JPS6382795A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に適用して有効な技術に関するも
ので、たとえばＩＣカードとして提供される半導体装置
の電極構造に利用できるものである。

〔従来の技術〕

半導体装置の一態様であるＩＣカードについては、たと
えば特開昭５８−１３８０５７号公報に記載されている
。その概要は、カード内部に半導体ペレットを装着した
電極モジュールを内設した構造のものが説明されている
。

本発明者は、ＩＣカード等の電極モジュールにおける電
極構造について検討した。以下は、本発明者によって検
討された技術であり、その概要は次の通りである。

すなわち、ＩＣカード等のカード形式で提供される半導
体装置では、板状の電極モジコールに半導体ペレット（
以下単に「ペレット」という）を装着し、この電極モジ
ニールをカード内部に装着することが知られている。

この電極モジニールには装着時にカードの表面から露出
される状態となる電極端子が所定の厚さ、たとえば高さ
０．２ｒｎＩ１１程度のメタライズ層として形成されて
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、上記のような高さのメタライズ層を形成する
ために製造工程が複雑となり、製造コストも高くなるこ
とが本発明者によって見い出された。

さらには、上記電極端子構造のＩＣカードは、カード表
面から露出状態となっているために、人体等との接触に
よりペレットの静電破壊を生じる場合もあることが見い
出されている。

本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は電極端子を容易に形成でき、しかも電気的信
頼性の高い半導体装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、半導体装置における電極モジュールの電極端
子を異方性導電膜で形成したものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、電極モジュールの電極端子形成
を極めて容易に行えるとともに、異方性導電膜の平面方
向の導電率を調整することにより、ペレットの静電破壊
を防止することが可能となり、低コストで電気的信頼性
の高い半導体装置を効率良く製造することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるＩＣカードの断面構造
を示す第４図のＩ−１線における拡大部分断面図、第２
図は本実施例に用いられる異方性導電膜の拡大部分断面
図、第３図は電極モジニールの斜視図、第４図はＩＣカ
ード全体を示す平面図である。

本実施例の半導体装置は、いわゆるＩＣカード１を構成
し、第４図に示すように、その平面形状は四隅がラウン
ド形状に切断・成形された長方形状を有している。

ペレット２は第３図に示すようなモジュール基板３に形
成された四角形のペレット装着孔４に収容された状態の
電極モジュール５として該ＩＣカード１に内蔵されてい
る。

このＩＣカード１の断面構造は、第１図に示すように、
内部に上記電極モジニール５が装着され、その表裏面側
が硬質ポリ塩化ビニール樹脂からなるフィルム状のオー
バーシート６ａ、６ｂでラミネート加工された構造とな
っている。なお、特に限定はされないが、このＩＣカー
ド１には、第４図に示すように電極モジュール５の上方
にラミネート処理により磁気ストライプ７が埋設されて
おり、磁気ストライブカードとして共用できる構造とな
っている。

上記電極モジュール５を構成するモジニール基板３０表
面には銅箔等の導電体からなる配線層８が形成され、こ
の配線層８の一端側には複数の電極端子バッド９が銅箔
等により形成されている。

本実施例では、この各電極端子パッド９群を覆うように
平面四角形状の異方性導電膜１０（第３図においては二
点鎖線で示す）が被着されている。

本実施例で用いられる異方性導電膜ｌＯは、たとえば第
２図に示すように、シリコーン樹脂等からなる樹脂膜１
１中にこの樹脂膜１１の厚さ方向に銅等の導電細線１２
が互いに非接触の状態で埋設されており、各導電細線１
２の両端部は樹脂膜１１の表裏面から外部に露出された
状態となっている。このような異方性導電膜１０は、例
えばシリコーン樹脂を溶融状態にして所定の導電性フィ
ラーを混入した後、多数の導電細線１２を各々平行に緊
張状態を維持しながら樹脂中に浸漬させて該樹脂を硬化
させ、さらにこの樹脂を導電細線１２とは垂直方向に所
定の厚さにスライスして得られるものである。

二のようにして得られる異方性導電膜１０は、埋設され
る導電細線１２の作用によって樹脂膜１１０表裏方向に
は高い導電性を有し、一方膜の平面方向には樹脂中の導
電性フィラーの混入量に応じた導電性を示すものである
。

本実施例に用いられる異方性導電膜１０の電気的特性と
しては、表裏面方向の電気抵抗率はできる限り小さい値
であることが望ましく、一方、平面方向の電気抵抗率は
たとえば、１０６　Ω以上とするものであるが、この値
は勿論これに限定されるものではない。

このような異方性導電膜１０を電極端子バッド９上に被
着することにより、各電極端子バッド９はそれぞれパッ
ド面と当接する異方性導電膜１０内の導電細線１２と導
通され、電極端子パッド９に対応する異方性導電膜１０
の表面には実質上電極端子領域９ａ（第１図参照）がそ
のまま形成されることになる。したがって、本実施例に
よれば、異方性導電膜１０の被着のみで所定の高さの電
極端子を実質上形成することができる。

また、本実施例の異方性導電膜１０では、上述したよう
に樹脂膜１１中に所定の導電性フィラーが混入されてい
るため、各電極端子パッド９間の電位差によるペレット
２の静ＮＭ！、壊を効果的に予防することができる。

モジュール基板３の一部にはペレット２の断面形状より
も僅かに大きい開口形状を有するペレット装着孔４がモ
ジュール基板３の厚さ方向に貫通形成されている。

上記モジニール基板３０表面においてペレット装着孔４
の周囲からは、装着されるペレット２の回路形成面の上
方にかけて配線層８と接続されるリード８ａが延設され
ており、このリード８ａはそれぞれペレット２のバッド
（図示せず）と電気的に接続されている。

なお、このペレット２０回路形成面上は図示しないが、
エポキシ樹脂等のアンダーコート材もしくは表面保護材
で覆ってもよく、これによりペレット２の回路形成面が
保護される。

以上のようにして得られた電極モジュール５は、異方性
導電膜１０の表面の電極端子領域９ａをＩＣカード１の
本体に穿孔されたプローブ挿入孔１３から露出されるよ
うに位置決めされてパッケージングされる。

上記のようにして得られたＩＣカード１は、プローブ挿
入孔１３より図示しないプローブ端子を挿入されて、こ
のプローブ端子と異方性導電膜１０の電極端子領域９ａ
が接触することによって、ペレット２への信号の人出力
が行われる。

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。

（１）、電極モジュール５の電極端子バッド９上に異方
性導電膜１０を被着することによって、電極端子の形成
を極めて容易に行うことが可能となる。

（２）、上記（１）により、ＩＣカード１の製造効率を
向上させることができる。

（３）、上記（１）により、電極モジュール５の表面を
平坦化できるため、ＩＣカード１の表面平坦度を一定に
維持することができる。

（４）、異方性導電膜１０の樹脂膜１１中に混入される
導電性フィラーにより各電極端子パッド９間の電位差に
よるペレット２の静電破壊を効果的に予防することがで
きる。

（５）、上記（１）〜（４）により、低コストで電気的
信頼性の高いＩＣカードを提供することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、異方性導電膜
１０としては樹脂膜１１中に導電細線１２を埋設した構
造のものについて説明したが、このような構造のものに
限らず、樹脂膜中に混入された金属粉が樹脂の所定部分
を押圧することによって接触状態となり、押圧力向に導
電性を示すような異方性導電膜であってもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるＩＣカードに適用した
場合について説すしたが、これに限定されるものではな
く、いかなる電隊構造の半導体装置にも適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち．モジュール基板の孔に収容された半導体ペレ
ットとモジュール基板上の配線層とが電気的に導通され
、この配線層の先端には電極端子パッドが形成され該電
極端子のパッドの上面に異方性導電膜が被着されており
、この異方性導電膜の表面の少なくとも一部がパッケー
ジを形成するカードの表面から露出されている半導体装
置構造とすることによって、電極モジュールの電極端子
形成が極めて容易になるとともに、ペレットの静１４破
壊を防止することが可能となり、低コストで電気的信頼
性の高い半導体装置を効率良く製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるＩＣカードの断面構造
を示す第４図のＩ−Ｉ線における拡大部分断面図、 第２図はこの実施例に用いられる異方性導電膜の拡大部
分断面図、 第３図は同じく本実施例に用いられる電極モジュールを
示す斜視図、 第４図は本実施例のＩＣカード全体を示す平面図である
。 １・　・　・ＩＣカード、２・　・　・べｌ／フット３
・・・モジュール基板、４・・・ペレット装着孔、５・
・・電極モジュール、５ａ、（３ｂ・・・オーバーシー
ト、７・・・磁気ストライブ、８・・・配線層、８ａ・
・・リード、９・・・電極端子パッド、９ａ・・・電極
端子領域、１０・・・異方性導電膜、１１・・・樹脂膜
、１２・・・導電細線、１３・・・プローブ挿入孔。 第　　１　　図 第　　２　　図 〇−−１錫ジＪ育シモジ゛′ニール ｃａ、、ｃｂ−丁一へ・′−ミート ９−　゛ＷＸ−５ｚ＃：ｙ３．實゛ １０−夏ネ［す１ぞ 第　　３Ｅｌ 第　　４　　図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．モジュール基板の孔に収容された半導体ペレットと
   モジュール基板上の配線層とが電気的に導通され、この
   配線層の先端には電極端子パッドが形成され該電極端子
   パッドの上面に異方性導電膜が被着されており、この異
   方性導電膜の表面の少なくとも一部がパッケージを形成
   するカードの表面から露出されていることを特徴とする
   半導体装置。
2. ２．異方性導電膜が膜状の樹脂と、この樹脂の表裏面方
   向に貫通埋設される複数の導電細線とからなることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
3. ３．樹脂が導電材料の混入により所定の導電率を有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装
   置。
4. ４．半導体装置がＩＣカードを構成していることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載
   の半導体装置。