JP2750559B2 - 導電性重合体組成物 - Google Patents
導電性重合体組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導電性重合体組成物に関
し、特に、チオフェン−シロール−チオフェン骨格を有
する新規な導電性重合体組成物に関する。
し、特に、チオフェン−シロール−チオフェン骨格を有
する新規な導電性重合体組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】ポリアセチレンに電子受容性物質又は電子
供与性物質をドーピングすることにより電荷移動形成反
応を起こさせ、電子伝導に基づく高い電気伝導性を発現
させることが見出された後、同様の現象が、ポリフェニ
レン、ポリピロール、ポリアニリン及びポリチオフェン
等についても見出されるに至り、導電性有機高分子化合
物が近年注目を浴びている。しかしながら、これらの高
分子は、不溶不融であるために賦形性に乏しい上、気相
重合法や電解重合法によるために、生成フィルムの形状
が反応容器や電極の形状により制約されるのみならず、
ドーピング時に高分子物性が著しく劣化するという欠点
があった。
供与性物質をドーピングすることにより電荷移動形成反
応を起こさせ、電子伝導に基づく高い電気伝導性を発現
させることが見出された後、同様の現象が、ポリフェニ
レン、ポリピロール、ポリアニリン及びポリチオフェン
等についても見出されるに至り、導電性有機高分子化合
物が近年注目を浴びている。しかしながら、これらの高
分子は、不溶不融であるために賦形性に乏しい上、気相
重合法や電解重合法によるために、生成フィルムの形状
が反応容器や電極の形状により制約されるのみならず、
ドーピング時に高分子物性が著しく劣化するという欠点
があった。
【０００３】かかる欠点を解決するために、ポリチオフ
ェンの側鎖にアルキル基を導入することが提案されてい
るが、未だシロールとチオフェンを組み合わせたポリマ
ーについては知られていない。そこで、本発明者等は、
上記従来の欠点を解決すべく鋭意検討した結果、安定な
チオフェン−シロール共重合体を得ることができるこ
と、及び、該共重合体にヨウ素をドーピングすることに
より高い電気伝導性を発現させることができることを見
出し本発明に到達した。
ェンの側鎖にアルキル基を導入することが提案されてい
るが、未だシロールとチオフェンを組み合わせたポリマ
ーについては知られていない。そこで、本発明者等は、
上記従来の欠点を解決すべく鋭意検討した結果、安定な
チオフェン−シロール共重合体を得ることができるこ
と、及び、該共重合体にヨウ素をドーピングすることに
より高い電気伝導性を発現させることができることを見
出し本発明に到達した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、任意の形状のフィルムや塗膜に賦形することができ
る、溶剤可溶な導電性重合体組成物を提供することにあ
る。
は、任意の形状のフィルムや塗膜に賦形することができ
る、溶剤可溶な導電性重合体組成物を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の上記の目的は、
ヨウ素をドーピングしてなる導電性重合体組成物であっ
て、該重合体が下記化１１で表されるチオフェン−シロ
ール−チオフェン骨格を繰り返し単位として持つ重合体
であることを特徴とする導電性重合体組成物により達成
された。
ヨウ素をドーピングしてなる導電性重合体組成物であっ
て、該重合体が下記化１１で表されるチオフェン−シロ
ール−チオフェン骨格を繰り返し単位として持つ重合体
であることを特徴とする導電性重合体組成物により達成
された。
【化１１】 但し、上式中のＲは水素原子又は炭素数が１〜７の一価
の炭化水素基、Ｒ’は炭素数が１〜１２の一価の有機基
又は有機基で置換されたケイ素基である。本発明におけ
るチオフェン−シロール共重合体の代表例は一般式化２
で表され、それは、下記化３で表される化合物と、化４
で表される化合物とを、ニッケル又はパラジウムの金属
錯体存在下に反応させることによって容易に得ることが
できる。
の炭化水素基、Ｒ’は炭素数が１〜１２の一価の有機基
又は有機基で置換されたケイ素基である。本発明におけ
るチオフェン−シロール共重合体の代表例は一般式化２
で表され、それは、下記化３で表される化合物と、化４
で表される化合物とを、ニッケル又はパラジウムの金属
錯体存在下に反応させることによって容易に得ることが
できる。
【０００６】
【化２】
【化３】 但し、上式中のＲは水素原子又は炭素数が１〜７の一価
の炭化水素基、Ｒ’は炭素数が１〜１２の一価の有機基
又は有機基で置換されたケイ素基であり、ｎは０〜２０
の整数であることが好ましい。Ｘはハロゲン原子、Ｙは
水素原子又はハロゲン原子である。ハロゲン原子として
は、取り扱いの容易性及び反応性の観点から臭素原子が
最も好ましい。
の炭化水素基、Ｒ’は炭素数が１〜１２の一価の有機基
又は有機基で置換されたケイ素基であり、ｎは０〜２０
の整数であることが好ましい。Ｘはハロゲン原子、Ｙは
水素原子又はハロゲン原子である。ハロゲン原子として
は、取り扱いの容易性及び反応性の観点から臭素原子が
最も好ましい。
【化４】 但し上式中のＲ及びＲ’は化３のものと同一であり、Ｍ
はＳｎＲ３、Ｍ’はＳｎＲ３または水素原子である。
はＳｎＲ３、Ｍ’はＳｎＲ３または水素原子である。
【０００７】上記三置換の錫基としては、トリメチルス
タニル基、トリブチルスタニル基及びトリフェニルスタ
ニル基等が例示される。Ｒとしては、メチル基、エチル
基、プロピル基等のアルキル基の他、フェニル基、トリ
ル基、ビニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基
等を挙げることができる。また、Ｒ’としては、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、第三級ブチル基、フェ
ニル基、ベンジル基、ジヒドロピラニル基、トリメチル
シリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、ジフェニル
メチルシリル基等が挙げられる。これらの中でも特に第
三級ブチルジメチルシリル基が好ましい。
タニル基、トリブチルスタニル基及びトリフェニルスタ
ニル基等が例示される。Ｒとしては、メチル基、エチル
基、プロピル基等のアルキル基の他、フェニル基、トリ
ル基、ビニル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基
等を挙げることができる。また、Ｒ’としては、メチル
基、エチル基、イソプロピル基、第三級ブチル基、フェ
ニル基、ベンジル基、ジヒドロピラニル基、トリメチル
シリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、ジフェニル
メチルシリル基等が挙げられる。これらの中でも特に第
三級ブチルジメチルシリル基が好ましい。
【０００８】上記化３の化合物は、例えば対応する２，
５−ジチエニルシロールをＮ−臭化こはく酸イミド等で
処理することにより、また化４の化合物は、２．５−ジ
チエニルシロールをｎ−ブチルリチウムと反応させた
後、塩化トリアルキル錫などを加える等の公知の方法で
夫々得ることができる。パラジウムまたはニッケルの金
属錯体は、本発明の前記化２の化合物を得るために不可
欠な触媒であって、その例としては、一般式Ｃｌ2 Ｍ
（ＰＲ1 3 ）2 又はＣｌ2 Ｍ（Ｒ2 2 ＰＱＰＲ3 2 ）そ
の他で示されるものを挙げることができる。但し、ここ
でＭはＰｄ又はＮｉである。
５−ジチエニルシロールをＮ−臭化こはく酸イミド等で
処理することにより、また化４の化合物は、２．５−ジ
チエニルシロールをｎ−ブチルリチウムと反応させた
後、塩化トリアルキル錫などを加える等の公知の方法で
夫々得ることができる。パラジウムまたはニッケルの金
属錯体は、本発明の前記化２の化合物を得るために不可
欠な触媒であって、その例としては、一般式Ｃｌ2 Ｍ
（ＰＲ1 3 ）2 又はＣｌ2 Ｍ（Ｒ2 2 ＰＱＰＲ3 2 ）そ
の他で示されるものを挙げることができる。但し、ここ
でＭはＰｄ又はＮｉである。
【０００９】前者の具体例としては、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰＭ
ｅ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰＥｔ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐ
Ｂｕ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ
（Ｐ（ＯＭｅ）3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐ（ＯＥｔ）3 ）
2 ；Ｃｌ2 Ｎｉ（ＰＭｅ3 ）2、Ｃｌ2 Ｎｉ（ＰＥ
ｔ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｎｉ（ＰＢｕ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｎｉ（Ｐ
Ｐｈ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｎｉ（Ｐ（ＯＭｅ）3 ）2 、Ｃｌ2
Ｎｉ（Ｐ（ＯＥｔ）3 ）2 等があり；
ｅ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰＥｔ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐ
Ｂｕ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ
（Ｐ（ＯＭｅ）3 ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐ（ＯＥｔ）3 ）
2 ；Ｃｌ2 Ｎｉ（ＰＭｅ3 ）2、Ｃｌ2 Ｎｉ（ＰＥ
ｔ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｎｉ（ＰＢｕ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｎｉ（Ｐ
Ｐｈ3 ）2 、Ｃｌ2 Ｎｉ（Ｐ（ＯＭｅ）3 ）2 、Ｃｌ2
Ｎｉ（Ｐ（ＯＥｔ）3 ）2 等があり；
【００１０】二価の配位子を有する後者の具体例として
は、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2）4 ＰＰｈ2 ）、Ｃ
ｌ2 Ｐｄ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2 ）3 ＰＰｈ2 ）、Ｃｌ2 Ｐ
ｄ（１，１−ビス（ジフェニルホスフィノフェロセ
ン））、Ｃｌ2 Ｎｉ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2 ）4 ＰＰ
ｈ2 ）、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2 ）4 ＰＰｈ2 ）
等を挙げることができる。
は、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2）4 ＰＰｈ2 ）、Ｃ
ｌ2 Ｐｄ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2 ）3 ＰＰｈ2 ）、Ｃｌ2 Ｐ
ｄ（１，１−ビス（ジフェニルホスフィノフェロセ
ン））、Ｃｌ2 Ｎｉ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2 ）4 ＰＰ
ｈ2 ）、Ｃｌ2 Ｐｄ（Ｐｈ2 Ｐ（ＣＨ2 ）4 ＰＰｈ2 ）
等を挙げることができる。
【００１１】又、その他の例としてＰｄ（ＰＰ
ｈ3 ）4 、（ＰｈＣＨ2 ）ＰｄＣｌ（ＰＲ1 3 ）2 、Ｃ
ｌ2 Ｐｄ（ＭｅＣＮ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰｈＣＮ）2 、
Ｃｌ2 Ｐｄ（ＭｅＣＮ）ＰＲ3 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰｈＣ
Ｎ）ＰＲ3 、〔Ｐｄ（π−Ｃ3 Ｈ3 ）Ｃｌ〕3 が挙げら
れる。但し、上式中のＭｅはメチル基、Ｅｔはエチル
基、Ｂｕはブチル基及びＰｈはフェニル基を表す。
ｈ3 ）4 、（ＰｈＣＨ2 ）ＰｄＣｌ（ＰＲ1 3 ）2 、Ｃ
ｌ2 Ｐｄ（ＭｅＣＮ）2 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰｈＣＮ）2 、
Ｃｌ2 Ｐｄ（ＭｅＣＮ）ＰＲ3 、Ｃｌ2 Ｐｄ（ＰｈＣ
Ｎ）ＰＲ3 、〔Ｐｄ（π−Ｃ3 Ｈ3 ）Ｃｌ〕3 が挙げら
れる。但し、上式中のＭｅはメチル基、Ｅｔはエチル
基、Ｂｕはブチル基及びＰｈはフェニル基を表す。
【００１２】本発明においては、上記の如くして得られ
た共重合体にヨウ素をドーピングする。ヨウ素のドーピ
ングは、１）ヨウ素の蒸気雰囲気下に、前記共重合体を
晒す気相又は乾式方法、２）ヨウ素を不活性溶媒中に溶
解した後、得られた溶液中に前記共重合体を浸積する湿
式ドーピング法によって行うことができる他、前記共重
合体を溶解し得る溶媒中に、該共重合体と共にヨウ素を
溶解させ、得られた溶液を塗布・乾燥し、賦形と同時に
ドーピングを行う同時ドーピング法を採用することもで
きる。
た共重合体にヨウ素をドーピングする。ヨウ素のドーピ
ングは、１）ヨウ素の蒸気雰囲気下に、前記共重合体を
晒す気相又は乾式方法、２）ヨウ素を不活性溶媒中に溶
解した後、得られた溶液中に前記共重合体を浸積する湿
式ドーピング法によって行うことができる他、前記共重
合体を溶解し得る溶媒中に、該共重合体と共にヨウ素を
溶解させ、得られた溶液を塗布・乾燥し、賦形と同時に
ドーピングを行う同時ドーピング法を採用することもで
きる。
【００１３】気相ドーピングでは、ドーパント雰囲気の
温度とドーパント分圧を制御することによりドーピング
速度をコントロールすることができる。この場合、一般
に温度は−３０℃〜２００℃の範囲で行われる。−３０
℃未満ではドーピング速度が遅く、２００℃を超えた場
合にはドーピング時にポリマーの劣化を招くので好まし
くない。ドーパント分圧は、１ｍｍＨｇ〜５気圧の範囲
とすることが好ましい。１ｍｍＨｇ未満ではドーピング
速度が遅く、５気圧を超えてもドーピング速度は増加し
ない。
温度とドーパント分圧を制御することによりドーピング
速度をコントロールすることができる。この場合、一般
に温度は−３０℃〜２００℃の範囲で行われる。−３０
℃未満ではドーピング速度が遅く、２００℃を超えた場
合にはドーピング時にポリマーの劣化を招くので好まし
くない。ドーパント分圧は、１ｍｍＨｇ〜５気圧の範囲
とすることが好ましい。１ｍｍＨｇ未満ではドーピング
速度が遅く、５気圧を超えてもドーピング速度は増加し
ない。
【００１４】湿式ドーピングに用いられる不活性溶媒と
は、ヨウ素と反応して電子供与性化合物としての能力を
失活させない溶媒をいう。かかる溶媒としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサンのようなケト
ン類、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサンのような炭
化水素類、トルエン、キシレン、ニトロベンゼンのよう
な芳香族類、エーテル、ＴＨＦのようなエーテル類、酢
酸エチルのようなエステル類、メタノール、エタノール
のようなアルコール類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＨＭＰＡの
ような非プロトン性極性溶媒、その他、ニトロメタン、
アセトニトリル等が挙げられる。
は、ヨウ素と反応して電子供与性化合物としての能力を
失活させない溶媒をいう。かかる溶媒としては、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサンのようなケト
ン類、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサンのような炭
化水素類、トルエン、キシレン、ニトロベンゼンのよう
な芳香族類、エーテル、ＴＨＦのようなエーテル類、酢
酸エチルのようなエステル類、メタノール、エタノール
のようなアルコール類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＨＭＰＡの
ような非プロトン性極性溶媒、その他、ニトロメタン、
アセトニトリル等が挙げられる。
【００１５】これらの中でも、ＴＨＦのような溶媒はポ
リマーを非常によく溶解するので、特にこれらの溶媒を
用いて同時ドーピングを行うことが好適である。同時ド
ーピング法における乾燥温度は、通常０〜１５０℃であ
り、乾燥は常圧又は減圧下で行われる。このようにして
得られた導電性重合体組成物の導電率の測定は、ガラス
板上に４端子部を白金蒸着により形成させて電極とした
後、この上に、溶解させたポリマー溶液をスピンコート
して薄膜を形成させることによって容易に行うことがで
きる。
リマーを非常によく溶解するので、特にこれらの溶媒を
用いて同時ドーピングを行うことが好適である。同時ド
ーピング法における乾燥温度は、通常０〜１５０℃であ
り、乾燥は常圧又は減圧下で行われる。このようにして
得られた導電性重合体組成物の導電率の測定は、ガラス
板上に４端子部を白金蒸着により形成させて電極とした
後、この上に、溶解させたポリマー溶液をスピンコート
して薄膜を形成させることによって容易に行うことがで
きる。
【００１６】上記の如く、本発明で使用するチオフェン
−シロール−チオフェン骨格を繰り返し単位として有す
るポリマーは、溶剤に可溶であって任意の形状のフィル
ムや塗膜に賦形することができる上、ヨウ素でドーピン
グしても脆化することがなく、導電性は、ヨウ素をドー
ピングしない場合より、導電率で１０7 〜１０8 倍と著
しく向上する。
−シロール−チオフェン骨格を繰り返し単位として有す
るポリマーは、溶剤に可溶であって任意の形状のフィル
ムや塗膜に賦形することができる上、ヨウ素でドーピン
グしても脆化することがなく、導電性は、ヨウ素をドー
ピングしない場合より、導電率で１０7 〜１０8 倍と著
しく向上する。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の導電性重合
体組成物は賦形性に優れるので、バッテリーの電極、太
陽電池、電磁シールド用筐体等、電気、電子、通信分野
の用途に好適である。
体組成物は賦形性に優れるので、バッテリーの電極、太
陽電池、電磁シールド用筐体等、電気、電子、通信分野
の用途に好適である。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を合成例及び実施例によって更
に詳述するが、本発明はこれによって限定されるもので
はない。ジチエニルシロール及びその２臭化物の合成
に詳述するが、本発明はこれによって限定されるもので
はない。ジチエニルシロール及びその２臭化物の合成
【００１９】合成例１．冷却基、滴下ロート、攪拌子を
取り付けた２００ｍｌのフラスコに、構造式が下記化５
で表される２，５−ジチエニルシロール１．４５ｇとテ
トラヒドロフラン４０ｍｌを入れた後、Ｎ−臭化こはく
酸イミド０．８５ｇのジメチルホルムアミド溶液２０ｍ
ｌを滴下した。
取り付けた２００ｍｌのフラスコに、構造式が下記化５
で表される２，５−ジチエニルシロール１．４５ｇとテ
トラヒドロフラン４０ｍｌを入れた後、Ｎ−臭化こはく
酸イミド０．８５ｇのジメチルホルムアミド溶液２０ｍ
ｌを滴下した。
【化５】 ジメチルホルムアミド溶液の滴下終了後１０分後に、水
１００ｍｌを入れて反応を終了させ、ヘキサン１００ｍ
ｌで三回抽出した。有機層を集めて水及び食塩水で洗っ
た後、硫酸ナトリウムで乾燥した。
１００ｍｌを入れて反応を終了させ、ヘキサン１００ｍ
ｌで三回抽出した。有機層を集めて水及び食塩水で洗っ
た後、硫酸ナトリウムで乾燥した。
【００２０】溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶離液；ヘキサン／塩化メチレン＝１
０／１、Ｒｆ＝０．３８）を用いて、下記化６で表され
る１．２ｇの２臭化物を得た。
マトグラフィー（溶離液；ヘキサン／塩化メチレン＝１
０／１、Ｒｆ＝０．３８）を用いて、下記化６で表され
る１．２ｇの２臭化物を得た。
【化６】 得られた臭化物は、融点が１４５〜１４７℃の黄色の結
晶であった。又、元素分析の結果は炭素原子が５５．３
６％、水素原子が６．０２％であり、Ｃ41Ｈ52Ｏ2 Ｓ2
Ｓｉ3 Ｂｒ2 とした場合の夫々の計算値５５．６４％及
び５．９２％と良く一致した。
晶であった。又、元素分析の結果は炭素原子が５５．３
６％、水素原子が６．０２％であり、Ｃ41Ｈ52Ｏ2 Ｓ2
Ｓｉ3 Ｂｒ2 とした場合の夫々の計算値５５．６４％及
び５．９２％と良く一致した。
【００２１】チオフェン−シロール共重合体の合成 合成例２．合成例１で使用した無置換のジチエニルシロ
ール（化５）４９５ｍｇの乾燥ヘキサン溶液に、室温で
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン
０．４ｍｌ及びｎ−ブチルリチウムの１．６７モルヘキ
サン溶液１．６ｍｌを順次添加して１時間攪拌した。次
に、クロロトリブチル錫を０．８１ｍｌ滴下した後更に
１時間攪拌し、合成例１で合成した２臭化物（化６）６
０２ｍｇの乾燥テトラヒドロフラン溶液１２ｍｌとＣｌ
2 Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）2 ５２ｍｇを加えた。
ール（化５）４９５ｍｇの乾燥ヘキサン溶液に、室温で
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン
０．４ｍｌ及びｎ−ブチルリチウムの１．６７モルヘキ
サン溶液１．６ｍｌを順次添加して１時間攪拌した。次
に、クロロトリブチル錫を０．８１ｍｌ滴下した後更に
１時間攪拌し、合成例１で合成した２臭化物（化６）６
０２ｍｇの乾燥テトラヒドロフラン溶液１２ｍｌとＣｌ
2 Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）2 ５２ｍｇを加えた。
【００２２】反応混合液を６５℃で一週間攪拌し、溶媒
を留去した後、残りを５０ｍｌのクロロホルムに溶かし
た。クロロホルム溶液を２７ミリモルのシアン化カリウ
ム水溶液で２度、水で２度洗浄した後、硫酸ナトリウム
で乾燥した。濾過した後溶媒を留去して得た固体を少量
のクロロホルムに溶解した後ヘキサンで再沈を行って濾
過し、ヘキサン洗浄を経て、下記化７で表される濃い赤
紫色のポリマーを６５０ｍｇ得た。
を留去した後、残りを５０ｍｌのクロロホルムに溶かし
た。クロロホルム溶液を２７ミリモルのシアン化カリウ
ム水溶液で２度、水で２度洗浄した後、硫酸ナトリウム
で乾燥した。濾過した後溶媒を留去して得た固体を少量
のクロロホルムに溶解した後ヘキサンで再沈を行って濾
過し、ヘキサン洗浄を経て、下記化７で表される濃い赤
紫色のポリマーを６５０ｍｇ得た。
【化７】 重量平均分子量は１２，６００、数平均分子量は７，７
００であった。
００であった。
【００２３】実施例１．合成例２で製造したチオフェン
−シロール共重合体化７をＴＨＦに溶解させて、１０重
量％溶液を調整した。一方、ガラス板上に、白金蒸着に
より４端子部を形成して電極とし、この上に上記溶液を
スピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃で乾燥させて、厚
さ１μｍの薄膜を形成させた。次いで、遮光、密閉下に
得られた薄膜をヨウ素、蒸気と接触させ、直流抵抗の経
時変化を追跡したところ、ヨウ素、蒸気に晒されると、
急速に導電率が上昇し、膜の外観も濃紺から黒茶色に変
化することが確認された。最終的に安定した導電率は
９．２×１０-3Ｓ／ｃｍであった。
−シロール共重合体化７をＴＨＦに溶解させて、１０重
量％溶液を調整した。一方、ガラス板上に、白金蒸着に
より４端子部を形成して電極とし、この上に上記溶液を
スピンコートし、２ｍｍＨｇ／５０℃で乾燥させて、厚
さ１μｍの薄膜を形成させた。次いで、遮光、密閉下に
得られた薄膜をヨウ素、蒸気と接触させ、直流抵抗の経
時変化を追跡したところ、ヨウ素、蒸気に晒されると、
急速に導電率が上昇し、膜の外観も濃紺から黒茶色に変
化することが確認された。最終的に安定した導電率は
９．２×１０-3Ｓ／ｃｍであった。
【００２４】実施例２．合成例２で得たチオフェン−シ
ロール共重合体をプレスして厚さ１００μｍのフィルム
を作製した。次いで得られたフィルムを、４端子部を有
する電極で挟み、導電率測定用の試料を調製した。得ら
れた試料を、真空ラインに接続したガラス瓶容器内に取
り付け、固体ヨウ素と共存させた後脱気した。脱気した
後、固体ヨウ素と共に密閉下に静置した試料の導電率を
測定したところ、ヨウ素蒸気に晒された試料は急速に導
電率が上昇し、最終滴に１×１０-3Ｓ／ｃｍに落ちつい
た。
ロール共重合体をプレスして厚さ１００μｍのフィルム
を作製した。次いで得られたフィルムを、４端子部を有
する電極で挟み、導電率測定用の試料を調製した。得ら
れた試料を、真空ラインに接続したガラス瓶容器内に取
り付け、固体ヨウ素と共存させた後脱気した。脱気した
後、固体ヨウ素と共に密閉下に静置した試料の導電率を
測定したところ、ヨウ素蒸気に晒された試料は急速に導
電率が上昇し、最終滴に１×１０-3Ｓ／ｃｍに落ちつい
た。
【００２５】比較例．固体ヨウ素を全く用いない他は実
施例２と全く同様にして導電率を測定したところ、１×
１０-11 Ｓ／ｃｍと極めて低いものであった。
施例２と全く同様にして導電率を測定したところ、１×
１０-11 Ｓ／ｃｍと極めて低いものであった。
Claims (3)
- 【請求項１】 ヨウ素をドーピングしてなる導電性重合
体組成物であって、該重合体が、下記化１０で表される
チオフェン−シロール−チオフェン骨格を繰り返し単位
として持つ重合体であることを特徴とする導電性重合体
組成物。 【化１０】 但し、化１０中のＲは水素原子又は炭素数が１〜７の一
価の炭化水素基、Ｒ’は炭素数が１〜１２の一価の有機
基または有機基で置換されたケイ素基である。 - 【請求項２】 重合体が、下記化１で表される請求項１
に記載の導電性重合体組成物； 【化１】 但し、化１中のＲは水素原子又は炭素数が１〜７の一価
の炭化水素基、Ｒ’は炭素数が１〜１２の一価の有機基
または有機基で置換されたケイ素基であり、ｎは０〜２
０の整数である。 - 【請求項３】 Ｒ’が第三級ブチルジメチルシリル基で
ある請求項１又は２に記載の導電性重合体組成物。
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| JP27376292A JP2750559B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 導電性重合体組成物 |
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| JP27376292A JP2750559B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 導電性重合体組成物 |
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- 1992-09-16 JP JP27376292A patent/JP2750559B2/ja not_active Expired - Fee Related
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