JP2758868B2 - 電極兼基板加熱装置 - Google Patents

電極兼基板加熱装置

Info

Publication number
JP2758868B2
JP2758868B2 JP28296295A JP28296295A JP2758868B2 JP 2758868 B2 JP2758868 B2 JP 2758868B2 JP 28296295 A JP28296295 A JP 28296295A JP 28296295 A JP28296295 A JP 28296295A JP 2758868 B2 JP2758868 B2 JP 2758868B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
substrate
susceptor
heater block
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP28296295A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09129560A (ja
Inventor
忠広 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamagata Ltd filed Critical NEC Yamagata Ltd
Priority to JP28296295A priority Critical patent/JP2758868B2/ja
Publication of JPH09129560A publication Critical patent/JPH09129560A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2758868B2 publication Critical patent/JP2758868B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極兼基板加熱装
置に関し、特に、減圧雰囲気中で被処理基板を加熱しな
がら高周波電力を印加する電極兼基板加熱装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の電極兼基板加熱装置は、
半導体基板であるウェハを載置し加熱しながら高周波電
力を印加しウェハに成膜を施したり、成膜後のサセプタ
の表面をクリーニングしたりするCVD装置の試料台と
して使用されていた。
【0003】図4は従来の一例における電極兼基板加熱
装置を示す部分破断断面図である。この電極兼基板加熱
装置は、図4に示すように、ヒータ5を内蔵する加熱源
であるヒータブロック4と、このヒータブロック4と同
種類のアルミニューム合金で製作されるとともにヒータ
ブロック4に接触し熱伝導により載置される被処理基板
8を加熱するサセプタ3とを備えている。また、このサ
セプタ3およびヒータブロック4には、上部電極との間
で高周波電力を印加するための高周波電源7が接続され
ていた。
【0004】この電極兼基板加熱装置により被処理基板
8を加熱するには、加熱源であるヒーターブロック4か
ら合わせ面2を通じて行なわれていた。このため、この
合わせ面2が互に密着し熱が伝達され易いように、合わ
せ面2は精密にすり合せ仕上げにより平坦にし接触度を
高め、複数のネジ6でサセプタ3とヒータブロック4を
締結し合わせ面2を互に密着させていた。
【0005】また、ヒーターブロック4およびサセプタ
3は、ともに熱伝導が良く高周波電源7の電力印加用の
電極としても電気特性が良いアルミニウム合金が使われ
ている。特に合わせ面2は、導電性をもたせるため表面
は無処理である。そして、被処理基板8は、サセプタ3
の上に置かれ、設定温度まで加熱され所定の処理プロセ
スを経た後に、順次、搬送によって被処理基板8は入れ
替えられていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電極兼
基板加熱装置では、合わせ面の当り面を良くするため
に、すり合わせ仕上げを行なうものの、当り面の合わせ
面に対する割合は、高々80パーセント程度である。そ
の上、サセプタの加熱冷却とネジの部分的締付けによっ
て歪みその接触度が変化し被処理基板の温度が安定しな
いという問題が多々起きる。この温度の不安定さが被処
理基板の品質に欠陥をもたらすという問題がある。
【0007】また、この加熱冷却による熱膨張と収縮の
繰返しによってサセプタとヒータブロックの合わせ面の
擦れが起き、この擦れにより粉状のアルミニュームの不
動態(絶縁物)が発生する。このアルミニューム粉が合
わせ面の電気的導通を悪くするという問題がある。
【0008】さらに、ネジ固定部以外の合わせ面部分が
熱歪等で徐々に湾曲して隙間を生じ、この隙間に種々の
プロセスが回り込みアルミニューム面に被膜をつくり、
その結果、アルミニューム面の電気的導通と熱伝導性が
徐々に悪化するという問題がある。さらに、この隙間部
分は閉鎖されることがあるから、隙間部に停留するガス
を排気することが困難となり、処理中にたまたま閉鎖空
間部が開きガス放出し被処理基板の処理品質に欠陥をも
たらすという問題がある。
【0009】従って、本発明の目的は、サセプタとヒー
タブロック間の電気的導通を良好に維持し、かつサセプ
タの変形を防ぎつつ被処理基板を加熱することのできる
電極兼基板加熱装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ヒータ
を内蔵する加熱源であるヒータブロックと、このヒータ
ブロックと同種類の金属で製作されるとともに該ヒータ
ブロックに接触し熱伝導により載置される被処理基板を
加熱するサセプタとを備える電極兼基板加熱装置におい
て、前記ヒータブロックと前記サセプタの両者の合わせ
面よりそれぞれ突出し互に接触し前記合わせ面より分割
され前記金属と異なる金属の複数の区分け面部材を有す
る電極兼基板加熱装置である。
【0011】また、前記区分け面部材が金属めっき層で
あることが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1(a)および(b)は本発明の一実施
の形態の電極兼基板加熱装置を示す部分破断断面図およ
びサセプタの平面図である。この電極兼基板加熱装置
は、図1に示すように、ヒータブロック4とサセプタ3
の両者の合わせ面2よりそれぞれ突出し互に接触し合わ
せ面2より分割されるアルミニューム合金と異なる金属
の複数の区分け面部1を設けたことである。
【0013】すなわち、図1(b)に示すように、この
区分け面部1を合わせ面2上に、例えば、格子状に配置
したことである。この区分け面部1の合わせ面2から突
出量は、0.01〜0.15mm程度で良く、製作し易
いことからめっきにより製作されることが望ましい。ま
た、このめっきは、アルミニューム合金と被着し易いニ
ッケルめっきが望ましい。さらに、耐摩耗性を重視する
ならば、ニッケルめっきの上に薄く硬質クロームめっき
を施すと良い。なお、区分け面部1に分割したために、
当り面の面積が小さくなる懸念があるが、合わせ面に対
する区分け面部の面積を70パーセント程度占るように
考慮すれば、複数のネジ穴6aを設け、ネジ6の締付け
力の調整によって完全に密着することができむしろ従来
より当り面の面積は安定して得られる。
【0014】図2は図1の電極兼基板加熱装置の動作挙
動を説明するための模式断面図である。ここで、図2に
示すように、温度の昇降によりサセプタ3とヒータブロ
ック4とが熱膨張による矢印ABのように伸縮を起すも
のの、サセプタ3とヒータブロック4の接触面は局所的
に接触する区分け面部1に分割されているため、合わせ
面2の全体の伸縮量ABが小さい伸縮CDに分散され、
しかも異種金属であるので、従来、起きていたアルミニ
ューム同志のような大きな振幅の擦れによる変色粉は生
じない。
【0015】また、熱膨張による応力歪は、接触面であ
る区分け面1に分割されているために分散し、サセプタ
3の湾曲等の変形もない。さらに、隣接する区分け面1
との間には排気道となる空間部があるので、処理ガスが
侵入してもこの排気道から排気されるので、品質を損な
う被処理基板8の汚染問題もなくなる。
【0016】図3は図1の区分け面部の変形例を示す平
面図である。前述した実施の形態における区分け面部の
変形例として、図3に示すように、円形の区分け面部1
aでも良い。この区分け面部1aを円形にすることで、
区分け面部1aの間を排気する際に、矩形状の区分け面
の場合に比べ排気抵抗が小さくなるという利点がある。
勿論、接触面積をより大きくするために六角形状にして
も良い。
【0017】また、区分け面部を形成するめっき層は、
Niの他にPt,Au,Ag,Cr等の一般に電気特性
の良いものならば、その材質を問わない。さらに、この
区分け面部を形成するのに金属めっき法に限らず、本体
に強力に異種金属を接合できるものであれば、他の方法
(金属溶射法あるいは金属薄板の被着等)を適用しても
良い。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、サセプタ
とヒータブロックとの合わせ面を分割し局部的に接触す
る複数の区分け面部材を設け、熱応力および熱歪みを各
区分け面部材に分散し、サセプタの変形を防止するとと
もにアルミ合金のような擦れによる変色粉の発生がなく
なるることができる。さらにそれに加えて、サセプタと
ヒータブロックとを複数のネジの締付け力により区分け
面部材の接触をより確実なものにすることによって、サ
セプタとヒータブロック間の接触固定面の電気的導通を
確実に維持出来るという効果がある。
【0019】また、サセプタとヒータブロックとの合わ
せ面に処理ガスを抱える隙間が生じても、区分け面部材
の間にあるガスの自由な通り路となり、処理ガスを排気
することができ、被処理基板を汚染することがなくな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の電極兼基板加熱装置を
示す部分破断断面図およびサセプタの平面図である。
【図2】図1の電極兼基板加熱装置の動作挙動を説明す
るための模式断面図である。
【図3】図1の区分け面部の変形例を示す平面図であ
る。
【図4】従来の一例における電極兼基板加熱装置を示す
部分破断断面図である。
【符号の説明】
1,1a 区分け面部 2 合わせ面 3 サセプタ 4 ヒータブロック 5 ヒータ 6 ネジ 6a ネジ穴 7 高周波電源 8 被処理基板

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ヒータを内蔵する加熱源であるヒータブ
    ロックと、このヒータブロックと同種類の金属で製作さ
    れるとともに該ヒータブロックに接触し熱伝導により載
    置される被処理基板を加熱するサセプタとを備える電極
    兼基板加熱装置において、前記ヒータブロックと前記サ
    セプタの両者の合わせ面よりそれぞれ突出し互に接触し
    前記合わせ面より分割され前記金属と異なる金属の複数
    の区分け面部材を有することを特徴とする電極兼基板加
    熱装置。
  2. 【請求項2】 前記区分け面部材が金属めっき層である
    ことを特徴とする請求項1記載の電極兼基板加熱装置。
JP28296295A 1995-10-31 1995-10-31 電極兼基板加熱装置 Expired - Fee Related JP2758868B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28296295A JP2758868B2 (ja) 1995-10-31 1995-10-31 電極兼基板加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28296295A JP2758868B2 (ja) 1995-10-31 1995-10-31 電極兼基板加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09129560A JPH09129560A (ja) 1997-05-16
JP2758868B2 true JP2758868B2 (ja) 1998-05-28

Family

ID=17659393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28296295A Expired - Fee Related JP2758868B2 (ja) 1995-10-31 1995-10-31 電極兼基板加熱装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2758868B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09129560A (ja) 1997-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5511799A (en) Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
JP5346018B2 (ja) プラズマ処理装置用のシャワーヘッド電極アセンブリ
KR20030043005A (ko) 웨이퍼 서셉터
JPH01251735A (ja) 静電チャック装置
JP2006080389A (ja) ウェハ支持部材
JP2758868B2 (ja) 電極兼基板加熱装置
US6193803B1 (en) Substrate holding apparatus for processing semiconductors
JP2004363335A (ja) 半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置
JP2002141403A (ja) ウエハ支持部材
JPH07283292A (ja) シール機構並びにこのシール機構を用いた処理装置及び処理方法
JP3657090B2 (ja) 加熱体及びこれを用いた半導体製造装置
JPS58102521A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07231034A (ja) 板状物の固定方法および装置ならびにプラズマ処理装置
CA1149085A (en) Method of making a strain buffer for a semiconductor device
JP3251762B2 (ja) 接合部の形成方法及び処理装置の部材間の接合方法
JPH11145264A (ja) 静電吸着ステージ及びこの静電吸着ステージを備えた基板処理装置
JPH10261697A (ja) 静電チャック
JPS63131519A (ja) ドライエツチング装置
JPH0786219A (ja) 基板処理装置
JP2000235950A (ja) 基板加熱装置及びこれを用いた半導体製造装置
JPH11191534A (ja) ウエハ支持部材
JP2002280442A (ja) 半導体処理装置
JPS63150938A (ja) 金属膜形成方法
JP2002110547A (ja) プラズマ処理装置
JPH11204625A (ja) 多層構造体及びこれを用いた保持装置及び処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980224

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees