JP2748877B2 - 半導体レーザとその製造方法 - Google Patents
半導体レーザとその製造方法Info
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- JP2748877B2 JP2748877B2 JP7019952A JP1995295A JP2748877B2 JP 2748877 B2 JP2748877 B2 JP 2748877B2 JP 7019952 A JP7019952 A JP 7019952A JP 1995295 A JP1995295 A JP 1995295A JP 2748877 B2 JP2748877 B2 JP 2748877B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに関し、特
に光通信システムで用いられる半導体レーザとその製造
方法に関する。
に光通信システムで用いられる半導体レーザとその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの光閉じ込め層としては、
単一のバンドギャップエネルギを有するものが多く用い
られている。例えば、図５はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半
導体レーザの例であり、ｐ−ＩｎＰ基板２１上に、ｐ−
ＩｎＰクラッド層２２、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層２
３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２４、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ
込め層２５、ｎ−ＩｎＰクラッド層２６を形成した構成
とされている。このような半導体レーザは、図６に示す
ような単一のバンドギャップエネルギであるため、光閉
じ込め率が低いという問題がある。
単一のバンドギャップエネルギを有するものが多く用い
られている。例えば、図５はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半
導体レーザの例であり、ｐ−ＩｎＰ基板２１上に、ｐ−
ＩｎＰクラッド層２２、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層２
３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２４、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ
込め層２５、ｎ−ＩｎＰクラッド層２６を形成した構成
とされている。このような半導体レーザは、図６に示す
ような単一のバンドギャップエネルギであるため、光閉
じ込め率が低いという問題がある。
【０００３】これに対し、光閉じ込め層の混晶組成を連
続的に変化させることにより屈折率を連続的に変化さ
せ、光閉じ込め率を改善する構成が提案されている。ま
た、これにより、バンドギャップエネルギにも傾斜がで
きるため、注入効率の向上が期待できる。このような構
造の光閉じ込め層はＧＲＩＮＳＣＨ構造と呼ばれてい
る。
続的に変化させることにより屈折率を連続的に変化さ
せ、光閉じ込め率を改善する構成が提案されている。ま
た、これにより、バンドギャップエネルギにも傾斜がで
きるため、注入効率の向上が期待できる。このような構
造の光閉じ込め層はＧＲＩＮＳＣＨ構造と呼ばれてい
る。
【０００４】このような構造は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡ
ｓレーザでは既に提案されており、ＡｌＧａＡｓのＡｌ
組成を変化させることによりバンドギャップ及び屈折率
を変化させることができる。この場合、ＡｌＡｓとＧａ
Ａｓの格子定数は約０．１６％の差しかないため、あら
ゆるＡｌ組成のＡｌＧａＡｓはＧａＡｓにほとんど格子
整合する。したがって、Ａｌ組成を連続的に変化させる
ことによって容易にＧＲＩＮＳＣＨ層を作製することが
可能となる。
ｓレーザでは既に提案されており、ＡｌＧａＡｓのＡｌ
組成を変化させることによりバンドギャップ及び屈折率
を変化させることができる。この場合、ＡｌＡｓとＧａ
Ａｓの格子定数は約０．１６％の差しかないため、あら
ゆるＡｌ組成のＡｌＧａＡｓはＧａＡｓにほとんど格子
整合する。したがって、Ａｌ組成を連続的に変化させる
ことによって容易にＧＲＩＮＳＣＨ層を作製することが
可能となる。
【０００５】因みに、Ｔ．Ｆｕｊｉｉらは、ＡｌＧａＡ
ｓ／ＧａＡｓレーザでこのようなＧＲＩＮＳＣＨ層をも
つレーザを作製し、低いしきい値電流密度（１２４Ａ／
ｃｍ2 ）を得ている（extended abstracts of the 16th
Conf. Solid State Decicesand Materials,Kobe,1984
pp145-148）。
ｓ／ＧａＡｓレーザでこのようなＧＲＩＮＳＣＨ層をも
つレーザを作製し、低いしきい値電流密度（１２４Ａ／
ｃｍ2 ）を得ている（extended abstracts of the 16th
Conf. Solid State Decicesand Materials,Kobe,1984
pp145-148）。
【０００６】そこで、このような技術をＩｎ1-x Ｇａx
Ａｓy Ｐ1-y ／ＩｎＰ半導体レーザの光閉じ込め層につ
いても適用することが考えられ、 III族の組成ｘ、また
はＶ族の組成ｙを変化させることによってバンドギャッ
プ及び屈折率を変化させることが試みられている。
Ａｓy Ｐ1-y ／ＩｎＰ半導体レーザの光閉じ込め層につ
いても適用することが考えられ、 III族の組成ｘ、また
はＶ族の組成ｙを変化させることによってバンドギャッ
プ及び屈折率を変化させることが試みられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光閉じ込め層をＩｎＰに格子整合させるためには、
ｙ＝２．１８ｘの関係を満たすことが必要であり、この
ためＧＲＩＮＳＣＨ層を作製するには III族原料とＶ族
原料の両者の量を同時に変化させることが要求される。
しかし、レーザ結晶の成長に広く用いられている通常の
ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法では、原料の流量と
成長する結晶の組成が必ずしも比例しないため、所望の
バンドギャップ及び屈折をもち、かつＩｎＰに格子整合
するＩｎＧａＡｓＰ層を成長するためには、実際には何
回かの成長、調整を繰り返して適切な III族及びＶ族の
原料の流量を求める必要があり、多大な時間と労力を要
する。また、この制約のために、実際には連続的に変化
する層を作製することが困難になり、図７に示すような
階段状のエネルギの層になってしまい、効果が減少され
てしまうという問題がある。
うな光閉じ込め層をＩｎＰに格子整合させるためには、
ｙ＝２．１８ｘの関係を満たすことが必要であり、この
ためＧＲＩＮＳＣＨ層を作製するには III族原料とＶ族
原料の両者の量を同時に変化させることが要求される。
しかし、レーザ結晶の成長に広く用いられている通常の
ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法では、原料の流量と
成長する結晶の組成が必ずしも比例しないため、所望の
バンドギャップ及び屈折をもち、かつＩｎＰに格子整合
するＩｎＧａＡｓＰ層を成長するためには、実際には何
回かの成長、調整を繰り返して適切な III族及びＶ族の
原料の流量を求める必要があり、多大な時間と労力を要
する。また、この制約のために、実際には連続的に変化
する層を作製することが困難になり、図７に示すような
階段状のエネルギの層になってしまい、効果が減少され
てしまうという問題がある。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的は、ＩｎＧａＡｓまたはＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層を有する半導体レーザにおいて、屈
折率が連続的に変化する光閉じ込め層をもち、かつ作製
が容易な半導体レーザとその製造方法を提供することに
ある。
ｎＧａＡｓＰ活性層を有する半導体レーザにおいて、屈
折率が連続的に変化する光閉じ込め層をもち、かつ作製
が容易な半導体レーザとその製造方法を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓからなる活性層
がＩｎＡｓＰ層またはＩｎＧａＡｓＰ層からなる光閉じ
込め層で挟まれた構造を有する半導体レーザにおいて、
光閉じ込め層が基板に格子整合せず臨界層厚を越えない
層厚と歪量の層として形成されていることを特徴とす
る。
は、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓからなる活性層
がＩｎＡｓＰ層またはＩｎＧａＡｓＰ層からなる光閉じ
込め層で挟まれた構造を有する半導体レーザにおいて、
光閉じ込め層が基板に格子整合せず臨界層厚を越えない
層厚と歪量の層として形成されていることを特徴とす
る。
【００１０】例えば、光閉じ込め層は、Ｖ族組成のみが
その層の厚さ方向に変化されることで歪量が連続的に変
化される。或いは、 III族組成のみがその層の厚さ方向
に変化されることで歪量が連続的に変化される。
その層の厚さ方向に変化されることで歪量が連続的に変
化される。或いは、 III族組成のみがその層の厚さ方向
に変化されることで歪量が連続的に変化される。
【００１１】また、本発明の半導体レーザの製造方法
は、半導体基板上にＩｎＰクラッド層を形成する工程
と、その上にＶ族組成または III族組成の原料のいずれ
か一方の流量を徐々に変化させながらＩｎＡｓＰまたは
ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層を成長する工程と、その上
にＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ活性層を成長する
工程と、その上にＶ族組成または III族組成の原料のい
ずれか一方の流量を徐々に変化させながらＩｎＡｓＰま
たはＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層を成長する工程と、そ
の上にＩｎＰクラッド層を形成する工程とを含むことを
特徴とする。
は、半導体基板上にＩｎＰクラッド層を形成する工程
と、その上にＶ族組成または III族組成の原料のいずれ
か一方の流量を徐々に変化させながらＩｎＡｓＰまたは
ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層を成長する工程と、その上
にＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ活性層を成長する
工程と、その上にＶ族組成または III族組成の原料のい
ずれか一方の流量を徐々に変化させながらＩｎＡｓＰま
たはＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層を成長する工程と、そ
の上にＩｎＰクラッド層を形成する工程とを含むことを
特徴とする。
【００１２】
【作用】III族またはＶ族組成の原料の流量を徐々に変
化させながらＩｎＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込
め層を成長することで、半導体基板に対して格子整合し
なくとも、格子整合している場合と同様に結晶性のよい
光閉じ込め層が構成できる。このため、活性層に対して
拡散及び電界によってキャリアを注入することができ、
キャリアの注入効率が高められ、かつ屈折率が連続的に
変化されるため光閉じ込め効率が高められ、かつキャリ
アの注入効率が高められる。これにより、低いしきい値
電流と高効率の半導体レーザが得られる。
化させながらＩｎＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込
め層を成長することで、半導体基板に対して格子整合し
なくとも、格子整合している場合と同様に結晶性のよい
光閉じ込め層が構成できる。このため、活性層に対して
拡散及び電界によってキャリアを注入することができ、
キャリアの注入効率が高められ、かつ屈折率が連続的に
変化されるため光閉じ込め効率が高められ、かつキャリ
アの注入効率が高められる。これにより、低いしきい値
電流と高効率の半導体レーザが得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の第１実施例の半導体レーザのＤＨ
構造部の断面図、図２はそれに対応するエネルギバン
ド、屈折率、歪量を示す図である。ｐ−ＩｎＰ基板１上
にＭＯＣＶＤ法によりｐ−ＩｎＰからなるクラッド層２
を成長する。次に、ＩｎＰの原料となるＴＭＩ，ＴＢＰ
に加え、Ｖ族のＡｓの原料であるＴＢＡを反応室に流す
ことにより、ＩｎＡｓy Ｐ1-y 光閉じ込め層３を成長す
る。
する。図１は本発明の第１実施例の半導体レーザのＤＨ
構造部の断面図、図２はそれに対応するエネルギバン
ド、屈折率、歪量を示す図である。ｐ−ＩｎＰ基板１上
にＭＯＣＶＤ法によりｐ−ＩｎＰからなるクラッド層２
を成長する。次に、ＩｎＰの原料となるＴＭＩ，ＴＢＰ
に加え、Ｖ族のＡｓの原料であるＴＢＡを反応室に流す
ことにより、ＩｎＡｓy Ｐ1-y 光閉じ込め層３を成長す
る。
【００１４】このとき、ＴＢＡの流量を０から徐々に増
加することにより、ＩｎＰからＩｎＡｓ0.15Ｐ0.85まで
徐々にＶ族組成が変化され、歪量が圧縮方向に徐々に増
加するように変化される。これに伴ってバンドギャップ
は徐々に減少し、屈折率は増加される。
加することにより、ＩｎＰからＩｎＡｓ0.15Ｐ0.85まで
徐々にＶ族組成が変化され、歪量が圧縮方向に徐々に増
加するように変化される。これに伴ってバンドギャップ
は徐々に減少し、屈折率は増加される。
【００１５】次に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４の成長を行
い、その後再びＴＢＡによりＩｎＡｓy Ｐ1-y 光閉じ込
め層５を成長する。このとき、今度はＴＢＡの流量を徐
々に減少させることにより、ＩｎＡｓ0.15Ｐ0.85からＩ
ｎＰまで徐々にＶ族組成が変化され、歪量が圧縮方向か
ら低減される光閉じ込め層が成長され、これに伴ってバ
ンドギャップは徐々に増加し、屈折率は低減される。し
かる後、ｎ−ＩｎＰクラッド層を成長する。これによ
り、図１のＤＨ構造部が形成される。
い、その後再びＴＢＡによりＩｎＡｓy Ｐ1-y 光閉じ込
め層５を成長する。このとき、今度はＴＢＡの流量を徐
々に減少させることにより、ＩｎＡｓ0.15Ｐ0.85からＩ
ｎＰまで徐々にＶ族組成が変化され、歪量が圧縮方向か
ら低減される光閉じ込め層が成長され、これに伴ってバ
ンドギャップは徐々に増加し、屈折率は低減される。し
かる後、ｎ−ＩｎＰクラッド層を成長する。これによ
り、図１のＤＨ構造部が形成される。
【００１６】ここで、前記ＩｎＡｓy Ｐ1-y 光閉じ込め
層３，５の形成に際しては、各層の厚さがその光波長や
屈折率に対する臨界層厚を超えないように歪量と層厚を
設定する。この設定を行うことにより、前記ＩｎＡｓy
Ｐ1-y 光閉じ込め層３，５では、格子整合している場合
と同様に結晶性のよい光閉じ込め層として形成される。
層３，５の形成に際しては、各層の厚さがその光波長や
屈折率に対する臨界層厚を超えないように歪量と層厚を
設定する。この設定を行うことにより、前記ＩｎＡｓy
Ｐ1-y 光閉じ込め層３，５では、格子整合している場合
と同様に結晶性のよい光閉じ込め層として形成される。
【００１７】なお、ＬＰＥ或いはＭＯＣＶＤ法によって
埋め込み構造を作製し、電極を形成することで半導体レ
ーザが完成される。
埋め込み構造を作製し、電極を形成することで半導体レ
ーザが完成される。
【００１８】この第１実施例の半導体レーザの特性を、
共振器長３００μｍ、両端劈開の素子で評価したとこ
ろ、２０℃において７ｍＡの発振しきい値電流と０．３
２Ｗ／Ａのスロープ効率が得られた。因みに、図５及び
図６に示したＩｎＧａＡｓＰ混晶の半導体レーザの２０
℃における特性は、発振しきい値電流が９ｍＡ、スロー
プ効率が０．３０Ｗ／Ａであった。
共振器長３００μｍ、両端劈開の素子で評価したとこ
ろ、２０℃において７ｍＡの発振しきい値電流と０．３
２Ｗ／Ａのスロープ効率が得られた。因みに、図５及び
図６に示したＩｎＧａＡｓＰ混晶の半導体レーザの２０
℃における特性は、発振しきい値電流が９ｍＡ、スロー
プ効率が０．３０Ｗ／Ａであった。
【００１９】このように、この第１実施例の半導体レー
ザでは、従来多く用いられている単一の組成のＩｎＧａ
ＡｓＰ混晶を光閉じ込め層にもつ半導体レーザに比べて
光閉じ込め効率を高め、かつキャリアの注入効率を高め
ることができるため、低いしいき値電流と高いスロープ
効率をもつ半導体レーザが実現できる。また、図７に示
したような階段状に組成を変化させた光閉じ込め層を持
つ半導体レーザに比較し、単に単一族の組成流量を変化
制御すればよいので、容易に作製できる利点もある。
ザでは、従来多く用いられている単一の組成のＩｎＧａ
ＡｓＰ混晶を光閉じ込め層にもつ半導体レーザに比べて
光閉じ込め効率を高め、かつキャリアの注入効率を高め
ることができるため、低いしいき値電流と高いスロープ
効率をもつ半導体レーザが実現できる。また、図７に示
したような階段状に組成を変化させた光閉じ込め層を持
つ半導体レーザに比較し、単に単一族の組成流量を変化
制御すればよいので、容易に作製できる利点もある。
【００２０】図３は本発明の第２実施例の半導体レーザ
のＤＨ構造部の断面図、図４はこれに対応するエネルギ
バンド、屈折率、歪量を示す図である。この実施例で
は、先ず、ｐ−ＩｎＰ基板１１上にＭＯＣＶＤ法によっ
てｐ−ＩｎＰからなるクラッド層１２を成長させる。次
に、 III族のＩｎの原料であるＴＭＩの流量を連続的に
増加、或いはＧａの原料であるＴＥＧの流量を連続的に
減少させ、Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓ0.3 Ｐ0.7 光閉じ込め層
１３を成長する。
のＤＨ構造部の断面図、図４はこれに対応するエネルギ
バンド、屈折率、歪量を示す図である。この実施例で
は、先ず、ｐ−ＩｎＰ基板１１上にＭＯＣＶＤ法によっ
てｐ−ＩｎＰからなるクラッド層１２を成長させる。次
に、 III族のＩｎの原料であるＴＭＩの流量を連続的に
増加、或いはＧａの原料であるＴＥＧの流量を連続的に
減少させ、Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓ0.3 Ｐ0.7 光閉じ込め層
１３を成長する。
【００２１】ここで、 III族原料の流量を徐々に増加さ
せることにより、Ｉｎ0.8 Ｇａ0.2Ａｓ0.3 Ｐ0.7 から
Ｉｎ0.86Ｇａ0.14Ａｓ0.3 Ｐ0.7 まで徐々に歪量が変化
される。次にＩｎＧａＡｓＰ活性層１４の成長を行い、
その後、今度は徐々にＴＭＩ流量を連続的に減少、或い
はＴＥＧ流量を連続的に増加させることにより、Ｉｎ
0.86Ｇａ0.14Ａｓ0.3 Ｐ0.7 からＩｎ0.8 Ｇａ0.2 Ａｓ
0.3 Ｐ0.7 まで徐々に III族組成が変化する光閉じ込め
層１５を成長させる。その後、ｎ−ＩｎＰクラッド層１
６を成長することで、図３のＤＨ構造部が作製される。
せることにより、Ｉｎ0.8 Ｇａ0.2Ａｓ0.3 Ｐ0.7 から
Ｉｎ0.86Ｇａ0.14Ａｓ0.3 Ｐ0.7 まで徐々に歪量が変化
される。次にＩｎＧａＡｓＰ活性層１４の成長を行い、
その後、今度は徐々にＴＭＩ流量を連続的に減少、或い
はＴＥＧ流量を連続的に増加させることにより、Ｉｎ
0.86Ｇａ0.14Ａｓ0.3 Ｐ0.7 からＩｎ0.8 Ｇａ0.2 Ａｓ
0.3 Ｐ0.7 まで徐々に III族組成が変化する光閉じ込め
層１５を成長させる。その後、ｎ−ＩｎＰクラッド層１
６を成長することで、図３のＤＨ構造部が作製される。
【００２２】この第２実施例においても、光閉じ込め層
１３，１５の層厚は臨界膜厚を越えないように歪量、層
厚を設定することにより、格子整合している場合と同様
に結晶性のよい光閉じ込め層を作製することが可能とな
る。また、この第２実施例においても、第１実施例と同
様に、発振しきい値電流とスロープ効率を得ることがで
きることが確認されている。
１３，１５の層厚は臨界膜厚を越えないように歪量、層
厚を設定することにより、格子整合している場合と同様
に結晶性のよい光閉じ込め層を作製することが可能とな
る。また、この第２実施例においても、第１実施例と同
様に、発振しきい値電流とスロープ効率を得ることがで
きることが確認されている。
【００２３】なお、前記各実施例では、本発明をｐ−Ｉ
ｎＰ基板に半導体レーザを構成した例について説明して
いるが、ｎ−ＩｎＰ基板についても同様に本発明を適用
して半導体レーザを構成することが可能である。また、
活性層に関しては、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ
であれば制限はなく、バルク構造でも量子井戸構造でも
よいことは改めて説明するまでもないことである。更
に、本発明はＧａＡｓ基板上に構成するＩｎＧａＡｓＰ
レーザにも適用することが可能である。
ｎＰ基板に半導体レーザを構成した例について説明して
いるが、ｎ−ＩｎＰ基板についても同様に本発明を適用
して半導体レーザを構成することが可能である。また、
活性層に関しては、ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ
であれば制限はなく、バルク構造でも量子井戸構造でも
よいことは改めて説明するまでもないことである。更
に、本発明はＧａＡｓ基板上に構成するＩｎＧａＡｓＰ
レーザにも適用することが可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、活性層を
挟むように設けられたＩｎＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓＰ
光閉じ込め層として、基板に格子整合せず臨界層厚を越
えない層厚と歪量の層として形成されているので、半導
体基板に対して格子整合しなくとも、格子整合している
場合と同様に結晶性のよい光閉じ込め層が構成でき、光
閉じ込め効率を高め、かつキャリアの注入効率が向上で
き、低いしきい値電流と高いスロープ効率を得ることが
できる。
挟むように設けられたＩｎＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓＰ
光閉じ込め層として、基板に格子整合せず臨界層厚を越
えない層厚と歪量の層として形成されているので、半導
体基板に対して格子整合しなくとも、格子整合している
場合と同様に結晶性のよい光閉じ込め層が構成でき、光
閉じ込め効率を高め、かつキャリアの注入効率が向上で
き、低いしきい値電流と高いスロープ効率を得ることが
できる。
【００２５】また、本発明ではＩｎＡｓＰまたはＩｎＧ
ａＡｓＰ光閉じ込め層を成長するに際し、Ｖ族組成また
は III族組成の原料のいずれか一方の流量を徐々に変化
させながら成長を行うため、単一の組成の流量を変化制
御するだけで光閉じ込め層を作製することができ、所要
の特性の光閉じ込め層の作製を容易に行うことができ
る。
ａＡｓＰ光閉じ込め層を成長するに際し、Ｖ族組成また
は III族組成の原料のいずれか一方の流量を徐々に変化
させながら成長を行うため、単一の組成の流量を変化制
御するだけで光閉じ込め層を作製することができ、所要
の特性の光閉じ込め層の作製を容易に行うことができ
る。
【図１】本発明の半導体レーザの第１実施例のＤＨ構造
部の断面図である。
部の断面図である。
【図２】第１実施例のエネルギバンド、屈折率、歪量を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の半導体レーザの第２実施例のＤＨ構造
部の断面図である。
部の断面図である。
【図４】第２実施例のエネルギバンド、屈折率、歪量を
示す図である。
示す図である。
【図５】従来の半導体レーザのＤＨ構造部の断面図であ
る。
る。
【図６】図５の半導体レーザのエネルギバンド図であ
る。
る。
【図７】改良された半導体レーザのエネルギバンド図で
ある。
ある。
１，１１ 基板 ２，１２ クラッド層 ３，５ ＩｎＡｓＰ光閉じ込め層 ４，１４ 活性層 ６，１６ クラッド層 １３，１５ ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓから
なる活性層がＩｎＡｓＰ層またはＩｎＧａＡｓＰ層から
なる光閉じ込め層で挟まれた構造を有する半導体レーザ
において、前記光閉じ込め層が基板に格子整合せず臨界
層厚を越えない層厚と歪量の層として形成されているこ
とを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 光閉じ込め層は、Ｖ族組成のみがその層
の厚さ方向に変化されることで歪量が連続的に変化され
てなる請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 光閉じ込め層は、 III族組成のみがその
層の厚さ方向に変化されることで歪量が連続的に変化さ
れてなる請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 半導体基板上にＩｎＰクラッド層を形成
する工程と、その上にＶ族組成または III族組成の原料
のいずれか一方の流量を徐々に変化させながらＩｎＡｓ
ＰまたはＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層を成長する工程
と、その上にＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ活性層
を成長する工程と、その上にＶ族組成または III族組成
の原料のいずれか一方の流量を徐々に変化させながらＩ
ｎＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層を成長する
工程と、その上にＩｎＰクラッド層を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7019952A JP2748877B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 半導体レーザとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7019952A JP2748877B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 半導体レーザとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195526A JPH08195526A (ja) | 1996-07-30 |
| JP2748877B2 true JP2748877B2 (ja) | 1998-05-13 |
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ID=12013546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7019952A Expired - Fee Related JP2748877B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 半導体レーザとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748877B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102686A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Denso Corp | 半導体レーザ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0447096B1 (en) * | 1990-03-13 | 1995-12-06 | AT&T Corp. | Quantum-well laser comprising an InGaAsP containment layer, and method of producing the laser |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP7019952A patent/JP2748877B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９９３年（平成５年）春季第４０回応用物理学関係連合講演会予稿集第３分冊 ３１ｐ−Ｃ−１２ Ｐ．１０９０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08195526A (ja) | 1996-07-30 |
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