JP2725042B2 - 炭素・黒鉛部材の製造方法 - Google Patents

炭素・黒鉛部材の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造プロセスにおいてヒーター、ル
ツボ等として用いられたり、あるいは核融合炉において
遮蔽体等として用いられる炭素・黒鉛部材の製造方法に
関する。
〔従来の技術〕
従来、高純度を要求される上記炭素・黒鉛部材は、高
温下（2400〜3000℃）においてハロゲンガス又はハロゲ
ンを含むガスにより金属及びその酸化物等の不純物を除
去（脱灰）した後、表面が不純物汚染しないようにナイ
ロンフィルム等により包装して製造されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記従来の製造方法によれば、高温ハ
ロゲン処理により不純物は減少するものの、処理後の貯
蔵環境により上記包装材料を通して水分（H2O）、炭酸
ガス（CO2）等のガス吸着を生じ、半導体製造用あるい
は核融合炉用の炭素・黒鉛部材としては不適当であっ
た。
そこで、本発明は、高純度を要求される半導体製造用
あるいは核融合炉用として最適な炭素・黒鉛部材の提供
を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
前記課題を解決するため、第１の発明は、高温下にお
いてハロゲンガス又はハロゲンを含むガスにより不純物
を除去した後、ガス不透過性フィルムにより不活性ガス
を封じ込んで包装する方法である。
又、第２の発明は、上記不純物の除去後に、ガス不透
過性フィルムにより真空包装する方法である。
更に、第３の発明は、上記不純物の除去後に、高温下
において真空脱ガス処理し、しかる後にガス不透過性フ
ィルムにより真空包装する方法である。
〔作用〕
上記各手段においては、製造後における貯蔵環境から
のガス吸着が防止され、製造時の状態に保存される。
ガス不透過性フィルムとしては、アルミニウム箔等の
両面にポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム等
をラミネートしたフィルムが使用される。
〔実 施 例〕
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例 １ 通常の黒鉛部材を2000℃の温度下に置き、塩素ガス
（Cl2）により不純物を除去した後、アルミニウム箔の
両面にポリエステルフィルムとポリエチレンフィルムを
ラミネートしたガス不透過性フィルムにより不活性のア
ルゴンガスを封じ込んで包装した。
実施例 ２ 通常の黒鉛部材を2100℃の温度下に置き、塩化水素ガ
ス（HCl）により不純物を除去した後、実施例１と同様
のガス不透過性フィルムにより真空包装（１〜10Torr）
した。
実施例 ３ 通常の黒鉛部材を2000℃の温度下に置き、塩化水素ガ
スにより不純物を除去した後、2000℃の温度下において
真空脱ガス処理（10-2Torrオーダ）し、しかる後に実施
例１と同様のガス不透過性フィルムにより真空包装（１
〜10Torr）した。
比較例 １ 通常の黒鉛部材を2000℃の温度下に置き、塩素ガスに
より不純物を除去した後、表面が不純物汚染されないよ
うにナイロンフィルムにより包装した。
上記各例による黒鉛部材の包装前と所定日数後のガス
放出特性（ガス吸着量の代用特性）は、第１表に示すよ
うになった。
表中、包装前とは、不純物の除去あるいは脱ガスの直
後を意味する。
従って、真空脱ガス処理した実施例３を除き、実施例
1,2と比較例との包装前の放出ガス量には差が認められ
ないものの、炭素・黒鉛材の特徴である高ガス吸着能に
より、放置日数が多くなるに伴ってガス放出量に差が認
められる。
よって、実施例の炭素・黒鉛部材をシリコン単結晶引
上げ用のホットゾーン部材として使用する際には、比較
例のもののように引上げ装置にて長時間かけて空焼き処
理して吸着ガスを除去する必要がなく、電力の無駄な消
費、空焼き後の装置の清掃が不必要となり、生産効率が
大幅に向上した。
又、引上げられたシリコン単結晶のDF率は、実施例の
ものを使用した方が比較例のものを使用したよりも10％
も向上した。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、製造後における貯蔵環
境からのガス吸着が防止され、製造時の状態に保存され
るので、従来のように製造後の放置日数を経るに伴って
吸着ガス量が多くなることはなく、約半年間放置しても
ガスの吸着量、換言すればガス放出特性にほとんど変化
が見られず、高純度を要求される半導体製造用あるいは
核融合炉用として最適な炭素・黒鉛部材を得ることがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡村 俊春 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社小国製造 所内 (72)発明者 市川 浩行 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社小国製造 所内

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】高温下においてハロゲンガス又はハロゲン
    を含むガスにより不純物を除去した後、ガス不透過性フ
    ィルムにより不活性ガスを封じ込んで包装することを特
    徴とする炭素・黒鉛部材の製造方法。
  2. 【請求項２】高温下においてハロゲンガス又はハロゲン
    を含むガスにより不純物を除去した後、ガス不透過性フ
    ィルムにより真空包装することを特徴とする炭素・黒鉛
    部材の製造方法。
  3. 【請求項３】高温下においてハロゲンガス又はハロゲン
    を含むガスにより不純物を除去した後、高温下において
    真空脱ガス処理し、しかる後にガス不透過性フィルムに
    より真空包装することを特徴とする炭素・黒鉛部材の製
    造方法。
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