JP2760864B2 - 半導体歪ゲージ式圧力センサ - Google Patents
半導体歪ゲージ式圧力センサInfo
- Publication number
- JP2760864B2 JP2760864B2 JP1262019A JP26201989A JP2760864B2 JP 2760864 B2 JP2760864 B2 JP 2760864B2 JP 1262019 A JP1262019 A JP 1262019A JP 26201989 A JP26201989 A JP 26201989A JP 2760864 B2 JP2760864 B2 JP 2760864B2
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- Japan
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- pressure
- strain gauge
- introduction hole
- space
- pressure introduction
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体歪ゲージ式圧力センサにおける水の
凍結温度を10℃以下に下げる構造及び、溜り液体を自
然排出可能な構造に関する。
凍結温度を10℃以下に下げる構造及び、溜り液体を自
然排出可能な構造に関する。
支持台2の圧力導入穴6は穴が小さければ小さい程凍
結温度が下がることがわかる。
結温度が下がることがわかる。
また、液体だめを圧力センサと分離して他に設けてい
る。
る。
上記従来技術では、凍結防止の点が配慮されておら
ず、半導体歪ゲージチツプが破壊する問題があつた。ま
た、液体だめを圧力センサを別に設けているため、コス
ト高になる問題を有している。
ず、半導体歪ゲージチツプが破壊する問題があつた。ま
た、液体だめを圧力センサを別に設けているため、コス
ト高になる問題を有している。
本発明の目的は、凍結温度を10℃以下に下げて品質
の向上を図ることにある。
の向上を図ることにある。
本発明の他の目的は、液体だめを半導体歪ゲージ式圧
力センサ内に設け、かつ、液体が自然排出できる構造に
した半導体歪ゲージ式圧力センサを低コストで供給する
ことにある。
力センサ内に設け、かつ、液体が自然排出できる構造に
した半導体歪ゲージ式圧力センサを低コストで供給する
ことにある。
上記目的は、片面を気密封止空間に曝し、他面を導入
された外気の圧力に曝す歪ゲジチップと、前記歪ゲージ
チップを支持する支持部と、前記支持部を貫いて設けら
れ、外気の圧力を歪ゲージチップに導入する第1の圧力
導入穴と、前記第1圧力導入穴に連通する第2の圧力導
入穴を有するケースと、を備えた半導体歪ゲージ式圧力
センサにおいて、前記第1の圧力導入穴は直径が0.1〜
1.0mmであって、前記第1の圧力導入穴と第2の圧力導
入穴との間に広がる空間を設け、前記第2の圧力導入穴
の直径は、前記第1の圧力導入穴の直径より大であっ
て、前記空間の空隙が1mm以上であって、前記空間を形
成する壁が前記第1の圧力導入穴側で内側に突き出した
形状を有し、前記空間を形成する壁が前記第2の圧力導
入穴側ですりばち形状であることによって達成される。
された外気の圧力に曝す歪ゲジチップと、前記歪ゲージ
チップを支持する支持部と、前記支持部を貫いて設けら
れ、外気の圧力を歪ゲージチップに導入する第1の圧力
導入穴と、前記第1圧力導入穴に連通する第2の圧力導
入穴を有するケースと、を備えた半導体歪ゲージ式圧力
センサにおいて、前記第1の圧力導入穴は直径が0.1〜
1.0mmであって、前記第1の圧力導入穴と第2の圧力導
入穴との間に広がる空間を設け、前記第2の圧力導入穴
の直径は、前記第1の圧力導入穴の直径より大であっ
て、前記空間の空隙が1mm以上であって、前記空間を形
成する壁が前記第1の圧力導入穴側で内側に突き出した
形状を有し、前記空間を形成する壁が前記第2の圧力導
入穴側ですりばち形状であることによって達成される。
支持台2の圧力導入穴をφ0.1〜φ1.0にすることによ
り、界面での極性基の影響により水の凍結温度を−10℃
以下にできる。
り、界面での極性基の影響により水の凍結温度を−10℃
以下にできる。
空間7の関数を1mm以上にし、チップ側を突き出し形
状とし、他側の形状をすりばち形にすることにより、毛
管現象による液体溜まり保持力が小さくなり、空間7に
溜まった液体を自然排出できる。
状とし、他側の形状をすりばち形にすることにより、毛
管現象による液体溜まり保持力が小さくなり、空間7に
溜まった液体を自然排出できる。
以下本発明の二実施例を第1図と第2図にて説明す
る。歪ゲージチツプ1は、上面に歪ゲージを構成する抵
抗を拡散形成し、更に外部とハ電気的接続をとるため蒸
着により形成されたアルミニウム電極を備えている。電
極とリード端子間は、金線によりワイヤボンデイング接
続している。前記歪ゲージチツプ1は、圧力導入穴(穴
径φ0.1〜φ1.0)6を有する支持台2に接合し、更に、
支持台受3へ前記支持台2を接着剤4にて、接着固定し
ている。前記支持台受3は、すりばち形状の空間7を有
するケース5へ接着固定する構造とする。第2図では、
ケース5に1体成形したニツプルを前記圧力導入穴6と
同軸上に設ける構造とする。
る。歪ゲージチツプ1は、上面に歪ゲージを構成する抵
抗を拡散形成し、更に外部とハ電気的接続をとるため蒸
着により形成されたアルミニウム電極を備えている。電
極とリード端子間は、金線によりワイヤボンデイング接
続している。前記歪ゲージチツプ1は、圧力導入穴(穴
径φ0.1〜φ1.0)6を有する支持台2に接合し、更に、
支持台受3へ前記支持台2を接着剤4にて、接着固定し
ている。前記支持台受3は、すりばち形状の空間7を有
するケース5へ接着固定する構造とする。第2図では、
ケース5に1体成形したニツプルを前記圧力導入穴6と
同軸上に設ける構造とする。
本実施例によれば、圧力導入穴6内の水の凍結温度を
10℃以下に下げることができる、歪ゲージチツプが水
の凍結により破壊される温度を、従来の0℃から10℃
以下に下げる効果がある。
10℃以下に下げることができる、歪ゲージチツプが水
の凍結により破壊される温度を、従来の0℃から10℃
以下に下げる効果がある。
また、空気7に溜まつた液体を自然排出できる効果が
ある。
ある。
本発明によれば、支持台2の穴径6をφ0.1〜φ1.0の
範囲にすることにより水の凍結温度を10℃〜20℃に
下げることができる。
範囲にすることにより水の凍結温度を10℃〜20℃に
下げることができる。
また、第1図及び第2図に示すように、支持台受3と
ケース5間にすりばち状の空間7により毛管現象の影響
を少なくでき自然排出できる。
ケース5間にすりばち状の空間7により毛管現象の影響
を少なくでき自然排出できる。
第1図は本発明の一実施例の半導体装置ゲージ式圧力セ
ンサのゲージ部縦断面図、第2図は第2実施例の縦断面
図である。 1…歪ゲージチツプ、2…支持台、3…支持台受け、4
…接着剤、5…ケース、6…圧力導入穴、7…空間、8
…パイプ。
ンサのゲージ部縦断面図、第2図は第2実施例の縦断面
図である。 1…歪ゲージチツプ、2…支持台、3…支持台受け、4
…接着剤、5…ケース、6…圧力導入穴、7…空間、8
…パイプ。
フロントページの続き (72)発明者 山口 真市 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番 地3 日立オートモテイブエンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 宮川 源幸 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会 社日立製作所佐和工場内 (72)発明者 坂入 一雄 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会 社日立製作所佐和工場内 (72)発明者 圷 太 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会 社日立製作所佐和工場内 (56)参考文献 特開 昭63−300929(JP,A) 特開 昭59−44634(JP,A) 特開 昭57−194327(JP,A) 実開 昭62−178340(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01L 9/04 101
Claims (1)
- 【請求項1】片面を気密封止空間に曝し、他面を導入さ
れた外気の圧力に曝す歪ゲージチップと、 前記歪ゲージチップを支持する支持部と、 前記支持部を貫いて設けられ、外気の圧力を歪ゲージチ
ップに導入する第1の圧力導入穴と、 前記第1圧力導入穴に連通する第2の圧力導入穴を有す
るケースと、を備えた半導体歪ゲージ式圧力センサにお
いて、 前記第1の圧力導入穴は直径が0.1〜1.0mmであって、 前記第1の圧力導入穴と第2の圧力導入穴との間に広が
る空間を設け、 前記第2の圧力導入穴の直径は、前記第1の圧力導入穴
の直径より大であって、 前記空間の空隙が1mm以上であって、 前記空間を形成する壁が前記第1の圧力導入穴側で内側
に突き出した形状を有し、 前記空間を形成する壁が前記第2の圧力導入穴側ですり
ばち形状であることを特徴とする半導体歪ゲージ式圧力
センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1262019A JP2760864B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体歪ゲージ式圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1262019A JP2760864B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体歪ゲージ式圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03123833A JPH03123833A (ja) | 1991-05-27 |
JP2760864B2 true JP2760864B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=17369889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1262019A Expired - Lifetime JP2760864B2 (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | 半導体歪ゲージ式圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2760864B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6626044B1 (en) * | 2000-10-03 | 2003-09-30 | Honeywell International Inc. | Freeze resistant sensor |
JP4320963B2 (ja) | 2000-11-27 | 2009-08-26 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57194327A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-29 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor pressure transducer for car |
JPS5944634A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
JPS62178340U (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | ||
JPS63300929A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体式圧力変換器 |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP1262019A patent/JP2760864B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03123833A (ja) | 1991-05-27 |
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