JP2747247B2 - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
- Publication number
- JP2747247B2 JP2747247B2 JP7153238A JP15323895A JP2747247B2 JP 2747247 B2 JP2747247 B2 JP 2747247B2 JP 7153238 A JP7153238 A JP 7153238A JP 15323895 A JP15323895 A JP 15323895A JP 2747247 B2 JP2747247 B2 JP 2747247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- epoxy resin
- particle size
- inorganic filler
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を封止す
るのに使用される半導体封止用樹脂組成物に関するもの
であり、詳しくは、回路基板等に対する実装を堅固に行
うこと可能な半導体装置を製造できる半導体封止用樹脂
組成物に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子はセラミックパッケージもしくはプラスチックパッ
ケージ等により封止され半導体装置化されている。上記
セラミックパッケージは構成材料そのものが耐熱性を有
し、耐湿性にも優れているため信頼性の高い封止が可能
である。しかしながら、構成材料が比較的高価なもので
あることと量産性に劣る欠点があるため最近ではエポキ
シ樹脂組成物を用いた樹脂封止が主流になっている。こ
の種のエポキシ樹脂組成物としては、エポキシ樹脂と、
硬化剤としてのノボラック型フェノール樹脂と、イミダ
ゾール硬化促進剤，無機質充填剤としての石英粉末，離
型剤としてのカルナバワックス等から構成されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
エポキシ樹脂組成物では、上記トランジスタ，ＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体素子を封止し、半導体装置化するとき
に、リードピン部分まで樹脂のバリが延びるため、上記
半導体装置を回路基板に対して実装する際に、上記樹脂
のバリが障害となって半導体装置のリードピンを回路基
板に堅固に半田付けできない等の欠点が生じている。 【０００４】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、バリの発生が防止されて回路基板等に対して
堅固に取付け固定することができる半導体装置を製造す
ることが可能な半導体封止用樹脂組成物の提供をその目
的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体封止用樹脂組成物は、無機質充填
剤を含むエポキシ樹脂組成物において、上記無機質充填
剤が、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有
するものであって、その主成分が粒径５０μｍ以下のも
のであり、かつこの粒径５０μｍ以下のものの粒度分布
が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）のようになっているという構
成をとる。 （Ａ）５μｍ以下の粒度のものが５．０〜２０．０重量
％。 （Ｂ）６〜１０μｍの粒度のものが５．０〜１５．０重
量％。 （Ｃ）１１〜５０μｍの粒度のものが６０．０〜８０．
０重量％。 【０００６】 【作用】すなわち、本発明者は、上記リードピン部分ま
で延びる樹脂のバリの発生を防止する目的で無機質充填
剤を中心にモデル実験を重ねた結果、エポキシ樹脂組成
物の無機質充填剤として、上記特定の球形度のものを用
い、かつその無機質充填剤の粒径を５０μｍ以下に設定
し、しかも、この５０μｍ以下のものの粒度分布を上記
のような割合に設定すると、バリの発生が大幅に少なく
なることを見出しこの発明に到達した。この特殊な無機
質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物の使用により、
回路基板に対する実装工程において堅固に固定しうる半
導体装置の提供が可能となる。 【０００７】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物の無
機質充填剤は、上記のように、ワーデルの球形度で０．
７〜１．０の球形度を有するものであって、その主成分
が粒径５０μｍ以下のものであり、しかも上記粒径５０
μｍ以下のものの粒度分布が上記の（Ａ）〜（Ｃ）のよ
うになっているものである。 【０００８】ここで、ワーデルの球形度（化学工学便
覧，丸善株式会社発行参照）とは粒子の球形度を、（粒
子の投影面積に等しい円の直径）／（粒子の投影像に外
接する最小円の直径）で測る指数で、この指数が１．０
に近いほど真球体に近い粒子であることを意味する。 【０００９】上記ワーデルの球形度が０．７未満になる
と、無機質充填剤が異形状（角ばった状態）になって鋭
利な角部をもつことが多くなり、このような無機質充填
剤を含む樹脂で封止すると、得られる半導体装置におい
ては、封止後における上記樹脂の熱収縮時に、半導体素
子を保護するパッシベーション膜が無機質充填剤の鋭利
な角部で損傷を受けるようになるからである。したがっ
て、この発明で使用する無機質充填剤はワーデルの球形
度で０．７〜１．０の球形度を有する球状のものである
ことが必要である。そして、このような球状の無機質充
填剤のうち、その主成分が粒径５０μｍ以下のものであ
ることがさらに要求される。ここで、主成分とすると
は、上記粒径のものが、全無機質充填剤中少なくとも８
５重量％（以下「％」と略す）を占めることをいう。し
たがって、粒径５０μｍを超える無機質充填剤は最大限
で２５％まで含まれるものであり、この場合、上記大粒
径のものは、最大粒径が５０μｍを超えるものの、１５
０μｍ以下であることが好適である。そして、無機質充
填剤の主成分となる粒径５０μｍ以下のものについて
は、その粒度分布が前記（Ａ）〜（Ｃ）のようになって
いることが必要である。このような条件を全て満たすこ
とによって初めて成形時の樹脂のバリの発生が防止され
るようになる。また、それと同時に、エポキシ樹脂組成
物の成形時の粘度が高くなりすぎ、成形金型のキャビテ
ィに対する未充填部分の発生が防止されるようになる。 【００１０】上記のような無機質充填剤としては、例え
ば、シリカ粉末，アルミナ粉末，窯化アルミニウム，炭
化ケイ素，タルク，結晶性シリカ粉末等があげられる
が、低熱膨脹性および高純度の観点からシリカ粉末，結
晶性シリカ粉末，アルミナ粉末を使用することが好結果
をもたらす。このような無機質充填剤は、エポキシ樹脂
組成物中に５０〜９０％程度含有されるようにすること
が好ましい。すなわち、上記無機質充填剤の含有量が５
０％未満の場合には、成形時にバリの発生が多くなり、
作業性に問題を生じると同時にコストも高くなるからで
ある。逆に、無機質充填剤の含有量が９０％を超えると
成形時に未充填部分が発生する等の弊害が生じるように
なる。 【００１１】上記無機質充填剤が配合されるエポキシ樹
脂組成物は、その主成分がエポキシ樹脂と硬化剤とから
なるものである。上記エポキシ樹脂としては、１分子中
に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれ
ば特に制限するものではない。通常エポキシ当量１５０
〜２００のノボラック型エポキシ樹脂であって、例えば
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂，ハロゲン化フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂等が用いられる。これらのエポキシ樹
脂は単独で用いてもよいし併せて用いても差し支えはな
い。特に好適なのはクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂があげられ、これを全エポキシ樹脂中５０％以上の割
合で使用することが好適である。そして、これらのエポ
キシ樹脂は、いずれも塩素イオンの含有量が０．１％以
下に設定されていることが得られる半導体装置の信頼性
の確保の点から望ましい。 【００１２】上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常
ノボラック型フェノール樹脂が用いられ、フェノールノ
ボラック樹脂，クレゾールノボラック樹脂等の１分子中
に２個以上の水酸基を有する化合物であって、軟化点が
６０〜１２０℃、水酸基当量が９０〜１２０程度のもの
を用いることが好ましい。 【００１３】上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂と
の相互の配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基と
フェノール樹脂中の水酸基との当量比が０．８〜１．２
となるように配合することが好適である。上記の当量比
を外れると、特にエポキシ樹脂組成物の硬化性が著しく
低下し、樹脂としての特性が不適になるからである。上
記当量比が１に近いほど好結果が得られるようになる。 【００１４】なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成
物には、三酸化アンチモン，リン系化合物等の難燃剤、
顔料、染料、シラン系カップリング剤，アルミニウム系
カップリング剤，チタネート系カップリング剤等のカッ
プリング剤やカルナバワックス，モンタンワックス等の
離型剤を必要に応じて配合することができる。 【００１５】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
例えば、上記のような特定の無機質充填剤と、エポキシ
樹脂，フェノール樹脂および必要に応じてその他の添加
剤を配合し、この配合物をミキサー等によって充分混合
分散させたのち、ミキシングロール機等の混練機に掛け
て加熱状態で混練する。ついで得られた混練物を室温ま
で冷却した後公知の手段によって粉砕し、必要に応じて
打錠してタブレット化するという一連の工程を経由させ
ることにより製造することができる。 【００１６】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は特に限定するものではなく、通常の
方法、例えばトランスファー成形等の公知のモールド方
法により行うことができる。 【００１７】このようにして得られる半導体装置は、成
形時において樹脂のバリが生じていず、したがって、例
えば回路基板に対する実装に際して上記バリが邪魔にな
らず堅固に固定しうるようになる。 【００１８】 【発明の効果】この発明の半導体封止用樹脂組成物は、
上記特定の無機質充填剤を含有するものである。このた
め、これを用いて得られる半導体装置において、リード
ピン上に樹脂のバリが生じていず、したがって、バリに
邪魔されることなく回路基板等に堅固に取付け固定しう
るのである。 【００１９】つぎに、この発明を実施例にもとづいて詳
しく説明する。 【００２０】まず、無機質充填剤として下記の表１に示
すような粒度分布の無機質充填剤Ａ〜Ｄ（いずれもシリ
カ粉末）を準備した。 【００２１】 【表１】【００２２】つぎに、上記の無機質充填剤を用いつぎの
ようにしてエポキシ樹脂組成物をつくり、それを用いて
半導体装置を製造した。 【００２３】 【実施例１〜４，比較例】クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（エポキシ当量２１０，軟化点８０℃）１００
重量部（以下「部」と略す）に対してフェノールノボラ
ック樹脂（軟化点７８℃，水酸基当量１１０）５７部、
２−メチルイミダゾール０．３部，三酸化アンチモン１
０部，シランカップリング剤（日本ユニカー社製，Ａ−
１８６）３部，カーボンブラック２部およびカルナバワ
ックス４部ならびに第１表の無機質充填剤Ａ〜Ｄを後記
の第２表に示す割合で配合した。つぎに、この配合物を
９０〜１００℃の熱ロールに掛けて１０分間混練し、つ
いで冷却粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。 【００２４】つぎに、上記のようにして得られたエポキ
シ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形
によってモールドすることにより半導体装置を得た。こ
のようにして得られた半導体装置において、リードピン
部分まで延びたバリの長さについて測定し、後記の表２
に示した。 【００２５】 【表２】【００２６】上記表２から実施例品は、バリが比較例に
比べていずれも小さく、したがって、回路基板に対する
実装時にバリが邪魔にならず堅固な固定を実現しうるこ
とがわかる。
るのに使用される半導体封止用樹脂組成物に関するもの
であり、詳しくは、回路基板等に対する実装を堅固に行
うこと可能な半導体装置を製造できる半導体封止用樹脂
組成物に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子はセラミックパッケージもしくはプラスチックパッ
ケージ等により封止され半導体装置化されている。上記
セラミックパッケージは構成材料そのものが耐熱性を有
し、耐湿性にも優れているため信頼性の高い封止が可能
である。しかしながら、構成材料が比較的高価なもので
あることと量産性に劣る欠点があるため最近ではエポキ
シ樹脂組成物を用いた樹脂封止が主流になっている。こ
の種のエポキシ樹脂組成物としては、エポキシ樹脂と、
硬化剤としてのノボラック型フェノール樹脂と、イミダ
ゾール硬化促進剤，無機質充填剤としての石英粉末，離
型剤としてのカルナバワックス等から構成されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
エポキシ樹脂組成物では、上記トランジスタ，ＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体素子を封止し、半導体装置化するとき
に、リードピン部分まで樹脂のバリが延びるため、上記
半導体装置を回路基板に対して実装する際に、上記樹脂
のバリが障害となって半導体装置のリードピンを回路基
板に堅固に半田付けできない等の欠点が生じている。 【０００４】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、バリの発生が防止されて回路基板等に対して
堅固に取付け固定することができる半導体装置を製造す
ることが可能な半導体封止用樹脂組成物の提供をその目
的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体封止用樹脂組成物は、無機質充填
剤を含むエポキシ樹脂組成物において、上記無機質充填
剤が、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有
するものであって、その主成分が粒径５０μｍ以下のも
のであり、かつこの粒径５０μｍ以下のものの粒度分布
が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）のようになっているという構
成をとる。 （Ａ）５μｍ以下の粒度のものが５．０〜２０．０重量
％。 （Ｂ）６〜１０μｍの粒度のものが５．０〜１５．０重
量％。 （Ｃ）１１〜５０μｍの粒度のものが６０．０〜８０．
０重量％。 【０００６】 【作用】すなわち、本発明者は、上記リードピン部分ま
で延びる樹脂のバリの発生を防止する目的で無機質充填
剤を中心にモデル実験を重ねた結果、エポキシ樹脂組成
物の無機質充填剤として、上記特定の球形度のものを用
い、かつその無機質充填剤の粒径を５０μｍ以下に設定
し、しかも、この５０μｍ以下のものの粒度分布を上記
のような割合に設定すると、バリの発生が大幅に少なく
なることを見出しこの発明に到達した。この特殊な無機
質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物の使用により、
回路基板に対する実装工程において堅固に固定しうる半
導体装置の提供が可能となる。 【０００７】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物の無
機質充填剤は、上記のように、ワーデルの球形度で０．
７〜１．０の球形度を有するものであって、その主成分
が粒径５０μｍ以下のものであり、しかも上記粒径５０
μｍ以下のものの粒度分布が上記の（Ａ）〜（Ｃ）のよ
うになっているものである。 【０００８】ここで、ワーデルの球形度（化学工学便
覧，丸善株式会社発行参照）とは粒子の球形度を、（粒
子の投影面積に等しい円の直径）／（粒子の投影像に外
接する最小円の直径）で測る指数で、この指数が１．０
に近いほど真球体に近い粒子であることを意味する。 【０００９】上記ワーデルの球形度が０．７未満になる
と、無機質充填剤が異形状（角ばった状態）になって鋭
利な角部をもつことが多くなり、このような無機質充填
剤を含む樹脂で封止すると、得られる半導体装置におい
ては、封止後における上記樹脂の熱収縮時に、半導体素
子を保護するパッシベーション膜が無機質充填剤の鋭利
な角部で損傷を受けるようになるからである。したがっ
て、この発明で使用する無機質充填剤はワーデルの球形
度で０．７〜１．０の球形度を有する球状のものである
ことが必要である。そして、このような球状の無機質充
填剤のうち、その主成分が粒径５０μｍ以下のものであ
ることがさらに要求される。ここで、主成分とすると
は、上記粒径のものが、全無機質充填剤中少なくとも８
５重量％（以下「％」と略す）を占めることをいう。し
たがって、粒径５０μｍを超える無機質充填剤は最大限
で２５％まで含まれるものであり、この場合、上記大粒
径のものは、最大粒径が５０μｍを超えるものの、１５
０μｍ以下であることが好適である。そして、無機質充
填剤の主成分となる粒径５０μｍ以下のものについて
は、その粒度分布が前記（Ａ）〜（Ｃ）のようになって
いることが必要である。このような条件を全て満たすこ
とによって初めて成形時の樹脂のバリの発生が防止され
るようになる。また、それと同時に、エポキシ樹脂組成
物の成形時の粘度が高くなりすぎ、成形金型のキャビテ
ィに対する未充填部分の発生が防止されるようになる。 【００１０】上記のような無機質充填剤としては、例え
ば、シリカ粉末，アルミナ粉末，窯化アルミニウム，炭
化ケイ素，タルク，結晶性シリカ粉末等があげられる
が、低熱膨脹性および高純度の観点からシリカ粉末，結
晶性シリカ粉末，アルミナ粉末を使用することが好結果
をもたらす。このような無機質充填剤は、エポキシ樹脂
組成物中に５０〜９０％程度含有されるようにすること
が好ましい。すなわち、上記無機質充填剤の含有量が５
０％未満の場合には、成形時にバリの発生が多くなり、
作業性に問題を生じると同時にコストも高くなるからで
ある。逆に、無機質充填剤の含有量が９０％を超えると
成形時に未充填部分が発生する等の弊害が生じるように
なる。 【００１１】上記無機質充填剤が配合されるエポキシ樹
脂組成物は、その主成分がエポキシ樹脂と硬化剤とから
なるものである。上記エポキシ樹脂としては、１分子中
に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれ
ば特に制限するものではない。通常エポキシ当量１５０
〜２００のノボラック型エポキシ樹脂であって、例えば
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂，ハロゲン化フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂等が用いられる。これらのエポキシ樹
脂は単独で用いてもよいし併せて用いても差し支えはな
い。特に好適なのはクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂があげられ、これを全エポキシ樹脂中５０％以上の割
合で使用することが好適である。そして、これらのエポ
キシ樹脂は、いずれも塩素イオンの含有量が０．１％以
下に設定されていることが得られる半導体装置の信頼性
の確保の点から望ましい。 【００１２】上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、通常
ノボラック型フェノール樹脂が用いられ、フェノールノ
ボラック樹脂，クレゾールノボラック樹脂等の１分子中
に２個以上の水酸基を有する化合物であって、軟化点が
６０〜１２０℃、水酸基当量が９０〜１２０程度のもの
を用いることが好ましい。 【００１３】上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂と
の相互の配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基と
フェノール樹脂中の水酸基との当量比が０．８〜１．２
となるように配合することが好適である。上記の当量比
を外れると、特にエポキシ樹脂組成物の硬化性が著しく
低下し、樹脂としての特性が不適になるからである。上
記当量比が１に近いほど好結果が得られるようになる。 【００１４】なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成
物には、三酸化アンチモン，リン系化合物等の難燃剤、
顔料、染料、シラン系カップリング剤，アルミニウム系
カップリング剤，チタネート系カップリング剤等のカッ
プリング剤やカルナバワックス，モンタンワックス等の
離型剤を必要に応じて配合することができる。 【００１５】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
例えば、上記のような特定の無機質充填剤と、エポキシ
樹脂，フェノール樹脂および必要に応じてその他の添加
剤を配合し、この配合物をミキサー等によって充分混合
分散させたのち、ミキシングロール機等の混練機に掛け
て加熱状態で混練する。ついで得られた混練物を室温ま
で冷却した後公知の手段によって粉砕し、必要に応じて
打錠してタブレット化するという一連の工程を経由させ
ることにより製造することができる。 【００１６】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は特に限定するものではなく、通常の
方法、例えばトランスファー成形等の公知のモールド方
法により行うことができる。 【００１７】このようにして得られる半導体装置は、成
形時において樹脂のバリが生じていず、したがって、例
えば回路基板に対する実装に際して上記バリが邪魔にな
らず堅固に固定しうるようになる。 【００１８】 【発明の効果】この発明の半導体封止用樹脂組成物は、
上記特定の無機質充填剤を含有するものである。このた
め、これを用いて得られる半導体装置において、リード
ピン上に樹脂のバリが生じていず、したがって、バリに
邪魔されることなく回路基板等に堅固に取付け固定しう
るのである。 【００１９】つぎに、この発明を実施例にもとづいて詳
しく説明する。 【００２０】まず、無機質充填剤として下記の表１に示
すような粒度分布の無機質充填剤Ａ〜Ｄ（いずれもシリ
カ粉末）を準備した。 【００２１】 【表１】【００２２】つぎに、上記の無機質充填剤を用いつぎの
ようにしてエポキシ樹脂組成物をつくり、それを用いて
半導体装置を製造した。 【００２３】 【実施例１〜４，比較例】クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（エポキシ当量２１０，軟化点８０℃）１００
重量部（以下「部」と略す）に対してフェノールノボラ
ック樹脂（軟化点７８℃，水酸基当量１１０）５７部、
２−メチルイミダゾール０．３部，三酸化アンチモン１
０部，シランカップリング剤（日本ユニカー社製，Ａ−
１８６）３部，カーボンブラック２部およびカルナバワ
ックス４部ならびに第１表の無機質充填剤Ａ〜Ｄを後記
の第２表に示す割合で配合した。つぎに、この配合物を
９０〜１００℃の熱ロールに掛けて１０分間混練し、つ
いで冷却粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。 【００２４】つぎに、上記のようにして得られたエポキ
シ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形
によってモールドすることにより半導体装置を得た。こ
のようにして得られた半導体装置において、リードピン
部分まで延びたバリの長さについて測定し、後記の表２
に示した。 【００２５】 【表２】【００２６】上記表２から実施例品は、バリが比較例に
比べていずれも小さく、したがって、回路基板に対する
実装時にバリが邪魔にならず堅固な固定を実現しうるこ
とがわかる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭61−171725（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−149343（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−190961（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−212225（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−96568（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−22955（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−210643（ＪＰ，Ａ)
特公 昭54−14143（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．無機質充填剤を含むエポキシ樹脂組成物において、
上記無機質充填剤が、ワーデルの球形度で０．７〜１．
０の球形度を有するものであって、その主成分が粒径５
０μｍ以下のものであり、かつこの粒径５０μｍ以下の
ものの粒度分布が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）のようになっ
ていることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 （Ａ）５μｍ以下の粒度のものが５．０〜２０．０重量
％。 （Ｂ）６〜１０μｍの粒度のものが５．０〜１５．０重
量％。 （Ｃ）１１〜５０μｍの粒度のものが６０．０〜８０．
０重量％。 ２．エポキシ樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂が、エ
ポキシ当量１５０〜２２０のノボラック型エポキシ樹脂
である請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。 ３．エポキシ樹脂組成物中における硬化剤が、ノボラッ
ク型フェノール樹脂である請求項１または２記載の半導
体封止用樹脂組成物。 ４．無機質充填剤の最大粒径が、１５０μｍ以下である
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂
組成物。 ５．無機質充填剤の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体
の５０〜９０重量％である請求項１〜４のいずれか一項
に記載の半導体封止用樹脂組成物。 ６．エポキシ樹脂組成物が、塩素イオン含有量が０．１
％以下のエポキシ樹脂を用いたものである請求項１〜５
のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153238A JP2747247B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7153238A JP2747247B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61313555A Division JP2572761B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08104730A JPH08104730A (ja) | 1996-04-23 |
| JP2747247B2 true JP2747247B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15558083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7153238A Expired - Lifetime JP2747247B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747247B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414143A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 | Michio Morimoto | Automatic frequency control circuit |
| JPS55149343A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-20 | Fujimi Kenmazai Kogyo Kk | Epoxy resin composition |
| JPS57212225A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor |
| JPS61171725A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2593843B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1997-03-26 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
| JPS6296568A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 半導体封止用樹脂組成物 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP7153238A patent/JP2747247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08104730A (ja) | 1996-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950005309B1 (ko) | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그 경화물 | |
| JPH059270A (ja) | 樹脂組成物およびその製造方法 | |
| JP2572761B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2747247B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH10173103A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH08245755A (ja) | エポキシ樹脂組成物および電子部品封止装置 | |
| JP3102276B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2593843B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002012654A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP5275697B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物およびその製造方法 | |
| JP2991849B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3359534B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS63160254A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000007894A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH11116775A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびその製法 | |
| JP3582771B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002241581A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2978313B2 (ja) | 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2002080694A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001085576A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製法およびそれによって得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 | |
| JP3041673B2 (ja) | 半導体装置封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2985706B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置 | |
| JP2003138106A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2716962B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3468900B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |