JP2740162B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2740162B2 JP2740162B2 JP61052879A JP5287986A JP2740162B2 JP 2740162 B2 JP2740162 B2 JP 2740162B2 JP 61052879 A JP61052879 A JP 61052879A JP 5287986 A JP5287986 A JP 5287986A JP 2740162 B2 JP2740162 B2 JP 2740162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- present
- resin composition
- marking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止半導体装置の製造方法に関し、特に
封止樹脂表面の捺印に関するものである。 〔従来の技術〕 従来の樹脂封止型半導体装置の捺印は熱硬化性インク
で行なっていた。すなわち、封止された半導体装置の樹
脂表面を有機溶剤等で洗浄した後、エポキシ樹脂と白色
又は銀白色顔料などよりなる熱硬化性インクで樹脂表面
に社名の略称・品名,ロッド番号等を転写して捺印した
あと80〜150℃の恒温槽に保管して熱硬化させ樹脂表面
に焼き付けていた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような方法によって捺印された半導体装置は、後
工程及び実装時の取り扱い中にこすれたり、溶剤洗浄に
より膨潤して捺印文字が見えにくくなるなどの問題点が
あった。 一方、最近このような問題点を改善するための捺印方
法としてレーザーマーキング装置の導入が検討されてい
る。レーザーマーキングは樹脂表面の被捺印面上にレー
ザー光を照射して樹脂表面を研削,熱変色させて捺印し
ようとするものである。捺印文字のとれにくさ、捺印工
程のインデックスアップに非常に効果があるものの捺印
文字が見えにくく、判別が困難な欠点を有するためまだ
実用化されていない。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の目的は鮮明なレーザーマーキングによる捺印
を施工した樹脂封止型半導体装置を提供する事にある。 本発明は封止用樹脂組成物に従来より混和されている
カーボンブラックの含有量を最適化する事によりYAGレ
ーザー装置で鮮明な捺印が可能になる事を発見し、それ
ぞれの樹脂組成物特性に合わせたカーボンブラック含有
量を選択して、鮮明なレーザーマーキングされた樹脂封
止型半導体装置を提供するものである。すなわち、本発
明による半導体装置の製造方法は、カーボンブラックを
0.3〜0.8wt%含有してなるエポキシ樹脂組成物にて半導
体素子を封止し、エポキシ樹脂表面にレーザー光を照射
してエポキシ樹脂自身を熱変色させ、かかる熱変色によ
り捺印文字を形成することを特徴とする。 〔実施例〕 次に本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。 第1表は本発明の一実施例を用いた樹脂組成物と従来
の樹脂組成物の配分例を示した表である。第1図は本発
明の実施例及び従来品のマーキング性を表わした図であ
る。 上記第1表で、単位は重量(wt%)である。 次に、本実施例及び従来品の樹脂組成物及び実施例の
作り方を以下に述べる。第1表の組成に混合した中間体
をまず作成する。第1表でレジン分と称しているものに
はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂,フェノールノ
ボラック樹脂,難燃化樹脂,ワックス類,硬化触媒等が
含まれる。混合した中間体を80〜100℃に制御されたミ
キシングロールに投入し、加熱溶融させて均一に混練さ
せる。混練後、中間体を室温まで冷却して、ハンマーミ
ルなどで粉砕する。粉砕された粉末を適当な重量に成形
して樹脂組成物とする。この製造方法自体は従来から使
用している設備及び製造条件で行なって何んらさしつか
えはない。 このエポキシ樹脂組成物にて、半導体素子が取り付け
られている外部取り出しリードへワイヤーボンドされた
リードフレームをトランスファー成形にて樹脂封止す
る。トランスファー成形も従来と同一設備、同一条件で
行なう事ができる。こうして作製された半導体装置の樹
脂表面に社名の略号,品名,製造ロット番号等をレーザ
ーマーキング装置にて捺印する。レーザーマーキングは
レーザー光が樹脂表面上に捺印すべき文字上を透過し、
それ以外の場所を遮断するように設計されたマスクを置
き、その上部よりレンズにより集光されたレーザ光を照
射して行なう。このような樹脂に対して好適なレーザー
光は波長1.06μmのYAGレーザーである。 第1表の樹脂組成物にて封止された半導体装置の捺印
文字の見易すさを比較したものが第1図である。従来品
は捺印文字の色が白色に近いものの、レーザー光を吸収
したカーボンブラックを中心として熱変色が起きるため
にカーボンブラックの含有量が少ない従来品の場合、捺
印された文字内に変色したエリアと未変色のエリアが混
在することになり、文字のエッジが不鮮明となる。この
ため、捺印可能最小線幅が広く、捺印に適さない。カー
ボン量が増加するとともに捺印文字の色が黄色から褐色
に変化する。とともに捺印可能線幅が大きくなる。 溶融シリカ系では、0.30〜0.8%のカーボン量が捺印
文字の色調及び捺印可能線幅の面から良好である。なお
結晶シリカ系の樹脂組成物でも同様の硬化が確認されて
おり、本発明はフィラー種類を限定するものではない。 レーザー光(波長1.06μm)は樹脂組成物に含まれる
カーボンブラックに吸収され易い。カーボンブラックが
レーザ光を吸収し発熱してレジン分を熱変色させて捺印
文字が形成される。この場合、カーボン量が多いほど発
熱量が大きい。そのため捺印可能最小線幅が小さくなる
反面、レジン分の熱変色が進み、捺印色が濃くなり、コ
ントラストが悪くなる。 いずれにしても本発明の実施例1,2,3,4とも、従来捺
印文字の見にくさのため実用化の困難となっていたレー
ザーマーキング方法の採用を容易にするものである。 本発明によって従来の熱硬化性インクによる捺印方法
の欠点であった文字の「かすれ」「脱落」の全く発生せ
ず、鮮明な捺印が実施されており、樹脂封止型半導体装
置の品質向上に大いに寄与するものである。
封止樹脂表面の捺印に関するものである。 〔従来の技術〕 従来の樹脂封止型半導体装置の捺印は熱硬化性インク
で行なっていた。すなわち、封止された半導体装置の樹
脂表面を有機溶剤等で洗浄した後、エポキシ樹脂と白色
又は銀白色顔料などよりなる熱硬化性インクで樹脂表面
に社名の略称・品名,ロッド番号等を転写して捺印した
あと80〜150℃の恒温槽に保管して熱硬化させ樹脂表面
に焼き付けていた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような方法によって捺印された半導体装置は、後
工程及び実装時の取り扱い中にこすれたり、溶剤洗浄に
より膨潤して捺印文字が見えにくくなるなどの問題点が
あった。 一方、最近このような問題点を改善するための捺印方
法としてレーザーマーキング装置の導入が検討されてい
る。レーザーマーキングは樹脂表面の被捺印面上にレー
ザー光を照射して樹脂表面を研削,熱変色させて捺印し
ようとするものである。捺印文字のとれにくさ、捺印工
程のインデックスアップに非常に効果があるものの捺印
文字が見えにくく、判別が困難な欠点を有するためまだ
実用化されていない。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の目的は鮮明なレーザーマーキングによる捺印
を施工した樹脂封止型半導体装置を提供する事にある。 本発明は封止用樹脂組成物に従来より混和されている
カーボンブラックの含有量を最適化する事によりYAGレ
ーザー装置で鮮明な捺印が可能になる事を発見し、それ
ぞれの樹脂組成物特性に合わせたカーボンブラック含有
量を選択して、鮮明なレーザーマーキングされた樹脂封
止型半導体装置を提供するものである。すなわち、本発
明による半導体装置の製造方法は、カーボンブラックを
0.3〜0.8wt%含有してなるエポキシ樹脂組成物にて半導
体素子を封止し、エポキシ樹脂表面にレーザー光を照射
してエポキシ樹脂自身を熱変色させ、かかる熱変色によ
り捺印文字を形成することを特徴とする。 〔実施例〕 次に本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。 第1表は本発明の一実施例を用いた樹脂組成物と従来
の樹脂組成物の配分例を示した表である。第1図は本発
明の実施例及び従来品のマーキング性を表わした図であ
る。 上記第1表で、単位は重量(wt%)である。 次に、本実施例及び従来品の樹脂組成物及び実施例の
作り方を以下に述べる。第1表の組成に混合した中間体
をまず作成する。第1表でレジン分と称しているものに
はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂,フェノールノ
ボラック樹脂,難燃化樹脂,ワックス類,硬化触媒等が
含まれる。混合した中間体を80〜100℃に制御されたミ
キシングロールに投入し、加熱溶融させて均一に混練さ
せる。混練後、中間体を室温まで冷却して、ハンマーミ
ルなどで粉砕する。粉砕された粉末を適当な重量に成形
して樹脂組成物とする。この製造方法自体は従来から使
用している設備及び製造条件で行なって何んらさしつか
えはない。 このエポキシ樹脂組成物にて、半導体素子が取り付け
られている外部取り出しリードへワイヤーボンドされた
リードフレームをトランスファー成形にて樹脂封止す
る。トランスファー成形も従来と同一設備、同一条件で
行なう事ができる。こうして作製された半導体装置の樹
脂表面に社名の略号,品名,製造ロット番号等をレーザ
ーマーキング装置にて捺印する。レーザーマーキングは
レーザー光が樹脂表面上に捺印すべき文字上を透過し、
それ以外の場所を遮断するように設計されたマスクを置
き、その上部よりレンズにより集光されたレーザ光を照
射して行なう。このような樹脂に対して好適なレーザー
光は波長1.06μmのYAGレーザーである。 第1表の樹脂組成物にて封止された半導体装置の捺印
文字の見易すさを比較したものが第1図である。従来品
は捺印文字の色が白色に近いものの、レーザー光を吸収
したカーボンブラックを中心として熱変色が起きるため
にカーボンブラックの含有量が少ない従来品の場合、捺
印された文字内に変色したエリアと未変色のエリアが混
在することになり、文字のエッジが不鮮明となる。この
ため、捺印可能最小線幅が広く、捺印に適さない。カー
ボン量が増加するとともに捺印文字の色が黄色から褐色
に変化する。とともに捺印可能線幅が大きくなる。 溶融シリカ系では、0.30〜0.8%のカーボン量が捺印
文字の色調及び捺印可能線幅の面から良好である。なお
結晶シリカ系の樹脂組成物でも同様の硬化が確認されて
おり、本発明はフィラー種類を限定するものではない。 レーザー光(波長1.06μm)は樹脂組成物に含まれる
カーボンブラックに吸収され易い。カーボンブラックが
レーザ光を吸収し発熱してレジン分を熱変色させて捺印
文字が形成される。この場合、カーボン量が多いほど発
熱量が大きい。そのため捺印可能最小線幅が小さくなる
反面、レジン分の熱変色が進み、捺印色が濃くなり、コ
ントラストが悪くなる。 いずれにしても本発明の実施例1,2,3,4とも、従来捺
印文字の見にくさのため実用化の困難となっていたレー
ザーマーキング方法の採用を容易にするものである。 本発明によって従来の熱硬化性インクによる捺印方法
の欠点であった文字の「かすれ」「脱落」の全く発生せ
ず、鮮明な捺印が実施されており、樹脂封止型半導体装
置の品質向上に大いに寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の効果を表わしたグラフである。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.カーボンブラックを0.3〜0.8wt%含有してなるエポ
キシ樹脂組成物にて半導体素子を封止し、エポキシ樹脂
表面にレーザー光を照射してエポキシ樹脂自身を熱変色
させ、かかる熱変色により捺印文字を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052879A JP2740162B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052879A JP2740162B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62209841A JPS62209841A (ja) | 1987-09-16 |
JP2740162B2 true JP2740162B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=12927166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61052879A Expired - Lifetime JP2740162B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2740162B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2615596B2 (ja) * | 1987-03-04 | 1997-05-28 | 三菱電機株式会社 | レーザマーキング方法 |
JP5249290B2 (ja) | 2010-07-20 | 2013-07-31 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60202119A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Nec Corp | 樹脂組成物及び樹脂組成物へのレ−ザ−捺印方法 |
-
1986
- 1986-03-10 JP JP61052879A patent/JP2740162B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62209841A (ja) | 1987-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2740162B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS63179921A (ja) | 封止用樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JP3201503B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JPH0618987B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS60202119A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物へのレ−ザ−捺印方法 | |
JP3357235B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS60119760A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
JP3361602B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP2802557B2 (ja) | 耐熱変色性に優れた電子部品封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP3332332B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPS63168461A (ja) | 成形用樹脂組成物 | |
JPS6315446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH07161878A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP3334981B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP3389073B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH04222818A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2882851B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
KR100230624B1 (ko) | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 제조 방법 | |
JPH0428757A (ja) | レーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
JP2001247747A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH04183743A (ja) | 炭酸ガスレーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
JP2600029B2 (ja) | 炭酸ガスレーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
JPH0647646B2 (ja) | レーザー印字用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2740617B2 (ja) | レーザー印字に適したエポキシ樹脂組成物 | |
JPH0655854A (ja) | レーザーマーキング用塗料 |