JP2741281B2 - リードフレームおよびこれを使用して製造された半導体装置 - Google Patents

リードフレームおよびこれを使用して製造された半導体装置

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JP2741281B2 JP2210754A JP21075490A JP2741281B2 JP 2741281 B2 JP2741281 B2 JP 2741281B2 JP 2210754 A JP2210754 A JP 2210754A JP 21075490 A JP21075490 A JP 21075490A JP 2741281 B2 JP2741281 B2 JP 2741281B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】 本願発明はリードフレームおよびこれを使用して製造
された半導体装置に関する。
【従来の技術】
IC等の半導体装置は、チップボンディング、ワイヤボ
ンディング、樹脂モールドなどの工程処理を経て製造さ
れるが、これら一連の工程は金属薄板を打ち抜いて形成
されるリードフレームに対して行われる。 上記リードフレーム1は、第5図に示すように、半導
体チップ3を搭載するアイランド2と、上記アイランド
2に搭載された半導体チップ3の電極4に接続される複
数のインナリード5と、上記インナリード5に連続形成
され、基板等へ接続するためのアウタリード6とを備え
て大略構成される。通常、上記リードフレーム1は、導
電性の金属薄板をパンチング金型を用いて打ち抜き形成
され、あるいは、エッチングの手法を利用して形成され
る。 上記リードフレーム1を用いて半導体装置を製造する
には、まず、チップボンディング工程において、リード
フレーム1の上記アイランド2に半導体チップ3をボン
ディングした後、ワイヤボンディング工程において、上
記アイランド2に向かって延びるインナリード5の先端
部と半導体チップ3の電極4とを金線等により結線す
る。その後、アイランド2およびインナリード5を包み
込むようにしてこれらを樹脂によってモールドする樹脂
モールド工程、上記モールドされた半導体装置をリード
フレーム1から切り離すリードカット工程等の工程処理
を経て、半導体装置が完成される。 上記リードフレーム1は、上記アイランド2にボンデ
ィングされる半導体チップ3の形状、端子数等の仕様に
応じて、各半導体装置毎に製造される。
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記リードフレーム1を製造するには、エ
ッチングを行うためのエッチングマスクあるいはパンチ
ング金型が必要となる。また、リードフレーム1は非常
に精度高く形成する必要があるため、上記金型等も非常
に高価なものとなる。 一方、半導体装置および半導体チップ3の形状がほと
んど同じであっても、異なる回路構成に対応するため、
あるいは端子の電気容量を増加させるため、第5図に示
すように、複数のインナリード5a,5bの先端部を一体的
に短絡して半導体チップ3の一つの電極から複数の端子
を延出しなければならない場合や、半導体チップ3から
発生する放熱経路を確保するため、インナリード5cとア
イランド3ないしアイランドサポート7との間を一体的
に短絡させたリードフレーム1が必要となることがあ
る。 上記のような場合においても、新たな金型を製作して
上記半導体装置を製造するための新たなリードフレーム
を製造しなければならない。このため、上記リードフレ
ームを製造するためのコストが高騰し、ひいては、半導
体装置の製造コストを押し上げるといった問題が生じて
いる。 また、半導体装置の一部の仕様を変更した場合におい
ても、新たなリードフレームを製作する必要があるた
め、製造時間を短縮することができず、製造コストを低
減させることができないばかりか、顧客のニーズに迅速
に対応することができないという問題も生じている。 本願発明は、上述の事情のもとで考え出されたもので
あって、上記従来の問題を解決し、金型やエッチングマ
スクの変更を行うことなく、所望の部位に容易に短絡部
を形成して複数種類の半導体装置に対応することができ
るリードフレーム、およびこのリードフレームを用いて
製造した半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本願発明では、次の技術
的手段を講じている。 すなわち、本願の請求項1に記載した発明は、半導体
チップがボンディングされるアイランドと、上記アイラ
ンドに向かって延びる複数本のインナリードとを備える
リードフレームにおいて、 選択された一対の上記インナリード間、あるいは、所
定のインナリードと、上記アイランドなしは上記アイラ
ンドを支持するアイランドサポートとの間を、これらの
表面に直接貼り付けた導電性テープのみによって短絡し
たことを特徴とする。 また、本願の請求項2に記載した発明は半導体装置に
係る発明であり、請求項1のリードフレームを使用し、
これにチップボンディング、ワイヤボンディング、樹脂
モールド、タイバーカット、リードカット等の工程処理
を施して製造されることを特徴とする。
【発明の作用および効果】
本願発明においては、リードフレームの選択された一
対のインナリード間、あるいは所定のインナリードと、
上記アイランドないしはアイランドサポートとの間を、
導電性テープのみによって短絡する。 上記導電性テープは、導電性のフィルム状基材の表面
に導電性の粘着剤等が塗布されて形成されており、リー
ドフレームの選択された一対のインナリードの上に直接
掛け渡し状に貼着するとこにより、これらインナリード
間の電気的導通を図ることができる。 また、上記導電性テープは、電気伝導性とともに、良
好な熱伝導性をもち、上記短絡した部分間の熱の伝導を
促進する機能も備える。このため、複数のインナリー
ド、あるいはインナリードとアイランドないしアイラン
ドサポート間を接続して、アイランド上の半導体チップ
から発生する熱を効率良く放散させることも可能とな
る。 上記のように、本願発明においては、一つのリードフ
レームにおいて、導電性テープによって所望のインナリ
ード等を選択して短絡できるため、一種類のパンチング
金型等を用いて複数種類のリードフレームを製造するこ
とが可能となる。この結果、各リードフレームごとにパ
ンチング金型等を製作していた従来の製造方法に比べ、
リードフレームおよび半導体装置の製造コストを大幅に
削減することができる。 また、半導体装置の仕様変更に対して、パンチング金
型を製作することなく対応することが可能となるため、
半導体装置の製造時間を大幅に短縮でき、ユーザのニー
ズに迅速に対応することも可能となる。
【実施例の説明】
以下、本願発明の実施例を第1図ないし第4図に基づ
いて具体的に説明する。なお、従来例と同様の部材には
同一の符号を付してある。 第1図は、本願発明に係るリードフレーム8の平面図
である。この図に示すように、本実施例に係るリードフ
レーム8は、所定間隔をあけて長手方向に平行に延びる
一対のサイドフレーム9,9と、一つの半導体装置ごとに
上記サイドフレーム間を掛け渡される一対のタイバー1
0,10と、このタイバー10,10と相隣り合う半導体装置の
タイバー10a,10aとの間を結んで上記サイドフレーム9,9
と平行に延びる所定数のアウタリード6…と、上記サイ
ドフレーム9,9からリードフレーム8の幅方向に延出さ
れた一対のアイランドサポート7,7に支持され、かつ半
導体チップ3がボンディングされるアイランド2と、上
記一対のタイバー10,10から上記アイランド2に向かっ
て延びる所定数のインナリード5…とを備える。 本実施例に係るリードフレーム8においては、第1図
に示すように、選択された一対のインナリード5d,5e間
が、導電性テープ12のみによって短絡されている。 第2図は第1図の要部拡大図であり、第3図は第2図
におけるIII-III線に沿う断面図である。これらの図に
示すように、上記導電性テープ12は、相隣り合う上記一
対のインナリード5d,5eの先端部を掛け渡すようにして
貼着されている。上記導電性テープ12は、上記リードフ
レーム8の製造過程において、あるいは上記リードフレ
ーム8を使用して半導体装置を製造する半導体製造工程
において、上記一対のインナリード5d,5e間に貼着する
ことができる。 上記導電性テープ12は、たとえば、第3図に示すよう
に、銅等の薄膜から形成された導電性のフィルム状基材
13の表面に導電性の粘着剤14を塗布して形成され、上記
導電性テープ12を選択した一対のインナリード5d,5eの
表面に直接貼着すると、上記導電性の粘着剤14を介して
上記各インナリード5d,5eと上記フィルム状基材13とが
導通させられ、上記一対のインナリード5d,5e間を電気
的に短絡することができる。なお、上記粘着剤14は、ア
クリル系の樹脂粘着剤にアルミニウム粉等の導電性金属
粉を混入すること等によって形成することができる。 上記インナリード5d,5eの短絡は、半導体チップ3の
一つの電極4から二つのアウタリード端子を延出させる
必要がある場合、あるいは、二つの端子をグランドに共
通接続し、電気容量を増加させることにより半導体装置
の出力を向上させる場合等に行われる。 また、上記導電性テープ12は銅等の金属薄膜から形成
されているため、、電気伝導性とともに良好な熱伝導性
をもち、短絡した部分間の熱の伝導を促進する機能も備
える。このため、たとえば第4図に示すように、上記導
電性テープ12によって、インナリード5fとアイランド2
との間、あるいは、インナリード5g,5hとアイランドサ
ポート7、7の間をそれぞれ接続して、アイランド2に
取り付けられた半導体チップ3から発生する熱を効率良
く放散させることも可能となる。 上記リードフレーム8を用いて半導体装置を製造する
には、上記リードフレーム8のアイランド2に半導体チ
ップ3を搭載するチップボンディング工程、上記アイラ
ンド2に取り付けられた半導体チップ3の電極4…と上
記インナリード5…とを金線等を用いてそれぞれ接続す
るワイヤボンディング工程、アイランド3およびインナ
リード5…を包み込むようにしてこれらを樹脂によって
モールドする樹脂モールド工程、上記樹脂モールドされ
た半導体装置をサイドフレーム9,9から切り離すリード
カット工程等の工程処理を経て、半導体装置が完成され
る。 上述したように、本実施例においては、リードフレー
ム8の所望のインナリード5…、アイランド2、および
アイランドサポート7,7を選択して短絡できるため、一
種類のパンチング金型等を用いて数種類のリードフレー
ムを製造することが可能となる。この結果、各半導体装
置に対応する各リードフレームごとにパンチング金型等
を製作していた従来の製造方法に比べ、リードフレーム
8および半導体装置の製造コストを大幅に削減すること
ができる。 また、半導体装置の仕様変更あるいは手直し等を行う
場合に、パンチング金型等を製作することなく対応する
ことが可能となるため、半導体装置の製造時間を大幅に
短縮でき、ユーザのニーズに迅速に対応することも可能
となる。 しかも、本願発明に係るリードフレーム8は、上記従
来の半導体装置の製造工程にそのまま適用することがで
き、新たに設備等を必要としないため、設備コストを増
加させる恐れもない。 本願発明は、上述の実施例に限定されることはない。
実施例においては、一対のインナリード5d,5e間を短絡
したが、複数対のインナリード、あるいは3つ以上のイ
ンナリードを一つの導電性テープによって短絡すること
もできる。 また、実施例においては、金属薄板から形成されたリ
ードフレーム8に本願発明を適用したが、テープオート
メイティッドボンディングに用いられるテープ状リード
フレームに本願発明を適用することもできる。 また、上記導電性テープの貼着は、手作業によって、
あるいは自動機械のいずれによっても行うことができ
る。 さらに、導電性テープは、樹脂フィルムの一面に導電
性粘着剤を塗布したもので合ってもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本願発明に係るリードフレームの平面図、第
2図は第1図の要部の拡大図、第3図は第2図のIII-II
I線断面図、第4図は本願発明の他の実施例の平面図、
第5図は従来例の平面図である。 2…アイランド、3…半導体チップ、5…インナリー
ド、7…アイランドサポート、8…リードフレーム、12
…導電性テープ。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップがボンディングされるアイラ
    ンドと、上記アイランドに向かって延びる複数本のイン
    ナリードとを備えるリードフレームにおいて、選択され
    た一対の上記インナリード間、あるいは、所定のインナ
    リードと、上記アイランドないし上記アイランドを支持
    するアイランドサポートとの間を、これらの表面に直接
    貼り付けた導電性テープのみによって短絡したことを特
    徴とする、リードフレーム。
  2. 【請求項2】請求項1のリードフレームを使用し、これ
    にチップボンディング、ワイヤボンディング、樹脂モー
    ルド、タイバーカット、リードカット等の工程処理を施
    して製造されることを特徴とする、半導体装置。
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JPS63122159A (ja) * 1986-11-10 1988-05-26 Nec Corp 半導体装置

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