JP2751833B2 - 陰極線管の製造方法 - Google Patents
陰極線管の製造方法Info
- Publication number
- JP2751833B2 JP2751833B2 JP13403094A JP13403094A JP2751833B2 JP 2751833 B2 JP2751833 B2 JP 2751833B2 JP 13403094 A JP13403094 A JP 13403094A JP 13403094 A JP13403094 A JP 13403094A JP 2751833 B2 JP2751833 B2 JP 2751833B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- ray tube
- cathode ray
- solution
- conductive thin
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フェースパネル部表面
に導電性反射防止膜を被着形成した陰極線管の製造方法
に関するものである。
に導電性反射防止膜を被着形成した陰極線管の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管のフェースパネル外表面は、室
内照明灯などの外光が反射すると、表示画像が見づらく
なる。又、電源のオン、オフ時に静電気が発生し、観視
者が接近した時に放電して不快感を与えたり、ゴミが付
着し易くなる。そこで、フェースパネル外表面に導電性
薄膜と低屈折率薄膜を重ねて形成し、導電性反射防止膜
を設け、光の干渉によって反射光を減少させ、帯電を防
止することが従来より知られている。
内照明灯などの外光が反射すると、表示画像が見づらく
なる。又、電源のオン、オフ時に静電気が発生し、観視
者が接近した時に放電して不快感を与えたり、ゴミが付
着し易くなる。そこで、フェースパネル外表面に導電性
薄膜と低屈折率薄膜を重ねて形成し、導電性反射防止膜
を設け、光の干渉によって反射光を減少させ、帯電を防
止することが従来より知られている。
【０００３】上記薄膜形成の一例を、図２を参照して説
明する。まず図２（ａ）に示すように、バルブ（１）の
フェースパネル部（1a）の外表面にＣＶＤ法にて酸化ス
ズ（ＳｎＯ2）を主成分とする導電性薄膜（2a）を形成
する。このＣＶＤ工程はバルブ（１）を４５０°Ｃ以上
に加熱するので、バルブ（１）内部を真空にする前に実
施される。次に、バルブ（１）の内部に電子銃を組み込
み、バルブ（１）内部を真空にして陰極線管（３）を形
成する。次に、図２（ｂ）に示すように、導電性薄膜
（2a）の表面を水洗した後、ブラシ（４）で水分や汚れ
を拭き取って乾燥させる。そこで、図２（ｃ）に示すよ
うに、バルブ（１）を４０°Ｃ位で加熱してノズル
（５）からシリケート加水分解物の溶液（2ba）を導電
性薄膜（2a）上に滴下する。そして、図２（ｄ）に示す
ように、バルブ（１）を回転させてフェースパネル部表
面の全面に溶液（2ba）を薄く塗布し、その後、低温
（例えば２５０°Ｃ）で焼成して低屈折率薄膜（2b）を
全面に被着形成して導電性反射防止膜（２）を得る。
明する。まず図２（ａ）に示すように、バルブ（１）の
フェースパネル部（1a）の外表面にＣＶＤ法にて酸化ス
ズ（ＳｎＯ2）を主成分とする導電性薄膜（2a）を形成
する。このＣＶＤ工程はバルブ（１）を４５０°Ｃ以上
に加熱するので、バルブ（１）内部を真空にする前に実
施される。次に、バルブ（１）の内部に電子銃を組み込
み、バルブ（１）内部を真空にして陰極線管（３）を形
成する。次に、図２（ｂ）に示すように、導電性薄膜
（2a）の表面を水洗した後、ブラシ（４）で水分や汚れ
を拭き取って乾燥させる。そこで、図２（ｃ）に示すよ
うに、バルブ（１）を４０°Ｃ位で加熱してノズル
（５）からシリケート加水分解物の溶液（2ba）を導電
性薄膜（2a）上に滴下する。そして、図２（ｄ）に示す
ように、バルブ（１）を回転させてフェースパネル部表
面の全面に溶液（2ba）を薄く塗布し、その後、低温
（例えば２５０°Ｃ）で焼成して低屈折率薄膜（2b）を
全面に被着形成して導電性反射防止膜（２）を得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した方法では、低
屈折率薄膜（2b）を被着形成する際、シリケート加水分
解物と導電性薄膜（2a）の各々に含まれるＯＨ基同士が
焼成工程で脱水反応して両者が接着するのであるが、導
電性薄膜（2a）中に含まれるＯＨ基は比較的、少ないこ
と、及び膜分子間のミクロ的な間隙に空気が介在するこ
と等のため、膜の接着強度が低下して剥がれ易い点であ
る。この場合、溶液塗布後、３５０〜４５０°Ｃで高温
焼成すれば、ＯＨ基の反応が促進されて膜接着強度が向
上するが、内部が真空である陰極線管（３）を高温に加
熱すると、バルブ（１）の内壁に吸着していたガスが放
出されて電子銃に付着し、その電子放出特性が悪化する
ので、高温焼成が出来ず、十分な膜強度を得ることが出
来ない。
屈折率薄膜（2b）を被着形成する際、シリケート加水分
解物と導電性薄膜（2a）の各々に含まれるＯＨ基同士が
焼成工程で脱水反応して両者が接着するのであるが、導
電性薄膜（2a）中に含まれるＯＨ基は比較的、少ないこ
と、及び膜分子間のミクロ的な間隙に空気が介在するこ
と等のため、膜の接着強度が低下して剥がれ易い点であ
る。この場合、溶液塗布後、３５０〜４５０°Ｃで高温
焼成すれば、ＯＨ基の反応が促進されて膜接着強度が向
上するが、内部が真空である陰極線管（３）を高温に加
熱すると、バルブ（１）の内壁に吸着していたガスが放
出されて電子銃に付着し、その電子放出特性が悪化する
ので、高温焼成が出来ず、十分な膜強度を得ることが出
来ない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、フェースパネ
ル部表面に導電性薄膜を被着形成したバルブ内に電子銃
を封入して内部を真空とし、陰極線管を形成した後、上
記フェースパネル部表面を水洗及び乾燥させる工程と、
界面活性剤を加えたシリケート加水分解物の溶液をフェ
ースパネル部の導電性薄膜上に全面に均一に薄く塗布す
る工程と、上記溶液を低温焼成して低屈折率薄膜を硬化
し、フェースパネル部表面に上記導電性薄膜と低屈折率
薄膜とからなる導電性反射防止膜を被着形成する工程と
を含み、界面活性剤を加えたシリケート加水分解物の溶
液を２５０°Ｃ以下で低温焼成することを特徴とする。
ル部表面に導電性薄膜を被着形成したバルブ内に電子銃
を封入して内部を真空とし、陰極線管を形成した後、上
記フェースパネル部表面を水洗及び乾燥させる工程と、
界面活性剤を加えたシリケート加水分解物の溶液をフェ
ースパネル部の導電性薄膜上に全面に均一に薄く塗布す
る工程と、上記溶液を低温焼成して低屈折率薄膜を硬化
し、フェースパネル部表面に上記導電性薄膜と低屈折率
薄膜とからなる導電性反射防止膜を被着形成する工程と
を含み、界面活性剤を加えたシリケート加水分解物の溶
液を２５０°Ｃ以下で低温焼成することを特徴とする。
【０００６】
【作用】上記技術的手段によれば、シリケート加水分解
物の溶液に界面活性剤を加えて導電性薄膜上に低屈折率
薄膜を被着形成すると、界面活性剤を加えることにより
シリケート加水分解物の濡れ性が良くなるため、その溶
液が導電性薄膜の微細な間隙に入り込み、導電性薄膜と
シリケート加水分解物の各ＯＨ基同士が反応して接着に
係る反応面積が増加し、低屈折率薄膜が導電性薄膜と強
固に接着する。
物の溶液に界面活性剤を加えて導電性薄膜上に低屈折率
薄膜を被着形成すると、界面活性剤を加えることにより
シリケート加水分解物の濡れ性が良くなるため、その溶
液が導電性薄膜の微細な間隙に入り込み、導電性薄膜と
シリケート加水分解物の各ＯＨ基同士が反応して接着に
係る反応面積が増加し、低屈折率薄膜が導電性薄膜と強
固に接着する。
【０００７】
［実施例１］本発明に係る陰極線管の製造方法の実施例
１を図１を参照して以下に説明する。図２に示す部分と
同一部分には同一参照符号を付してその説明を省略す
る。相違する点は、低屈折率薄膜（2c）の形成材料溶液
であるシリケート加水分解物溶液中に界面活性剤、例え
ばエチレンオキサイドプロピレンオキサイドブロック重
合体（商品名：プルロニック）を加えたことである。即
ち、従来同様、まず図１（ａ）に示すように、バルブ
（１）のフェースパネル部（1a）の表面にＣＶＤ法で、
導電性薄膜である酸化スズ（ＳｎＯ2）薄膜（2a）を１
６ｎｍの厚さで被着形成して内部に電子銃を組み込み、
内部を真空にして陰極線管（３）を形成する。次に、図
１（ｂ）に示すように、酸化スズ薄膜（2a）の表面を水
洗及び拭いて乾燥させた後、図１（ｃ）に示すように、
バルブ（１）を４０°Ｃ位で加熱し、酸化スズ薄膜（2
a）上にエチルシリケート加水分解物のエタノール溶液
（シリカ固形分１．３重量％）に対してプルロニックを
０．０１重量％加えた溶液（2ca）をノズル（５）から
滴下する。そこで、図１（ｄ）に示すように、バルブ
（１）を１５０ｒｐｍで１分間回転させてフェースパネ
ル部表面の全面に溶液（2ca）を薄く塗布し、その後、
１８０°Ｃで２０分間焼成して低屈折率薄膜（2c）を全
面に１２５ｎｍの厚さで被着形成して導電性反射防止膜
（２）を得る。
１を図１を参照して以下に説明する。図２に示す部分と
同一部分には同一参照符号を付してその説明を省略す
る。相違する点は、低屈折率薄膜（2c）の形成材料溶液
であるシリケート加水分解物溶液中に界面活性剤、例え
ばエチレンオキサイドプロピレンオキサイドブロック重
合体（商品名：プルロニック）を加えたことである。即
ち、従来同様、まず図１（ａ）に示すように、バルブ
（１）のフェースパネル部（1a）の表面にＣＶＤ法で、
導電性薄膜である酸化スズ（ＳｎＯ2）薄膜（2a）を１
６ｎｍの厚さで被着形成して内部に電子銃を組み込み、
内部を真空にして陰極線管（３）を形成する。次に、図
１（ｂ）に示すように、酸化スズ薄膜（2a）の表面を水
洗及び拭いて乾燥させた後、図１（ｃ）に示すように、
バルブ（１）を４０°Ｃ位で加熱し、酸化スズ薄膜（2
a）上にエチルシリケート加水分解物のエタノール溶液
（シリカ固形分１．３重量％）に対してプルロニックを
０．０１重量％加えた溶液（2ca）をノズル（５）から
滴下する。そこで、図１（ｄ）に示すように、バルブ
（１）を１５０ｒｐｍで１分間回転させてフェースパネ
ル部表面の全面に溶液（2ca）を薄く塗布し、その後、
１８０°Ｃで２０分間焼成して低屈折率薄膜（2c）を全
面に１２５ｎｍの厚さで被着形成して導電性反射防止膜
（２）を得る。
【０００８】上記構成によれば、プルロニックを加える
ことによりシリケート加水分解物の溶液（2ca）の濡れ
性が良くなるため、図１（ｅ）に示すように、フェース
パネル部（1a）の表面に被着形成した酸化スズ薄膜（2
a）の微細な間隙（Ｓ）に溶液（2ca）が入り込む。そう
すると、酸化スズ薄膜（2a）と低屈折率薄膜（2c）の接
触面積が増加するので、強固に接着し、膜接着強度が向
上する。又、酸化スズ薄膜（2a）上に油状汚れ等があっ
ても界面活性剤は親油性を持つため、低屈折率薄膜（2
c）との馴染みが良く、膜質が向上し、且つ、外観不良
が減って特に外観の歩留まりが向上する。測定によれ
ば、従来よりも約３倍の耐摩擦性があること、即ち膜接
着強度が約３倍に向上したことを確認した。
ことによりシリケート加水分解物の溶液（2ca）の濡れ
性が良くなるため、図１（ｅ）に示すように、フェース
パネル部（1a）の表面に被着形成した酸化スズ薄膜（2
a）の微細な間隙（Ｓ）に溶液（2ca）が入り込む。そう
すると、酸化スズ薄膜（2a）と低屈折率薄膜（2c）の接
触面積が増加するので、強固に接着し、膜接着強度が向
上する。又、酸化スズ薄膜（2a）上に油状汚れ等があっ
ても界面活性剤は親油性を持つため、低屈折率薄膜（2
c）との馴染みが良く、膜質が向上し、且つ、外観不良
が減って特に外観の歩留まりが向上する。測定によれ
ば、従来よりも約３倍の耐摩擦性があること、即ち膜接
着強度が約３倍に向上したことを確認した。
【０００９】［実施例２］実施例１と相異する点は、界
面活性剤を加えたエチルシリケート加水分解物溶液（2c
a）をスプレー法により塗布したことである。実施例１
と同様、２５０°Ｃで２０分間焼成して、従来よりも約
３倍の膜強度を得た。
面活性剤を加えたエチルシリケート加水分解物溶液（2c
a）をスプレー法により塗布したことである。実施例１
と同様、２５０°Ｃで２０分間焼成して、従来よりも約
３倍の膜強度を得た。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、陰極線管のフェースパ
ネル部表面の導電性薄膜上に、界面活性剤を加えたシリ
ケート加水分解物からなる溶液を塗布して低屈折率薄膜
を形成したから、低温焼成で低屈折率薄膜と導電性薄膜
とが強固に接着して十分な膜接着強度が得られ、又、低
屈折率薄膜と導電性薄膜との馴染みも良く、膜質が向上
し、且つ、特に外観の歩留まりも向上する。
ネル部表面の導電性薄膜上に、界面活性剤を加えたシリ
ケート加水分解物からなる溶液を塗布して低屈折率薄膜
を形成したから、低温焼成で低屈折率薄膜と導電性薄膜
とが強固に接着して十分な膜接着強度が得られ、又、低
屈折率薄膜と導電性薄膜との馴染みも良く、膜質が向上
し、且つ、特に外観の歩留まりも向上する。
【図１】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は本発明に係る陰極
線管の製造方法の実施例を示す各工程図で、ある。
（ｅ）は本発明の動作例を示すフェースパネル部表面の
要部拡大断面図である。
線管の製造方法の実施例を示す各工程図で、ある。
（ｅ）は本発明の動作例を示すフェースパネル部表面の
要部拡大断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は従来の陰極線管の
製造方法の一例を示す各工程図である。
製造方法の一例を示す各工程図である。
１ バルブ 1a フェースパネル部 ２ 導電性反射防止膜 2a 導電性薄膜（酸化スズ薄膜） 2c 低屈折率薄膜 ３ 陰極線管
Claims (5)
- 【請求項１】 フェースパネル外表面に形成された導電
性薄膜の上にシリケート加水分解物溶液を塗布後、加熱
して低屈折率薄膜を形成する工程を有する陰極線管の製
造方法において、前記シリケート加水分解物の溶液に界
面活性剤を加えて塗布後、加熱することを特徴とする陰
極線管の製造方法。 - 【請求項２】 前記導電性薄膜が酸化スズ（ＳｎＯ2）
又は酸化インジウム （Ｉｎ2Ｏ3）を主成分とすることを
特徴とする請求項１記載の陰極線管の製造方法。 - 【請求項３】 前記導電性薄膜をＣＶＤ法によって形成
することを特徴とする請求項２記載の陰極線管の製造方
法。 - 【請求項４】 界面活性剤を加えたシリケート加水分解
物の溶液を塗布後、２５０°Ｃ以下の温度で加熱するこ
とを特徴とする請求項１記載の陰極線管の製造方法。 - 【請求項５】 シリケート加水分解物溶液のシリカ固形
分に対して界面活性剤を０．１〜５．０重量％含有する
ことを特徴とする請求項１記載の陰極線管の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13403094A JP2751833B2 (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 陰極線管の製造方法 |
| KR1019950013594A KR100205729B1 (ko) | 1994-06-16 | 1995-05-29 | 음극선관 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13403094A JP2751833B2 (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 陰極線管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087756A JPH087756A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2751833B2 true JP2751833B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=15118740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13403094A Expired - Lifetime JP2751833B2 (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 陰極線管の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751833B2 (ja) |
| KR (1) | KR100205729B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449752B1 (ko) * | 1997-07-02 | 2004-12-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 음극선관의표면처리막치밀화방법 |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP13403094A patent/JP2751833B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-29 KR KR1019950013594A patent/KR100205729B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087756A (ja) | 1996-01-12 |
| KR100205729B1 (ko) | 1999-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980127 |