JP2768857B2 - 液晶表示基板の分断方法 - Google Patents
液晶表示基板の分断方法Info
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- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、電子手帳、Ｉ
Ｃ（Integrated Circuit）カード、あるいはワープロ等
のディスプレイに使用されるＬＣＤ(Liquid Crystal Di
splay)の液晶表示基板の分断方法に関するものである。
Ｃ（Integrated Circuit）カード、あるいはワープロ等
のディスプレイに使用されるＬＣＤ(Liquid Crystal Di
splay)の液晶表示基板の分断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＬＣＤは、液晶表示基板とし
て、ガラス（３００ｍｍ×３００ｍｍ、厚み0.５５ｍｍ
〜1.１ｍｍ）が用いられており、このガラス基板に、ア
ンダーコート、ＩＴＯ(Indium-Tin Oxide)電極、配向膜
等が形成され、配向処理が行われた後、液晶層用のギャ
ップを残して、２枚のガラス基板が貼り合される。この
状態で、ガラス基板が個々のセルに分断（セル化分断処
理）、および端子部に対向する部分が分断（端子出し分
断処理）される。
て、ガラス（３００ｍｍ×３００ｍｍ、厚み0.５５ｍｍ
〜1.１ｍｍ）が用いられており、このガラス基板に、ア
ンダーコート、ＩＴＯ(Indium-Tin Oxide)電極、配向膜
等が形成され、配向処理が行われた後、液晶層用のギャ
ップを残して、２枚のガラス基板が貼り合される。この
状態で、ガラス基板が個々のセルに分断（セル化分断処
理）、および端子部に対向する部分が分断（端子出し分
断処理）される。
【０００３】ガラス基板の場合、所定の分断ラインに沿
って、ダイヤモンドカッター等で表面に傷を入れ、ブレ
イク装置にて上記分断ラインにショックを与えることに
より分断する（ブレイク工程）ようになっている。ガラ
ス基板は、その材質上、表面の傷が基板内部に伝わりや
すいので、表面の傷に沿って正確に分断処理を行うこと
ができる。
って、ダイヤモンドカッター等で表面に傷を入れ、ブレ
イク装置にて上記分断ラインにショックを与えることに
より分断する（ブレイク工程）ようになっている。ガラ
ス基板は、その材質上、表面の傷が基板内部に伝わりや
すいので、表面の傷に沿って正確に分断処理を行うこと
ができる。
【０００４】また、近年では、ＬＣＤの薄型化および軽
量化を図るため、上記ガラス基板が薄型化されたり、プ
ラスチック基板が用いられるようになってきている。こ
の結果、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic)型のＬＣＤに
ついては、0.１ｍｍ〜0.３ｍｍの厚みを有するＰＥＳ(P
olyether Sulphone)、あるいは一軸ＰＥＴ(Polyethylen
e Terephthalate)等のプラスチックフィルム基材が開発
され、量産化されるに至っている。
量化を図るため、上記ガラス基板が薄型化されたり、プ
ラスチック基板が用いられるようになってきている。こ
の結果、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic)型のＬＣＤに
ついては、0.１ｍｍ〜0.３ｍｍの厚みを有するＰＥＳ(P
olyether Sulphone)、あるいは一軸ＰＥＴ(Polyethylen
e Terephthalate)等のプラスチックフィルム基材が開発
され、量産化されるに至っている。
【０００５】上記ＰＥＳ、あるいは一軸ＰＥＴからなる
液晶表示基板に対しては、熱刃分断装置またはトムソン
型による打抜き等により分断処理が行われている。な
お、この場合、端子出し分断処理は、一対の基板を貼り
合わせる前に、あらかじめ行われるようになっている。
液晶表示基板に対しては、熱刃分断装置またはトムソン
型による打抜き等により分断処理が行われている。な
お、この場合、端子出し分断処理は、一対の基板を貼り
合わせる前に、あらかじめ行われるようになっている。
【０００６】また、上記ＰＥＳ、あるいは一軸ＰＥＴよ
りもさらに表面平坦性の優れたプラスチック基板とし
て、表面が研磨された鋳型を用いて成型されたアクリル
系樹脂またはエポキシ系樹脂等からなるプラスチック基
板が知られている。
りもさらに表面平坦性の優れたプラスチック基板とし
て、表面が研磨された鋳型を用いて成型されたアクリル
系樹脂またはエポキシ系樹脂等からなるプラスチック基
板が知られている。
【０００７】このようなアクリル系樹脂またはエポキシ
系樹脂等は、眼鏡のレンズとしても用いられているが、
硬くて脆いという性質を有している。厚み0.４ｍｍ程度
のアクリル系およびエポキシ系樹脂からなる基板の場
合、曲げ応力に対してある程度の弾性を有するので、ガ
ラス基板のような表面の傷に沿った分断が行えない。ま
た、応力印加時、所定値以上の応力に対して割れが生じ
るおそれがある。このように、所定値以上の応力が印加
されたために割れが生じると、分断面には、クラックが
発生し易く、このクラックを起点に、小さな応力でさら
に割れが進行する。
系樹脂等は、眼鏡のレンズとしても用いられているが、
硬くて脆いという性質を有している。厚み0.４ｍｍ程度
のアクリル系およびエポキシ系樹脂からなる基板の場
合、曲げ応力に対してある程度の弾性を有するので、ガ
ラス基板のような表面の傷に沿った分断が行えない。ま
た、応力印加時、所定値以上の応力に対して割れが生じ
るおそれがある。このように、所定値以上の応力が印加
されたために割れが生じると、分断面には、クラックが
発生し易く、このクラックを起点に、小さな応力でさら
に割れが進行する。
【０００８】したがって、アクリル系およびエポキシ系
樹脂からなるプラスチック基板に対してセル化分断処理
および端子出し分断処理を行う場合、上記ガラス基板ま
たは厚み0.１ｍｍ〜0.３ｍｍのプラスチックフィルムに
おける分断処理技術を用いることができない。
樹脂からなるプラスチック基板に対してセル化分断処理
および端子出し分断処理を行う場合、上記ガラス基板ま
たは厚み0.１ｍｍ〜0.３ｍｍのプラスチックフィルムに
おける分断処理技術を用いることができない。
【０００９】そこで、アクリル系樹脂や、エポキシ系樹
脂に代表される硬くて脆いプラスチック基板を液晶表示
基板として用いた場合には、ダイシングブレードを用い
るダイシング加工による液晶表示基板の分断処理が提案
されている。
脂に代表される硬くて脆いプラスチック基板を液晶表示
基板として用いた場合には、ダイシングブレードを用い
るダイシング加工による液晶表示基板の分断処理が提案
されている。
【００１０】すなわち、従来の液晶表示基板の分断方法
においては、所定の厚みを残すように、ダイシングブレ
ードを回転させながら、分断ラインに沿って、基板に切
り込みをいれた後、切り残し部分を折り取ることによっ
て、クラックを発生させることなく、液晶表示基板の分
断が行われるようになっている。
においては、所定の厚みを残すように、ダイシングブレ
ードを回転させながら、分断ラインに沿って、基板に切
り込みをいれた後、切り残し部分を折り取ることによっ
て、クラックを発生させることなく、液晶表示基板の分
断が行われるようになっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
液晶表示基板の分断方法では、以下のような原因によ
り、良好な分断面を得ることができないという問題が生
じている。
液晶表示基板の分断方法では、以下のような原因によ
り、良好な分断面を得ることができないという問題が生
じている。
【００１２】すなわち、プラスチック基板の製造技術の
問題から、基板の厚みの均一性が十分ではなく、現状で
は±７０μｍ程度のバラツキが生じるものとなってい
る。したがって、ダイシングブレードにより液晶表示基
板を所定の厚みを残して切り込む際に、切り残し量を適
正値に制御することが困難である。
問題から、基板の厚みの均一性が十分ではなく、現状で
は±７０μｍ程度のバラツキが生じるものとなってい
る。したがって、ダイシングブレードにより液晶表示基
板を所定の厚みを残して切り込む際に、切り残し量を適
正値に制御することが困難である。
【００１３】また、分断時に、ダイシングブレードと基
板との間に生じる摩擦熱により、分断面や、ダイシング
加工により生じた切り粉等が溶け、分断ラインに沿って
盛り上がった形状で硬化し、バリとなる。このようにし
て生じたバリは、表裏反転後の分断の際、切り込み深さ
精度に著しい悪影響を及ぼすものとなる。
板との間に生じる摩擦熱により、分断面や、ダイシング
加工により生じた切り粉等が溶け、分断ラインに沿って
盛り上がった形状で硬化し、バリとなる。このようにし
て生じたバリは、表裏反転後の分断の際、切り込み深さ
精度に著しい悪影響を及ぼすものとなる。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る液
晶表示基板の分断方法は、上記課題を解決するために、
ブレードを備えたダイシング装置により、プラスチック
基板としての液晶表示基板を所定の厚みを残して切り込
む液晶表示基板の分断方法において、あらかじめ、光学
的非接触型計測手法によって、上記液晶表示基板の厚み
を測定し、その測定結果に応じて切り残し量が適正値に
なるように、上記ダイシング装置を制御することを特徴
としている。また、請求項２の発明に係る液晶表示基板
の分断方法は、上記課題を解決するために、プラスチッ
ク基板２枚を液晶用のギャップを確保して対向配置させ
て貼り合せた後、ブレードを備えたダイシング装置によ
りプラスチック基板を分断する液晶表示基板の分断方法
であって、上記プラスチック基板の分断ラインに沿った
複数点における基板の厚みを、あらかじめ、光学的非接
触型計測手法によって測定し、その測定結果に基づいて
切り残し量が適正値になるように、上記ダイシング装置
を制御して上記分断ラインに沿って切り込みを入れるこ
とを特徴としている。
晶表示基板の分断方法は、上記課題を解決するために、
ブレードを備えたダイシング装置により、プラスチック
基板としての液晶表示基板を所定の厚みを残して切り込
む液晶表示基板の分断方法において、あらかじめ、光学
的非接触型計測手法によって、上記液晶表示基板の厚み
を測定し、その測定結果に応じて切り残し量が適正値に
なるように、上記ダイシング装置を制御することを特徴
としている。また、請求項２の発明に係る液晶表示基板
の分断方法は、上記課題を解決するために、プラスチッ
ク基板２枚を液晶用のギャップを確保して対向配置させ
て貼り合せた後、ブレードを備えたダイシング装置によ
りプラスチック基板を分断する液晶表示基板の分断方法
であって、上記プラスチック基板の分断ラインに沿った
複数点における基板の厚みを、あらかじめ、光学的非接
触型計測手法によって測定し、その測定結果に基づいて
切り残し量が適正値になるように、上記ダイシング装置
を制御して上記分断ラインに沿って切り込みを入れるこ
とを特徴としている。
【００１５】また、請求項３の発明に係る液晶表示基板
の分断方法は、上記課題を解決するために、請求項１ま
たは２に記載の方法において、上記プラスチック基板に
おけるシール層形成位置にあらかじめダミーパターン部
を形成し、このダミーパターン部において上記プラスチ
ック基板の厚みを測定することを特徴としている。
の分断方法は、上記課題を解決するために、請求項１ま
たは２に記載の方法において、上記プラスチック基板に
おけるシール層形成位置にあらかじめダミーパターン部
を形成し、このダミーパターン部において上記プラスチ
ック基板の厚みを測定することを特徴としている。
【００１６】また、請求項４の発明に係る液晶表示基板
の分断方法は、上記課題を解決するために、請求項１ま
たは２に記載の方法において、切り込み時に、上記プラ
スチック基板の分断面周縁に生じるバリを、上記ブレー
ドの動作に追従するバリ除去手段によって除去すること
を特徴としている。
の分断方法は、上記課題を解決するために、請求項１ま
たは２に記載の方法において、切り込み時に、上記プラ
スチック基板の分断面周縁に生じるバリを、上記ブレー
ドの動作に追従するバリ除去手段によって除去すること
を特徴としている。
【００１７】
【作用】請求項１の方法によれば、光学的非接触型計測
手法により、プラスチック基板としての液晶表示基板の
厚みを測定し、この測定結果に基づいて、所定の厚みが
切り残されるようにダイシング装置を制御する。したが
って、液晶表示基板に厚みのバラツキや、うねり等が生
じていた場合においても、液晶表示基板の切り残し量を
適正値に保つことが可能となり、良好な分断面を得るこ
とができる。また、請求項２の方法によれば、請求項１
の方法に加えて、プラスチック基板の分断ラインに沿っ
た複数点における基板の厚みを、あらかじめ測定してお
くので、プラスチック基板の厚みのバラツキやうねり等
による形状変化をより的確に把握することができる。
手法により、プラスチック基板としての液晶表示基板の
厚みを測定し、この測定結果に基づいて、所定の厚みが
切り残されるようにダイシング装置を制御する。したが
って、液晶表示基板に厚みのバラツキや、うねり等が生
じていた場合においても、液晶表示基板の切り残し量を
適正値に保つことが可能となり、良好な分断面を得るこ
とができる。また、請求項２の方法によれば、請求項１
の方法に加えて、プラスチック基板の分断ラインに沿っ
た複数点における基板の厚みを、あらかじめ測定してお
くので、プラスチック基板の厚みのバラツキやうねり等
による形状変化をより的確に把握することができる。
【００１８】また、請求項３の方法によれば、請求項１
または２の方法において、プラスチック基板のシール層
形成位置に、ダミーパターン部を形成し、このダミーパ
ターン部においてプラスチック基板の厚みを測定する。
シール層は、光透過性が非常に低く、このシール層以下
には、光が届かなくなるため、測定時にシール層以下で
生じる反射光の干渉を抑制することできる。
または２の方法において、プラスチック基板のシール層
形成位置に、ダミーパターン部を形成し、このダミーパ
ターン部においてプラスチック基板の厚みを測定する。
シール層は、光透過性が非常に低く、このシール層以下
には、光が届かなくなるため、測定時にシール層以下で
生じる反射光の干渉を抑制することできる。
【００１９】したがって、さらに精度良くプラスチック
基板の厚みを測定することができる。この測定結果に基
づいてダイシング装置を制御することにより、プラスチ
ック基板の切り残し量を適正値に保つことができる。
基板の厚みを測定することができる。この測定結果に基
づいてダイシング装置を制御することにより、プラスチ
ック基板の切り残し量を適正値に保つことができる。
【００２０】また、請求項４の方法によれば、請求項１
または２の方法において、ブレードの動作に追従するバ
リ除去手段によって、プラスチック基板の分断時に生じ
たバリをブレードによる切り込みとほぼ同時に除去する
ことにより、プラスチック基板の分断工程において、バ
リを除去するための工程を追加することなく、簡単にバ
リを除去することができる。また、バリの除去により、
寸法精度および表面精度が向上する。
または２の方法において、ブレードの動作に追従するバ
リ除去手段によって、プラスチック基板の分断時に生じ
たバリをブレードによる切り込みとほぼ同時に除去する
ことにより、プラスチック基板の分断工程において、バ
リを除去するための工程を追加することなく、簡単にバ
リを除去することができる。また、バリの除去により、
寸法精度および表面精度が向上する。
【００２１】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図１８
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２２】本実施例に係る液晶表示基板の分断方法で
は、光学的非接触型計測手法により、液晶表示基板の厚
みを測定し、その測定結果に基づいて、ダイシングブレ
ードを備えたダイシング装置をＮＣ（Numerical Contro
l)制御することにより、液晶表示基板の端子出し分断処
理およびセル化分断処理を行っている。
は、光学的非接触型計測手法により、液晶表示基板の厚
みを測定し、その測定結果に基づいて、ダイシングブレ
ードを備えたダイシング装置をＮＣ（Numerical Contro
l)制御することにより、液晶表示基板の端子出し分断処
理およびセル化分断処理を行っている。
【００２３】まず、厚み0.４ｍｍのアクリル系樹脂から
なる上側・下側プラスチック基板２ａ・２ｂを用意し、
これらの基板２ａ・２ｂに、それぞれＩＴＯ膜を蒸着
後、エッチングパターン化を行い、ＩＴＯ電極５を形成
する。その後、上記基板２ａ・２ｂに図示しない配向膜
印刷、配向処理を行い、セルギャップ材を散布した後、
シール印刷を行って、２枚の基板２ａ・２ｂを貼り合わ
せ、サンプル１０を得る。なお、上記基板２ａ・２ｂの
間には、液晶用のギャップを確保するスペーサを含むシ
ール層３が形成されている（図２参照）。
なる上側・下側プラスチック基板２ａ・２ｂを用意し、
これらの基板２ａ・２ｂに、それぞれＩＴＯ膜を蒸着
後、エッチングパターン化を行い、ＩＴＯ電極５を形成
する。その後、上記基板２ａ・２ｂに図示しない配向膜
印刷、配向処理を行い、セルギャップ材を散布した後、
シール印刷を行って、２枚の基板２ａ・２ｂを貼り合わ
せ、サンプル１０を得る。なお、上記基板２ａ・２ｂの
間には、液晶用のギャップを確保するスペーサを含むシ
ール層３が形成されている（図２参照）。
【００２４】上記プラスチック基板２ａ・２ｂは、その
製造技術の問題から、厚みの均一性が十分ではなく、現
状では、±７０μｍ程度のバラツキがある。したがっ
て、上記サンプル１０に対して、端子出し分断処理を行
う場合には、あらかじめ、上側プラスチック基板２ａ、
あるいは下側プラスチック基板２ｂの厚みを測定してお
く必要がある。基板の厚みを光学的に非接触型の方法で
測定するには、例えば焦点一致による高さ変位を利用す
る方法、あるいはレーザ光による反射光のズレを利用す
る方法等が用いられる。
製造技術の問題から、厚みの均一性が十分ではなく、現
状では、±７０μｍ程度のバラツキがある。したがっ
て、上記サンプル１０に対して、端子出し分断処理を行
う場合には、あらかじめ、上側プラスチック基板２ａ、
あるいは下側プラスチック基板２ｂの厚みを測定してお
く必要がある。基板の厚みを光学的に非接触型の方法で
測定するには、例えば焦点一致による高さ変位を利用す
る方法、あるいはレーザ光による反射光のズレを利用す
る方法等が用いられる。
【００２５】焦点一致による高さ変位を利用する方法で
は、図２に示すように、まず、サンプル１０が載置され
たステージ４上に、焦点レンズ７を介して光を集光さ
せ、焦点を合わせる（Ａ）。次に、下側プラスチック基
板２ｂに形成されたＩＴＯ電極５の上面に焦点を合わせ
（Ｂ）、（Ａ）のときのステージ４からの焦点レンズ７
の高さと、（Ｂ）のときの焦点レンズ７の高さとの差か
ら、測定ポイントにおける下側プラスチック基板２ｂの
厚さｄを求める。なお、サンプル１０内で焦点を合わせ
る位置としては、２枚のプラスチック基板２ａ・２ｂに
挟持される液晶層の厚みが、下側プラスチック基板２ｂ
の厚さｄに対して無視できるオーダーであるため、ＩＴ
Ｏ電極５を含まない上側プラスチック基板２ａの下面
（Ｃ）、あるいは上側プラスチック基板２ａの下面に形
成されたＩＴＯ電極５の下面（Ｄ）でもよいが、この場
合には、（Ａ）と（Ｃ）、あるいは（Ａ）と（Ｄ）にお
ける焦点レンズ７の高さ変位により、下側プラスチック
基板２ｂの厚みｄが測定される。
は、図２に示すように、まず、サンプル１０が載置され
たステージ４上に、焦点レンズ７を介して光を集光さ
せ、焦点を合わせる（Ａ）。次に、下側プラスチック基
板２ｂに形成されたＩＴＯ電極５の上面に焦点を合わせ
（Ｂ）、（Ａ）のときのステージ４からの焦点レンズ７
の高さと、（Ｂ）のときの焦点レンズ７の高さとの差か
ら、測定ポイントにおける下側プラスチック基板２ｂの
厚さｄを求める。なお、サンプル１０内で焦点を合わせ
る位置としては、２枚のプラスチック基板２ａ・２ｂに
挟持される液晶層の厚みが、下側プラスチック基板２ｂ
の厚さｄに対して無視できるオーダーであるため、ＩＴ
Ｏ電極５を含まない上側プラスチック基板２ａの下面
（Ｃ）、あるいは上側プラスチック基板２ａの下面に形
成されたＩＴＯ電極５の下面（Ｄ）でもよいが、この場
合には、（Ａ）と（Ｃ）、あるいは（Ａ）と（Ｄ）にお
ける焦点レンズ７の高さ変位により、下側プラスチック
基板２ｂの厚みｄが測定される。
【００２６】また、基板２ａの屈折率が測定精度に影響
を及ぼすため、あらかじめ屈折率を補正する補正係数を
算出しておく必要がある。このため、まず、図３（ａ）
に示すように、貼り合わせ前の基板２ａをＩＴＯ電極５
を上面にしてステージ４に載置し、ステージ４（Ａ）と
上側プラスチック基板２ａの上面（Ｂ）に焦点を合わ
せ、（Ａ）と（Ｂ）との焦点レンズ７の高さ変位から基
板２ａの厚みｄ’を測定する。また、接触型の基板厚測
定方法により、上記（Ｂ）の場合と同一ポイントにおけ
る基板２ａの厚みｄ’を測定し、これらの結果を比較す
ることにより、焦点一致による高さ変位を利用する方法
の測定精度を確認する。
を及ぼすため、あらかじめ屈折率を補正する補正係数を
算出しておく必要がある。このため、まず、図３（ａ）
に示すように、貼り合わせ前の基板２ａをＩＴＯ電極５
を上面にしてステージ４に載置し、ステージ４（Ａ）と
上側プラスチック基板２ａの上面（Ｂ）に焦点を合わ
せ、（Ａ）と（Ｂ）との焦点レンズ７の高さ変位から基
板２ａの厚みｄ’を測定する。また、接触型の基板厚測
定方法により、上記（Ｂ）の場合と同一ポイントにおけ
る基板２ａの厚みｄ’を測定し、これらの結果を比較す
ることにより、焦点一致による高さ変位を利用する方法
の測定精度を確認する。
【００２７】その後、図３（ｂ）に示すように、基板２
ａを裏返して、ＩＴＯ電極５を下面にしてステージ４に
載置し、直接ステージ４上に焦点を合わせた場合（Ａ）
と、基板２ａを通してステージ４上に焦点を合わせた場
合（Ａ’）との焦点レンズ７の高さ変位から、基板２ａ
の屈折率を補正する補正係数を算出する。
ａを裏返して、ＩＴＯ電極５を下面にしてステージ４に
載置し、直接ステージ４上に焦点を合わせた場合（Ａ）
と、基板２ａを通してステージ４上に焦点を合わせた場
合（Ａ’）との焦点レンズ７の高さ変位から、基板２ａ
の屈折率を補正する補正係数を算出する。
【００２８】上記のように、焦点一致による高さ変位を
利用して、図４に示すように、分断ライン（図示しな
い）に沿って、複数のポイントにおける下側プラスチッ
ク基板２ｂの厚みｄ1 ・ｄ2 ・ｄ3 ・ｄ4 …を測定し、
上記補正係数によりそれぞれ屈折率補正を行うことによ
り、基板２ｂにおける厚みのバラツキやうねり等による
形状変化を把握することができる。
利用して、図４に示すように、分断ライン（図示しな
い）に沿って、複数のポイントにおける下側プラスチッ
ク基板２ｂの厚みｄ1 ・ｄ2 ・ｄ3 ・ｄ4 …を測定し、
上記補正係数によりそれぞれ屈折率補正を行うことによ
り、基板２ｂにおける厚みのバラツキやうねり等による
形状変化を把握することができる。
【００２９】一方、反射率のズレを利用する場合には、
図５に示すように、レーザ光を出射する発光部８と、基
板からの反射光が入射される受光部９とを有するレーザ
板厚測定装置（アンリツ株式会社製）を用いて、基板厚
を測定する。
図５に示すように、レーザ光を出射する発光部８と、基
板からの反射光が入射される受光部９とを有するレーザ
板厚測定装置（アンリツ株式会社製）を用いて、基板厚
を測定する。
【００３０】すなわち、発光部８から出射されたレーザ
光は、サンプル１０の各層で反射され、各反射光（Ｅ）
〜（Ｈ）は、受光部９に入射される。そして、この反射
光の内、例えば、上側プラスチック基板２ａの上面の反
射光（Ｅ）と下面の反射光（Ｆ）、あるいは下側プラス
チック基板２ｂの上面の反射光（Ｇ）と下面の反射光
（Ｈ）を選択し、受光部９で反射光のズレを検出するこ
とにより、上側プラスチック基板２ａの厚みｄ’、ある
いは下側プラスチック基板２ｂの厚みｄを測定する。な
お、この場合にも、接触型の測定方法による基板厚の測
定結果と比較することにより、測定精度を確認し、基板
の屈折率補正のための補正係数を算出することが必要で
ある。
光は、サンプル１０の各層で反射され、各反射光（Ｅ）
〜（Ｈ）は、受光部９に入射される。そして、この反射
光の内、例えば、上側プラスチック基板２ａの上面の反
射光（Ｅ）と下面の反射光（Ｆ）、あるいは下側プラス
チック基板２ｂの上面の反射光（Ｇ）と下面の反射光
（Ｈ）を選択し、受光部９で反射光のズレを検出するこ
とにより、上側プラスチック基板２ａの厚みｄ’、ある
いは下側プラスチック基板２ｂの厚みｄを測定する。な
お、この場合にも、接触型の測定方法による基板厚の測
定結果と比較することにより、測定精度を確認し、基板
の屈折率補正のための補正係数を算出することが必要で
ある。
【００３１】このように、レーザ光による反射光のズレ
を利用する場合には、約１０００回／秒の測定速度での
連続的な測定が可能であり、基板厚の測定に要する時間
を短縮することができる。
を利用する場合には、約１０００回／秒の測定速度での
連続的な測定が可能であり、基板厚の測定に要する時間
を短縮することができる。
【００３２】また、図６に示すように、帯状のＩＴＯ電
極５を上側・下側プラスチック基板２ａ・２ｂに平行し
て形成する際に、ＩＴＯ層からなるダミーパターン部６
を後にシール層３が設けられる位置に形成しておくこと
により、さらに精度の良い基板厚の測定を行うことがで
きる。
極５を上側・下側プラスチック基板２ａ・２ｂに平行し
て形成する際に、ＩＴＯ層からなるダミーパターン部６
を後にシール層３が設けられる位置に形成しておくこと
により、さらに精度の良い基板厚の測定を行うことがで
きる。
【００３３】すなわち、図１に示すように、上記上側・
下側プラスチック基板２ａ・２ｂを貼り合わせたサンプ
ル１０の分断ライン（図中一点鎖線で示す）近傍のダミ
ーパターン部６に沿って、発光部８からレーザ光を照射
し、上側プラスチック基板２ａの上面から得られる反射
光（Ｉ）と上側プラスチック基板２ａの下面から得られ
た反射光（Ｊ）とのずれを受光部９において検出するこ
とにより、上側プラスチック基板２ａの厚みｄ’を測定
する。
下側プラスチック基板２ａ・２ｂを貼り合わせたサンプ
ル１０の分断ライン（図中一点鎖線で示す）近傍のダミ
ーパターン部６に沿って、発光部８からレーザ光を照射
し、上側プラスチック基板２ａの上面から得られる反射
光（Ｉ）と上側プラスチック基板２ａの下面から得られ
た反射光（Ｊ）とのずれを受光部９において検出するこ
とにより、上側プラスチック基板２ａの厚みｄ’を測定
する。
【００３４】このように、上側プラスチック基板２ａの
下面にＩＴＯ層からなるダミーパターン部６が形成され
たことにより、上記上側プラスチック基板２ａの下面に
おける反射率が向上する。また、ダミーパターン部６の
下方にシール層３が存在するため、上記シール層３以下
には、レーザ光がほとんど進行せず、また、レーザ光が
進行した場合でも、反射光が散乱状態となるため、下側
プラスチック基板２ｂによる反射光の干渉が発生せず、
精度良く基板厚の測定を行うことができる。
下面にＩＴＯ層からなるダミーパターン部６が形成され
たことにより、上記上側プラスチック基板２ａの下面に
おける反射率が向上する。また、ダミーパターン部６の
下方にシール層３が存在するため、上記シール層３以下
には、レーザ光がほとんど進行せず、また、レーザ光が
進行した場合でも、反射光が散乱状態となるため、下側
プラスチック基板２ｂによる反射光の干渉が発生せず、
精度良く基板厚の測定を行うことができる。
【００３５】次に、ダイシングブレード１を備えたダイ
シング装置（岡本工作機械製作所製）によるサンプル１
０の分断工程を説明する。上記ダイシング装置は、ダイ
ヤモンド粒子が混入された円盤状のダイシングブレード
を備えており、このダイシングブレードを高速回転して
プラスチック基板を分断している。
シング装置（岡本工作機械製作所製）によるサンプル１
０の分断工程を説明する。上記ダイシング装置は、ダイ
ヤモンド粒子が混入された円盤状のダイシングブレード
を備えており、このダイシングブレードを高速回転して
プラスチック基板を分断している。
【００３６】上記ダイシングブレードを高速回転させて
プラスチック基板を切り込むことにより、その分断面
に、クラックが発生しなくなり、安定して上記基板を分
断できる。なお、ダイシングブレードの回転数を変化さ
せるだけでなく、ダイシングブレードの刃幅、径、ダイ
ヤモンド粒径および被分断物を吸着するステージ送り速
度等の条件を変化させることによって、さらに良好な分
断面が得られる。
プラスチック基板を切り込むことにより、その分断面
に、クラックが発生しなくなり、安定して上記基板を分
断できる。なお、ダイシングブレードの回転数を変化さ
せるだけでなく、ダイシングブレードの刃幅、径、ダイ
ヤモンド粒径および被分断物を吸着するステージ送り速
度等の条件を変化させることによって、さらに良好な分
断面が得られる。
【００３７】ここで使用したダイシングブレードは、厚
みが３５μｍ、直径が５0.２ｍｍ、回転数が２００００
ｒｐｍであり、サンプル１０が吸着固定されたステージ
４の送り速度は、３０ｍｍ／ｓｅｃに設定されている。
そして、上記基板厚の測定値に基づいて、基板の切り残
し量が、例えば５０μｍとなるように、ダイシング装置
にデータを入力する。
みが３５μｍ、直径が５0.２ｍｍ、回転数が２００００
ｒｐｍであり、サンプル１０が吸着固定されたステージ
４の送り速度は、３０ｍｍ／ｓｅｃに設定されている。
そして、上記基板厚の測定値に基づいて、基板の切り残
し量が、例えば５０μｍとなるように、ダイシング装置
にデータを入力する。
【００３８】上記基板厚の測定方法において、下側プラ
スチック基板２ｂの厚みｄを測定した場合には、ステー
ジ４からの高さが、下側プラスチック基板２ｂの厚みｄ
に、常時一定のギャップの厚みと切り残し量（この場合
には５０μｍ）とを加えた値となる位置までダイシング
ブレード１で研削を行うようにダイシング装置を制御す
る。
スチック基板２ｂの厚みｄを測定した場合には、ステー
ジ４からの高さが、下側プラスチック基板２ｂの厚みｄ
に、常時一定のギャップの厚みと切り残し量（この場合
には５０μｍ）とを加えた値となる位置までダイシング
ブレード１で研削を行うようにダイシング装置を制御す
る。
【００３９】一方、上側プラスチック基板２ａの厚み
ｄ’を測定した場合には、ダイシングブレード１の切り
込み量が、基板２ａの厚みｄ’から切り残し量５０μｍ
を引いた値となるように、ダイシング装置を制御する。
ｄ’を測定した場合には、ダイシングブレード１の切り
込み量が、基板２ａの厚みｄ’から切り残し量５０μｍ
を引いた値となるように、ダイシング装置を制御する。
【００４０】したがって、何れの場合においても、デー
タが入力されたダイシング装置に備えられたダイシング
ブレード１は、図７に示すように、基板の形状変化に応
じて、常に、上側プラスチック基板２ａに対して、５０
μｍの厚みを切り残すように、制御されることになる。
タが入力されたダイシング装置に備えられたダイシング
ブレード１は、図７に示すように、基板の形状変化に応
じて、常に、上側プラスチック基板２ａに対して、５０
μｍの厚みを切り残すように、制御されることになる。
【００４１】そして、図８に示すように、制御されたダ
イシング装置のダイシングブレード１により、分断用マ
ーク（図示しない）に沿って、上側プラスチック基板２
を切り込み（図１３参照）、５０μｍの厚みを切り残
す。
イシング装置のダイシングブレード１により、分断用マ
ーク（図示しない）に沿って、上側プラスチック基板２
を切り込み（図１３参照）、５０μｍの厚みを切り残
す。
【００４２】また、上記切り込み時には、図９に示すよ
うに、回転するダイシングブレード１と、上側プラスチ
ック基板２ａとの間に生じた摩擦熱により、分断面や、
切り込み時の切り粉等が溶け、分断ラインの両側に、５
０μｍ〜１００μｍ程度の厚さでバリ１２が生じる。
うに、回転するダイシングブレード１と、上側プラスチ
ック基板２ａとの間に生じた摩擦熱により、分断面や、
切り込み時の切り粉等が溶け、分断ラインの両側に、５
０μｍ〜１００μｍ程度の厚さでバリ１２が生じる。
【００４３】そこで、上記ダイシング装置には、ダイシ
ングブレード１の後方に、ダイシングブレード１と同一
の走査用アーム（図示しない）に取り付けられた回転研
磨子１１が設けられている（図１０（ａ）（ｂ）参
照）。この回転研磨子１１は、両側に、円形状の平面部
１１ａを有し、幅が５０μｍ〜１００μｍでダイシング
ブレード１よりも幅広く形成されている。また、長さ２
５０μｍ〜５００μｍの研削面１１ｂは、＃８００相当
の粒状性表面を有し、周方向に徐々に幅が狭くなるよう
に両側面が傾斜して設けられている。
ングブレード１の後方に、ダイシングブレード１と同一
の走査用アーム（図示しない）に取り付けられた回転研
磨子１１が設けられている（図１０（ａ）（ｂ）参
照）。この回転研磨子１１は、両側に、円形状の平面部
１１ａを有し、幅が５０μｍ〜１００μｍでダイシング
ブレード１よりも幅広く形成されている。また、長さ２
５０μｍ〜５００μｍの研削面１１ｂは、＃８００相当
の粒状性表面を有し、周方向に徐々に幅が狭くなるよう
に両側面が傾斜して設けられている。
【００４４】この回転研磨子１１を５００ｒｐｍで回転
させながら、図１１に示すように、ダイシングブレード
１の切り込みにより生じた溝に、上記研削面１１ｂの先
端部を１５０μｍ〜２００μｍ程度入れ、溝周縁に生じ
たバリ１２に、研削面１１ｂを当接させることにより、
ダイシングブレード１による基板２ａの切り込みとほぼ
同時に上記バリ１２の除去を行うことができる。
させながら、図１１に示すように、ダイシングブレード
１の切り込みにより生じた溝に、上記研削面１１ｂの先
端部を１５０μｍ〜２００μｍ程度入れ、溝周縁に生じ
たバリ１２に、研削面１１ｂを当接させることにより、
ダイシングブレード１による基板２ａの切り込みとほぼ
同時に上記バリ１２の除去を行うことができる。
【００４５】なお、上側プラスチック基板２ａにも、上
記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル１
０の表裏を反転し、さらに９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿って、基板厚の測定を行い、５０μ
ｍの厚みを切り残すように、ダイシング装置を制御し、
バリ１２の除去を行いながら、下側プラスチック基板２
ｂをダイシングブレード１により切り込む（図１４の破
線参照）。
記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル１
０の表裏を反転し、さらに９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿って、基板厚の測定を行い、５０μ
ｍの厚みを切り残すように、ダイシング装置を制御し、
バリ１２の除去を行いながら、下側プラスチック基板２
ｂをダイシングブレード１により切り込む（図１４の破
線参照）。
【００４６】以上のようにして切り込まれたサンプル１
０は、その後、切り込みにより生じた溝にそって折り取
られる（ブレイク工程）ことによって、分断される。
０は、その後、切り込みにより生じた溝にそって折り取
られる（ブレイク工程）ことによって、分断される。
【００４７】次に、上記サンプル１０に対して、セル化
分断処理を行う場合、図１５に示すように、まず、分断
用マークにそって、上側プラスチック基板２ａをダイシ
ングブレード１によって切り込む。そして、上側プラス
チック基板２ａを完全に切断した後、さらに下側プラス
チック基板２ｂを切り込む。ただし、この際、ステージ
４から４０μｍの高さにダイシングブレード１が到達す
るまで、サンプル１０を切り込むことにより、下側プラ
スチック基板２ｂを４０μｍ切り残す。また、ダイシン
グ装置には、上記回転研磨子１１が備えられているた
め、分断ライン近傍に生じたバリは、切り込みとほぼ同
時に除去される。その後、サンプル１０を９０°回転
し、上記と同様に、上側・下側プラスチック基板２ａ・
２ｂの切り込みを行う（図１７の一点鎖線参照）。
分断処理を行う場合、図１５に示すように、まず、分断
用マークにそって、上側プラスチック基板２ａをダイシ
ングブレード１によって切り込む。そして、上側プラス
チック基板２ａを完全に切断した後、さらに下側プラス
チック基板２ｂを切り込む。ただし、この際、ステージ
４から４０μｍの高さにダイシングブレード１が到達す
るまで、サンプル１０を切り込むことにより、下側プラ
スチック基板２ｂを４０μｍ切り残す。また、ダイシン
グ装置には、上記回転研磨子１１が備えられているた
め、分断ライン近傍に生じたバリは、切り込みとほぼ同
時に除去される。その後、サンプル１０を９０°回転
し、上記と同様に、上側・下側プラスチック基板２ａ・
２ｂの切り込みを行う（図１７の一点鎖線参照）。
【００４８】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、図１６に示すように、下側プラスチッ
ク基板２ｂの切り込みによって生じた溝に沿って折り取
られることによって、図１８に示すように、個々のセル
に分断される。このように、高速回転のダイシングブレ
ード１を用いて上側プラスチック基板２ａ及び下側プラ
スチック基板２ｂを切り込むことにより、分断面におけ
るクラックの発生を防ぐことができる。また、セル化分
断処理の際、下側プラスチック基板２ｂを切り残すこと
により、ダイシング装置におけるステージ４の汎用性を
確保することができる。
１０は、その後、図１６に示すように、下側プラスチッ
ク基板２ｂの切り込みによって生じた溝に沿って折り取
られることによって、図１８に示すように、個々のセル
に分断される。このように、高速回転のダイシングブレ
ード１を用いて上側プラスチック基板２ａ及び下側プラ
スチック基板２ｂを切り込むことにより、分断面におけ
るクラックの発生を防ぐことができる。また、セル化分
断処理の際、下側プラスチック基板２ｂを切り残すこと
により、ダイシング装置におけるステージ４の汎用性を
確保することができる。
【００４９】上記のように、本実施例の液晶表示基板の
分断方法においては、端子出しの分断処理を行う場合
に、焦点一致による高さ変位、あるいはレーザ光による
反射光のズレ等を利用する光学的非接触型計測手法を用
いて基板厚を測定し、この測定結果に基づいてダイシン
グ装置を制御することにより、基板に厚みのバラツキ
や、うねりが生じている場合においても、切り残し量を
適正に制御した分断処理を行うことができる。したがっ
て、その後のブレイク工程において、良好な分断面を得
ることができる。
分断方法においては、端子出しの分断処理を行う場合
に、焦点一致による高さ変位、あるいはレーザ光による
反射光のズレ等を利用する光学的非接触型計測手法を用
いて基板厚を測定し、この測定結果に基づいてダイシン
グ装置を制御することにより、基板に厚みのバラツキ
や、うねりが生じている場合においても、切り残し量を
適正に制御した分断処理を行うことができる。したがっ
て、その後のブレイク工程において、良好な分断面を得
ることができる。
【００５０】尚、この方法は、一定の光透過率および安
定した屈折率を有する基板材料であれば、ガラス基板、
あるいはアクリル系樹脂以外のプラスチック基板におい
ても適用することが可能である。
定した屈折率を有する基板材料であれば、ガラス基板、
あるいはアクリル系樹脂以外のプラスチック基板におい
ても適用することが可能である。
【００５１】また、上側・下側プラスチック基板２ａ・
２ｂを所定の厚みだけ残して切り込むことによって、ブ
レイク工程が従来のガラス基板に比べて簡略化できる。
さらに、上側・下側プラスチック基板２ａ・２ｂの貼り
合わせ後に分断処理が行えるので、あらかじめ分断して
から貼り合わせる方法に比べて、基板段差がない状態
で、貼り合わせプレスを行うことが可能であり、セルギ
ャップの均一性が向上すると共に、電極パターンの断線
も防止できる。
２ｂを所定の厚みだけ残して切り込むことによって、ブ
レイク工程が従来のガラス基板に比べて簡略化できる。
さらに、上側・下側プラスチック基板２ａ・２ｂの貼り
合わせ後に分断処理が行えるので、あらかじめ分断して
から貼り合わせる方法に比べて、基板段差がない状態
で、貼り合わせプレスを行うことが可能であり、セルギ
ャップの均一性が向上すると共に、電極パターンの断線
も防止できる。
【００５２】さらに、上側・下側プラスチック基板２ａ
・２ｂの分断ライン近傍におけるシール層３の形成位置
に、あらかじめＩＴＯ層からなるダミーパターン部６を
形成しておき、レーザ板厚測定装置により、このダミー
パターン部６にレーザ光を照射することにより、上記シ
ール層３には、光透過性がほとんどなく、シール層３以
下には光がほとんど届かないため、下側プラスチック基
板２ｂの反射光による干渉を受けることなく、さらに精
度の良い基板厚の測定を行うことができる。
・２ｂの分断ライン近傍におけるシール層３の形成位置
に、あらかじめＩＴＯ層からなるダミーパターン部６を
形成しておき、レーザ板厚測定装置により、このダミー
パターン部６にレーザ光を照射することにより、上記シ
ール層３には、光透過性がほとんどなく、シール層３以
下には光がほとんど届かないため、下側プラスチック基
板２ｂの反射光による干渉を受けることなく、さらに精
度の良い基板厚の測定を行うことができる。
【００５３】また、ダイシングブレード１の後方に回転
研磨子１１を備え、この回転研磨子１１をダイシングブ
レード１の動作に追従させることにより、分断面に生じ
たバリ１２を、基板の切り込み直後に除去することがで
きる。したがって、バリ１２を除去するために特別の工
程を追加することなく、ＬＣＤの寸法精度および表面精
度に悪影響を及ぼしていたバリを簡単に除去することが
できる。
研磨子１１を備え、この回転研磨子１１をダイシングブ
レード１の動作に追従させることにより、分断面に生じ
たバリ１２を、基板の切り込み直後に除去することがで
きる。したがって、バリ１２を除去するために特別の工
程を追加することなく、ＬＣＤの寸法精度および表面精
度に悪影響を及ぼしていたバリを簡単に除去することが
できる。
【００５４】
【発明の効果】請求項１の発明に係る液晶表示基板の分
断方法は、以上のように、あらかじめ、光学的非接触型
計測手法によって、プラスチック基板としての液晶表示
基板の厚みを測定し、その測定結果に応じて切り残し量
が適正値になるように、上記ダイシング装置を制御する
ものである。
断方法は、以上のように、あらかじめ、光学的非接触型
計測手法によって、プラスチック基板としての液晶表示
基板の厚みを測定し、その測定結果に応じて切り残し量
が適正値になるように、上記ダイシング装置を制御する
ものである。
【００５５】それゆえ、プラスチック基板に厚みのバラ
ツキや、うねり等が生じていた場合においても、プラス
チック基板の切り残し量を適正値に保つことが可能とな
り、良好な分断面を得ることができるという効果を奏す
る。また、請求項２の発明に係る液晶表示基板の分断方
法は、以上のように、プラスチック基板の分断ラインに
沿った複数点における基板の厚みを、あらかじめ、光学
的非接触型計測手法によって測定し、その測定結果に基
づいて切り残し量が適正値になるように、上記ダイシン
グ装置を制御して上記分断ラインに沿って切り込みを入
れるものである。 それゆえ、プラスチック基板の分断ラ
インに沿った複数点における基板の厚みを、あらかじめ
測定しておくことによって、プラスチック基板の厚みの
バラツキやうねり等による形状変化をより的確に把握す
ることができるという効果を奏する。
ツキや、うねり等が生じていた場合においても、プラス
チック基板の切り残し量を適正値に保つことが可能とな
り、良好な分断面を得ることができるという効果を奏す
る。また、請求項２の発明に係る液晶表示基板の分断方
法は、以上のように、プラスチック基板の分断ラインに
沿った複数点における基板の厚みを、あらかじめ、光学
的非接触型計測手法によって測定し、その測定結果に基
づいて切り残し量が適正値になるように、上記ダイシン
グ装置を制御して上記分断ラインに沿って切り込みを入
れるものである。 それゆえ、プラスチック基板の分断ラ
インに沿った複数点における基板の厚みを、あらかじめ
測定しておくことによって、プラスチック基板の厚みの
バラツキやうねり等による形状変化をより的確に把握す
ることができるという効果を奏する。
【００５６】また、請求項３の発明に係る液晶表示基板
の分断方法は、以上のように、請求項１または２の方法
において、上記プラスチック基板におけるシール層形成
位置にあらかじめダミーパターン部を形成し、このダミ
ーパターン部において上記プラスチック基板の厚みを測
定するものである。
の分断方法は、以上のように、請求項１または２の方法
において、上記プラスチック基板におけるシール層形成
位置にあらかじめダミーパターン部を形成し、このダミ
ーパターン部において上記プラスチック基板の厚みを測
定するものである。
【００５７】それゆえ、シール層は、光透過性が非常に
低く、このシール層以下には、光が届かないため、この
ダミーパターン部に沿って測定を行うことにより、シー
ル層以下で生じる反射光の干渉を抑制することできる。
この結果、さらに、精度良く液晶表示基板の厚みを測定
することができ、切り残し量を適性値に保ち、良好な分
断面を得ることができるという効果を奏する。
低く、このシール層以下には、光が届かないため、この
ダミーパターン部に沿って測定を行うことにより、シー
ル層以下で生じる反射光の干渉を抑制することできる。
この結果、さらに、精度良く液晶表示基板の厚みを測定
することができ、切り残し量を適性値に保ち、良好な分
断面を得ることができるという効果を奏する。
【００５８】また、請求項４の発明に係る液晶表示基板
の分断方法は、以上のように、請求項１または２の方法
において、切り込み時に、上記プラスチック基板の分断
面周縁に生じるバリを、上記ブレードの動作に追従する
バリ除去手段によって除去するものである。
の分断方法は、以上のように、請求項１または２の方法
において、切り込み時に、上記プラスチック基板の分断
面周縁に生じるバリを、上記ブレードの動作に追従する
バリ除去手段によって除去するものである。
【００５９】それゆえ、ブレードの動作に追従するバリ
除去手段によって、プラスチック基板の分断時に生じた
バリを除去することにより、プラスチック基板の分断工
程において、バリを除去するための工程を追加すること
なく、簡単にバリを除去することができると共に、バリ
の除去により、寸法精度および表面精度が向上する。こ
の結果、良好な分断面を得ることができるという効果を
奏する。
除去手段によって、プラスチック基板の分断時に生じた
バリを除去することにより、プラスチック基板の分断工
程において、バリを除去するための工程を追加すること
なく、簡単にバリを除去することができると共に、バリ
の除去により、寸法精度および表面精度が向上する。こ
の結果、良好な分断面を得ることができるという効果を
奏する。
【図１】本発明の一実施例における液晶表示基板の厚み
を測定する方法を示す説明図である。
を測定する方法を示す説明図である。
【図２】上記液晶表示基板の厚みを測定する他の方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】基板の屈折率を補正する補正係数を得る方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】複数のポイントについて上記液晶表示基板の厚
みを測定する状態を示す説明図である。
みを測定する状態を示す説明図である。
【図５】上記液晶表示基板の厚みを測定するさらに他の
方法を示す説明図である。
方法を示す説明図である。
【図６】ＩＴＯ電極及びダミーパターン部が形成された
上記液晶表示基板を示す平面図である。
上記液晶表示基板を示す平面図である。
【図７】上記液晶表示基板をダイシングブレードにより
切り込む状態を示す説明図である。
切り込む状態を示す説明図である。
【図８】上記液晶表示基板の端子出し分断処理を示す説
明図である。
明図である。
【図９】上記液晶表示基板にバリが生じた状態を示す説
明図である。
明図である。
【図１０】上記バリを除去するための回転研磨子の形状
を示す（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。
を示す（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。
【図１１】上記回転研磨子によりバリを除去している状
態を示す説明図である。
態を示す説明図である。
【図１２】上記端子出し分断処理が終了したところを示
す説明図である。
す説明図である。
【図１３】上記端子出し分断処理において、所定の分断
ラインに沿って分断が行われた液晶表示基板を示す説明
図である。
ラインに沿って分断が行われた液晶表示基板を示す説明
図である。
【図１４】図１３の液晶表示基板の表裏が反転され、さ
らに９０°回転されて、端子出し分断処理が行われたこ
とを示す説明図である。
らに９０°回転されて、端子出し分断処理が行われたこ
とを示す説明図である。
【図１５】上記液晶表示基板のセル化分断処理を示す説
明図である。
明図である。
【図１６】上記セル化分断処理が終了したところを示す
説明図である。
説明図である。
【図１７】上記セル化分断処理において、所定の分断ラ
インに沿って分断が行われた液晶表示基板を示す説明図
である。
インに沿って分断が行われた液晶表示基板を示す説明図
である。
【図１８】上記セル化分断処理により分断された個々の
セルを示す説明図である。
セルを示す説明図である。
１ ダイシングブレード（ブレード） ２ａ 上側プラスチック基板（液晶表示基板） ２ｂ 下側プラスチック基板（液晶表示基板） ６ ダミーパターン部 １１ 回転研磨子（バリ除去手段） １２ バリ
フロントページの続き (72)発明者 御園 健司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 磯畑 恭平 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−92916（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−87536（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−219013（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/13 101 G02F 1/1333 500 B26D 1/157 B26D 1/12 B26D 5/00
Claims (4)
- 【請求項１】ブレードを備えたダイシング装置により、
プラスチック基板としての液晶表示基板を所定の厚みを
残して切り込む液晶表示基板の分断方法において、 あらかじめ、光学的非接触型計測手法によって、上記液
晶表示基板の厚みを測定し、その測定結果に応じて切り
残し量が適正値になるように、上記ダイシング装置を制
御することを特徴とする液晶表示基板の分断方法。 - 【請求項２】プラスチック基板２枚を液晶用のギャップ
を確保して対向配置させて貼り合せた後、ブレードを備
えたダイシング装置によりプラスチック基板を分断する
液晶表示基板の分断方法であって、 上記プラスチック基板の分断ラインに沿った複数点にお
ける基板の厚みを、あらかじめ、光学的非接触型計測手
法によって測定し、その測定結果に基づいて切り残し量
が適正値になるように、上記ダイシング装置を制御して
上記分断ラインに沿って切り込みを入れることを特徴と
する液晶表示基板の分断方法。 - 【請求項３】上記プラスチック基板におけるシール層形
成位置にあらかじめダミーパターン部を形成し、このダ
ミーパターン部において上記プラスチック基板の厚みを
測定することを特徴とする請求項１または２記載の液晶
表示基板の分断方法。 - 【請求項４】切り込み時に、上記プラスチック基板の分
断面周縁に生じるバリを、上記ブレードの動作に追従す
るバリ除去手段によって除去することを特徴とする請求
項１または２記載の液晶表示基板の分断方法。
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