JP2755877B2 - 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子の電極構造 - Google Patents
薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子の電極構造Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 59
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
ってエレクトロ・ルミネッセンス(以下、ELと略称す
る)発光を呈する薄膜EL素子の電極構造に関する。
を有している。すなわち、ベースとしてのガラス基板1
上に錫添加酸化インジウム(以下、ITOと略称する)等
からなる帯状且つ平行に延在する複数の透明電極2が形
成されている。そして、さらにその上には、第1誘電体
層3およびEL発光を呈する発光層4が順次積層されて
いる。
材として適当な活性材(例えば、Mn(マンガン))を添加
して得られる。そして、上記発光層4上には第2誘電体
層5が形成され、この第2誘電体層5上にAl(アルミニ
ウム)等からなる帯状に且つ透明電極2に直交して平行
に延在する複数の背面電極6が形成されている。
は、透明電極2と背面電極6との間に高電界(例えば、
6×105V/cm)を印加することにより、マトリックス
状に配列された透明電極2と背面電極6との交差領域に
挟持された発光層4が発光する。この両電極2,6の交
差領域のことを、表示される絵の一つの要素であること
から絵素部と称する。
変化の安定化および不良素子を除去する等の目的で、透
明電極2と背面電極6との間に一定期間交流電圧を印加
してエージング処理を行う必要がある。
ている。すなわち、一枚のガラス基板上に並列して形成
された二つの薄膜EL素子の全絵素を同時に処理し且つ
エージング処理駆動回路を簡略化するために、図4に示
すように、夫々の透明電極2および背面電極6の各両端
部のうち第2誘電体層5よりも外方に突出している一端
部を引き出して短絡パターン7で短絡する。そして、こ
の短絡パターン7を介して二つの薄膜EL素子における
透明電極2と背面電極6との間に交流電圧パルス8を同
時に印加し、二つの薄膜EL素子の全絵素を同時に発光
させてエージング処理を行うのである。図5は、図4に
おける図中下側半分の拡大図である。
グ処理に際して、上記透明電極2あるいは背面電極6は
一端部のみが短絡パターン7によって短絡されている。
したがって、短絡パターン7から離れるほど絵素部の時
定数が大きくなる。ここで、上記時定数は、絵素部にお
ける両電極2,6間の容量を“C"、短絡パターン7から
上記絵素部に至るまでの間に形成された透明電極2ある
いは背面電極6(以下、抵抗電極と言う)の抵抗を“R"
とした場合に、CRで表される。
電極間2,6間に印加される交流電圧のパルス波形は、
図6(A)に示すように歪み無く均一であることが適正な
エージング処理を実施する上において望ましい。ところ
が、上述のように時定数CRがある場合には、図6(A)
のパルス波形に歪みが生じてしまう。
ち、短絡パターン7から絵素までの距離が短い場合)に
は時定数は小さく、しかも抵抗Rによる電圧降下も僅か
である。したがって、当該抵抗電極に接続されたどの絵
素に対しても大略同じような波形のパルス電圧が印加さ
れて均一なエージング処理が実施されるので問題はな
い。しかしながら、表示容量が大きくなって抵抗電極が
長くなった場合には、抵抗Rおよび時定数CRが共に大
きくなってエージング処理上無視できなくなる。
離れるに連れて、絵素における両電極2,6間に印加さ
れるパルス波形は、図6(A)に示すような本来の波形か
ら図6(B)に示すように立ち上がりおよび立ち下がりが
遅く抵抗Rによる電圧降下の大きい波形となる。そのた
めに、均一なエージング処理ができなくなり、処理効率
が悪くなるという問題がある。
のエージング処理を全面に亘って均一に且つ効率良く実
施できる薄膜EL素子の電極構造を提供することにあ
る。
め、この発明は、EL発光層の一表面上に平行に配列さ
れた帯状の透明電極を誘電体層を介して形成する一方他
表面上に上記透明電極に直交して平行に配列された帯状
の背面電極を誘電体層を介して形成して成る薄膜EL素
子の電極構造において、同一基板上に複数の薄膜EL素
子を並列して形成するに際して、上記複数の薄膜EL素
子の透明電極または背面電極の少なくとも一方を互いに
電気的に連なった一本の構造にし、上記電気的に一本に
連なった透明電極(または背面電極)のうち夫々の薄膜E
L素子を構成する透明電極(または背面電極)における一
端を駆動用電極とする一方、他端をエージング専用端子
とすることを特徴としている。
子を並列して形成する際に、上記複数の薄膜EL素子の
透明電極またはそれに直交する背面電極の少なくとも一
方が電気的に連なって一本の構造に形成されている。そ
して、上記複数の薄膜EL素子をエージング処理する際
には、上記電気的に連なって一本の構造を成している透
明電極(あるいは背面電極)のうち夫々の薄膜EL素子を
構成する透明電極(あるいは背面電極)の一端で成る駆動
用電極の総てが短絡される一方、他端で成るエージング
専用端子の総てが短絡される。また、電気的に連なって
一本の構造を成していない上記背面電極(あるいは透明
電極)が在ればその総ての一端が短絡される。そして、
透明電極群における総ての短絡端子と背面電極群におけ
る総ての短絡端子との間に交流電圧パルスが印加され
る。こうして、上記各薄膜EL素子を構成する透明電極
または背面電極の少なくとも一方の両端に同じ電圧が同
時に印加されて、上記透明電極(または背面電極)におけ
る電圧降下の最大箇所が各薄膜EL素子の中央部に設定
される。
説明する。本実施例における薄膜EL素子の構造は、従
来の場合と大略同じであり図3に示す通りである。以
下、従来例と同じ物は同じ番号で説明する。
電極2とこの透明電極2に直交する方向に延在する複数
の帯状の背面電極6との間に、第1,第2誘電体層3,5
を介してEL発光を呈する発光層4を設ける。上記透明
電極2はITO等からなり、発光層4はZnSを母材と
して適当な不活材(Mn等)を添加して得る。また、上記
背面電極6はAl等からなる。
明電極2と背面電極6との間に高電界(6×105V/cm)
を印加することによって、透明電極2と背面電極6との
交差領域に位置してマトリックス状に配列された絵素部
の発光層4が発光する。
におけるエージング処理用の結線を示す平面図である。
尚、本実施例における薄膜EL素子は、一枚のガラス基
板1上に二つの薄膜EL素子を並列させて形成する所謂
二枚取りである。また、図2は、図1における一方の薄
膜EL素子に係る拡大図である。
の点である、すなわち、図1および図2に示すように、
一枚のガラス基板1上に並列して二つの薄膜EL素子を
形成する際に、両薄膜EL素子における夫々の透明電極
2を電気的に連ねて一本に形成する点である。そして、
電気的に一本に連なった透明電極2の両端部および背面
電極6の一端部を第2誘電体層5の端部よりも外方に突
出させる。
子における電気的に一本に連なった透明電極2の両端部
を駆動用電極2aとし、両薄膜EL素子の間に在って第
2誘電体層5の端部よりも外方に位置した中間部をエー
ジング専用端子2bとする。そうすることによって、エ
ージング処理終了後に、中央の二本の分断ライン9'の
箇所でエージング専用端子2bを取り去って隣接する二
つの薄膜EL素子を分離することができる。その際にお
けるエージング専用端子2bの長さは必要最小限であれ
ばよい。
の薄膜EL素子における透明電極2を電気的に連ねて各
第2誘電体層5の端部よりも外方に位置する総てのエー
ジング専用端子2bを一つの短絡パターン7'によって短
絡する。こうして、隣接する二つの薄膜EL素子のエー
ジング専用端子2b同士を一つの短絡パターン7'によっ
て短絡するのである。それと同時に、他の短絡パターン
7によって、夫々の薄膜EL素子における透明電極2の
駆動用電極2a同士および背面電極6の一端部同士を短
絡させる。そして、図1に示すように、上記二組の薄膜
EL素子の夫々における透明電極2の短絡された両端部
2a,2bと背面電極6の短絡された一端部との間に交流
電圧パルス8を印加し、二組の薄膜EL素子の全絵素を
同時に発光させてエージング処理を行うのである。
理時においては、夫々の薄膜EL素子における透明電極
2の両端部2a,2b間の電位は等しくなり、抵抗電極と
しての透明電極2の電圧降下は駆動用電極2aとエージ
ング専用端子2bとの中央部が最も大きくなる。これに
対して、従来では透明電極2における交流電圧パルス印
加端部とは反対側の端部での電圧降下が最も大きくな
る。したがって、本実施例によって電圧降下の程度を従
来の1/2にすることができる。
取りの薄膜EL素子形成の際に隣接する二つの薄膜EL
素子の透明電極2を電気的に連ねて一本に形成し、電気
的に一本に連なった透明電極2の中央部において隣接す
る第2誘電体層5より外側に位置したエージング専用端
子2b同士を一本の短絡パターン7'で短絡する。したが
って、エージング処理時に、電気的に一本に連なった透
明電極2の両端を短絡する短絡パターン7と短絡パター
ン7'とに同じ電圧を印加することによって、夫々の薄
膜EL素子の透明電極2の両端に同時に同じ電圧を印加
できる。
時定数と電圧降下とを従来例よりも半減でき、図6(A)
に示す本来の波形に近似したパルス波形が各絵素の両電
極2,6間に印加される。したがって、薄膜EL素子全
面に亘って均一に且つ効率良くエージング処理を実施で
きる。
に説明しているが、この発明はこれに限定されるもので
はなく三枚取り以上であっても構わない。また、上記実
施例においては、透明電極2のみが電気的に連なって一
本になるように複数薄膜EL素子を配列しているが、背
面電極6が電気的に連なって一本になるように複数薄膜
EL素子を配列してもよい。また、さらに両電極2,6
の夫々が電気的に連なって一本になるように複数薄膜E
L素子を配列してもよい。この場合には一方の電極のみ
が連なって一本になっている場合に比較してより大きな
効果を得ることができる。
膜EL素子の電極構造は、同一基板上に複数の薄膜EL
素子を並列して形成するに際して、上記複数の薄膜EL
素子の透明電極または背面電極の少なくとも一方を互い
に電気的に連なった一本の構造にして、上記電気的に一
本に連なった透明電極(または背面電極)のうち夫々の薄
膜EL素子を構成する透明電極(または背面電極)におけ
る一端を駆動用電極とする一方他端をエージング専用端
子としたので、エージング処理の際には、上記電気的に
一本に連なった透明電極(または背面電極)の上記駆動用
電極,エージング専用端子および電気的に一本に連なっ
ていない上記背面電極群(または透明電極群)の一端の夫
々を短絡して、上記透明電極群における総ての短絡端子
と上記背面電極群における総ての短絡端子との間に交流
電圧パルスを印加できる。
各薄膜EL素子を構成する透明電極または背面電極の少
なくとも一方の両端に同じ電圧を同時に印加して、上記
透明電極(または背面電極)における電圧降下の最大箇所
を各薄膜EL素子の中央部に設定できる。
における短絡パターンから絵素部までの距離を短くして
各絵素の時定数を小さくすることによって絵素の両電極
間に印加されるパルス波形の歪みを小さくし、薄膜EL
素子のエージング処理を全面に亘って均一に且つ効率良
く実施できる。
実施例およびエージング処理結線を示す図である。
グ処理結線を示す図である。
示す図である。
…第1誘電体層、 4…発光層、5…第
2誘電体層、 6…背面電極、7,7'…
短絡パターン、 8…交流電圧パルス、9,
9'…分断ライン。
Claims (1)
- 【請求項1】 エレクトロ・ルミネッセンス発光層の一
表面上に平行に配列された帯状の透明電極を誘電体層を
介して形成する一方、他表面上に上記透明電極に直交し
て平行に配列された帯状の背面電極を誘電体層を介して
形成して成る薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子の電
極構造において、 同一基板上に複数の薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素
子を並列して形成するに際して、上記複数の薄膜エレク
トロ・ルミネッセンス素子の透明電極または背面電極の
うち少なくとも一方を互いに電気的に連なった一本の構
造にし、 上記電気的に一本に連なった透明電極または背面電極の
うち夫々の薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子を構成
する透明電極または背面電極における一端を駆動用電極
とする一方、他端をエージング専用端子とすることを特
徴とする薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子の電極構
造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4210138A JP2755877B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4210138A JP2755877B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子の電極構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0660984A JPH0660984A (ja) | 1994-03-04 |
JP2755877B2 true JP2755877B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=16584413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4210138A Expired - Fee Related JP2755877B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子の電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2755877B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100662296B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2007-01-02 | 엘지전자 주식회사 | 유기el 모듈 에이징 방법 |
JP4486833B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-06-23 | オプトレックス株式会社 | 有機el表示素子用基板及び有機el表示素子の製造方法 |
KR100606815B1 (ko) * | 2004-04-13 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자의 에이징 방법 |
JP4499490B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2010-07-07 | オプトレックス株式会社 | 有機el表示装置用基板および有機el表示装置 |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP4210138A patent/JP2755877B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0660984A (ja) | 1994-03-04 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080306 Year of fee payment: 10 |
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