読取
りの間常に行うようにし、暗電流補正も同じ処理で行う
ものとする。従って、図４の中では、スミア量検出回路
７４および暗電流回路７５は別々のブロックとしている
が、共通の回路で構成されるものとする。ただし、もち
ろんこれに限らずスミア補正、暗電流補正を別々の回路
で、また、異なるタイミングで行うようにしてもよい。

【００３３】次に、本放射線画読取装置の作用について
説明する。まず、走査ベルト４０が矢印Ｙ方向に移動す
ることにより、この走査ベルト４０上に載置された、放
射線画像が蓄積記録された蛍光体シート５０を矢印Ｙ方
向に搬送する。

【００３４】一方、励起光源１１が、線状の励起光Ｌ
を、蛍光体シート５０表面に対して略平行に出射し、こ
の励起光Ｌは、その光路上に設けられたコリメータレン
ズおよびトーリックレンズからなる光学系１２により平
行ビームとされ、ダイクロイックミラー１４により蛍光
体シート５０に垂直に入射する直交方向に反射され、そ
の反射光は第１のセルフォックレンズ１５により、蛍光
体シート５０上に配置された蛍光体シート５０上にＸ方
向に沿って延びる線状に略垂直に入射される。

【００３５】蛍光体シート５０に入射した線状の励起光
Ｌによりその集光域の蓄積性蛍光体を励起するとともに
集光域から蛍光体シート５０内部に入射して集光域の近
傍部分に拡散し、集光域の近傍部分の蓄積性蛍光体も励
起する。その結果、蛍光体シート５０の集光域およびそ
の近傍から、蓄積記録されている放射線画像に応じた強
度の輝尽発光光Ｍが発光される。この輝尽発光光Ｍは、
第１のセルフォックレンズ１５により平行光束とされ、
ダイクロイックミラー１４を透過し、第２のセルフォッ
クレンズアレイ１６により、ラインセンサ２０の光電変
換素子２１に集光される。この際、第２のセルフォック
レンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに蛍光体シー
ト５０表面で反射した励起光Ｌが僅かに存在していたと
しても、励起光カットフィルタ１７によりカットされる
ので、ラインセンサ表面には入射しない。

【００３６】そして、ラインセンサ２０の光電変換素子
２１は輝尽発光光を光電変換し、各光電変換素子２１に
応じた画素信号からなる出力信号を出力する。この出力
信号は読取手段３０に入力され、読取手段３０ではバッ
ファ３１により出力信号が増幅され、バッファ３１によ
り増幅された出力信号はＡ／Ｄ変換器３２によりタイミ
ングジェネレータ（図示せず）から出力されるタイミン
グ信号に応じてサンプリングされてデジタル化され、Ａ
／Ｄ変換器３２から出力されるデジタル信号はＣＤＳ３
３により相関２重サンプリング処理を施されて画素デー
タとして出力される。

【００３７】本放射線画像読取装置では、上記のような
作用により実際に画像診断に用いられる放射線画像が記
録された蛍光体シート５０の読取りを行なう前に、ライ
ンセンサ２０において所定のピッチで配置されていない
光電変換素子の検出ため、図６に示すような間隔が既知
である斜めの直線からなるストライプ画像が記録された
蛍光体シート５０の読取りを行なう。

【００３８】まず、走査ベルト４０には上記ストライプ
画像が記録された蛍光体シート５０を載置し、上記と同
様の作用により読取りを行う。

【００３９】次に、その読み取られた全ての画素データ
は検出手段６０に出力される。検出手段６０では、例え
ば、直線部分の画素データが１００、直線の無い部分の
画素データが０として出力される場合には、画素データ
１００が出力された後、次に画素データ１００が出力さ
れるまでの画素データ０の数をカウントし、予め記憶さ
れた画素データ０の数と異なるとき、光電変換素子２１
が所定のピッチで配置されていないものとして検出し、
予め記憶された画素データ０の数との差を求めてずれ量
として補正手段７０に出力し、補正手段７０は検出手段
６０から出力された所定のピッチに対するずれ量を補正
値ピッチメモリ７６に記憶する。ここで、例えば、副走
査方向の走査速度が一定でないため、複数の斜めの直線
間で上記ずれ量が異なる場合には、予め既知である上記
斜めの直線間の副走査方向の間隔と実際に読み取られた
直線の画素データの副走査方向の間隔とを比較すること
により上記走査速度の違いによる上記ずれ量の違いを補
正するようにしてもよい。

【００４０】また、ストライプ画像が光電変換素子２１
の画素と画素の間にある場合には直線部分の画素データ
の値が１００にならず、例えば２つの画素にわたって画
素データの値が４０、６０となる場合がある。その場合
には、例えば３／５画素ずれていると判定してもよい。
このようなずれ量の補正は、線形補間やスプライン補間
などにより演算して求められる。

【００４１】また、本放射線画像読取装置は、実際に画
像診断に用いられる放射線画像が記録された蛍光体シー
ト５０の読取りを行なう前に、予め画像全体の濃度が一
様なベタ画像を読み取り、この画素データのばらつきに
基づいて各光電変換素子のゲインを算出し、このゲイン
を明補正データＬＵＴ７３に記憶する。

【００４２】そして、次に、実際に放射線画像が記録さ
れた蛍光体シート５０の読取りが行なわれる。このとき
読取手段３０から出力された画素データは、補正手段７
０に出力される。補正手段７０に入力された画素データ
は、ログ変換ＬＵＴ７１によりログ変換され変換画素デ
ータとされた後、明補正回路７２に出力される。明補正
回路７２においては、明補正データＬＵＴ７３に予め記
憶された明補正データに基づいて明補正の処理が施さ
れ、その明補正が施された補正画素データが補正演算部
７７に出力される。

【００４３】また、スミア量検出回路７４および暗電流
検出回路７５では、上述したオプティカルブラック部か
ら出力された同じ水平アドレスを持つ画素データの平均
値が求められ、補正演算部７７に出力される。

【００４４】補正演算部７７では、スミア量検出回路７
４および暗電流検出回路７５から出力された上記平均値
を上記明補正の施された補正画素データから減算するこ
とによりスミア補正および暗電流補正を施し、ピッチ補
正値メモリ７６から読み出された上記ずれ量に基づいて
ピッチずれ補正処理を施し、その処理済画素データに基
づく画像信号を出力画像として画像処理装置等に出力す
る。

【００４５】上記ピッチずれ補正処理は、例えば、上記
ピッチずれの生じている光電変換素子から出力された画
素データを上記ずれ量に基づいて画素単位で主走査方向
にシフトするようにしてもよいし、上記ピッチずれの生
じている光電変換素子およびその近傍の光電変換素子か
ら出力された画素データと上記ずれ量に基づいて線形補
間またはスプライン補間等を施すようにしてもよい。

【００４６】なお、上記明補正、スミア補正、暗電流補
正、ピッチずれ補正を施す処理の順序は上記の順序に限
らず、問題なく補正の演算処理ができる範囲で如何なる
順序でもよい。

【００４７】また、さらにリニアリティ補正を施すよう
にしてもよい。リニアリティ補正とはラインセンサ２０
の各光電変換素子２１間のリニアリティの違いを補正す
る処理であり、具体的には、例えば、濃度の異なる数種
の画像（複数枚の画像でもよいし、濃度の異なる数種の
画像を有する１枚の画像でもよい）読み取ることにより
各光電変換素子２１のリニアリティを求め、各光電変換
素子間のリニアリティの差がなくなるように読み取られ
た画素データに演算処理を施すようにすればよい。

【００４８】また、ラインセンサがＭＯＳセンサで構成
される場合には、各画素によってＭＯＳトランジスタの
閾値やゲインが異なるため、これに起因して固定パター
ンノイズが生じることがあるが、これを補正するように
してもよい。これは、例えば、各画素にオフセットやゲ
インを予めＬＵＴに記憶しておき、それを用いて補正す
るようにしてもよいし、固定パターンノイズ除去回路付
きのＭＯＳセンサを用いるようにしてもよい。

【００４９】上記実施の形態による放射線画像読取装置
によれば、ラインセンサ２０において所定のピッチで配
置されていない光電変換素子２１を検出し、その検出さ
れた光電変換素子２１のラインセンサ２０における所定
のピッチに対するずれ量に基づいて画素データを補正す
るようにしたので、例えば、読み取られた放射線画像に
基づいて画像を表示して画像診断を行う際、誤診断を招
いたりもしくは診断することができないといったような
事態を回避することができる。

【００５０】さらに、上記のように種々の補正処理を施
すことにより、画像診断により適した画像を得ることが
できる。

【００５１】また、上記実施の形態では、蓄積性蛍光体
シートの励起光を照射する面側にラインセンサを配置し
て輝尽発光光を検出しているが、これに限られるもので
はなく、種々の形態（例えば励起光を照射する側とは反
対の面側にラインセンサを配置して輝尽発光光を検出す
る場合など）に対して本発明を適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による画像読取装置の一実施形態を適用
した放射線画像読取装置の概略構成図

【図２】図１に示す放射線画像読取装置のＩ−Ｉ線断面
を示す断面図

【図３】図１および図２に示す放射線画像読取装置にお
けるラインセンサの詳細図

【図４】読取手段および補正手段の詳細図

【図５】ラインセンサにおける光電変換素子のピッチず
れを示す図

【図６】ピッチずれ補正に用いるストライプ画像を示す
図

【符号の説明】

１１ブロードエリアレーザ１２光学系１４ダイクロイックミラー１５第１のセルフォックレンズアレイ１６第２のセルフォックレンズアレイ１７励起光カットフィルタ２０ラインセンサ２１光電変換素子２２欠陥光電変換素子３０読取手段３１バッファ３２Ａ／Ｄ変換器３３ＣＤＳ４０搬送ベルト５０蓄積性蛍光体シート６０検出手段７０補正手段７１ログ変換ＬＵＴ７２明補正回路７３明補正データＬＵＴ７４スミア量検出回路７５暗電流検出回路７６ピッチ補正値メモリ７７補正演算回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H013 AC01 AC04 AC05 5C024 AX12 CX13 CX32 EX01 EX41 GZ36 HX13 HX21 HX29 HX55 5C051 AA01 BA04 DA03 DB01 DB22 DB24 DB30 DE15 DE33 5C062 AB01 AB33 AB42 AC02 AC55 5C072 AA01 CA06 DA04 DA06 DA09 DA25 EA07 FA05 FB03 RA18 UA06 UA11 UA13 VA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】原稿画像が記録された記録体の主走査方
向に複数の光電変換素子が線状に配列されてなるライン
センサを有する画像読取手段により該ラインセンサおよ
び前記記録体の少なくともいずれか一方を副走査方向に
走査することにより前記原稿画像を画像信号として光電
的に読み取る画像読取方法において、前記ラインセンサにおいて所定のピッチで配置されてい
ない前記光電変換素子を検出することを特徴とする画像
読取方法。
【請求項２】前記検出された光電変換素子の前記ライ
ンセンサにおける前記所定のピッチに対するずれ量に基
づいて前記検出された光電変換素子に対応する画素デー
タを補正することを特徴とする請求項１記載の画像読取
方法。
【請求項３】原稿画像が記録された記録体の主走査方
向に複数の光電変換素子が線状に配列されてなるライン
センサを有し、該ラインセンサおよび前記記録体の少な
くともいずれか一方を副走査方向に走査することにより
前記原稿画像を画像信号として光電的に読み取る画像読
取手段を備えた画像読取装置において、前記ラインセンサにおいて所定のピッチで配置されてい
ない前記光電変換素子を検出する検出手段を備えたこと
を特徴とする画像読取装置。
【請求項４】前記検出手段により検出された光電変換
素子の前記ラインセンサにおける前記所定のピッチに対
するずれ量に基づいて前記検出された光電変換素子に対
応する画素データを補正する補正手段を備えたことを特
徴とする請求項３記載の画像読取装置。
【請求項５】前記検出手段が、斜めの直線画像を前記
画像読取手段により読み取った画素データに基づいて前
記所定のピッチで配置されていない光電変換素子を検出
するものであることを特徴とする請求項４記載の画像読
取装置。
【請求項６】前記原稿画像が、放射線画像であること
を特徴とする請求項３から５いずれか１項記載の画像読
取装置。