JP2752356B2 - 情報変換装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は、例えば液晶表示などで電気から光へと云
う様に、或る形式から別の形式に情報を変換する装置、
更に具体的に言えば、補助アドレス線を情報変換装置に
設けて装置の製造上の歩留まりを高めることに関する。 液晶表示装置のような情報変換装置は、多数のセルを
Ｘ−Ｙマトリクス形式に組立てると云う様に構成するの
が典型的である。装置の“X"位置と電気的に連絡する複
数個のＸアドレス線を設けると共に、装置の“Y"位置と
電気的に連絡する複数個のＹアドレス線を設ける。情報
変換装置内の特定の位置は、この問題の位置に関連する
特定のＸ及びＹアドレス線を使って、連絡することが出
来る。 情報変換装置を製造する時、開路のアドレスが出来る
のを避けることは極めて困難である。従って、アドレス
線の内、開路が存在する部分が外部回路から電気的に隔
離され、この隔離された部分に関連する装置のセルは正
しく動作することが出来ない。セルの故障は、装置の解
像度を低下させると共に虚偽のデータを発生することに
より、情報交換装置の性能に悪影響を与える。アドレス
線に開路が存在することによるセルの誤動作を極力少な
くする為に、そのまゝでは電気的に隔離されているアド
レス線の部分に電気的に接続出来る補助アドレス線を設
けることが望ましい。こうすれば、アドレス線の内、そ
のまゝでは隔離されている部分に関連するセルを正常に
動作させることが出来る。この結果、高い解像度を持つ
と共に正確にデータを表示する情報変換装置の製造上の
歩留まりが達成される。 発明の要約 従って、この発明の目的は、製造上の歩留まりを高く
して、高解像度、高精度の情報変換装置を提供すること
である。 この発明の別の目的は、経済的に作ることが出来て、
製造上の歩留まりを高くした情報変換装置を提供するこ
とである。 この発明の別の目的は、標準形の製造装置を用いて、
製造上の歩留まりを高くして作ることが出来る情報変換
装置を提供することである。 この発明の上記並びにその他の目的が、好ましい形で
は、Ｘ−Ｙマトリクス形式に配置された複数個の情報変
換セルを持つ形式の情報変換装置で実現される。装置
は、導電材料から成る複数個の主Ｘアドレス線と、導電
材料から成る複数個の主Ｙアドレス線とを持つ。主Ｘ及
びＹアドレス線によってアドレスし得る装置区域内で、
主Ｘアドレス線と主Ｙアドレス線は互いに横方向を向い
ている。更に装置は、導電材料から成る少なくとも１本
の補助Ｘアドレス線と、導電材料から成る少なくとも１
本の補助Ｙアドレス線とを有する。補助Ｘアドレス線は
少なくとも１本の主Ｘアドレス線と交差して、必要な場
合、この主Ｘアドレス線と電気的に短絡するようになっ
ている。補助Ｙアドレス線は少なくとも１本の主Ｙアド
レス線と交差して、必要な場合、この主Ｙアドレス線と
電気的に短絡できるようになっている。 補助Ｘアドレス線と補助Ｙアドレス線とは、装置の解
像度が害なわないようにする為に、情報変換装置のアド
レスし得る区域の外側に配置することが好ましい。然
し、補助アドレス線は、それが交差する任意の主アドレ
ス線と電気的に短絡することが出来るから、補助線は比
較的少数しか必要とせず、装置のアドレスし得る区域内
で主アドレス線と入り混ぜにしても、装置の解像度が著
しく低下することはない。 この発明の新規と考えられる特徴は特許請求の範囲に
記載してあるが、この発明並びその他の目的は、以下図
面について説明する所から、更によく理解されよう。 好ましい実施例の詳しい説明 第１図は、例えば電気情報を光情報に変換する為に、
情報変換装置（図面に示してない）に有利に取入れるこ
とが出来る電極又は「線」の配置10を略図で示す。線の
配置は、主Ｘアドレス線12A及び主Ｘアドレス線12Bを含
み、これ等は図示の様に互い違いであることが望まし
い。主Ｘアドレス線12A,12Bは、アドレス可能な区域14
（破線の囲みで示す）から外向きに電気回路（図面に示
してない）まで伸び、この電気回路が主Ｘアドレス線12
A,12Bに電気信号を供給するか、又はその代りに、これ
らの線の電気状態を感知することが出来る。同様に、線
の配置10は主Ｙアドレス線16A及び主Ｙアドレス線16Bを
含み、これらの線は互い違いであることが好ましい。主
Ｘアドレス線12A,12Bの数並びに主Ｙアドレス線16A,16B
の数は、典型的には夫々100程度であり、４吋×４吋の
アドレス可能な区域を持つ液晶表示装置の用途では、40
0が好ましい値である。 線の配置10のアドレス可能な区域14の中には、Ｘ−Ｙ
マトリクス形式に配置された複数個の情報変換セル18が
ある。第１図の略図では、セル18が単に四角で示されて
いる。情報変換セル18の更に詳しい図が第２図にある。
第２図の回路図で、主Ｘアドレス線12A,12Bが主Ｙアド
レス線16A,16Bから電気的に切離されていることが判
る。液晶素子200又は他の情報変換素子がスイッチング
素子202と基準又は大地電位の点204との間に電気的に接
続されることが示されている。液晶素子200は液晶素子
の主な電気特性に従ってコンデンサとして示されてい
る。公知の様に、液晶素子が独立の光源から発生された
光の受動形伝達器を構成し、この点では写真用カメラの
シャッタと同様である。然し、この発明は液晶素子200
を使うことに制限されない。液晶素子の代りとして、電
気クロマティック又は電気泳動材料のような、この他の
光の受動形伝達器がある。更に液晶素子200に代るもの
として、光放出ダイオード又はその他の電界発光材料の
ような光の能動形発生器がある。更に別の代りとして、
Ｘ線シンチレータの様に、電気的に応答する光センサが
ある。その他、液晶素子200の代りとして、圧電素子の
ように、電気的な情報を機械的な情報に、又はその逆に
変換する素子を液晶素子200の代りに使うことが出来
る。 第２図のスイッチング装置202は、図示の様に、好ま
しくは非晶質シリコン形の電界効果トランジスタ（FE
T）で構成することができる。FET202は、主Ｘアドレス
線12Aに接続されたゲート電極Ｇ、主Ｙアドレス線16Bに
接続されたソース電極Ｓ及び液晶素子200に接続された
ドレイン電極Ｄを持っている。当業者が知っている様
に、主Ｘアドレス線12Aを介して、FET202のゲートＧ
に、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの間でFET202を導
電させるのに適切な電気ゲート信号を加えた時には、何
時でも、液晶素子200がFET202を介して主Ｙアドレス線1
6Bに電気的に接続される。情報変換セル18にある１個の
FET202しか示していないが、セル18に付加のFET（１個
又は複数）を設けて、１つ又は更に多くのFETが不良で
あった場合の冗長度を持たせることが出来る。 再び第１図に戻って説明すると、線の配置10は補助Ｘ
アドレス線12A′,12B′と補助Ｙアドレス線16A′,16B′
をも含んでいる。補助Ｘアドレス線12A′が主Ｘアドレ
ス線12Aと交差し、１本の主Ｘアドレス線12Aと電気的に
短絡できるようになっている。同様に、補助Ｘアドレス
線12B′か主Ｘアドレス線12Bと同様な「交差」関係を持
ち、Ｙアドレス線の群16A′と16A及び別の群16B′と16B
についても同じことが言える。（「交差」と云う言葉及
びその転用はこの明細書で広義に使われており、互いに
交差する線の垂直方向の高さに関係なく、単にアドレス
線が互いに横方向の関係を持つことを指している）。補
助アドレス線（12A′,12B′）の数は図面に示した数と
は違ってもよく、線の配置10にある主Ｘ及びＹアドレス
線に欠陥が生ずる惧れに関係する。次の例は、線の配置
に於ける補助アドレス線の数と主アドレス線の数の間の
好ましい関係を取上げる。 例として言うと、液晶表示装置に対する典型的な線の
配置は、400本の主Ｘアドレス線と400本の主Ｙアドレス
線のＸ−Ｙマトリスクで構成され、各々のアドレス線の
幅は約10マイクロメータである。この様なＸ−Ｙマトリ
クス形表示装置を適切に保護するには、主アドレス線の
数に対する補助アドレス線の数の比は、1/10又はそれ以
上であるのが好ましいことが判った。 この例が示すように、補助アドレス線と主アドレス線
との比は比較的小さくすることが出来る。この為、補助
アドレス線が占める装置の面積が減少して有利である。
従って、装置のアドレス可能な区域（例えば第１図の区
域14）内に補助アドレス線を配置した時、装置の解像度
が著しく低下することがない。補助アドレス線を装置の
アドレス可能な区域の外側におくと、装置の最大限の解
像度が達成される。この発明の別の有利な特徴は、補助
アドレス線を経済的に実現することが出来ることであ
る。これは、主アドレス線を形成するのに使われるのと
同じ製造工程で、補助線を形成することができるからで
ある。この特徴に関連して、主アドレス線と同じく、補
助アドレス線を形成するのに、標準的な製造装置を使う
ことが出来ると別の有利な特徴がある。 この発明の補助アドレス線を次の様に利用して、主ア
ドレス線を駆動するか又はその電気状態を感知する関連
する回路（図面に示してない）から電気的に切離された
主アドレス線に対して電気接続をすることが出来る。例
えば、一番下に示した主Ｘアドレス線12Bが位置50（図
式的に円で示す）で開路した場合、一番左に示した補助
Ｘアドレス線12A′（又は一番右の線12A′）を、主Ｘア
ドレス線12Bの内、そのまゝでは切離されている部分52
に対して電気的に短絡すればよい。この電気的な短絡
が、本来は切離されている部分52と一番左に示した補助
Ｘアドレス線12A′との交差位置54（円で示す）に図式
的に示してある。次に交差位置54で電気的な短絡を行な
う手順を説明する。 一番下に示した主Ｘアドレス線12Bの位置50に於ける
開路は、製造手順中に避け難い欠陥により、思わざるこ
とゝして出来ることがある。例えば、線の配置10を形成
する過程で汚染物が存在して、その結果、位置50に示す
様な開路が生じることがある。或いは位置50に示す様な
開路は、例えば主Ｘアドレス線と主Ｙアドレス線の間の
電気的な短絡を切離す為に、公知のレーザ蒸発方法によ
ってわざと作ることがある。例として、交差位置56（即
ち、主Ｙアドレス線16Bと主Ｘアドレス線12Bの間）に電
気的な短絡がある場合、主Ｙアドレス線60上の位置56に
ある短絡を切離す為に、位置50及び位置58（図式的に破
線の円で示す）にわざと開路を作ることがある。この場
合、一番左に示した補助Ｘアドレス線12A′（又は一番
右の線12A′）を前に述べた様に使って、一番下に示し
た主Ｘアドレス線12Bの、そのまゝでは切離されている
部分52に電気的に接続することが出来る。 補助アドレス線を主アドレス線に電気的に短絡する好
ましい第１の方法が第3A図に示されており、この図は第
１図のアドレス線の配置10の一部分を示す。主Ｘアドレ
ス線12Bと補助Ｘアドレス線12A′が簡略化した平面図で
第3A図に示されており、補助アドレス線が交差位置54で
主アドレス線と交差している。基板300が主及び補助ア
ドレス線12B,12A′を支持している。絶縁膜302を用いて
補助アドレス線12A′を主アドレス線12Bから誘導体によ
って隔てゝいる。然し、補助及び主アドレス線12A′,12
Bを電気的に短絡したい時、絶縁層302による誘電体分離
作用は不要になる。 補助及び主アドレス線12A′,12Bを電気的に短絡する
為、補助アドレス12A′上の４箇所304（図式的に円で示
す）にレーザ・パルスを差向ける。各々の位置304に１
個のレーザ・パルスを使うのが、補助及び主アドレス線
12A′,12Bを電気的に短絡するのに適当であることが判
ったが、これより少ない数の位置にパルスをあてゝも適
切であろう。レーザ・パルスとアドレス線12A′,12B及
び絶縁層302との詳しい相互作用は判っていない。然
し、この発明を実施するのに、判っている必要はない。
例を挙げると、モリブデンの補助アドレス線12A′をチ
タンの主アドレス線12Bに電気的に短絡するには、絶縁
層が1500Åの窒化シリコンの部分層に2500Åの非晶質シ
リコンの部分層を重ねて構成される場合、各々の位置30
4に対して、パルス形キセノン・レーザからの、パルス
１個あたり0.1ミリジュールのエネルギを持つ１マイク
ロ秒のパルスが適当であることが判った。 補助及び主アドレス線12A′,12Bを電気的に短絡する
別の方法が第3B図に示されており、この図も第3A図と同
様である。絶縁層302の上から補助及び主アドレス線12
A′,12Bに導電性エポキシの様な電気短絡（即ち、導電
性）媒質306を適用して、これらの線を電気的に短絡す
る。例として言うと、電気短絡媒質306を形成する適当
な導電ペーストは、銀粒子を充填したエポキシ又は塗料
である。この代りに、電気短絡媒質306は、例えば、ジ
メチル・カドミウムの様な有機金属試薬に第3B図のアド
レス線構造を露出した時に、短絡媒質306の所望の場所
に差向けたレーザ・パルスの作用によって形成される熱
沈積金属であってよい。後に述べた熱作用による金属沈
積方法は公知であり、例えばアプライド・フィジックス
Ａ誌、第A27巻（1982年）第133頁乃至第138頁所載のY.
フロワドボー他の論文「Cd（CH3）２の可視波長のレー
ザによる解離による透明基板上のカドミウムの沈積」に
記載されている。 以上、製造上の歩留まりの高い、高解像度で高精度の
情報変換装置を説明した。この装置は標準的な製造装置
を用いて経済的に製造することが出来る。 この発明を特定の実施例について説明したが、当業者
には種々の変更が考えられよう。従って、特許請求の範
囲は、この発明の範囲内に含まれる全ての変更、置換を
包括するものと承知されたい。
う様に、或る形式から別の形式に情報を変換する装置、
更に具体的に言えば、補助アドレス線を情報変換装置に
設けて装置の製造上の歩留まりを高めることに関する。 液晶表示装置のような情報変換装置は、多数のセルを
Ｘ−Ｙマトリクス形式に組立てると云う様に構成するの
が典型的である。装置の“X"位置と電気的に連絡する複
数個のＸアドレス線を設けると共に、装置の“Y"位置と
電気的に連絡する複数個のＹアドレス線を設ける。情報
変換装置内の特定の位置は、この問題の位置に関連する
特定のＸ及びＹアドレス線を使って、連絡することが出
来る。 情報変換装置を製造する時、開路のアドレスが出来る
のを避けることは極めて困難である。従って、アドレス
線の内、開路が存在する部分が外部回路から電気的に隔
離され、この隔離された部分に関連する装置のセルは正
しく動作することが出来ない。セルの故障は、装置の解
像度を低下させると共に虚偽のデータを発生することに
より、情報交換装置の性能に悪影響を与える。アドレス
線に開路が存在することによるセルの誤動作を極力少な
くする為に、そのまゝでは電気的に隔離されているアド
レス線の部分に電気的に接続出来る補助アドレス線を設
けることが望ましい。こうすれば、アドレス線の内、そ
のまゝでは隔離されている部分に関連するセルを正常に
動作させることが出来る。この結果、高い解像度を持つ
と共に正確にデータを表示する情報変換装置の製造上の
歩留まりが達成される。 発明の要約 従って、この発明の目的は、製造上の歩留まりを高く
して、高解像度、高精度の情報変換装置を提供すること
である。 この発明の別の目的は、経済的に作ることが出来て、
製造上の歩留まりを高くした情報変換装置を提供するこ
とである。 この発明の別の目的は、標準形の製造装置を用いて、
製造上の歩留まりを高くして作ることが出来る情報変換
装置を提供することである。 この発明の上記並びにその他の目的が、好ましい形で
は、Ｘ−Ｙマトリクス形式に配置された複数個の情報変
換セルを持つ形式の情報変換装置で実現される。装置
は、導電材料から成る複数個の主Ｘアドレス線と、導電
材料から成る複数個の主Ｙアドレス線とを持つ。主Ｘ及
びＹアドレス線によってアドレスし得る装置区域内で、
主Ｘアドレス線と主Ｙアドレス線は互いに横方向を向い
ている。更に装置は、導電材料から成る少なくとも１本
の補助Ｘアドレス線と、導電材料から成る少なくとも１
本の補助Ｙアドレス線とを有する。補助Ｘアドレス線は
少なくとも１本の主Ｘアドレス線と交差して、必要な場
合、この主Ｘアドレス線と電気的に短絡するようになっ
ている。補助Ｙアドレス線は少なくとも１本の主Ｙアド
レス線と交差して、必要な場合、この主Ｙアドレス線と
電気的に短絡できるようになっている。 補助Ｘアドレス線と補助Ｙアドレス線とは、装置の解
像度が害なわないようにする為に、情報変換装置のアド
レスし得る区域の外側に配置することが好ましい。然
し、補助アドレス線は、それが交差する任意の主アドレ
ス線と電気的に短絡することが出来るから、補助線は比
較的少数しか必要とせず、装置のアドレスし得る区域内
で主アドレス線と入り混ぜにしても、装置の解像度が著
しく低下することはない。 この発明の新規と考えられる特徴は特許請求の範囲に
記載してあるが、この発明並びその他の目的は、以下図
面について説明する所から、更によく理解されよう。 好ましい実施例の詳しい説明 第１図は、例えば電気情報を光情報に変換する為に、
情報変換装置（図面に示してない）に有利に取入れるこ
とが出来る電極又は「線」の配置10を略図で示す。線の
配置は、主Ｘアドレス線12A及び主Ｘアドレス線12Bを含
み、これ等は図示の様に互い違いであることが望まし
い。主Ｘアドレス線12A,12Bは、アドレス可能な区域14
（破線の囲みで示す）から外向きに電気回路（図面に示
してない）まで伸び、この電気回路が主Ｘアドレス線12
A,12Bに電気信号を供給するか、又はその代りに、これ
らの線の電気状態を感知することが出来る。同様に、線
の配置10は主Ｙアドレス線16A及び主Ｙアドレス線16Bを
含み、これらの線は互い違いであることが好ましい。主
Ｘアドレス線12A,12Bの数並びに主Ｙアドレス線16A,16B
の数は、典型的には夫々100程度であり、４吋×４吋の
アドレス可能な区域を持つ液晶表示装置の用途では、40
0が好ましい値である。 線の配置10のアドレス可能な区域14の中には、Ｘ−Ｙ
マトリクス形式に配置された複数個の情報変換セル18が
ある。第１図の略図では、セル18が単に四角で示されて
いる。情報変換セル18の更に詳しい図が第２図にある。
第２図の回路図で、主Ｘアドレス線12A,12Bが主Ｙアド
レス線16A,16Bから電気的に切離されていることが判
る。液晶素子200又は他の情報変換素子がスイッチング
素子202と基準又は大地電位の点204との間に電気的に接
続されることが示されている。液晶素子200は液晶素子
の主な電気特性に従ってコンデンサとして示されてい
る。公知の様に、液晶素子が独立の光源から発生された
光の受動形伝達器を構成し、この点では写真用カメラの
シャッタと同様である。然し、この発明は液晶素子200
を使うことに制限されない。液晶素子の代りとして、電
気クロマティック又は電気泳動材料のような、この他の
光の受動形伝達器がある。更に液晶素子200に代るもの
として、光放出ダイオード又はその他の電界発光材料の
ような光の能動形発生器がある。更に別の代りとして、
Ｘ線シンチレータの様に、電気的に応答する光センサが
ある。その他、液晶素子200の代りとして、圧電素子の
ように、電気的な情報を機械的な情報に、又はその逆に
変換する素子を液晶素子200の代りに使うことが出来
る。 第２図のスイッチング装置202は、図示の様に、好ま
しくは非晶質シリコン形の電界効果トランジスタ（FE
T）で構成することができる。FET202は、主Ｘアドレス
線12Aに接続されたゲート電極Ｇ、主Ｙアドレス線16Bに
接続されたソース電極Ｓ及び液晶素子200に接続された
ドレイン電極Ｄを持っている。当業者が知っている様
に、主Ｘアドレス線12Aを介して、FET202のゲートＧ
に、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの間でFET202を導
電させるのに適切な電気ゲート信号を加えた時には、何
時でも、液晶素子200がFET202を介して主Ｙアドレス線1
6Bに電気的に接続される。情報変換セル18にある１個の
FET202しか示していないが、セル18に付加のFET（１個
又は複数）を設けて、１つ又は更に多くのFETが不良で
あった場合の冗長度を持たせることが出来る。 再び第１図に戻って説明すると、線の配置10は補助Ｘ
アドレス線12A′,12B′と補助Ｙアドレス線16A′,16B′
をも含んでいる。補助Ｘアドレス線12A′が主Ｘアドレ
ス線12Aと交差し、１本の主Ｘアドレス線12Aと電気的に
短絡できるようになっている。同様に、補助Ｘアドレス
線12B′か主Ｘアドレス線12Bと同様な「交差」関係を持
ち、Ｙアドレス線の群16A′と16A及び別の群16B′と16B
についても同じことが言える。（「交差」と云う言葉及
びその転用はこの明細書で広義に使われており、互いに
交差する線の垂直方向の高さに関係なく、単にアドレス
線が互いに横方向の関係を持つことを指している）。補
助アドレス線（12A′,12B′）の数は図面に示した数と
は違ってもよく、線の配置10にある主Ｘ及びＹアドレス
線に欠陥が生ずる惧れに関係する。次の例は、線の配置
に於ける補助アドレス線の数と主アドレス線の数の間の
好ましい関係を取上げる。 例として言うと、液晶表示装置に対する典型的な線の
配置は、400本の主Ｘアドレス線と400本の主Ｙアドレス
線のＸ−Ｙマトリスクで構成され、各々のアドレス線の
幅は約10マイクロメータである。この様なＸ−Ｙマトリ
クス形表示装置を適切に保護するには、主アドレス線の
数に対する補助アドレス線の数の比は、1/10又はそれ以
上であるのが好ましいことが判った。 この例が示すように、補助アドレス線と主アドレス線
との比は比較的小さくすることが出来る。この為、補助
アドレス線が占める装置の面積が減少して有利である。
従って、装置のアドレス可能な区域（例えば第１図の区
域14）内に補助アドレス線を配置した時、装置の解像度
が著しく低下することがない。補助アドレス線を装置の
アドレス可能な区域の外側におくと、装置の最大限の解
像度が達成される。この発明の別の有利な特徴は、補助
アドレス線を経済的に実現することが出来ることであ
る。これは、主アドレス線を形成するのに使われるのと
同じ製造工程で、補助線を形成することができるからで
ある。この特徴に関連して、主アドレス線と同じく、補
助アドレス線を形成するのに、標準的な製造装置を使う
ことが出来ると別の有利な特徴がある。 この発明の補助アドレス線を次の様に利用して、主ア
ドレス線を駆動するか又はその電気状態を感知する関連
する回路（図面に示してない）から電気的に切離された
主アドレス線に対して電気接続をすることが出来る。例
えば、一番下に示した主Ｘアドレス線12Bが位置50（図
式的に円で示す）で開路した場合、一番左に示した補助
Ｘアドレス線12A′（又は一番右の線12A′）を、主Ｘア
ドレス線12Bの内、そのまゝでは切離されている部分52
に対して電気的に短絡すればよい。この電気的な短絡
が、本来は切離されている部分52と一番左に示した補助
Ｘアドレス線12A′との交差位置54（円で示す）に図式
的に示してある。次に交差位置54で電気的な短絡を行な
う手順を説明する。 一番下に示した主Ｘアドレス線12Bの位置50に於ける
開路は、製造手順中に避け難い欠陥により、思わざるこ
とゝして出来ることがある。例えば、線の配置10を形成
する過程で汚染物が存在して、その結果、位置50に示す
様な開路が生じることがある。或いは位置50に示す様な
開路は、例えば主Ｘアドレス線と主Ｙアドレス線の間の
電気的な短絡を切離す為に、公知のレーザ蒸発方法によ
ってわざと作ることがある。例として、交差位置56（即
ち、主Ｙアドレス線16Bと主Ｘアドレス線12Bの間）に電
気的な短絡がある場合、主Ｙアドレス線60上の位置56に
ある短絡を切離す為に、位置50及び位置58（図式的に破
線の円で示す）にわざと開路を作ることがある。この場
合、一番左に示した補助Ｘアドレス線12A′（又は一番
右の線12A′）を前に述べた様に使って、一番下に示し
た主Ｘアドレス線12Bの、そのまゝでは切離されている
部分52に電気的に接続することが出来る。 補助アドレス線を主アドレス線に電気的に短絡する好
ましい第１の方法が第3A図に示されており、この図は第
１図のアドレス線の配置10の一部分を示す。主Ｘアドレ
ス線12Bと補助Ｘアドレス線12A′が簡略化した平面図で
第3A図に示されており、補助アドレス線が交差位置54で
主アドレス線と交差している。基板300が主及び補助ア
ドレス線12B,12A′を支持している。絶縁膜302を用いて
補助アドレス線12A′を主アドレス線12Bから誘導体によ
って隔てゝいる。然し、補助及び主アドレス線12A′,12
Bを電気的に短絡したい時、絶縁層302による誘電体分離
作用は不要になる。 補助及び主アドレス線12A′,12Bを電気的に短絡する
為、補助アドレス12A′上の４箇所304（図式的に円で示
す）にレーザ・パルスを差向ける。各々の位置304に１
個のレーザ・パルスを使うのが、補助及び主アドレス線
12A′,12Bを電気的に短絡するのに適当であることが判
ったが、これより少ない数の位置にパルスをあてゝも適
切であろう。レーザ・パルスとアドレス線12A′,12B及
び絶縁層302との詳しい相互作用は判っていない。然
し、この発明を実施するのに、判っている必要はない。
例を挙げると、モリブデンの補助アドレス線12A′をチ
タンの主アドレス線12Bに電気的に短絡するには、絶縁
層が1500Åの窒化シリコンの部分層に2500Åの非晶質シ
リコンの部分層を重ねて構成される場合、各々の位置30
4に対して、パルス形キセノン・レーザからの、パルス
１個あたり0.1ミリジュールのエネルギを持つ１マイク
ロ秒のパルスが適当であることが判った。 補助及び主アドレス線12A′,12Bを電気的に短絡する
別の方法が第3B図に示されており、この図も第3A図と同
様である。絶縁層302の上から補助及び主アドレス線12
A′,12Bに導電性エポキシの様な電気短絡（即ち、導電
性）媒質306を適用して、これらの線を電気的に短絡す
る。例として言うと、電気短絡媒質306を形成する適当
な導電ペーストは、銀粒子を充填したエポキシ又は塗料
である。この代りに、電気短絡媒質306は、例えば、ジ
メチル・カドミウムの様な有機金属試薬に第3B図のアド
レス線構造を露出した時に、短絡媒質306の所望の場所
に差向けたレーザ・パルスの作用によって形成される熱
沈積金属であってよい。後に述べた熱作用による金属沈
積方法は公知であり、例えばアプライド・フィジックス
Ａ誌、第A27巻（1982年）第133頁乃至第138頁所載のY.
フロワドボー他の論文「Cd（CH3）２の可視波長のレー
ザによる解離による透明基板上のカドミウムの沈積」に
記載されている。 以上、製造上の歩留まりの高い、高解像度で高精度の
情報変換装置を説明した。この装置は標準的な製造装置
を用いて経済的に製造することが出来る。 この発明を特定の実施例について説明したが、当業者
には種々の変更が考えられよう。従って、特許請求の範
囲は、この発明の範囲内に含まれる全ての変更、置換を
包括するものと承知されたい。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による、情報変換装置に対するアドレ
ス線の配置の簡略平面図、第２図は第１図のアドレス線
の配置の一部分の詳細図であり、情報変換装置の別の特
徴をも示している。第3A図及び第3B図は補助及び主アド
レス線の交点の簡略平面図で、これらのアドレス線を電
気的に短絡する好ましい方法を示している。 （主な符号の説明） 12A,12B:主Ｘアドレス線 12A′,12B′：補助Ｘアドレス線 14:アドレス可能な区域 16A,16B:主Ｙアドレス線 16A′,16B′：補助Ｙアドレス線 18:セル
ス線の配置の簡略平面図、第２図は第１図のアドレス線
の配置の一部分の詳細図であり、情報変換装置の別の特
徴をも示している。第3A図及び第3B図は補助及び主アド
レス線の交点の簡略平面図で、これらのアドレス線を電
気的に短絡する好ましい方法を示している。 （主な符号の説明） 12A,12B:主Ｘアドレス線 12A′,12B′：補助Ｘアドレス線 14:アドレス可能な区域 16A,16B:主Ｙアドレス線 16A′,16B′：補助Ｙアドレス線 18:セル
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(56)参考文献 特開 昭60−214382（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−101693（ＪＰ，Ａ)
実開 昭62−104231（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．Ｘ−Ｙマトリクス形式に配置された複数個の情報変
換セルと、導電材料から成る複数個の主Ｘアドレス線
と、導電材料から成る複数個の主Ｙアドレス線とを有
し、各々のセルは、それぞれ特定のアドレスを持つよう
に、マトリクス内でのその場所に応じて特定の１本の主
Ｘアドレス線及び１本の主Ｙアドレス線に接続されてお
り、前記主Ｘアドレス線及び前記主Ｙアドレス線によっ
て電気的に前記セルをアドレスし得る装置区域内で、前
記主Ｘアドレス線及び前記主Ｙアドレス線は互いに対し
横切るように延在しており、また前記主Ｘアドレス線及
び前記主Ｙアドレスの線の各々は、前記装置区域から外
向きに電源回路又は感知回路へと伸びており、更に、導
電材料から成る少なくとも１本の補助Ｘアドレス線を有
し、該補助Ｘアドレス線は前記主Ｘアドレス線と互いに
電気的に絶縁された状態で交差していて、欠陥を有する
１本の主Ｘアドレス線だけにその交差部の１箇所だけで
永久的に電気的に短絡できるようになっている情報交換
装置であって、 前記補助Ｘアドレス線と前記主Ｘアドレス線の間の交差
位置に絶縁層を有し、前記絶縁層の厚さが、該交差位置
に差向けられた予定のエネルギーのレーザ・パルスによ
って前記補助Ｘアドレス線及び前記主Ｘアドレス線を電
気的に短絡できる程の厚さであることを特徴とする情報
変換装置。 ２．特許請求の範囲１）に記載した情報変換装置に於
て、導電材料から成る少なくとも一本の補助Ｙアドレス
線を有し、該補助Ｙアドレス線は少なくとも１本の前記
主Ｙアドレス線と互いに電気的に絶縁された状態で交差
していて、１本の主Ｙアドレス線に永久的に電気的に短
絡できるようになっている情報変換装置。 ３．特許請求の範囲１）に記載した情報変換装置に於
て、主Ｘアドレス線の数に対する補助Ｘアドレス線の数
の比の最大値が1/10である情報変換装置。 ４．特許請求の範囲１）に記載した情報変換装置に於
て、前記補助Ｘアドレス線と前記主アドレス線の間の交
差位置に絶縁層を有し、前記交差位置に差向けられた約
0.1ミリジュール未満のレーザ・パルスによって前記補
助Ｘアドレス線及び前記主Ｘアドレス線を電気的に短絡
できる程度に、前記絶縁層の厚さが薄い情報変換装置。 ５．特許請求の範囲２）に記載した情報変換装置に於
て、前記補助Ｘアドレス線と前記主Ｘアドレス線の間の
交差位置がアドレス可能な前記区域の外にあり、補助Ｙ
アドレス線と主Ｙアドレス線の間の交差位置もアドレス
可能な前記区域の外にある情報変換装置。 ６．特許請求の範囲１）に記載した情報変換装置に於
て、前記複数個の情報変換セルの各々が夫々液晶表示素
子で構成されている情報変換装置。 ７．特許請求の範囲６）に記載した情報変換装置に於
て、前記複数個の情報変換セルの各々が夫々の主Ｘ及び
Ｙアドレス線と液晶表示素子の間に接続された少なくと
も１つの電界効果トランジスタを含んでいる情報変換装
置。 ８．特許請求の範囲２）に記載した情報変換装置に於
て、前記補助Ｘアドレス線がそれと交差する前記主Ｘア
ドレス線の内の特定の１本に永久的に短絡されている情
報変換装置。 ９．特許請求の範囲１）に記載した情報変換装置に於
て、前記複数個の情報変換セルの各々が夫々の主Ｘ及び
Ｙアドレス線と夫々の液晶表示素子の間に接続された少
なくとも１つの夫々の電界効果トランジスタを含んでい
る情報変換装置。 １０．Ｘ−Ｙマトリクス形式に配置されていて、夫々液
晶表示素子を含む複数個の情報変換セルと、導電材料か
ら成る複数個の主Ｘアドレス線と、導電材料から成る複
数個の主Ｙアドレス線とを有し、各々のセルはそれぞれ
特定のアドレスを持つように、マトリクス内でのその位
置に応じて特定の１本の主Ｘアドレス線及び１本の主Ｙ
アドレス線に接続されており、前記主Ｘアドレス線及び
前記主Ｙアドレス線によって電気的に前記セルをアドレ
スし得る装置区域内で前記主Ｘアドレス線及び前記主Ｙ
アドレス線は互いに対し横切るように延在しており、ま
た前記主Ｘアドレス線及び前記主Ｙアドレスの線の各々
は、前記装置区域から外向きに電源回路又は感知回路へ
と伸びており、更に、導電材料から成る複数個の補助Ｘ
アドレス線を有し、該補助Ｘアドレス線は前記アドレス
し得る区域の外側の場所で前記主Ｘアドレス線と互いに
電気的に絶縁された状態で交差していて、欠陥を有する
１本の主Ｘアドレス線だけにその交差部の１箇所だけで
永久的に電気的に短絡できるようになっている情報交換
装置であって、 前記補助Ｘアドレス線と前記主Ｘアドレス線の間の交差
位置に絶縁層を有し、前記絶縁層の厚さが、該交差位置
に差向けられた予定のエネルギーのレーザ・パルスによ
って前記補助Ｘアドレス線及び前記主Ｘアドレス線を電
気的に短絡できる程の厚さであることを特徴とする情報
変換装置。 １１．特許請求の範囲10）に記載した情報変換装置にお
いて、前記補助Ｘアドレス線の内の特定の１本がそれと
交差する前記主Ｘアドレス線の内の特定の１本に永久的
に短絡されている情報変換装置。 １２．特許請求の範囲10）に記載した情報変換装置に於
て、導電材料から成る少なくとも一本の補助Ｙアドレス
線を有し、該補助Ｙアドレス線は前記アドレスし得る区
域の外側の場所で少なくとも１本の前記主Ｙアドレス線
と互いに電気的に絶縁された状態で交差していて、１本
の主Ｙアドレス線に永久的に電気的に短絡できるように
なっている情報変換装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2752356B2 true JP2752356B2 (ja) | 1998-05-18 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2752356B2 (ja) |
| DE (1) | DE3636230C2 (ja) |
| FR (1) | FR2604014B1 (ja) |
| GB (1) | GB2194373B (ja) |
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