JP2738622B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージの改良に関するもので
ある。
めの半導体素子収納用パッケージの改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピューター等の情報処理装置
には半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密
に収容した半導体装置が実装されている。
には半導体素子を半導体素子収納用パッケージ内に気密
に収容した半導体装置が実装されている。
【０００３】かかる情報処理装置に実装される半導体装
置は通常、図３に示すように、先ずアルミナセラミック
ス等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導
体素子を収容するための凹部21a 及び該凹部21a 周辺か
ら外周部にかけて導出されたタングステン、モリブデ
ン、マンガン等の高融点金属粉末から成る複数個のメタ
ライズ配線層22を有する絶縁基体21と、半導体素子を外
部電気回路に電気的に接続するために前記メタライズ配
線層22に銀ロウ等のロウ材を介して取着された外部リー
ド端子23と、蓋体24とで構成される半導体素子収納用パ
ッケージを準備し、次に前記半導体素子収納用パッケー
ジの絶縁基体21の凹部21a 底面に半導体素子25をガラ
ス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して載置固定するとと
もに該半導体素子25の各電極をボンディングワイヤ26を
介してメタライズ配線層22に電気的に接続させ、しかる
後、前記絶縁基体21の上面に蓋体24をガラス、樹脂等の
封止材を介して接合させ、絶縁基体21と蓋体24とから成
る容器内部に半導体素子25を気密に封止することによっ
て製作される。
置は通常、図３に示すように、先ずアルミナセラミック
ス等の電気絶縁材料から成り、その上面略中央部に半導
体素子を収容するための凹部21a 及び該凹部21a 周辺か
ら外周部にかけて導出されたタングステン、モリブデ
ン、マンガン等の高融点金属粉末から成る複数個のメタ
ライズ配線層22を有する絶縁基体21と、半導体素子を外
部電気回路に電気的に接続するために前記メタライズ配
線層22に銀ロウ等のロウ材を介して取着された外部リー
ド端子23と、蓋体24とで構成される半導体素子収納用パ
ッケージを準備し、次に前記半導体素子収納用パッケー
ジの絶縁基体21の凹部21a 底面に半導体素子25をガラ
ス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して載置固定するとと
もに該半導体素子25の各電極をボンディングワイヤ26を
介してメタライズ配線層22に電気的に接続させ、しかる
後、前記絶縁基体21の上面に蓋体24をガラス、樹脂等の
封止材を介して接合させ、絶縁基体21と蓋体24とから成
る容器内部に半導体素子25を気密に封止することによっ
て製作される。
【０００４】しかしながら、近時、コンピューター等の
情報処理装置は情報の高速処理化が急激に進んでおり、
該情報処理装置に情報を高速処理させるために半導体素
子を高速で駆動させた場合、半導体素子より高調波ノイ
ズが発生し、これが電気信号とともにメタライズ配線層
を伝播して外部電気回路に接続されている他の半導体装
置に入り込み、他の半導体装置に誤動作を起こさせて情
報処理装置を正常に作動させることができないという欠
点を有していた。
情報処理装置は情報の高速処理化が急激に進んでおり、
該情報処理装置に情報を高速処理させるために半導体素
子を高速で駆動させた場合、半導体素子より高調波ノイ
ズが発生し、これが電気信号とともにメタライズ配線層
を伝播して外部電気回路に接続されている他の半導体装
置に入り込み、他の半導体装置に誤動作を起こさせて情
報処理装置を正常に作動させることができないという欠
点を有していた。
【０００５】そこで上記欠点を解消するためにメタライ
ズ配線層に抵抗値が数百Ωの抵抗体を直列に接続し、メ
タライズ配線層を伝播する高調波ノイズを抵抗体で減衰
させて他の半導体装置へのノイズの入り込みを有効に防
止することが考えられる。
ズ配線層に抵抗値が数百Ωの抵抗体を直列に接続し、メ
タライズ配線層を伝播する高調波ノイズを抵抗体で減衰
させて他の半導体装置へのノイズの入り込みを有効に防
止することが考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メタラ
イズ配線層に抵抗値が数百Ω以上の抵抗体を直列に接続
し、該抵抗体によって高調波ノイズを減衰させた場合、
抵抗体の抵抗値が数百Ω以上と大きいためメタライズ配
線層を伝播する電気信号も同時に大きく減衰されてしま
い、その結果、半導体素子に出し入れされる電気信号が
小さくなり、半導体素子を正常、且つ安定に作動させる
ことが不可となってしまう欠点を誘発した。
イズ配線層に抵抗値が数百Ω以上の抵抗体を直列に接続
し、該抵抗体によって高調波ノイズを減衰させた場合、
抵抗体の抵抗値が数百Ω以上と大きいためメタライズ配
線層を伝播する電気信号も同時に大きく減衰されてしま
い、その結果、半導体素子に出し入れされる電気信号が
小さくなり、半導体素子を正常、且つ安定に作動させる
ことが不可となってしまう欠点を誘発した。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は内部に収容する半導体素子の発するノ
イズがメタライズ配線層を介して外部電気回路に伝播さ
れるのを有効に防止し、該ノイズによって外部電気回路
に接続されている他の半導体装置に誤動作を起こさせる
のを皆無とした半導体素子収納用パッケージを提供する
ことにある。
ので、その目的は内部に収容する半導体素子の発するノ
イズがメタライズ配線層を介して外部電気回路に伝播さ
れるのを有効に防止し、該ノイズによって外部電気回路
に接続されている他の半導体装置に誤動作を起こさせる
のを皆無とした半導体素子収納用パッケージを提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体素子の各
電極を外部電気回路に接続し、前記半導体素子の入出力
電気信号が伝播する複数個のメタライズ配線層を有する
絶縁基体と蓋体とから成り、内部に半導体素子を収容す
るための空所を有する半導体素子収納用パッケージであ
って、前記メタライズ配線層に抵抗値が50Ω以下の抵抗
体を前記半導体素子と前記外部電気回路に接続する外部
リード端子との間に介在させ、且つ絶縁基体内に前記メ
タライズ配線層と略平行に接地用メタライズ金属層を配
設するとともに該メタライズ金属層と前記メタライズ配
線層との間に1.0 pF以上の静電容量を形成させたことを
特徴とするものである。
電極を外部電気回路に接続し、前記半導体素子の入出力
電気信号が伝播する複数個のメタライズ配線層を有する
絶縁基体と蓋体とから成り、内部に半導体素子を収容す
るための空所を有する半導体素子収納用パッケージであ
って、前記メタライズ配線層に抵抗値が50Ω以下の抵抗
体を前記半導体素子と前記外部電気回路に接続する外部
リード端子との間に介在させ、且つ絶縁基体内に前記メ
タライズ配線層と略平行に接地用メタライズ金属層を配
設するとともに該メタライズ金属層と前記メタライズ配
線層との間に1.0 pF以上の静電容量を形成させたことを
特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明の半導体素子収納用パッケージによれ
ば、半導体素子の各電極が接続され、半導体素子に出し
入れさせる電気信号が伝播するメタライズ配線層に抵抗
値が50Ω以下の抵抗体を、半導体素子の各電極と各電極
を外部電気回路に接続する外部リード端子との間に直列
に接続して介在させており、且つ絶縁基体内に前記メタ
ライズ配線層に略平行に接地用メタライズ金属層を配設
するとともに該接地用メタライズ金属層と前記メタライ
ズ配線層との間に1.0 pF以上の静電容量を形成させたこ
とから半導体素子が駆動時に発生したノイズのメタライ
ズ配線層の伝播は抵抗体で減衰を受けるとともに静電容
量によって完全に遮断され、その結果、ノイズが外部電
気回路に伝播され、該外部電気回路に接続されている他
の半導体装置に入り込むことは皆無となる。
ば、半導体素子の各電極が接続され、半導体素子に出し
入れさせる電気信号が伝播するメタライズ配線層に抵抗
値が50Ω以下の抵抗体を、半導体素子の各電極と各電極
を外部電気回路に接続する外部リード端子との間に直列
に接続して介在させており、且つ絶縁基体内に前記メタ
ライズ配線層に略平行に接地用メタライズ金属層を配設
するとともに該接地用メタライズ金属層と前記メタライ
ズ配線層との間に1.0 pF以上の静電容量を形成させたこ
とから半導体素子が駆動時に発生したノイズのメタライ
ズ配線層の伝播は抵抗体で減衰を受けるとともに静電容
量によって完全に遮断され、その結果、ノイズが外部電
気回路に伝播され、該外部電気回路に接続されている他
の半導体装置に入り込むことは皆無となる。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１及び図２は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、1 は電気絶縁材料から成る絶縁基
体であり、2 は同じく電気絶縁材料から成る蓋体であ
る。この絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子4 を収容す
るための容器3 が構成される。
る。図１及び図２は本発明の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示し、1 は電気絶縁材料から成る絶縁基
体であり、2 は同じく電気絶縁材料から成る蓋体であ
る。この絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子4 を収容す
るための容器3 が構成される。
【００１１】前記絶縁基体1 はその上面中央部に半導体
素子4 を収容するための空所を形成する凹部1aが設けて
あり、該凹部1a底面には半導体素子4 が樹脂、ガラス、
ロウ材等の接着剤を介して載置固定される。
素子4 を収容するための空所を形成する凹部1aが設けて
あり、該凹部1a底面には半導体素子4 が樹脂、ガラス、
ロウ材等の接着剤を介して載置固定される。
【００１２】前記絶縁基体1 は例えば、アルミナセラミ
ックス等から成り、アルミナ(Al 2O 3 ) シリカ(SiO2 )
、カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等の原料粉末に
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとと
もにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダー
ロール法を採用することによってセラミックグリーンシ
ート( セラミック生シート) を形成し、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施す
とともに複数枚積層し、高温( 約1600℃) で焼成するこ
とによって製作される。
ックス等から成り、アルミナ(Al 2O 3 ) シリカ(SiO2 )
、カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等の原料粉末に
適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとと
もにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダー
ロール法を採用することによってセラミックグリーンシ
ート( セラミック生シート) を形成し、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施す
とともに複数枚積層し、高温( 約1600℃) で焼成するこ
とによって製作される。
【００１３】また前記絶縁基体1 には凹部1aの周辺から
容器3 の外部に導出する複数個のメタライズ配線層5 が
形成されており、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部
には半導体素子4 の各電極がボンディングワイヤ6 を介
して電気的に接続され、また容器3 の外部に導出された
部位には外部電気回路と接続される外部リード端子7が
銀ロウ等のロウ材を介し取着されている。
容器3 の外部に導出する複数個のメタライズ配線層5 が
形成されており、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部
には半導体素子4 の各電極がボンディングワイヤ6 を介
して電気的に接続され、また容器3 の外部に導出された
部位には外部電気回路と接続される外部リード端子7が
銀ロウ等のロウ材を介し取着されている。
【００１４】前記メタライズ配線層5 はタングステン
(W) 、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等の高融点金属粉
末から成り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリー
ン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1 となるセラ
ミックグリーンシートに予め被着させておくことによっ
て絶縁基体1 の凹部1a周辺から容器3 の外部に導出する
ように被着形成される。
(W) 、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等の高融点金属粉
末から成り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリー
ン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1 となるセラ
ミックグリーンシートに予め被着させておくことによっ
て絶縁基体1 の凹部1a周辺から容器3 の外部に導出する
ように被着形成される。
【００１５】尚、前記メタライズ配線層5 はその露出す
る外表面にニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に
優れた金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに
層着させておくと、メタライズ配線層5 の酸化腐食を有
効に防止することができるとともにメタライズ配線層5
とボンディングワイヤ6 との接続及びメタライズ配線層
5 と外部リード端子7 とのロウ付け取着が極めて強固な
ものとなる。従って、前記メタライズ配線層5 の酸化腐
食を防止し、メタライズ配線層5 とボンディングワイヤ
6 との接続及びメタライズ配線層5 と外部リード端子7
とのロウ付けを強固なものとなすにはメタライズ配線層
5 の露出外表面にニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の
厚みに層着させておくことが好ましい。
る外表面にニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に
優れた金属をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに
層着させておくと、メタライズ配線層5 の酸化腐食を有
効に防止することができるとともにメタライズ配線層5
とボンディングワイヤ6 との接続及びメタライズ配線層
5 と外部リード端子7 とのロウ付け取着が極めて強固な
ものとなる。従って、前記メタライズ配線層5 の酸化腐
食を防止し、メタライズ配線層5 とボンディングワイヤ
6 との接続及びメタライズ配線層5 と外部リード端子7
とのロウ付けを強固なものとなすにはメタライズ配線層
5 の露出外表面にニッケル、金等を1.0乃至20.0μm の
厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１６】また前記メタライズ配線層5 にロウ付けさ
れる外部リード端子7 は内部に収容する半導体素子4 を
外部電気回路に接続する作用を為し、外部リード端子7
を外部電気回路に接続させることによって内部に収容さ
れる半導体素子4 はメタライズ配線層5 及び外部リード
端子7 を介して外部電気回路と電気的に接続されること
となる。
れる外部リード端子7 は内部に収容する半導体素子4 を
外部電気回路に接続する作用を為し、外部リード端子7
を外部電気回路に接続させることによって内部に収容さ
れる半導体素子4 はメタライズ配線層5 及び外部リード
端子7 を介して外部電気回路と電気的に接続されること
となる。
【００１７】前記外部リード端子7 はコバール金属(Fe-
Ni-Co 合金) や４２アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属から成
り、コバール金属等のインゴット( 塊) を圧延加工法や
打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工を施すことによ
って所定の板状に形成される。
Ni-Co 合金) や４２アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属から成
り、コバール金属等のインゴット( 塊) を圧延加工法や
打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工を施すことによ
って所定の板状に形成される。
【００１８】尚、前記外部リード端子7 はその外表面に
ニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属
をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させて
おくと、外部リード端子7 の酸化腐食を有効に防止する
とともに外部リード端子7 と外部電気回路との電気的接
続を良好なものとなすことができる。従って、前記外部
リード端子7 はその外表面にニッケル、金等を1.0 乃至
20.0μm の厚みに層着させておくことが好ましい。
ニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属
をメッキ法により1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させて
おくと、外部リード端子7 の酸化腐食を有効に防止する
とともに外部リード端子7 と外部電気回路との電気的接
続を良好なものとなすことができる。従って、前記外部
リード端子7 はその外表面にニッケル、金等を1.0 乃至
20.0μm の厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１９】また前記半導体素子４の各電極が接続さ
れ、一端に外部リード端子７がロウ付けされているメタ
ライズ配線層５はその一部に抵抗値を50Ω以下とした抵
抗体８が半導体素子４の各電極と外部リード端子７との
間に直列に接続されて介在しており、該抵抗体８はメタ
ライズ配線層５を伝播する半導体素子４が作動時に発し
たノイズを減衰させる作用を為す。この場合、前記抵抗
体８はメタライズ配線層５を伝播する電気信号を同時に
減衰させるものの抵抗体８の抵抗値は50Ω以下であるた
めメタライズ配線層５を伝播する電気信号は前記抵抗体
８で大きく減衰することはなく、その結果、半導体素子
４に出し入れさせる電気信号を大きなものとして半導体
素子４を正常、且つ安定に作動させることができる。
れ、一端に外部リード端子７がロウ付けされているメタ
ライズ配線層５はその一部に抵抗値を50Ω以下とした抵
抗体８が半導体素子４の各電極と外部リード端子７との
間に直列に接続されて介在しており、該抵抗体８はメタ
ライズ配線層５を伝播する半導体素子４が作動時に発し
たノイズを減衰させる作用を為す。この場合、前記抵抗
体８はメタライズ配線層５を伝播する電気信号を同時に
減衰させるものの抵抗体８の抵抗値は50Ω以下であるた
めメタライズ配線層５を伝播する電気信号は前記抵抗体
８で大きく減衰することはなく、その結果、半導体素子
４に出し入れさせる電気信号を大きなものとして半導体
素子４を正常、且つ安定に作動させることができる。
【００２０】尚、前記抵抗体8 はその抵抗値が50Ωを越
えるとメタライズ配線層5 を伝播する電気信号を減衰さ
せ、半導体素子4 に出し入れされる電気信号を小さなも
のとして半導体素子4 を正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなる。従って、前記抵抗体8 はその抵抗値
を50Ω以下としたものに特定される。
えるとメタライズ配線層5 を伝播する電気信号を減衰さ
せ、半導体素子4 に出し入れされる電気信号を小さなも
のとして半導体素子4 を正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなる。従って、前記抵抗体8 はその抵抗値
を50Ω以下としたものに特定される。
【００２１】また前記メタライズ配線層5 に直列に接続
される抵抗体8 は例えば、タングステンーレニウム粉末
から成り、該タングステンーレニウム粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た抵抗ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1
となるセラミックグリーンシートにメタライズ配線層5
となる金属ペーストを印刷塗布する際に同時に印刷塗布
しておくことによってメタライズ配線層5 の一部に直列
に接続される。
される抵抗体8 は例えば、タングステンーレニウム粉末
から成り、該タングステンーレニウム粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た抵抗ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1
となるセラミックグリーンシートにメタライズ配線層5
となる金属ペーストを印刷塗布する際に同時に印刷塗布
しておくことによってメタライズ配線層5 の一部に直列
に接続される。
【００２２】一方、前記絶縁基体1 にはその内部に接地
用メタライズ金属層9 が配設されており、該接地用メタ
ライズ金属層9 はメタライズ配線層5 との間に1.0pF 以
上の静電容量を形成するとともにその静電容量をメタラ
イズ配線層5 に並列に接続させている。
用メタライズ金属層9 が配設されており、該接地用メタ
ライズ金属層9 はメタライズ配線層5 との間に1.0pF 以
上の静電容量を形成するとともにその静電容量をメタラ
イズ配線層5 に並列に接続させている。
【００２３】前記メタライズ配線層5 と接地用メタライ
ズ金属層9 との間に形成される静電容量はノイズがメタ
ライズ配線層5 を伝播するのを遮断する作用を為し、こ
れによって半導体素子4 が駆動時にノイズを発生し、該
ノイズがメタライズ配線層5を伝播しようとしてもその
伝播は抵抗体8 で減衰されるとともに静電容量によって
完全に遮断され、外部電気回路に出ていくことはない。
ズ金属層9 との間に形成される静電容量はノイズがメタ
ライズ配線層5 を伝播するのを遮断する作用を為し、こ
れによって半導体素子4 が駆動時にノイズを発生し、該
ノイズがメタライズ配線層5を伝播しようとしてもその
伝播は抵抗体8 で減衰されるとともに静電容量によって
完全に遮断され、外部電気回路に出ていくことはない。
【００２４】尚、前記接地用メタライズ金属層9 はタン
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末か
ら成り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印
刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1 となるセラミッ
クグリーンシートに予め印刷塗布しておくことによって
絶縁基体1 の内部に形成される。
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末か
ら成り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添
加混合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印
刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体1 となるセラミッ
クグリーンシートに予め印刷塗布しておくことによって
絶縁基体1 の内部に形成される。
【００２５】また前記接地用メタライズ金属層9 とメタ
ライズ配線層5 との間に形成される静電容量はその値が
1.0pF 未満となるとノイズのメタライズ配線層5 におけ
る伝播を完全に遮断することができず、ノイズが外部電
気回路に出ていってしまう。
ライズ配線層5 との間に形成される静電容量はその値が
1.0pF 未満となるとノイズのメタライズ配線層5 におけ
る伝播を完全に遮断することができず、ノイズが外部電
気回路に出ていってしまう。
【００２６】従って、前記接地用メタライズ金属層9 と
メタライズ配線層5 との間に形成される静電容量はその
値を1.0pF 以上としておく必要がある。
メタライズ配線層5 との間に形成される静電容量はその
値を1.0pF 以上としておく必要がある。
【００２７】更に前記接地用メタライズ金属層9 とメタ
ライズ配線層5 との間に形成される静電容量を1.0pF 以
上とするにはメタライズ配線層5 とメタライズ金属層9
との間隔を小さいものとしたり、メタライズ配線層5 の
うち抵抗体8 が接続される領域の幅を若干広くし、メタ
ライズ配線層5 とメタライズ金属層9 の対向面積をひろ
げることによって得られる。
ライズ配線層5 との間に形成される静電容量を1.0pF 以
上とするにはメタライズ配線層5 とメタライズ金属層9
との間隔を小さいものとしたり、メタライズ配線層5 の
うち抵抗体8 が接続される領域の幅を若干広くし、メタ
ライズ配線層5 とメタライズ金属層9 の対向面積をひろ
げることによって得られる。
【００２８】かくして、本発明の半導体素子収納用パッ
ケージによれば絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子4
を接着剤を介して搭載固定するとともに半導体素子4 の
各電極をメタライズ配線層5 にボンディングワイヤ6 を
介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体1 の上面に
蓋体2 を封止材を介して接合させ、容器3 の内部に半導
体素子4 を気密に収容させることによって最終製品とし
ての半導体装置となる。
ケージによれば絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子4
を接着剤を介して搭載固定するとともに半導体素子4 の
各電極をメタライズ配線層5 にボンディングワイヤ6 を
介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体1 の上面に
蓋体2 を封止材を介して接合させ、容器3 の内部に半導
体素子4 を気密に収容させることによって最終製品とし
ての半導体装置となる。
【００２９】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、半導体素子の各電極が接続され、半導体素子の
入出力電気信号が伝播するメタライズ配線層に抵抗値が
50Ω以下の抵抗体を半導体素子の各電極と外部電気回路
に接続する外部リード端子との間に介在させ、且つ絶縁
基体内に前記メタライズ配線層に略平行に接地用メタラ
イズ金属層を配設するとともに該メタライズ金属層と前
記メタライズ配線層との間に1.0 pF以上の静電容量を形
成させたことから半導体素子が駆動時に発生したノイズ
のメタライズ配線層における伝播は抵抗体で減衰を受け
るとともに静電容量によって完全に遮断され、その結
果、ノイズが外部電気回路に伝播され、該外部電気回路
に接続されている他の半導体装置に入り込んで他の半導
体装置に誤動作を起こさせることは皆無となる。
よれば、半導体素子の各電極が接続され、半導体素子の
入出力電気信号が伝播するメタライズ配線層に抵抗値が
50Ω以下の抵抗体を半導体素子の各電極と外部電気回路
に接続する外部リード端子との間に介在させ、且つ絶縁
基体内に前記メタライズ配線層に略平行に接地用メタラ
イズ金属層を配設するとともに該メタライズ金属層と前
記メタライズ配線層との間に1.0 pF以上の静電容量を形
成させたことから半導体素子が駆動時に発生したノイズ
のメタライズ配線層における伝播は抵抗体で減衰を受け
るとともに静電容量によって完全に遮断され、その結
果、ノイズが外部電気回路に伝播され、該外部電気回路
に接続されている他の半導体装置に入り込んで他の半導
体装置に誤動作を起こさせることは皆無となる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの絶縁
基体の一部破断平面図である。
基体の一部破断平面図である。
【図３】従来の半導体素子収納用パッケージの断面図で
ある。
ある。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・蓋体 ４・・・・・半導体素子 ５・・・・・メタライズ配線層 ７・・・・・外部リード端子 ８・・・・・抵抗体 ９・・・・・接地用メタライズ金属層
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子の各電極を外部電気回路に接続
し、前記半導体素子の入出力電気信号が伝播する複数個
のメタライズ配線層を有する絶縁基体と蓋体とから成
り、内部に半導体素子を収容するための空所を有する半
導体素子収納用パッケージであって、前記メタライズ配
線層に抵抗値が50Ω以下の抵抗体を前記半導体素子と前
記外部電気回路に接続する外部リード端子との間に介在
させ、且つ絶縁基体内に前記メタライズ配線層と略平行
に接地用メタライズ金属層を配設するとともに該メタラ
イズ金属層と前記メタライズ配線層との間に1.0 pF以上
の静電容量を形成させたことを特徴とする半導体素子収
納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128613A JP2738622B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128613A JP2738622B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326740A JPH05326740A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2738622B2 true JP2738622B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=14989120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4128613A Expired - Fee Related JP2738622B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738622B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3136187C2 (de) * | 1981-09-12 | 1988-08-18 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung der Innenwände von metallischen Leitungssystemen durch Elektropolieren mit Hilfe bewegter Elektroden |
| JP3613838B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2005-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| US20040232535A1 (en) | 2003-05-22 | 2004-11-25 | Terry Tarn | Microelectromechanical device packages with integral heaters |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214051A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 集積回路パツケージ |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP4128613A patent/JP2738622B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05326740A (ja) | 1993-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |