JP2744923B2 - 電子回路を具える装置 - Google Patents

電子回路を具える装置

Info

Publication number
JP2744923B2
JP2744923B2 JP1235887A JP23588789A JP2744923B2 JP 2744923 B2 JP2744923 B2 JP 2744923B2 JP 1235887 A JP1235887 A JP 1235887A JP 23588789 A JP23588789 A JP 23588789A JP 2744923 B2 JP2744923 B2 JP 2744923B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
electronic circuit
conductive
card
protective varnish
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1235887A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02127095A (ja
Inventor
アミオ リュシアン
Original Assignee
ド ラ ル カルテ エ システメ エスアエス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ド ラ ル カルテ エ システメ エスアエス filed Critical ド ラ ル カルテ エ システメ エスアエス
Publication of JPH02127095A publication Critical patent/JPH02127095A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2744923B2 publication Critical patent/JP2744923B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83051—Forming additional members, e.g. dam structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/83951—Forming additional members, e.g. for reinforcing, fillet sealant
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、軟質支持体の上にそれと一体部分を形成す
るように装着した電子回路を具える装置であって、前記
支持体が少なくとも１つの導電トラックを有しており、
該導電トラックに前記電子回路の上側面を少なくとも１
本の導電ワイヤを介して接続し、前記電子回路の下側面
を導電性接着剤を用いて前記軟質支持体に接着すると共
に、前記導電ワイヤを少しも包まない樹脂によって前記
電子回路を包囲することによって前記一体のアセンブリ
を形成し、前記装置の外側に保護ワニスを被着した電子
回路を具える装置に関するものである。
本発明は電子回路を内蔵する軟質カードにも関するも
のである。
〔従来の技術〕
斯種の実際の装置はプリント回路上に接着した超小形
回路と称される集積回路部品によって形成される。この
装置は軟質プラスチックカードに能動モジュールとして
広く用いられており、電子カードを形成するこのアセン
ブリはメモリカート及び／又はマイクロプロセッサカー
ドとも称されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
斯様な電子カードの製造に際しては２つの主要な技術
的な問題に遭遇する。
第１の問題は、電子カードが使用中に必然的に曲った
り、ねじれたりするために、支持カードへの装置の機械
的な保持の仕方にある。
この第１の技術的な問題を解決するために、装置及び
基板カードを特殊な設計とし、又これら２つの要素を合
体させるのに特殊な接着処理を行うことは既知である。
これは、前記樹脂を電子回路の少なくとも２つの対向す
る側縁部に設けて、この樹脂が他の２つの側縁部に流れ
るようには、又導電ワイヤは樹脂で包まれないように行
われる。支持カードそのものには、その底部に樹脂充填
個所を局所的に設け、装置のプリント回路の縁部をカー
ドハウジングの縁部に接着することにより装置をカード
に接着する際に上記樹脂充填個所が、この個所の底部と
超小形回路の上側部分との間に空所を形成するようにす
る。従って、カードに装置を接着した後に前記ハウジン
グ内に自由空間が残存し、この空間内で導体ワイヤはそ
れらの端部接点に何等悪影響を及ぼすことなく電子カー
ドのたび重なる変形に追従することができる。
第２の技術的な問題（これを解決することは本発明の
目的である）は電子カードに静電荷が形成されることに
あり、静電荷は超小形回路、特にこの超小形回路がMOS
技術で作られる場合に、この超小形回路の適切な機能及
びその構成をも損ねることになる。このような静電荷
は、例えばカードをユーザがポケットに入れたり、カー
ドを銀行の種々の電子装置や、カードと共働させる他の
タイプの装置に通したりすることにより摩擦電気を発生
する摩擦を生ぜしめるような種々の状況でプラスチック
材質のカードを使用することによって蓄積される。フラ
ンス国特許明細書第2480008号には、電子回路及びそれ
に接続する導体並びにそれらの接点端子にプラスチック
材料を被着した電子カードが開示されている。接点端子
間での静電的放電をなくすために、ファラデーケージを
形成するのに十分な量の等電位導体によって電子回路を
少なくとも部分的に包んでいる。このアセンブリには機
械的に信頼できるものでないと云う欠点がある。その理
由は、このアセンブリは堅くて、特に回路から出ている
導体に自由がないからである。このアセンブリには、回
路に電圧をかけた場合に、導体間又は隣接する接点端子
間に漏れ電流又は有害な短絡が生じたりすることがある
ために電気的な欠陥もある。静電的放電の欠点をなくす
他の既知の解決策は、プラスチック材料製の支持カード
に帯電防止表面処理を施す方法である。これは一般に支
持基板の外部表面に帯電防止液を沈着させることにより
行われている。この処理による帯電防止特性は、メモリ
カードの様々な使用法からして、カードの外側の帯電防
止層が次第にはぎ取られることを考慮すると問題となる
ことを確めた。さらに他の解決策はカード基板を構成す
るプラスチック材シート全体を帯電防止化合物で処理す
る方法である。しかし、この後者の場合には、熱間圧延
によってカード基板を得るための実際の処置を上述した
処理と両立させることができない。
本発明の目的は支持体上における超小形回路の機械的
抵抗の問題を解決することを目的とし、しかもカード収
容部内の導線に自由度を与えるようにする冒頭にて述べ
た特殊な従来構造を利用して超小形回路の隣接する周辺
部を帯電防止処理することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は冒頭に述べた種類の装置において、前記導電
性接着剤、前記樹脂及び前記保護ワニスが数重量％又は
数容量％の帯電防止剤を含有することを特徴とする。
超小形回路の表面全体又はその一部の上に静電気が形
成されないようにしてから、この超小形回路を冒頭にて
述べた方法で支持カードに接続することができる。
本発明による電子カードの好適例では、このカードの
収容部の壁部に帯電防止層を設けると共に前述したよう
な帯電防止剤で処理した装置を前記収容部内に接着す
る。
〔実施例〕
以下実施例につき図面を参照して説明するに、第1a及
び第1b図に従って電子回路、例えば半導体ペレット１を
導電層２、この例では銅薄板Cuの上に導体として接着す
るのであるが、銅薄板には絶縁層、この場合にはポリエ
ステルフィルム３に面する側に電着によってNi層を被着
し、その後Au層を被着する。絶縁層３及び導電層２は軟
質支持体を形成する。導電性の接着層４は少なくともAg
を含有しているエポキシ樹脂とすることができる。この
接着層４はペレット１の基板の下側面に接着する。導電
層２には開口部21をあけ、これらの開口部により導電層
を様々な領域22に電気的に分離させ、電気プラグを絶縁
し得るようにする。フィールドスルー孔31はペレット１
の上側面と導電層２おける対応する領域22との間にて接
続ワイヤ５を超音波溶接により所定位置に固定させるこ
とのできるように絶縁層３に貫通させる。なお、ペレッ
ト１を接着する金属領域は領域22のまわりに延在させ
て、外部の成分的放電から導電領域22を既知の方法で保
護する保護リング23を形成するようにする。
このようにする例について1985年４月12日付け出願の
フランス国特許明細書FR2580416号により一層詳細に記
載されている。
重合性樹脂６、例えば半導体ペレット１の２つの対向
する縁部に沿う61にて示す個所にエポキシ樹脂を配置す
る。この樹脂は、それを重合化することなく軟化するの
に十分な高い温度レベルにした後に、その樹脂がペレッ
ト１の２つの他の対向する側部と絶縁層３の隣接する縁
部との間のチャネル11の全長にわたり流れて、導電性接
着剤の縁部領域41と一体となる２つの樹脂領域62を形成
するように配合する。斯かる樹脂のチャネル領域11への
流れ込みにより、チャネル11の側面の輪郭形状が漸増
し、これにより接着面が大きくなり、又使用中に機械的
な破損を助長することになるチャネル部分のいずれの破
損をも防止する。さらに、図示の例では領域11を導電ワ
イヤ５の下側に位置させるため、これらのワイヤは樹脂
６によって包まれることはない。さらに又、樹脂領域61
及び62はペレット１の上側面上に垂直方向に突出せず、
カートの収容部内への最終挿着時にこれらの樹脂領域が
じゃまになることはない。なお、ペレット１の２つづつ
の対向する側部にて樹脂領域61をそれぞれ流し、これら
４つの領域が一体とならないようにすることもできる。
このようにしても機械的観点からすると、ペレット１の
接着力は第１図に示した例とほぼ同じであり、ここで最
も重要なことは、重合性樹脂が半導体ペレット１の隅部
を包むようにすると云うことにある。
半導体ペレット１の下側面に導電性の接着槽４を用い
ると共にこのペレットの側面に重合性樹脂を用いること
によって、ペレットの下側面と導電層２との間の電気的
接触を一層改善することができる。実際には金属粒子、
この場合にはAgを極めて高度に添加し、機械的パーホー
マンスは本質的に低下するも、接着作用の大部分を重合
性樹脂により行なわせる樹脂を利用することができる。
第１図に示す装置の最終製造段では、装置の上側表面
及び導電ワイヤを含む全体に保護ワニス層７を被着す
る。
本発明によれば、電子回路を構成するペレット１をこ
のペレット１とそれに隣接する周囲の部分との間に高い
電位差を生ぜしめる静電的放電から保護するために、ペ
レットの種々の面を囲む物質、即ちペレットの内側面及
びその側縁部における導電性の接着層や、側縁部におけ
る重合性樹脂６や、上側部分及び場合によっては側縁部
の一部並びに導電ワイヤのまわりのワニス層に少量の帯
電防止剤を添加する。液状の帯電防止剤を５〜７容量％
の割合で用いるのが好適であり、この帯電防止剤は上述
した種々の物質に従って変えることができ、この帯電防
止剤は、これらの物質に対する他の所望な機械的及び電
気的特性を変えないようにそれらの物質中に添加させ
る。関連する種々の物質に適した帯電防止剤については
技術文献に記載されており、例えば、導電性の接着層４
には銀含有接着剤を用い、重合性樹脂６には帯電防止剤
H90又は355（商品名）を用い、保護ワニス層７には帯電
防止剤カタホルト（KATAFORT）680（商品名）を７容量
％の割合で添加したプロジベン（PROGYVEN）なる商標名
にて市販されているものを用いることができる。
第２図に示すように、装置、ここでは第1a及び第1b図
に示した装置をカットした後にひっくり返して、82の個
所ではペレット１の上側面により、又83の個所では絶縁
層３の上側面より収容部81の周辺条溝84内に接着する。
82で示す位置での接着はポリウレタン樹脂層によって行
なうことができ、又83で示す個所では前述したフランス
国特許出願FR2580416に記載されている技術により両面
接着テープ９を用いて接着することができる。この場合
には可剥性の接着層91を保護ワニス層７に対するマスク
として用いる。
カード支持体８はポリ塩化ビニル（PVC）、ポリカー
ボネート又は他のタイプの軟質プラスチック材料で作る
ことができる。カード支持体を帯電防止物質で処理する
ことはできず、カードの収容部内への装置の装着は前述
したようにして行なう。
本発明の好適例では、収容部81の内部に装置を接着す
る前に、この収容部の壁部に帯電防止用の内張り被膜を
蒸着する。
82で示す個所のポリウレタン樹脂層にもそれに適った
帯電防止化合物を含めることができる。
このようにすることにより、プラスチックカードの支
持体に発生する静電荷に対して電子回路を保護する第２
の遮蔽体が得られる。
本発明は上述した例のみに限定されるものではなく、
軟質電子カードに装着するのに好適なペレットの如き、
軟質支持体にペレットを固着させる必要のあるあらゆる
場合に適用することができる。
本発明によれば、回路の感度に応じて6KV〜15KVの範
囲内で変化し得る静電荷に耐える装置を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1a図は本発明による装置の一例を示す底面図； 第1b図は第1a図のＡ−Ａ′線上での拡大断面図； 第２図は本発明による装置をカード支持体の収容部内に
挿入して、電子カードを構成したアセンブリを示す拡大
断面図である。 １……半導体ペレット（電子回路） ２……導電層、３……絶縁層 （2,3）……軟質支持体 ４……導電性接着層、５……導電ワイヤ ６……重合性樹脂、７……保護ワニス層 ８……カード支持体、９……両面接着テープ 11……チャネル領域、21……開口部 22……導電領域、23……保護リング 31……フィードスルー孔 41……導電性接着剤の縁部領域 61,62……樹脂領域、81……収容部 82……ポリウレタン樹脂層 84……周辺条溝

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】軟質支持体の上にそれと一体部分を形成す
    るように装着した電子回路を具える装置であって、前記
    支持体が少なくとも１つの導電トラックを有しており、
    該導電トラックに前記電子回路の上側面を少なくとも１
    本の導電ワイヤを介して接続し、前記電子回路の下側面
    を導電性接着剤を用いて前記軟質支持体に接着すると共
    に、前記導電ワイヤを少しも包まない樹脂によって前記
    電子回路を包囲することによって前記一体のアセンブリ
    を形成し、前記装置の外側に保護ワニスを被着した電子
    回路を具える装置において、前記導電性接着剤、前記樹
    脂及び前記保護ワニスが数重量％又は数容量％の帯電防
    止剤を含有することを特徴とする電子回路を具える装
    置。
  2. 【請求項２】前記帯電防止剤を液状のものとし、これを
    前記導電性接着剤、前記樹脂及び前記保護ワニスに５〜
    ７容量％の割合で添加したことを特徴とする請求項１に
    記載の装置。
  3. 【請求項３】前記導電性接着剤を銀含有接着剤とし、帯
    電防止剤H90又は353を前記重合性樹脂に添加し、且つ帯
    電防止剤KATAFORT 80の７容量％の量を前記保護ワニス
    に添加したことを特徴とする請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】収容部を含む軟質カードにおいて、前記収
    容部の壁部に帯電防止化合物層を内張りし、前記請求項
    １〜３のいずれかに記載の装置を前記収容部内に接着し
    たことを特徴とする軟質カード。
JP1235887A 1988-09-16 1989-09-13 電子回路を具える装置 Expired - Lifetime JP2744923B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8812103 1988-09-16
FR8812103A FR2636776A1 (fr) 1988-09-16 1988-09-16 Dispositif comportant un circuit electronique monte sur un support souple, protege contre les decharges d'electricite statique, et carte souple le comprenant

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02127095A JPH02127095A (ja) 1990-05-15
JP2744923B2 true JP2744923B2 (ja) 1998-04-28

Family

ID=9370071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1235887A Expired - Lifetime JP2744923B2 (ja) 1988-09-16 1989-09-13 電子回路を具える装置

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0359328B1 (ja)
JP (1) JP2744923B2 (ja)
DE (1) DE68911441T2 (ja)
FR (1) FR2636776A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3016884B2 (ja) * 1991-02-06 2000-03-06 ローム株式会社 サーマルヘッド
DE4224103A1 (de) * 1992-07-22 1994-01-27 Manfred Dr Ing Michalk Miniaturgehäuse mit elektronischen Bauelementen
GB2279611A (en) * 1993-07-02 1995-01-11 Gec Avery Ltd An integrated circuit or smart card.
DE19608513A1 (de) * 1996-03-05 1997-09-11 Siemens Ag Chipkarte mit ESD-Schutz
DE19614914A1 (de) * 1996-04-16 1997-10-23 Telesensomatic Gmbh Transponderanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Transponderanordnung
JP4852276B2 (ja) * 2005-08-10 2012-01-11 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US20090079097A1 (en) 2007-09-25 2009-03-26 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic component with wire bonds in low modulus fill encapsulant

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4154344A (en) * 1976-11-09 1979-05-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Material for forming envelopes used to protect electronic components
US4301040A (en) * 1978-06-23 1981-11-17 Charleswater Products, Inc. Electrically conductive foam and method of preparation and use
FR2480008A1 (fr) * 1980-04-04 1981-10-09 Flonic Sa Perfectionnements aux cartes a memoire
JPS5785866A (en) * 1980-11-18 1982-05-28 Mitsubishi Metal Corp Antistatic transparent paint
FR2517165A1 (fr) * 1981-11-20 1983-05-27 Radiotechnique Compelec Procede pour munir d'un ecran un circuit electronique, et carte de paiement munie d'un ecran
FR2580416B1 (fr) * 1985-04-12 1987-06-05 Radiotechnique Compelec Procede et dispositif pour fabriquer une carte d'identification electronique

Also Published As

Publication number Publication date
EP0359328A1 (fr) 1990-03-21
EP0359328B1 (fr) 1993-12-15
DE68911441T2 (de) 1994-06-16
DE68911441D1 (de) 1994-01-27
FR2636776A1 (fr) 1990-03-23
JPH02127095A (ja) 1990-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940003375B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
US4719140A (en) Electronic memory card
US6906396B2 (en) Magnetic shield for integrated circuit packaging
US5041395A (en) Method of encapsulating an integrated circuit using a punched metal grid attached to a perforated dielectric strip
US4539472A (en) Data processing card system and method of forming same
US4712129A (en) Integrated circuit device with textured bar cover
US8269319B2 (en) Collective and synergistic MRAM shields
TW486920B (en) Electric circuit device and method for making the same
JP2007535811A (ja) 保護された活性化ダイ領域を備える半導体デバイス及びその方法
JP2744923B2 (ja) 電子回路を具える装置
RU2220476C2 (ru) Электронный компонент и применение содержащейся в нем защитной структуры
KR100240916B1 (ko) 회로 기판 및 그 형성 방법
JPS59228743A (ja) Ｉｃカ−ド用ｉｃモジユ−ル
EP0347321B1 (fr) Carte à puce avec écran de protection
US5264726A (en) Chip-carrier
US5545850A (en) Guard ring for integrated circuit package
JPS62272599A (ja) 電子装置
JPH05151424A (ja) 集積回路トークン
KR100651796B1 (ko) 아이씨 카드용 칩 모듈
JPS6283196A (ja) Ｉｃカ−ド
JPS61166195A (ja) Ｉｃモジユ−ル
JPS62224033A (ja) テ−プキヤリア装置
JP2755148B2 (ja) 半導体装置
JPS61286989A (ja) Ｉｃカ−ド
JPS6382795A (ja) 半導体装置