JPH1114755A - ２次元検出器を用いた撮影装置 - Google Patents
２次元検出器を用いた撮影装置Info
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- JPH1114755A JPH1114755A JP9169800A JP16980097A JPH1114755A JP H1114755 A JPH1114755 A JP H1114755A JP 9169800 A JP9169800 A JP 9169800A JP 16980097 A JP16980097 A JP 16980097A JP H1114755 A JPH1114755 A JP H1114755A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リーク電流の影響を補正し正確な信号読み出
しを行なう撮影装置を提供する。 【解決手段】 被写体５に光又は放射線を照射し、被写
体の撮影を行う撮影装置において、光又は放射線の入射
量に応じた電荷量を蓄積する複数の検出素子、ゲート
線、ゲート線ドライバ、信号線、ゲート及びＡ／Ｄ変換
器とを有する２次元検出器と、検出素子に接続されたゲ
ートのｏｎ時の第１の時定数及びｏｆｆ時の第２の時定
数を記憶する記憶手段４と、検出素子から読み出された
電荷量を記憶媒体に記憶された第１及び第２の時定数を
用いて、検出素子に入射した光量又は放射線量を求める
信号処理手段３とを有するものである。
しを行なう撮影装置を提供する。 【解決手段】 被写体５に光又は放射線を照射し、被写
体の撮影を行う撮影装置において、光又は放射線の入射
量に応じた電荷量を蓄積する複数の検出素子、ゲート
線、ゲート線ドライバ、信号線、ゲート及びＡ／Ｄ変換
器とを有する２次元検出器と、検出素子に接続されたゲ
ートのｏｎ時の第１の時定数及びｏｆｆ時の第２の時定
数を記憶する記憶手段４と、検出素子から読み出された
電荷量を記憶媒体に記憶された第１及び第２の時定数を
用いて、検出素子に入射した光量又は放射線量を求める
信号処理手段３とを有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２次元検出器（２
次元イメージセンサ）を使用する撮影装置、例えば、放
射線像撮影装置に関し、特に、２次元検出器（２次元イ
メージセンサ）から得る信号を補正して正確な放射線像
を得る信号補正に関するものである。
次元イメージセンサ）を使用する撮影装置、例えば、放
射線像撮影装置に関し、特に、２次元検出器（２次元イ
メージセンサ）から得る信号を補正して正確な放射線像
を得る信号補正に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】放射線による被写体の透過像をディジタ
ル画像として検出する２次元放射線検出器として、放射
線Ｉ.Ｉ.とテレビジョン(ＴＶ)の組合わせ、イメージン
グプレート等が広く知られている。また、２次元放射線
検出器を使用して複数方向から複数の２次元画像データ
を得て、被写体の３次元像を再構成する放射線コーンビ
ームＣＴへの応用も行われている。近年報告された２次
元放射線検出器としては、例えば，Ｌ．Ｅ．Ａntonuk，
et al，“Ｄemonstration of ｍegavoltage anddiagnos
tic x-ray imaging with hydrogenated amorphous sili
con array”，（Ｍed．Ｐhys．，19（6），1445-1466，
Ｎov／Ｄec（1992））がある。
ル画像として検出する２次元放射線検出器として、放射
線Ｉ.Ｉ.とテレビジョン(ＴＶ)の組合わせ、イメージン
グプレート等が広く知られている。また、２次元放射線
検出器を使用して複数方向から複数の２次元画像データ
を得て、被写体の３次元像を再構成する放射線コーンビ
ームＣＴへの応用も行われている。近年報告された２次
元放射線検出器としては、例えば，Ｌ．Ｅ．Ａntonuk，
et al，“Ｄemonstration of ｍegavoltage anddiagnos
tic x-ray imaging with hydrogenated amorphous sili
con array”，（Ｍed．Ｐhys．，19（6），1445-1466，
Ｎov／Ｄec（1992））がある。
【０００３】図３は従来の２次元放射線検出器を構成す
る１つの放射線検出素子の構成例を示す断面図、図４は
従来の２次元放射線検出器の概略構成を示すブロック構
成図である。従来の放射線検出素子は、図３に示すよう
に、基板３０に形成されたＰＩＮフォトダイオード３１
と、電極３４と、ＰＩＮフォトダイオード３１の上部の
透明電極３３の上部に形成された蛍光体層３２とから構
成されている。放射線検出素子（以下単に検出素子と称
する）には、ＴＦＴゲート２３のオン（ｏｎ）及びオフ
（ｏｆｆ）を行うゲート線２４と、ＰＩＮフォトダイオ
ード３１に蓄積された信号電荷量を伝達する信号線２６
とが接続されている。ＴＦＴゲート２３及び信号線２６
と蛍光体層３２との間には、絶縁体３５が充填されてい
る。
る１つの放射線検出素子の構成例を示す断面図、図４は
従来の２次元放射線検出器の概略構成を示すブロック構
成図である。従来の放射線検出素子は、図３に示すよう
に、基板３０に形成されたＰＩＮフォトダイオード３１
と、電極３４と、ＰＩＮフォトダイオード３１の上部の
透明電極３３の上部に形成された蛍光体層３２とから構
成されている。放射線検出素子（以下単に検出素子と称
する）には、ＴＦＴゲート２３のオン（ｏｎ）及びオフ
（ｏｆｆ）を行うゲート線２４と、ＰＩＮフォトダイオ
ード３１に蓄積された信号電荷量を伝達する信号線２６
とが接続されている。ＴＦＴゲート２３及び信号線２６
と蛍光体層３２との間には、絶縁体３５が充填されてい
る。
【０００４】図４では、図を簡単にするために１２個の
検出素子（２１-１１，２１-１２，２１-１３，２１-１
４，２１-２１，２１-２２，２１-２３，２１-２４，２
１-３１，２１-３２，２１-３３，２１-３４）からなる
２次元放射線検出器を示している。各検出素子には、Ｔ
ＦＴゲート（２３-１１，２３-１２，２３-１３，２３-
１４，２３-２１，２３-２２，２３-２３，２３-２４，
２３-３１，２３-３２，２３-３３，２３-３４）、ゲー
ト線（２４-１，２４-２，２４-３）及び信号線（２６-
１，２６-２，２６-３）が接続され、各ゲート線（２４
-１，２４-２，２４-３）は、各ＴＦＴゲートのｏｎ及
びｏｆｆ制御のためにゲート線の電位を制御するゲート
ドライバ２５に接続され、各信号線（２６-１，２６-
２，２６-３）には、Ａ／Ｄ変換器（２７-１，２７-
２，２７-３，２７-４）が接続されている。
検出素子（２１-１１，２１-１２，２１-１３，２１-１
４，２１-２１，２１-２２，２１-２３，２１-２４，２
１-３１，２１-３２，２１-３３，２１-３４）からなる
２次元放射線検出器を示している。各検出素子には、Ｔ
ＦＴゲート（２３-１１，２３-１２，２３-１３，２３-
１４，２３-２１，２３-２２，２３-２３，２３-２４，
２３-３１，２３-３２，２３-３３，２３-３４）、ゲー
ト線（２４-１，２４-２，２４-３）及び信号線（２６-
１，２６-２，２６-３）が接続され、各ゲート線（２４
-１，２４-２，２４-３）は、各ＴＦＴゲートのｏｎ及
びｏｆｆ制御のためにゲート線の電位を制御するゲート
ドライバ２５に接続され、各信号線（２６-１，２６-
２，２６-３）には、Ａ／Ｄ変換器（２７-１，２７-
２，２７-３，２７-４）が接続されている。
【０００５】各ＴＦＴゲートは、ゲート線の電位により
抵抗が変化するが、以下の説明では、ＴＦＴゲートの抵
抗値が低い状態及び高い状態をそれぞれｏｎ状態及びｏ
ｆｆ状態と表現し、その抵抗値をｏｎ抵抗ｒ及びｏｆｆ
抵抗Ｒと表記する。
抵抗が変化するが、以下の説明では、ＴＦＴゲートの抵
抗値が低い状態及び高い状態をそれぞれｏｎ状態及びｏ
ｆｆ状態と表現し、その抵抗値をｏｎ抵抗ｒ及びｏｆｆ
抵抗Ｒと表記する。
【０００６】また、２次元光検出器（２次元イメージセ
ンサ）に関する従来技術として，小林らが報告している
“アモルファスシリコンＴＦＴ駆動２次元イメージセン
サ”（ＩＥＥＥ ＴＯＫＹＯ ＳＥＣＴＩＯＮ Ｄenshi
Ｔokyo Ｎo.32（1993））がある。
ンサ）に関する従来技術として，小林らが報告している
“アモルファスシリコンＴＦＴ駆動２次元イメージセン
サ”（ＩＥＥＥ ＴＯＫＹＯ ＳＥＣＴＩＯＮ Ｄenshi
Ｔokyo Ｎo.32（1993））がある。
【０００７】放射線による被写体の２次元透過像は以下
の方法で得られる。被写体の撮影時は、２次元放射線検
出器の全てのＴＦＴゲートをｏｆｆ状態に設定する。被
写体に放射線を照射し、被写体を透過した放射線を２次
元放射線検出器により検出する。２次元放射線検出器に
入射した放射線は、蛍光体層３２において蛍光に変換さ
れ、ＰＩＮフォトダイオード３１により光電変換され電
気信号に変換され、各検出素子に入射した放射線量に比
例した電荷量が信号電荷量として各検出素子に蓄積され
る。各検出素子に蓄積された信号電荷量の読み出しは、
例えば、以下のように行う。
の方法で得られる。被写体の撮影時は、２次元放射線検
出器の全てのＴＦＴゲートをｏｆｆ状態に設定する。被
写体に放射線を照射し、被写体を透過した放射線を２次
元放射線検出器により検出する。２次元放射線検出器に
入射した放射線は、蛍光体層３２において蛍光に変換さ
れ、ＰＩＮフォトダイオード３１により光電変換され電
気信号に変換され、各検出素子に入射した放射線量に比
例した電荷量が信号電荷量として各検出素子に蓄積され
る。各検出素子に蓄積された信号電荷量の読み出しは、
例えば、以下のように行う。
【０００８】同一の信号線に接続された複数の検出素子
のうちの１つの特定の検出素子に接続するゲートをｏｎ
状態に設定すると、特定の検出素子に蓄積された信号電
荷量は、ゲートを介してＡ／Ｄ変換器に伝達されてディ
ジタル数値に変換される。１つの検出素子から読み出さ
れた信号が放射線透過画像の１画素に対するディジタル
数値（画像値）を与える。予め決められた順序により、
ゲート線を１本ずつ次々にｏｎ状態の電位に設定する
と、全ての検出素子からの信号読み出しができ、最終的
に１枚の放射線透過画像が得られる。
のうちの１つの特定の検出素子に接続するゲートをｏｎ
状態に設定すると、特定の検出素子に蓄積された信号電
荷量は、ゲートを介してＡ／Ｄ変換器に伝達されてディ
ジタル数値に変換される。１つの検出素子から読み出さ
れた信号が放射線透過画像の１画素に対するディジタル
数値（画像値）を与える。予め決められた順序により、
ゲート線を１本ずつ次々にｏｎ状態の電位に設定する
と、全ての検出素子からの信号読み出しができ、最終的
に１枚の放射線透過画像が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の２次元放射
線検出器において、ＴＦＴゲートのｏｎ及びｏｆｆ時の
抵抗値ｒ及びＲは、理想的にはそれぞれ、読み出し時の
抵抗であるｏｎ抵抗ｒはゼロ、非読み出し時の抵抗であ
るｏｆｆ抵抗Ｒは無限大であることが求められる。しか
し、実際の現状技術では、抵抗比Ｒ／ｒは１０6程度で
ある。また、ＴＦＴゲートのｏｎ抵抗ｒ及びｏｆｆ抵抗
Ｒは、ＴＦＴゲートの製造精度に依存するが、ある程度
のバラツキを持つ。同様に、各検出素子の容量Ｃもある
程度のバラツキを持つ。この結果、前記従来の２次元放
射線検出器では以下の解決すべき課題がある。
線検出器において、ＴＦＴゲートのｏｎ及びｏｆｆ時の
抵抗値ｒ及びＲは、理想的にはそれぞれ、読み出し時の
抵抗であるｏｎ抵抗ｒはゼロ、非読み出し時の抵抗であ
るｏｆｆ抵抗Ｒは無限大であることが求められる。しか
し、実際の現状技術では、抵抗比Ｒ／ｒは１０6程度で
ある。また、ＴＦＴゲートのｏｎ抵抗ｒ及びｏｆｆ抵抗
Ｒは、ＴＦＴゲートの製造精度に依存するが、ある程度
のバラツキを持つ。同様に、各検出素子の容量Ｃもある
程度のバラツキを持つ。この結果、前記従来の２次元放
射線検出器では以下の解決すべき課題がある。
【００１０】２次元放射線検出器を用いて放射線透過画
像を撮像する場合を考える。図４に示す２次元放射線検
出器の信号線（２６-１，２６-２，２６-３）に接続す
る各検出素子に、各検出素子に入射する射線量に応じた
信号電荷量が蓄積される。また、全てのＴＦＴゲート線
（２４-１，２４-２，２４-３）は、ｏｆｆ電位に設定
されており、各検出素子に蓄積された信号電荷量は、ｏ
ｆｆ抵抗Ｒ＝無限大の場合には信号線には伝搬しない。
各検出素子に蓄積された信号電荷量の読み出しは、ＴＦ
Ｔゲート線を１本ずつ逐次ｏｎ電位に設定して行われ
る。例えば、検出素子２１-１４に接続するゲート２３-
１４のみをｏｎに設定し、同検出素子の信号電荷量を読
み出す場合、検出素子２１-１４以外の全ての検出素子
に接続するゲートは全てｏｆｆ状態に設定して、検出素
子２１-１４の信号電荷量だけを読み出す。
像を撮像する場合を考える。図４に示す２次元放射線検
出器の信号線（２６-１，２６-２，２６-３）に接続す
る各検出素子に、各検出素子に入射する射線量に応じた
信号電荷量が蓄積される。また、全てのＴＦＴゲート線
（２４-１，２４-２，２４-３）は、ｏｆｆ電位に設定
されており、各検出素子に蓄積された信号電荷量は、ｏ
ｆｆ抵抗Ｒ＝無限大の場合には信号線には伝搬しない。
各検出素子に蓄積された信号電荷量の読み出しは、ＴＦ
Ｔゲート線を１本ずつ逐次ｏｎ電位に設定して行われ
る。例えば、検出素子２１-１４に接続するゲート２３-
１４のみをｏｎに設定し、同検出素子の信号電荷量を読
み出す場合、検出素子２１-１４以外の全ての検出素子
に接続するゲートは全てｏｆｆ状態に設定して、検出素
子２１-１４の信号電荷量だけを読み出す。
【００１１】実際には、ｒ（ゲートがｏｎ状態の時の抵
抗値）が理想的にゼロでないため以下の問題が生じる。
検出素子ｉの信号電荷量の読み出しは，検出素子ｉの容
量をＣi、検出素子ｉに接続するゲートがｏｎ状態の時
の抵抗値をｒiとする時、時定数ｒi×Ｃiで行われ、検
出素子ｉに蓄積された信号電荷量の一部が、有限の読み
出し時間で読み出され、読み出された信号電荷量以外は
検出素子ｉに残留する。残留する信号電荷量の比率は、
１検出素子当りの読み出し時間と時定数で決まる。各検
出素子の容量Ｃやｏｎ抵抗ｒの間に存在するバラツキ
は、各検出素子での残留する信号電荷量の比率に影響を
与え、実際に各検出素子間の感度ムラ（バラツキ）とし
て検出され、精度の高い画像が得られないという問題を
生じている。
抗値）が理想的にゼロでないため以下の問題が生じる。
検出素子ｉの信号電荷量の読み出しは，検出素子ｉの容
量をＣi、検出素子ｉに接続するゲートがｏｎ状態の時
の抵抗値をｒiとする時、時定数ｒi×Ｃiで行われ、検
出素子ｉに蓄積された信号電荷量の一部が、有限の読み
出し時間で読み出され、読み出された信号電荷量以外は
検出素子ｉに残留する。残留する信号電荷量の比率は、
１検出素子当りの読み出し時間と時定数で決まる。各検
出素子の容量Ｃやｏｎ抵抗ｒの間に存在するバラツキ
は、各検出素子での残留する信号電荷量の比率に影響を
与え、実際に各検出素子間の感度ムラ（バラツキ）とし
て検出され、精度の高い画像が得られないという問題を
生じている。
【００１２】また、ｏｆｆ抵抗Ｒ（ゲートがｏｆｆ状態
の時の抵抗値）が有限であるためさらに重大な問題があ
る。検出素子ｉの信号電荷量が読み出されている場合、
ｏｆｆ抵抗Ｒが有限であるため、同一の信号線に接続す
る検出素子ｉ以外の他の全ての検出素子ｊの信号電荷量
が、検出素子ｊの容量をＣj、検出素子ｊに接続するゲ
ートがｏｆｆ状態の時の抵抗値をＲjとする時、時定数
Ｒj×Ｃjで信号線に漏れ出すという問題がある。以下、
この問題を簡単な例を用いて説明する。
の時の抵抗値）が有限であるためさらに重大な問題があ
る。検出素子ｉの信号電荷量が読み出されている場合、
ｏｆｆ抵抗Ｒが有限であるため、同一の信号線に接続す
る検出素子ｉ以外の他の全ての検出素子ｊの信号電荷量
が、検出素子ｊの容量をＣj、検出素子ｊに接続するゲ
ートがｏｆｆ状態の時の抵抗値をＲjとする時、時定数
Ｒj×Ｃjで信号線に漏れ出すという問題がある。以下、
この問題を簡単な例を用いて説明する。
【００１３】前記図２は、従来の２次元放射線検出器に
おいて、Ｎ個の検出素子Ｓ1，Ｓ2，〜，ＳNが接続する
１本の信号線２６-ｉと、信号線２６-ｉに接続するＡ／
Ｄ変換器２７-ｉを示す図であり、２次元放射線検出器
を構成する信号線２６-ｉ以外の信号線を省略した図で
ある。
おいて、Ｎ個の検出素子Ｓ1，Ｓ2，〜，ＳNが接続する
１本の信号線２６-ｉと、信号線２６-ｉに接続するＡ／
Ｄ変換器２７-ｉを示す図であり、２次元放射線検出器
を構成する信号線２６-ｉ以外の信号線を省略した図で
ある。
【００１４】各検出素子（Ｓ1，Ｓ2，〜，ＳN）には、
信号電荷量Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNが蓄積されている。検出
素子からの信号読み出しを、検出素子Ｓ1，Ｓ2，〜，Ｓ
Nまで逐次行い、信号読みとり時間長をΔｔ、各検出素
子（Ｓ1，Ｓ2，〜，ＳN）に接続するゲートのｏｎ抵抗
をｒ1，ｒ2，〜，ｒN、ｏｆｆ抵抗をＲ1，Ｒ2，〜，
ＲN、各検出素子（Ｓ1，Ｓ2，〜，ＳN）の電気容量をＣ
1，Ｃ2，〜，ＣNとする。まず、時間長Δｔの間に検出
素子Ｓ1に接続するＴＦＴゲートをｏｎとすると、Ａ／
Ｄ変換器に読み出される信号電荷量Ｘ1は、数１の式で
与えられる。
信号電荷量Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNが蓄積されている。検出
素子からの信号読み出しを、検出素子Ｓ1，Ｓ2，〜，Ｓ
Nまで逐次行い、信号読みとり時間長をΔｔ、各検出素
子（Ｓ1，Ｓ2，〜，ＳN）に接続するゲートのｏｎ抵抗
をｒ1，ｒ2，〜，ｒN、ｏｆｆ抵抗をＲ1，Ｒ2，〜，
ＲN、各検出素子（Ｓ1，Ｓ2，〜，ＳN）の電気容量をＣ
1，Ｃ2，〜，ＣNとする。まず、時間長Δｔの間に検出
素子Ｓ1に接続するＴＦＴゲートをｏｎとすると、Ａ／
Ｄ変換器に読み出される信号電荷量Ｘ1は、数１の式で
与えられる。
【００１５】
【数１】 Ｘ1＝Ｑ1×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（ｒ1×Ｃ1）］｝ ＋ΣＱj×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（Ｒj×Ｃj）］｝ …（数１） 数１の式において、加算Σはｊ＝２，３，〜，Ｎについ
て行う。数１の式の右辺第１項は、検出素子Ｓ1から伝
搬する電荷量であり、右辺第２項は他の検出素子
（Ｓ2，〜，ＳN）からのリーク（漏洩）電荷量である。
て行う。数１の式の右辺第１項は、検出素子Ｓ1から伝
搬する電荷量であり、右辺第２項は他の検出素子
（Ｓ2，〜，ＳN）からのリーク（漏洩）電荷量である。
【００１６】即ち、検出素子に接続するゲートのｏｆｆ
抵抗Ｒが有限であるため、検出素子Ｓ1の信号を読み出
す際に、他の検出素子からのリーク電荷量がノイズとし
て、検出素子Ｓ1の信号電荷量に混入する。検出素子Ｓ1
の信号読み出し終了後、検出素子Ｓ1には残留する信号
電荷量が存在し、他の各検出素子（Ｓ2，〜，ＳN）の信
号電荷量は、リーク電荷量分だけ減少する。次に、検出
素子Ｓ2の信号電荷量を読み出す。検出素子Ｓ2より読み
出される信号電荷量Ｘ2は、数２の式となる。
抵抗Ｒが有限であるため、検出素子Ｓ1の信号を読み出
す際に、他の検出素子からのリーク電荷量がノイズとし
て、検出素子Ｓ1の信号電荷量に混入する。検出素子Ｓ1
の信号読み出し終了後、検出素子Ｓ1には残留する信号
電荷量が存在し、他の各検出素子（Ｓ2，〜，ＳN）の信
号電荷量は、リーク電荷量分だけ減少する。次に、検出
素子Ｓ2の信号電荷量を読み出す。検出素子Ｓ2より読み
出される信号電荷量Ｘ2は、数２の式となる。
【００１７】
【数２】 Ｘ2＝Ｑ2×ｅｘｐ［−Δｔ／（Ｒ2×Ｃ2）］ ×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（ｒ2×Ｃ2）］｝ ＋Ｑ1×｛ｅｘｐ［−Δｔ／（ｒ1×Ｃ1）］｝ ×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（Ｒ1×Ｃ1）］｝ ＋ΣＱj×｛ｅｘｐ［−Δｔ／（Ｒj×Ｃj）］｝ ×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（Ｒj×Ｃj）］｝ …（数２） 数２の式において、加算Σはｊ＝３，４，〜，Ｎについ
て行う。数２の式の右辺第１項は、検出素子Ｓ2より伝
搬する電荷量であり、右辺第２項は検出素子Ｓ1に残留
する信号電荷量のリーク電荷量、右辺第３項は検出素子
Ｓ3，Ｓ4，〜，ＳNからのリーク電荷量である。各検出
素子から信号電荷量を読み出す場合，読み出し対象以外
の検出素子からのリーク電荷量が混入する。検出素子ｋ
から読み出される信号電荷量Ｘkを一般式で示すと数３
の式となる。
て行う。数２の式の右辺第１項は、検出素子Ｓ2より伝
搬する電荷量であり、右辺第２項は検出素子Ｓ1に残留
する信号電荷量のリーク電荷量、右辺第３項は検出素子
Ｓ3，Ｓ4，〜，ＳNからのリーク電荷量である。各検出
素子から信号電荷量を読み出す場合，読み出し対象以外
の検出素子からのリーク電荷量が混入する。検出素子ｋ
から読み出される信号電荷量Ｘkを一般式で示すと数３
の式となる。
【００１８】
【数３】 Ｘk＝Ｑk×ｅｘｐ［−（（ｋ−１）×Δｔ）／（Ｒk×Ｃk）］ ×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（ｒk×Ｃk）］｝ ＋Σ1Ｑj×｛ｅｘｐ［−Δｔ／（ｒj×Ｃj）］｝ ×ｅｘｐ［−（（ｋ−２）×Δｔ）／（Ｒj×Ｃj）］ ×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（Ｒj×Ｃj）］｝ ＋Σ2Ｑj×｛ｅｘｐ［−（（ｋ−１）×Δｔ）／（Ｒj×Ｃj）］｝ ×｛１−ｅｘｐ［−Δｔ／（Ｒj×Ｃj）］｝ …（数３） 数３の式において、加算Σ1はｊ＝１，２，〜，（ｋ−
１）について、加算Σ2はｊ＝（ｋ＋１），（ｋ＋
２），〜，Ｎについて行う。数３の式の右辺第１項は、
検出素子Ｓkより伝搬する電荷量であり、第２項は検出
素子Ｓ1，Ｓ2，Ｓk-1に残留する信号電荷量のリーク電
荷量、第３項はＳk+1，Ｓk+2，〜，ＳNからのリーク電
荷量である。
１）について、加算Σ2はｊ＝（ｋ＋１），（ｋ＋
２），〜，Ｎについて行う。数３の式の右辺第１項は、
検出素子Ｓkより伝搬する電荷量であり、第２項は検出
素子Ｓ1，Ｓ2，Ｓk-1に残留する信号電荷量のリーク電
荷量、第３項はＳk+1，Ｓk+2，〜，ＳNからのリーク電
荷量である。
【００１９】以上のように、検出素子Ｓkから得られる
信号電荷量Ｘkは、本来検出素子Ｓkに入射した放射線量
を反映する電荷量Ｑkに加えて、検出素子Ｓk以外からの
リーク電荷量が混入している。また、読み出し順序が遅
い検出素子では、実際に信号として読み出す以前に、信
号電荷量の１部がリーク電荷量として損失してしまう。
信号電荷量Ｘkは、本来検出素子Ｓkに入射した放射線量
を反映する電荷量Ｑkに加えて、検出素子Ｓk以外からの
リーク電荷量が混入している。また、読み出し順序が遅
い検出素子では、実際に信号として読み出す以前に、信
号電荷量の１部がリーク電荷量として損失してしまう。
【００２０】２次元放射線検出器を構成する検出素子Ｓ
kから得られる信号電荷量Ｘkに混入する検出素子Ｓk以
外からのリーク電荷量及び実際に信号として読み出す以
前に、信号電荷量から損失するリーク電荷量は、実際に
２次元放射線検出器により得られる画像に、非線形的な
画像ノイズを発生し画像を劣化させるという問題があ
る。また、前記のような特性を持つ２次元放射線検出器
を用いる放射線コーンビームＣＴ等の３次元画像再構成
では、前記のリーク電荷量は画像のアーチファクトの原
因となる。なお、前記の問題は、従来のアモルファスシ
リコンＴＦＴ駆動２次元イメージセンサ（２次元光検出
器）にも存在する。
kから得られる信号電荷量Ｘkに混入する検出素子Ｓk以
外からのリーク電荷量及び実際に信号として読み出す以
前に、信号電荷量から損失するリーク電荷量は、実際に
２次元放射線検出器により得られる画像に、非線形的な
画像ノイズを発生し画像を劣化させるという問題があ
る。また、前記のような特性を持つ２次元放射線検出器
を用いる放射線コーンビームＣＴ等の３次元画像再構成
では、前記のリーク電荷量は画像のアーチファクトの原
因となる。なお、前記の問題は、従来のアモルファスシ
リコンＴＦＴ駆動２次元イメージセンサ（２次元光検出
器）にも存在する。
【００２１】本発明の目的は、２次元検出器を用いた撮
影装置において、１つの検出器より信号を読み出す場合
に、他の検出器からのリーク電流による影響を補正する
ことが可能な技術を提供することにある。
影装置において、１つの検出器より信号を読み出す場合
に、他の検出器からのリーク電流による影響を補正する
ことが可能な技術を提供することにある。
【００２２】本発明の他の目的は、２次元検出器（２次
元イメージセンサ）を用いた放射線像撮影装置におい
て、２次元検出器の各検出素子からの信号電荷量に及ぼ
すリーク電荷量の影響を補正して正確な画像を得ること
が可能な技術を提供することにある。
元イメージセンサ）を用いた放射線像撮影装置におい
て、２次元検出器の各検出素子からの信号電荷量に及ぼ
すリーク電荷量の影響を補正して正確な画像を得ること
が可能な技術を提供することにある。
【００２３】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かになるであろう。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば以下
のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば以下
のとおりである。
【００２５】本発明は、２次元検出器（２次元イメージ
センサ）を使用する撮影装置（例えば、放射線像撮影装
置）の２次元検出器から得る信号を補正して、リーク
（漏洩）電流の影響を除去して正確な画像（例えば放射
線像）を得るものである。本発明では、予め各信号線に
接続されている検出素子の特性として、各検出素子ｉに
接続するＴＦＴゲートのｏｎ時の時定数λ1，λ2，〜，
λNと、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ
時の時定数μ1，μ2，〜，μNとを求め、測定結果を検
出素子特性データとして記憶手段（記憶媒体）に記憶し
ておき、この記憶手段に記憶された検出素子特性データ
と、実際に各検出素子により計測された信号電荷量
Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、信号読みとり時間長Δｔとを用
いて、各検出素子ｉに真に入射した放射線量を反映する
電荷量Ｑiを演算処理手段により数学的に算出する。
センサ）を使用する撮影装置（例えば、放射線像撮影装
置）の２次元検出器から得る信号を補正して、リーク
（漏洩）電流の影響を除去して正確な画像（例えば放射
線像）を得るものである。本発明では、予め各信号線に
接続されている検出素子の特性として、各検出素子ｉに
接続するＴＦＴゲートのｏｎ時の時定数λ1，λ2，〜，
λNと、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ
時の時定数μ1，μ2，〜，μNとを求め、測定結果を検
出素子特性データとして記憶手段（記憶媒体）に記憶し
ておき、この記憶手段に記憶された検出素子特性データ
と、実際に各検出素子により計測された信号電荷量
Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、信号読みとり時間長Δｔとを用
いて、各検出素子ｉに真に入射した放射線量を反映する
電荷量Ｑiを演算処理手段により数学的に算出する。
【００２６】各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏ
ｎ時の時定数λiは，各検出素子ｉの容量Ｃiと各検出素
子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｎ時の抵抗ｒiとの積
として、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ
時の時定数μiは、各検出素子ｉの容量Ｃiと各検出素子
ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ時の抵抗Ｒiの積と
してそれぞれ与えられるので、予め各検出素子の容量Ｃ
1，Ｃ2，〜，ＣNと、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲ
ートのｏｎ時の抵抗ｒi及びｏｆｆ時の抵抗Ｒiを測定し
ておき、時定数λi，μiを求めておく。
ｎ時の時定数λiは，各検出素子ｉの容量Ｃiと各検出素
子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｎ時の抵抗ｒiとの積
として、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ
時の時定数μiは、各検出素子ｉの容量Ｃiと各検出素子
ｉに接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ時の抵抗Ｒiの積と
してそれぞれ与えられるので、予め各検出素子の容量Ｃ
1，Ｃ2，〜，ＣNと、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲ
ートのｏｎ時の抵抗ｒi及びｏｆｆ時の抵抗Ｒiを測定し
ておき、時定数λi，μiを求めておく。
【００２７】即ち、本発明では、既知の量である実際に
各検出素子ｉにより計測された信号電荷量Ｘ1，Ｘ2，
〜，ＸNと、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏ
ｎ時の抵抗ｒi及びｏｆｆ時の抵抗Ｒiと、信号読みとり
時間長Δｔとを用いて、各検出素子ｉに真に入射した放
射線量を反映した電荷量Ｑiを未知数とするＮ元一次方
程式として数３の式から、電荷量Ｑiを求める。
各検出素子ｉにより計測された信号電荷量Ｘ1，Ｘ2，
〜，ＸNと、各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートのｏ
ｎ時の抵抗ｒi及びｏｆｆ時の抵抗Ｒiと、信号読みとり
時間長Δｔとを用いて、各検出素子ｉに真に入射した放
射線量を反映した電荷量Ｑiを未知数とするＮ元一次方
程式として数３の式から、電荷量Ｑiを求める。
【００２８】また、２次元放射線検出器の各信号線に接
続される検出素子から読み出された信号電荷量Ｘ1，
Ｘ2，〜，ＸNと、各検出素子に真に入射した放射線量を
反映する電荷量Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNとの関係を表わし、
検出素子特性データから決定されるＮ次の係数行列Ｕの
逆行列Ｖを、各撮影モード毎に予め求め記憶手段（記憶
媒体）に記憶しておき、指定された撮影モードに応じて
記憶手段から逆行列Ｖを読み出して、電荷量Ｑ1，Ｑ2，
〜，ＱNを求める。
続される検出素子から読み出された信号電荷量Ｘ1，
Ｘ2，〜，ＸNと、各検出素子に真に入射した放射線量を
反映する電荷量Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNとの関係を表わし、
検出素子特性データから決定されるＮ次の係数行列Ｕの
逆行列Ｖを、各撮影モード毎に予め求め記憶手段（記憶
媒体）に記憶しておき、指定された撮影モードに応じて
記憶手段から逆行列Ｖを読み出して、電荷量Ｑ1，Ｑ2，
〜，ＱNを求める。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態（実施
例）を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の
実施形態（実施例）の放射線像撮影装置の概略構成を示
す図である。放射線像撮影装置は、図１に示すように、
被写体５に照射するＸ線等の放射線を発生する放射線源
１と、被写体５を通過した放射線を検出する放射線２次
元検出器２と、放射線２次元検出器２を構成する各Ａ／
Ｄ変換器に接続されるインタフェース６と、各信号線に
接続されている各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートの
ｏｎ時の時定数λ1，λ2，〜，λNと、各検出素子ｉに
接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ時の時定数μ1，μ2，
〜，μNとを、予め検出素子特性データとして記憶する
記憶手段（記憶媒体）４と、記憶手段４に記憶された検
出素子特性データを読み出して、実際に放射線２次元検
出器２を構成する各検出素子により蓄積された信号電荷
量Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、信号読みとり時間長Δｔとを
用いて、各検出素子ｉに真に入射した放射線量を反映す
る電荷量Ｑiを数学的に算出する演算処理、及びインタ
フェース６を介して放射線２次元検出器２を構成する各
検出素子に蓄積された信号電荷量の読み出し、撮影モー
ドの指定等の制御を行う計算機等からなる信号処理手段
３とから構成される。放射線２次元検出器２は、図３及
び図４に示す従来の構成の検出器を使用する。放射線２
次元検出器２は、１本当りＮ個（例えば１０００個）の
検出素子が接続される信号線をＭ本（例えば５００〜１
０００本）有しており、検出素子の総数はＭ×Ｎ個
（Ｍ，Ｎは自然数）である。
例）を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の
実施形態（実施例）の放射線像撮影装置の概略構成を示
す図である。放射線像撮影装置は、図１に示すように、
被写体５に照射するＸ線等の放射線を発生する放射線源
１と、被写体５を通過した放射線を検出する放射線２次
元検出器２と、放射線２次元検出器２を構成する各Ａ／
Ｄ変換器に接続されるインタフェース６と、各信号線に
接続されている各検出素子ｉに接続するＴＦＴゲートの
ｏｎ時の時定数λ1，λ2，〜，λNと、各検出素子ｉに
接続するＴＦＴゲートのｏｆｆ時の時定数μ1，μ2，
〜，μNとを、予め検出素子特性データとして記憶する
記憶手段（記憶媒体）４と、記憶手段４に記憶された検
出素子特性データを読み出して、実際に放射線２次元検
出器２を構成する各検出素子により蓄積された信号電荷
量Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、信号読みとり時間長Δｔとを
用いて、各検出素子ｉに真に入射した放射線量を反映す
る電荷量Ｑiを数学的に算出する演算処理、及びインタ
フェース６を介して放射線２次元検出器２を構成する各
検出素子に蓄積された信号電荷量の読み出し、撮影モー
ドの指定等の制御を行う計算機等からなる信号処理手段
３とから構成される。放射線２次元検出器２は、図３及
び図４に示す従来の構成の検出器を使用する。放射線２
次元検出器２は、１本当りＮ個（例えば１０００個）の
検出素子が接続される信号線をＭ本（例えば５００〜１
０００本）有しており、検出素子の総数はＭ×Ｎ個
（Ｍ，Ｎは自然数）である。
【００３０】次に、本実施形態の放射線像撮影装置の動
作を説明する。まず、各信号線に接続された検出素子群
の検出素子特性データとして，各検出素子に接続された
ＴＦＴゲートのｏｎ時の時定数λ1，λ2，〜，λN及び
ｏｆｆ時の時定数μ1，μ2，〜，μNを測定する。又は
各信号線に接続された検出素子群の各検出素子の容量Ｃ
1，Ｃ2，〜，ＣNと、各検出素子に接続されたＴＦＴゲ
ートのｏｎ時の抵抗ｒ1，ｒ2，〜，ｒN及びｏｆｆ時の
抵抗Ｒ1，Ｒ2，〜，ＲNとを測定し、それらの抵抗測定
値と前記各検出素子の容量Ｃ1，Ｃ2，〜，ＣNの測定値
との積から、時定数λ1，λ2，〜，λN及びｏｆｆ時の
時定数μ1，μ2，〜，μNを求める。
作を説明する。まず、各信号線に接続された検出素子群
の検出素子特性データとして，各検出素子に接続された
ＴＦＴゲートのｏｎ時の時定数λ1，λ2，〜，λN及び
ｏｆｆ時の時定数μ1，μ2，〜，μNを測定する。又は
各信号線に接続された検出素子群の各検出素子の容量Ｃ
1，Ｃ2，〜，ＣNと、各検出素子に接続されたＴＦＴゲ
ートのｏｎ時の抵抗ｒ1，ｒ2，〜，ｒN及びｏｆｆ時の
抵抗Ｒ1，Ｒ2，〜，ＲNとを測定し、それらの抵抗測定
値と前記各検出素子の容量Ｃ1，Ｃ2，〜，ＣNの測定値
との積から、時定数λ1，λ2，〜，λN及びｏｆｆ時の
時定数μ1，μ2，〜，μNを求める。
【００３１】これらの検出素子特性データは、各信号線
に接続される検出素子に固有な特性であり、検出素子の
耐久性能に依存するある期間内では変化しない。検出素
子特性データは記憶手段（記憶媒体）４に記録してお
く。また、検出素子特性（時定数）の変化が、検出素子
特性の測定からの経過時間又は２次元放射線検出器の累
積使用時間により予測できる場合には、前記の経過時間
又は累積使用時間も記録しておき、２次元放射線検出器
が実際に使用される時点で検出素子特性データを補正し
て使用する。放射線２次元検出器２は、Ｍ本（例えば５
００〜１０００本）の信号線を持つので、検出素子特性
データは独立にＭ組（５００〜１０００組）得られる。
に接続される検出素子に固有な特性であり、検出素子の
耐久性能に依存するある期間内では変化しない。検出素
子特性データは記憶手段（記憶媒体）４に記録してお
く。また、検出素子特性（時定数）の変化が、検出素子
特性の測定からの経過時間又は２次元放射線検出器の累
積使用時間により予測できる場合には、前記の経過時間
又は累積使用時間も記録しておき、２次元放射線検出器
が実際に使用される時点で検出素子特性データを補正し
て使用する。放射線２次元検出器２は、Ｍ本（例えば５
００〜１０００本）の信号線を持つので、検出素子特性
データは独立にＭ組（５００〜１０００組）得られる。
【００３２】検出素子特性データは実験により決定でき
る。例えば、最も単純な方法を以下に説明する。図２に
示す信号線２６-ｉに接続されるＮ個（例えば１０００
個）の検出素子のうち、任意の１つの検出素子（例え
ば，ｋ番目の検出素子、以下検出素子ｋとする）の特性
を求める場合を考える。まず、検出素子ｋに接続するＴ
ＦＴゲート２４-ｋをｏｆｆ、検出素子ｋの他の検出素
子に接続するゲートを全てｏｎに設定する。
る。例えば、最も単純な方法を以下に説明する。図２に
示す信号線２６-ｉに接続されるＮ個（例えば１０００
個）の検出素子のうち、任意の１つの検出素子（例え
ば，ｋ番目の検出素子、以下検出素子ｋとする）の特性
を求める場合を考える。まず、検出素子ｋに接続するＴ
ＦＴゲート２４-ｋをｏｆｆ、検出素子ｋの他の検出素
子に接続するゲートを全てｏｎに設定する。
【００３３】この条件下で、２次元放射線検出器に強度
（照射線量）が既知な放射線を照射すると、検出素子ｋ
に既知の信号電荷量Ｑkが蓄積され、検出素子ｋ以外の
他の検出素子では、ＴＦＴゲートから蓄積された信号電
荷量は２次元放射線検出器の外部に排出される。放射線
を照射して充分な時間間隔Ｔ（例えば、検出素子からの
信号読みとり時間Δｔと１本の信号線に接続される全検
出素子数Ｎとの積である読みとり周期Ｔ＝Δｔ×Ｎ）以
上経過すると、検出素子ｋ以外の全ての検出素子の信号
電荷量は無視できる程度に小さくなる。
（照射線量）が既知な放射線を照射すると、検出素子ｋ
に既知の信号電荷量Ｑkが蓄積され、検出素子ｋ以外の
他の検出素子では、ＴＦＴゲートから蓄積された信号電
荷量は２次元放射線検出器の外部に排出される。放射線
を照射して充分な時間間隔Ｔ（例えば、検出素子からの
信号読みとり時間Δｔと１本の信号線に接続される全検
出素子数Ｎとの積である読みとり周期Ｔ＝Δｔ×Ｎ）以
上経過すると、検出素子ｋ以外の全ての検出素子の信号
電荷量は無視できる程度に小さくなる。
【００３４】次に、検出素子ｋのＴＦＴゲートをｏｎに
設定すると、検出素子ｋより蓄積された信号電荷量が伝
搬し、Ａ／Ｄ変換器で信号電流として検出される。この
検出される信号電流の時間変化から検出素子ｋの時定数
λk及び時間Ｔの間に検出素子ｋに蓄積された信号電荷
量Ｑk’が得られる。さらに、Ｑk，Ｑk’及び時間間隔
Ｔから検出素子ｋの時定数μkが得られる。また、時間
間隔Ｔを複数通り変化させて時定数μkを測定して時定
数μkの測定精度を向上できる。
設定すると、検出素子ｋより蓄積された信号電荷量が伝
搬し、Ａ／Ｄ変換器で信号電流として検出される。この
検出される信号電流の時間変化から検出素子ｋの時定数
λk及び時間Ｔの間に検出素子ｋに蓄積された信号電荷
量Ｑk’が得られる。さらに、Ｑk，Ｑk’及び時間間隔
Ｔから検出素子ｋの時定数μkが得られる。また、時間
間隔Ｔを複数通り変化させて時定数μkを測定して時定
数μkの測定精度を向上できる。
【００３５】次に、実際に被写体の画像の画素に対応す
る各検出素子からの信号電荷量に及ぼすリーク電荷量の
影響を補正して正確な画像を得るための信号補正方法に
ついて説明する。放射線画像の撮影において，２次元放
射線検出器の各１本の信号線に接続される各検出素子か
ら読み出される信号電荷量Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、各検
出素子に入射した真の放射線量を反映する電荷量Ｑ1，
Ｑ2，〜，ＱNとの関係は、数３の式を変形すると、数４
の式の行列式で示されるＮ元一次方程式となる。
る各検出素子からの信号電荷量に及ぼすリーク電荷量の
影響を補正して正確な画像を得るための信号補正方法に
ついて説明する。放射線画像の撮影において，２次元放
射線検出器の各１本の信号線に接続される各検出素子か
ら読み出される信号電荷量Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、各検
出素子に入射した真の放射線量を反映する電荷量Ｑ1，
Ｑ2，〜，ＱNとの関係は、数３の式を変形すると、数４
の式の行列式で示されるＮ元一次方程式となる。
【００３６】
【数４】
【００３７】ここで、方程式の係数であるＮ次元の係数
行列Ｕの行列要素Ｕijは、前記の検出素子特性データ
（２種類の時定数）と、信号読み出し周波数の逆数であ
る信号読み出し時間長Δｔとのみに依存しており、Ｕii
は（数５）、Ｕij（ｉ＞ｊ）は（数６）、Ｕij（ｉ＜
ｊ）は（数７）によりそれぞれ与えられる。
行列Ｕの行列要素Ｕijは、前記の検出素子特性データ
（２種類の時定数）と、信号読み出し周波数の逆数であ
る信号読み出し時間長Δｔとのみに依存しており、Ｕii
は（数５）、Ｕij（ｉ＞ｊ）は（数６）、Ｕij（ｉ＜
ｊ）は（数７）によりそれぞれ与えられる。
【００３８】
【数５】 Ｕii＝ｅｘｐ｛−［（ｉ−１）×Δｔ］／μi｝ ×｛１−ｅｘｐ（−Δｔ／λi）｝ …（数５）
【００３９】
【数６】 Ｕij＝ｅｘｐ（−Δｔ／λj）×ｅｘｐ｛−［（ｉ−２）×Δｔ］／μj｝ ×｛１−ｅｘｐ（−Δｔ／μj）｝ …（数６）
【００４０】
【数７】 Ｕij＝ｅｘｐ｛−［（ｉ−１）×Δｔ］／μj｝ ×｛１−ｅｘｐ（−Δｔ／μj）｝ …（数７） 一般の放射線像撮影装置では、複数の予め固定された撮
影モードを有しており、２次元放射線検出器からの信号
読み出しにおける信号読み出し時間長Δｔは各撮影モー
ド毎に一定であり、数４の式における係数行列Ｕは、撮
影モード毎に予め定められる量となる。従って、放射線
画像撮影において、２次元放射線検出器の各信号線に接
続される検出素子から読み出された信号電荷量Ｘ1，
Ｘ2，〜，ＸNを数４に代入して、Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNに
ついて数４を解くことにより、各検出素子に真に入射し
た放射線量を反映する電荷量Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNを数学
的に決定できる。Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNについて数４の式
を解く方法は、どのような方法でも良いが、係数行列Ｕ
の逆行列Ｖを各撮影モード毎に予め求めておく方法が有
効である。数４の式を変形して数８の式を得る。
影モードを有しており、２次元放射線検出器からの信号
読み出しにおける信号読み出し時間長Δｔは各撮影モー
ド毎に一定であり、数４の式における係数行列Ｕは、撮
影モード毎に予め定められる量となる。従って、放射線
画像撮影において、２次元放射線検出器の各信号線に接
続される検出素子から読み出された信号電荷量Ｘ1，
Ｘ2，〜，ＸNを数４に代入して、Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNに
ついて数４を解くことにより、各検出素子に真に入射し
た放射線量を反映する電荷量Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNを数学
的に決定できる。Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNについて数４の式
を解く方法は、どのような方法でも良いが、係数行列Ｕ
の逆行列Ｖを各撮影モード毎に予め求めておく方法が有
効である。数４の式を変形して数８の式を得る。
【００４１】
【数８】
【００４２】数８の式において、Ｖijは逆行列Ｖの行列
要素であり、未知数Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNがＮ個の測定値
Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、対応する逆行列Ｖの行列要素Ｖ
ijとの積和により算出でき、計算機により非常に簡単に
計算でき実用的である。
要素であり、未知数Ｑ1，Ｑ2，〜，ＱNがＮ個の測定値
Ｘ1，Ｘ2，〜，ＸNと、対応する逆行列Ｖの行列要素Ｖ
ijとの積和により算出でき、計算機により非常に簡単に
計算でき実用的である。
【００４３】なお、以上の説明では、放射線照射による
被写体の画像を正確に得ることを例にとり説明したが、
放射線源１の代わりに被写体を照明する光源を用い、放
射線２次元検出器２の代わりに従来技術のアモルファス
シリコンＴＦＴ駆動２次元イメージセンサを用いて、被
写体を光撮影する装置にも本発明を適用できることは言
うまでもない。
被写体の画像を正確に得ることを例にとり説明したが、
放射線源１の代わりに被写体を照明する光源を用い、放
射線２次元検出器２の代わりに従来技術のアモルファス
シリコンＴＦＴ駆動２次元イメージセンサを用いて、被
写体を光撮影する装置にも本発明を適用できることは言
うまでもない。
【００４４】本発明の撮影装置の特徴を以下に要約す
る。
る。
【００４５】（１）第１の時定数を検出素子の静電容量
と検出素子に接続するゲートがｏｎ状態の時の抵抗値と
の積から、第２の時定数を検出素子の静電容量と検出素
子に接続するゲートがｏｆｆ状態の時の抵抗値との積か
らそれぞれ求めること。
と検出素子に接続するゲートがｏｎ状態の時の抵抗値と
の積から、第２の時定数を検出素子の静電容量と検出素
子に接続するゲートがｏｆｆ状態の時の抵抗値との積か
らそれぞれ求めること。
【００４６】（２）所定の検出素子に接続するゲートを
ｏｆｆに、所定の検出素子の他の検出素子に接続するゲ
ートをｏｎに設定して、２次元検出器に所定の線量の光
又は放射線を照射して第１の所定の電荷量を所定の検出
素子に蓄積し、光又は放射線の照射から所定時間間隔を
おいた後、検出素子に接続するゲートをｏｎに設定し
て、Ａ／Ｄ変換器により検出される電流の時間変化から
第１の時定数を、所定時間間隔に検出素子に蓄積された
第２の電荷量を求め、第１，第２の電荷量及び所定時間
間隔とから第２の時定数を求めること、所定の時間間隔
を複数通り変化させて第２の時定数を求めること。
ｏｆｆに、所定の検出素子の他の検出素子に接続するゲ
ートをｏｎに設定して、２次元検出器に所定の線量の光
又は放射線を照射して第１の所定の電荷量を所定の検出
素子に蓄積し、光又は放射線の照射から所定時間間隔を
おいた後、検出素子に接続するゲートをｏｎに設定し
て、Ａ／Ｄ変換器により検出される電流の時間変化から
第１の時定数を、所定時間間隔に検出素子に蓄積された
第２の電荷量を求め、第１，第２の電荷量及び所定時間
間隔とから第２の時定数を求めること、所定の時間間隔
を複数通り変化させて第２の時定数を求めること。
【００４７】（３）第１及び第２の時定数を記憶手段
（記憶媒体）に記憶した後からの経過時間又は２次元検
出器の使用時間を記録し、経過時間又は使用時間を用い
て、第１，第２の時定数を変更すること。
（記憶媒体）に記憶した後からの経過時間又は２次元検
出器の使用時間を記録し、経過時間又は使用時間を用い
て、第１，第２の時定数を変更すること。
【００４８】（４）第１，第２の時定数が、１本の信号
線に接続される検出素子の数の次元の行列として記憶手
段（記憶媒体）に記憶されること、撮影装置は複数の予
め定められた撮影モードを有し、行列が撮影モード毎に
記憶手段に記憶されること。
線に接続される検出素子の数の次元の行列として記憶手
段（記憶媒体）に記憶されること、撮影装置は複数の予
め定められた撮影モードを有し、行列が撮影モード毎に
記憶手段に記憶されること。
【００４９】以上、本発明を実施形態（実施例）に基づ
き具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て、種々変更し得ることはいうまでもない。
き具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て、種々変更し得ることはいうまでもない。
【００５０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００５１】（１）２次元検出器を用いた撮影装置にお
いて、被写体を撮影の際に２次元検出器から読み出され
る信号電荷量を真の撮影情報に反映する電荷量に簡単に
補正することができる。
いて、被写体を撮影の際に２次元検出器から読み出され
る信号電荷量を真の撮影情報に反映する電荷量に簡単に
補正することができる。
【００５２】（２）２次元イメージセンサを用いた放射
線撮影装置において、放射線撮影の際に２次元イメージ
センサから読み出される信号電荷量を真の放射線情報に
反映する電荷量に簡単に補正することができる。
線撮影装置において、放射線撮影の際に２次元イメージ
センサから読み出される信号電荷量を真の放射線情報に
反映する電荷量に簡単に補正することができる。
【図１】本発明の実施形態の２次元検出器を用いた撮影
装置の概略構成を示す模式図である。
装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】本実施形態の１本の信号線上にＮ個の検出器が
配置している構成を示すブロック図である。
配置している構成を示すブロック図である。
【図３】従来の２次元撮像装置の１つの検出器の１例の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図４】従来例の２次元撮像装置の概略構成を示すブロ
ック構成図である。
ック構成図である。
１…放射線源、２…放射線２次元検出器、３…信号処理
手段、４…記憶手段、５…被写体、６…インタフェー
ス、２１-１１，２１-１２，２１-１３，２１-１４，２
１-２１，２１-２２，２１-２３，２１-２４，２１-３
１，２１-３２，２１-３３，２１-３４，Ｓ1，Ｓ2，
〜，Ｓk，〜，ＳN…検出素子、２３，２３-１１，２３-
１２，２３-１３，２３-１４，２３-２１，２３-２２，
２３-２３，２３-２４，２３-３１，２３-３２，２３-
３３，２３-３４，２３-ｋ…ＴＦＴゲート、２４，２４
-１，２４-２，２４-３…ゲート線、２５…ゲートドラ
イバ、２６，２６-１，２６-２，２６-３，２６-ｉ…信
号線、２７-１，２７-２，２７-３，２７-４，２７-ｉ
…Ａ／Ｄ変換器、３０…基板、３１…ＰＩＮフォトダイ
オード、３２…蛍光体層、３３…透明電極、３４…電
極、３５…絶縁体。
手段、４…記憶手段、５…被写体、６…インタフェー
ス、２１-１１，２１-１２，２１-１３，２１-１４，２
１-２１，２１-２２，２１-２３，２１-２４，２１-３
１，２１-３２，２１-３３，２１-３４，Ｓ1，Ｓ2，
〜，Ｓk，〜，ＳN…検出素子、２３，２３-１１，２３-
１２，２３-１３，２３-１４，２３-２１，２３-２２，
２３-２３，２３-２４，２３-３１，２３-３２，２３-
３３，２３-３４，２３-ｋ…ＴＦＴゲート、２４，２４
-１，２４-２，２４-３…ゲート線、２５…ゲートドラ
イバ、２６，２６-１，２６-２，２６-３，２６-ｉ…信
号線、２７-１，２７-２，２７-３，２７-４，２７-ｉ
…Ａ／Ｄ変換器、３０…基板、３１…ＰＩＮフォトダイ
オード、３２…蛍光体層、３３…透明電極、３４…電
極、３５…絶縁体。
Claims (7)
- 【請求項１】 被写体に光又は放射線を照射して前記被
写体の撮影を行う撮影装置において、前記光又は放射線
の入射量に応じた電荷量を蓄積する複数の検出素子と、
第１の方向に配列する前記検出素子の複数に接続するゲ
ート線と、該ゲート線の電位を制御するゲート線ドライ
バと、第２の方向に配列する前記検出素子の複数に接続
され、前記の蓄積された電荷量を読み出す信号線と、第
１の端子が前記検出素子の前記電荷量が蓄積される領域
に、第２の端子が前記信号線に、第３の端子が前記ゲー
ト線にそれぞれ接続し、抵抗値が前記第３の端子に接続
する前記ゲート線の電位により変化するゲートと、前記
信号線に接続する前記検出素子に蓄積された前記電荷量
をディジタル値として検出するＡ／Ｄ変換器とを有する
２次元検出器と、前記検出素子に接続された前記ゲート
のオン（ｏｎ）時の第１の時定数及びオフ（ｏｆｆ）時
の第２の時定数を記憶する記憶手段と、前記検出素子か
ら読み出された前記電荷量を、前記記憶手段に記憶され
た前記第１及び第２の時定数を用いて、前記検出素子に
入射した光量又は放射線量を求める手段とを有すること
を特徴とする撮影装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の撮影装置において、前
記第１の時定数を前記検出素子の静電容量と前記検出素
子に接続する前記ゲートがオン（ｏｎ）状態の時の抵抗
値との積から、前記第２の時定数を前記検出素子の静電
容量と前記検出素子に接続する前記ゲートがオフ（ｏｆ
ｆ）状態の時の抵抗値との積からそれぞれ求める手段を
有することを特徴とする撮影装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の撮影装置において、所
定の前記検出素子に接続する前記ゲートをオフ（ｏｆ
ｆ）に、前記所定の検出素子の他の前記検出素子に接続
する前記ゲートをオン（ｏｎ）に設定して、前記２次元
検出器に所定の線量の前記光又は放射線を照射して第１
の所定の電荷量を前記所定の検出素子に蓄積し、前記光
又は放射線の照射から所定時間間隔をおいた後、前記検
出素子に接続する前記ゲートをオン（ｏｎ）に設定し
て、前記Ａ／Ｄ変換器により検出される電流の時間変化
から前記第１の時定数を前記所定時間間隔に前記検出素
子に蓄積された第２の電荷量を求め、前記第１の電荷
量、第２の電荷量及び前記所定時間間隔とから前記第２
の時定数を求める手段を有することを特徴とする撮影装
置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の撮影装置において、前
記所定の時間間隔を複数通り変化させて第２の時定数を
求める手段を有することを特徴とする撮影装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の撮影装置において，前
記第１及び第２の時定数を前記記憶手段に記憶した後か
らの経過時間又は前記２次元検出器の使用時間を記録
し、前記経過時間又は前記使用時間を用いて、前記第１
の時定数及び第２の時定数を変更する手段を有すること
を特徴とする撮影装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の撮影装置において、前
記第１の時定数及び第２の時定数が、１本の前記信号線
に接続される前記検出素子の数の次元の行列として前記
記憶手段に記憶されることを特徴とする撮影装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の撮影装置において、前
記撮影装置は複数の予め定められた撮影モードを有し、
前記行列が前記撮影モード毎に前記記憶手段に記憶され
る手段を有することを特徴とする撮影装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169800A JPH1114755A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | ２次元検出器を用いた撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169800A JPH1114755A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | ２次元検出器を用いた撮影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114755A true JPH1114755A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15893137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9169800A Pending JPH1114755A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | ２次元検出器を用いた撮影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1114755A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784340A (en) * | 1986-07-02 | 1988-11-15 | Taurus Gumiipari Vallalat | Apparatus for communition of organic matters |
| JP2009074988A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 放射線画像処理装置 |
| JP2009121848A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Canon Inc | 放射線撮像装置、その駆動方法及びプログラム |
| JP2010112781A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Fujifilm Corp | 放射線画像取得装置およびそのプログラム |
| JP2010206819A (ja) * | 2010-04-21 | 2010-09-16 | Shimadzu Corp | 撮像装置 |
| CN102325911A (zh) * | 2009-02-27 | 2012-01-18 | 国立大学法人大阪大学 | 从re－tm系混合物中回收稀土类元素的方法 |
| JP2016019243A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社リコー | 撮像装置、画像読取装置及び画像形成装置 |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP9169800A patent/JPH1114755A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784340A (en) * | 1986-07-02 | 1988-11-15 | Taurus Gumiipari Vallalat | Apparatus for communition of organic matters |
| JP2009074988A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 放射線画像処理装置 |
| JP2009121848A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Canon Inc | 放射線撮像装置、その駆動方法及びプログラム |
| JP2010112781A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Fujifilm Corp | 放射線画像取得装置およびそのプログラム |
| CN102325911A (zh) * | 2009-02-27 | 2012-01-18 | 国立大学法人大阪大学 | 从re－tm系混合物中回收稀土类元素的方法 |
| JP2010206819A (ja) * | 2010-04-21 | 2010-09-16 | Shimadzu Corp | 撮像装置 |
| JP2016019243A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社リコー | 撮像装置、画像読取装置及び画像形成装置 |
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