JPS63150938A - 金属膜形成方法 - Google Patents
金属膜形成方法Info
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- JPS63150938A JPS63150938A JP29750486A JP29750486A JPS63150938A JP S63150938 A JPS63150938 A JP S63150938A JP 29750486 A JP29750486 A JP 29750486A JP 29750486 A JP29750486 A JP 29750486A JP S63150938 A JPS63150938 A JP S63150938A
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- metallic film
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は半導体基板上への金属膜の形成方法゛に関す
る。
る。
（従来の技術）
従来から、素子が形成された半導体基板上等に配線を形
成するために、金属膜を堆積する方法として、スパッタ
リング法、電子ビーム蒸着法ｃＥＢ法）や気相成長法（
ＣＶＤ法）等が用いられている。これらいずれの方法に
おいても膜堆積時における基板には、外力が加わらず基
板はほぼ平坦な形状を保っている。また基板は例えばア
ルミニウム膜形成時でも通常２００〜３００℃程度に加
熱されている。加熱されなくとも、基板表面の温度は膜
堆積時に、自然に上昇する。さらに、金属膜の熱膨張係
数は例えばＳｉのような半導体基板のそれより大きい。
成するために、金属膜を堆積する方法として、スパッタ
リング法、電子ビーム蒸着法ｃＥＢ法）や気相成長法（
ＣＶＤ法）等が用いられている。これらいずれの方法に
おいても膜堆積時における基板には、外力が加わらず基
板はほぼ平坦な形状を保っている。また基板は例えばア
ルミニウム膜形成時でも通常２００〜３００℃程度に加
熱されている。加熱されなくとも、基板表面の温度は膜
堆積時に、自然に上昇する。さらに、金属膜の熱膨張係
数は例えばＳｉのような半導体基板のそれより大きい。
このため、金属膜が形成された基板を装置から取り出し
たとき、基板温度が下降するので、金属膜と基板の熱膨
張係数の違いにより、基板が変形し、金属膜は基板から
引っ張りの応力を受けることになる。この引っ張り応力
の大きさは、通常１×１０〜１ ｘ １ｏ ｄｙｎ／ｍ
である。
たとき、基板温度が下降するので、金属膜と基板の熱膨
張係数の違いにより、基板が変形し、金属膜は基板から
引っ張りの応力を受けることになる。この引っ張り応力
の大きさは、通常１×１０〜１ ｘ １ｏ ｄｙｎ／ｍ
である。
金属膜に作用するこの大きな引っ張り応力のために、配
線パターン形成後あるいは、その後の絶縁膜形成等の工
程、さらには配線に電流を流しているときに配線が切れ
るいわゆるオープン不良を起こすことになる。
線パターン形成後あるいは、その後の絶縁膜形成等の工
程、さらには配線に電流を流しているときに配線が切れ
るいわゆるオープン不良を起こすことになる。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、従来の金属膜形成法では。
金属膜に基板からの大きな引っ張り応力を受けて。
オープン不良の原因となり、素子の信頼性を著しく低下
させていた。
させていた。
本発明の目的は、基板上に形成された金属膜に引っ張り
応力が作用しないようにして、配線のオープン不良が起
こらないようにすることである。
応力が作用しないようにして、配線のオープン不良が起
こらないようにすることである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記問題点を解決するために、金属膜を形成す
る際に、あらかじめ半導体基板を凸面状に変形させてお
くものである。
る際に、あらかじめ半導体基板を凸面状に変形させてお
くものである。
（作用）
金属膜を形成した基板を装置から取り出し、室温まで基
板が冷却されるとき、金属膜の熱膨張係数が基板のそれ
より大きい、即ち、冷却時においては、金属膜の方が基
板よりより収縮するが、本発明では膜形成時に基板をあ
らかじめ凸面状に変形させておくため、基板が室温にな
っても金属膜には引っ張り応力は加わらなくなる。この
結果。
板が冷却されるとき、金属膜の熱膨張係数が基板のそれ
より大きい、即ち、冷却時においては、金属膜の方が基
板よりより収縮するが、本発明では膜形成時に基板をあ
らかじめ凸面状に変形させておくため、基板が室温にな
っても金属膜には引っ張り応力は加わらなくなる。この
結果。
配線のオープン不良は起こらなくなる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を行なうためのスパッタ装置
の構成図である。スパッタ室１には、ターゲット電極２
と基板電極３が設置されている。
の構成図である。スパッタ室１には、ターゲット電極２
と基板電極３が設置されている。
ターゲット電極２には直流電源４により電圧が印加され
スパッタリングを行なう。才だターゲット電極２には例
えばアル−ミニラムターゲット５が装着されている。基
板電極３には、基板電極をその支持具６に沿って上下さ
せるための駆動装置７が備っており、また基板８を周辺
で保持できるようになっている。スパッタ室１にはガス
導入口９から例えばＡｒガスを導入し、排出口１０から
ポンプ系に引き出す。スパッタ中のＡｒガス圧力は５ｍ
Ｔｏｒｒとし、またスパッタ電力はｌ ｋＷとした。さ
らに基板加熱ランプにより、基板温度を２５０℃にして
からスパッタリングを行なった。
スパッタリングを行なう。才だターゲット電極２には例
えばアル−ミニラムターゲット５が装着されている。基
板電極３には、基板電極をその支持具６に沿って上下さ
せるための駆動装置７が備っており、また基板８を周辺
で保持できるようになっている。スパッタ室１にはガス
導入口９から例えばＡｒガスを導入し、排出口１０から
ポンプ系に引き出す。スパッタ中のＡｒガス圧力は５ｍ
Ｔｏｒｒとし、またスパッタ電力はｌ ｋＷとした。さ
らに基板加熱ランプにより、基板温度を２５０℃にして
からスパッタリングを行なった。
基板８として例えば１２５震φの８ｉウエハを用い周辺
部に対して中央部を５０μｍ凸状にそらしてから、アル
ミニウム膜を約１μｍ堆積させた。その後、ウェハを装
置から取り出してウェハのそりを測定したところ２０μ
ｍの凸状であった。即ち、アルミニウム膜はＳｉ基板か
らは引っ張り応力ではなく圧縮応力を受けていることを
意味している。また、実際にアルミニウム膜を配線パタ
ーンに加工した後、さらに絶縁膜を形成した後でもアル
ミ配線のオープン不良は起きなかった。
部に対して中央部を５０μｍ凸状にそらしてから、アル
ミニウム膜を約１μｍ堆積させた。その後、ウェハを装
置から取り出してウェハのそりを測定したところ２０μ
ｍの凸状であった。即ち、アルミニウム膜はＳｉ基板か
らは引っ張り応力ではなく圧縮応力を受けていることを
意味している。また、実際にアルミニウム膜を配線パタ
ーンに加工した後、さらに絶縁膜を形成した後でもアル
ミ配線のオープン不良は起きなかった。
本実施例では金属膜としてアルミニウム膜について説明
したが、ＳｉやＣｕ等とのＭ合金や、Ａｕ、Ａｇさらに
Ｗ 、 Ｍ ｏ等の高融点金属やそれらのシリサイドで
もよい。
したが、ＳｉやＣｕ等とのＭ合金や、Ａｕ、Ａｇさらに
Ｗ 、 Ｍ ｏ等の高融点金属やそれらのシリサイドで
もよい。
また、金属膜形成時の基板のそりの量も形成させる膜と
基板の熱膨張係数の差により適宜法めればよい。
基板の熱膨張係数の差により適宜法めればよい。
さらに１本実施例ではスパッタ法について述べたが、Ｅ
Ｂ法やＣＶＤ法でも本発明は有効である。
Ｂ法やＣＶＤ法でも本発明は有効である。
本発明により、基板上に形成された金属膜に引っ張り応
力が作用しなくなり、配線のオープン不良が起こらず、
素子の信頼性は著しく向上する。
力が作用しなくなり、配線のオープン不良が起こらず、
素子の信頼性は著しく向上する。
第１図は本発明の一実施例による方法を行なうためのス
パッタ装置の構成図である。 １・・・スパッタ室。 ２・・・ターゲット電極、 ３・・・基板電極。 ４・・・直流電源。 ５・・・ターゲット（アルミニウム）。 ６・・・基板電極支持具、 ７・・・駆動装置。 ８・・・基 板、 ９・・・ガス導入口、 １０・・・ガス排出口。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
パッタ装置の構成図である。 １・・・スパッタ室。 ２・・・ターゲット電極、 ３・・・基板電極。 ４・・・直流電源。 ５・・・ターゲット（アルミニウム）。 ６・・・基板電極支持具、 ７・・・駆動装置。 ８・・・基 板、 ９・・・ガス導入口、 １０・・・ガス排出口。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- 素子が形成された半導体基板上に金属膜を形成する工程
において、該金属膜を形成する前記基板表面を凸面状に
変形させておくことを特徴とする金属膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29750486A JPS63150938A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 金属膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29750486A JPS63150938A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 金属膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150938A true JPS63150938A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17847369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29750486A Pending JPS63150938A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 金属膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63150938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165663A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29750486A patent/JPS63150938A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165663A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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