JP2713254B2 - 集積回路用パッケ−ジ及びその製造方法並びにパッド配置の変換方法 - Google Patents
集積回路用パッケ−ジ及びその製造方法並びにパッド配置の変換方法Info
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Description
【0001】
【本発明の属する技術分野】本発明は、集積回路用パッ
ケ−ジ及びその製造方法並びにパッド配置の変換方法に
関する。特に、本発明は、パッド配置をアレイ状に変換
した集積回路用パッケ−ジであって、スル−ホ−ルを開
ける必要がなく、しかも、熱圧着という簡単なプロセス
で「アレイパッド型のチップに近いサイズの集積回路用
パッケ−ジ」とすることができる該パッケ−ジ及びその
製造方法に関し、また、集積回路チップのパッケ−ジン
グにおいて、特に電極パッド配置を変換する方法に関す
る。
ケ−ジ及びその製造方法並びにパッド配置の変換方法に
関する。特に、本発明は、パッド配置をアレイ状に変換
した集積回路用パッケ−ジであって、スル−ホ−ルを開
ける必要がなく、しかも、熱圧着という簡単なプロセス
で「アレイパッド型のチップに近いサイズの集積回路用
パッケ−ジ」とすることができる該パッケ−ジ及びその
製造方法に関し、また、集積回路チップのパッケ−ジン
グにおいて、特に電極パッド配置を変換する方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】集積回路チップの高集積化や多ピン化が
進むと、周辺に電極端子を持つパッケ−ジの場合には、
サイズが大きくなり、また、このサイズを小さくするた
めに電極端子ピッチを狭くすると、基板のパタ−ン形成
が複雑になり、実装も難しくなる。
進むと、周辺に電極端子を持つパッケ−ジの場合には、
サイズが大きくなり、また、このサイズを小さくするた
めに電極端子ピッチを狭くすると、基板のパタ−ン形成
が複雑になり、実装も難しくなる。
【0003】そのため、電極端子数の多いパッケ−ジの
場合には、配線基板に電極パッドがアレイ状となるよう
に配線を施し、該基板の底面にピンをアレイ状に設けた
ピングリッドアレイ(以下“PGA”と略記する)や半田
ボ−ルを基板底面にアレイ状に設けたボ−ルグリッドア
レイ(以下“BGA”と略記する)が使われることが多
い。これらの方法を用いると、パッケ−ジサイズを小さ
くすることが可能であり、また、電極端子のピツチも狭
くしなくて良いので、実装も容易にできる利点を有す
る。
場合には、配線基板に電極パッドがアレイ状となるよう
に配線を施し、該基板の底面にピンをアレイ状に設けた
ピングリッドアレイ(以下“PGA”と略記する)や半田
ボ−ルを基板底面にアレイ状に設けたボ−ルグリッドア
レイ(以下“BGA”と略記する)が使われることが多
い。これらの方法を用いると、パッケ−ジサイズを小さ
くすることが可能であり、また、電極端子のピツチも狭
くしなくて良いので、実装も容易にできる利点を有す
る。
【0004】従来のPGAは、図5に示すように、セラ
ミック等からなる配線基板50の表面に電極パッド53(チ
ップ51の周辺電極パッド52と接続される配線基板50側の
電極パッド53)が、アレイ状の電極パッド配置に変換で
きるように配線を施し、この配線基板50にスル−ホ−ル
55を開け、底面に2.54mm間隔でアレイ状にピン56を設
ける。そして、キャビティ54部にチップ51を搭載し、ワ
イヤ−ボンディングにより配線基板50との電気的接続を
行い、キャップ57により封止する構造のものである。
ミック等からなる配線基板50の表面に電極パッド53(チ
ップ51の周辺電極パッド52と接続される配線基板50側の
電極パッド53)が、アレイ状の電極パッド配置に変換で
きるように配線を施し、この配線基板50にスル−ホ−ル
55を開け、底面に2.54mm間隔でアレイ状にピン56を設
ける。そして、キャビティ54部にチップ51を搭載し、ワ
イヤ−ボンディングにより配線基板50との電気的接続を
行い、キャップ57により封止する構造のものである。
【0005】上記図5に示したPGAは、“キャビティ
アップタイプ”と呼ばれるものであり、このタイプのも
のでは、ピン56を配線基板50の底面全面にわたって配置
することができるので、より小型にしやすい利点をもつ
が、放熱性に劣るという欠点を有する。
アップタイプ”と呼ばれるものであり、このタイプのも
のでは、ピン56を配線基板50の底面全面にわたって配置
することができるので、より小型にしやすい利点をもつ
が、放熱性に劣るという欠点を有する。
【0006】これに対して、図6に示す“キャビティダ
ウンタイプ”の場合、配線基板60の底面側からチップ61
を搭載するため、ピン66を配線基板60の底面全面に配置
することができないので、前記した“キャビティアップ
タイプ”のものほど小型化は望めないが、放熱性に優れ
た構造となっている。なお、図6において、62はチップ
61の周辺電極パッド、63は配線基板60側の電極パッド、
64はキャビティ、67はキャップである。
ウンタイプ”の場合、配線基板60の底面側からチップ61
を搭載するため、ピン66を配線基板60の底面全面に配置
することができないので、前記した“キャビティアップ
タイプ”のものほど小型化は望めないが、放熱性に優れ
た構造となっている。なお、図6において、62はチップ
61の周辺電極パッド、63は配線基板60側の電極パッド、
64はキャビティ、67はキャップである。
【0007】ところで、配線基板材料として、TABテ
−プやプリント配線基板を用いたものも従来から知られ
ているが、これらの基本的な構造は、前掲の図5あるい
は図6と同様である。なお、PGAのマザ−ボ−ドへの
実装は、ピン56,66を電極パッド部に挿入して半田付け
を行うか、あるいは、ソケット等を使用することにより
行われている。
−プやプリント配線基板を用いたものも従来から知られ
ているが、これらの基本的な構造は、前掲の図5あるい
は図6と同様である。なお、PGAのマザ−ボ−ドへの
実装は、ピン56,66を電極パッド部に挿入して半田付け
を行うか、あるいは、ソケット等を使用することにより
行われている。
【0008】次に、従来のBGAについて図7を参照し
て説明すると、これは、図7に示すように、セラミック
等からなる配線基板70に、前記した従来のPGAと同様
アレイ状の電極パッド配置に変換するように配線を施
し、この配線基板70にスル−ホ−ル75を開け、底面にア
レイ状の半田ボ−ル78を設ける。そして、チップ71は、
フリップチップ、ワイヤ−ボンディング、TABなどに
より配線基板70に電気的に接続し、キャップ77により封
止する構造のものである。なお、図7において、72はチ
ップ71の周辺電極パッド、73は配線基板70側の電極パッ
ドである。
て説明すると、これは、図7に示すように、セラミック
等からなる配線基板70に、前記した従来のPGAと同様
アレイ状の電極パッド配置に変換するように配線を施
し、この配線基板70にスル−ホ−ル75を開け、底面にア
レイ状の半田ボ−ル78を設ける。そして、チップ71は、
フリップチップ、ワイヤ−ボンディング、TABなどに
より配線基板70に電気的に接続し、キャップ77により封
止する構造のものである。なお、図7において、72はチ
ップ71の周辺電極パッド、73は配線基板70側の電極パッ
ドである。
【0009】上記BGAのマザ−ボ−ドへの実装は、B
GAの半田ボ−ル78とマザ−ボ−ドの電極パッドとを位
置合わせし、半田ボ−ル78を溶融させて接続する。この
ため、BGAは、前記したPGAよりも基板への実装が
容易であり、高歩留まりが得られ易く、低コスト化も可
能となる利点を有している。
GAの半田ボ−ル78とマザ−ボ−ドの電極パッドとを位
置合わせし、半田ボ−ル78を溶融させて接続する。この
ため、BGAは、前記したPGAよりも基板への実装が
容易であり、高歩留まりが得られ易く、低コスト化も可
能となる利点を有している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来の電極パッド配置
の変換方法では、図5〜7にみられるように、チップを
配線基板に搭載する領域(チップ領域)の外側にも配線を
施しているため、パッケ−ジサイズは、チップサイズよ
りも大きくなるという欠点を有している。また、図5,
7にみられるように、配線基板に多数のスル−ホ−ルを
開けなければならないため、作業工程が多く複雑とな
り、その結果、コストが増加するという問題が生じる。
の変換方法では、図5〜7にみられるように、チップを
配線基板に搭載する領域(チップ領域)の外側にも配線を
施しているため、パッケ−ジサイズは、チップサイズよ
りも大きくなるという欠点を有している。また、図5,
7にみられるように、配線基板に多数のスル−ホ−ルを
開けなければならないため、作業工程が多く複雑とな
り、その結果、コストが増加するという問題が生じる。
【0011】ところで、高密度化が求められている現状
において、できるだけチップサイズに近いパッケ−ジサ
イズのものが今日強く要望されており、また、作業工程
が少なく容易に制作できる集積回路用パッケ−ジの出現
が強く要望されている。
において、できるだけチップサイズに近いパッケ−ジサ
イズのものが今日強く要望されており、また、作業工程
が少なく容易に制作できる集積回路用パッケ−ジの出現
が強く要望されている。
【0012】本発明は、上記要望に沿う集積回路用パッ
ケ−ジを提供することを技術的課題とし、詳細には、前
記従来技術の有する欠点、問題点を解消し、特にスル−
ホ−ルを開ける必要がなく、しかも、熱圧着という簡単
なプロセスで「アレイパッド型のチップに近いサイズの
集積回路パッケ−ジ」とすることができる“パッド配置
をアレイ状に変換した集積回路用パッケ−ジ”及びその
製造方法を提供することを技術的課題とする。また、本
発明は、パッド配置をアレイ状に変換することができる
パッド配置の変換方法を提供することを技術的課題とす
る。
ケ−ジを提供することを技術的課題とし、詳細には、前
記従来技術の有する欠点、問題点を解消し、特にスル−
ホ−ルを開ける必要がなく、しかも、熱圧着という簡単
なプロセスで「アレイパッド型のチップに近いサイズの
集積回路パッケ−ジ」とすることができる“パッド配置
をアレイ状に変換した集積回路用パッケ−ジ”及びその
製造方法を提供することを技術的課題とする。また、本
発明は、パッド配置をアレイ状に変換することができる
パッド配置の変換方法を提供することを技術的課題とす
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電極パッド
配置の変換手段としては、チップと同程度のサイズの異
方性導電シ−トに、チップの周辺電極パッドと接続され
る配線基板側の電極パッドが、アレイ状の電極パッド配
置に変換できるように配線を施していることを特徴とす
る。また、配線を施した異方性導電シ−トをチップに熱
圧着することにより、チップの電極パッドと異方性導電
シ−トの底面部の電極パッドと電気的接続を行っている
ことを特徴とする。
配置の変換手段としては、チップと同程度のサイズの異
方性導電シ−トに、チップの周辺電極パッドと接続され
る配線基板側の電極パッドが、アレイ状の電極パッド配
置に変換できるように配線を施していることを特徴とす
る。また、配線を施した異方性導電シ−トをチップに熱
圧着することにより、チップの電極パッドと異方性導電
シ−トの底面部の電極パッドと電気的接続を行っている
ことを特徴とする。
【0014】即ち、本発明に係る集積回路用パッケ−ジ
は、「加圧した方向にのみ導電性を示す異方性導電シ−
トを用いた集積回路用パッケ−ジであって、一方の面に
アレイ配線が設けられ、他方の面にアレイ電極パッドが
設けられた異方性導電シ−トを集積回路チップに熱圧着
することにより、前記アレイ配線と前記集積回路チップ
の電極パッドとを接触させると共に、前記アレイ配線と
前記アレイ電極パッド間の導電シ−ト部を導通させた構
造を有することを特徴とする集積回路用パッケ−ジ。」
(請求項1)を要旨とする。
は、「加圧した方向にのみ導電性を示す異方性導電シ−
トを用いた集積回路用パッケ−ジであって、一方の面に
アレイ配線が設けられ、他方の面にアレイ電極パッドが
設けられた異方性導電シ−トを集積回路チップに熱圧着
することにより、前記アレイ配線と前記集積回路チップ
の電極パッドとを接触させると共に、前記アレイ配線と
前記アレイ電極パッド間の導電シ−ト部を導通させた構
造を有することを特徴とする集積回路用パッケ−ジ。」
(請求項1)を要旨とする。
【0015】また、本発明に係る集積回路用パッケ−ジ
の製造方法は、 「(1) 加圧した方向にのみ導電性を示すもので、一方の
面にアレイ配線が設けられ、他方の面にアレイ電極パッ
ドが設けられた異方性導電シ−トを準備し、集積回路チ
ップの電極パッドと前記導電シ−トのアレイ配線とを位
置合わせすると共に、前記集積回路チップと前記導電シ
−トとを仮付けする工程と、 (2) 前記導電シ−トを前記集積回路チップに熱圧着し、
前記アレイ配線と前記集積回路チップの電極パッドとを
接触させると共に、前記アレイ配線と前記アレイ電極パ
ッド間の導電シ−ト部を導通さる工程と、 を含むことを
特徴とする集積回路用パッケ−ジの製造方法。」(請求
項2)を要旨とする。
の製造方法は、 「(1) 加圧した方向にのみ導電性を示すもので、一方の
面にアレイ配線が設けられ、他方の面にアレイ電極パッ
ドが設けられた異方性導電シ−トを準備し、集積回路チ
ップの電極パッドと前記導電シ−トのアレイ配線とを位
置合わせすると共に、前記集積回路チップと前記導電シ
−トとを仮付けする工程と、 (2) 前記導電シ−トを前記集積回路チップに熱圧着し、
前記アレイ配線と前記集積回路チップの電極パッドとを
接触させると共に、前記アレイ配線と前記アレイ電極パ
ッド間の導電シ−ト部を導通さる工程と、 を含むことを
特徴とする集積回路用パッケ−ジの製造方法。」(請求
項2)を要旨とする。
【0016】さらに、本発明に係るパッド配置の変換方
法は、「加圧した方向にのみ導電性を示す異方性導電シ
−トを用いた集積回路用パッケ−ジにおけるパッド配置
の変換方法において、一方の面にアレイ配線が設けら
れ、他方の面にアレイ電極パッドがアレイ状に設けられ
た異方性導電シ−トを集積回路チップに熱圧着すること
により、前記アレイ配線と前記集積回路チップの電極パ
ッドとを接触させると共に、前記アレイ配線と前記アレ
イ電極パッド間の導電シ−ト部を導通させ、前記集積回
路チップの電極パッド配置を前記アレイ電極パッドの配
置に変換したことを特徴とする集積回路用パッケ−ジに
おけるパッド配置の変換方法。」(請求項3)を要旨と
し、この方法を用いてパッド配置をアレイ状に変換した
集積回路用パッケ−ジの構造並びに該集積回路用パッケ
−ジを用いた実装方法を要旨とする。
法は、「加圧した方向にのみ導電性を示す異方性導電シ
−トを用いた集積回路用パッケ−ジにおけるパッド配置
の変換方法において、一方の面にアレイ配線が設けら
れ、他方の面にアレイ電極パッドがアレイ状に設けられ
た異方性導電シ−トを集積回路チップに熱圧着すること
により、前記アレイ配線と前記集積回路チップの電極パ
ッドとを接触させると共に、前記アレイ配線と前記アレ
イ電極パッド間の導電シ−ト部を導通させ、前記集積回
路チップの電極パッド配置を前記アレイ電極パッドの配
置に変換したことを特徴とする集積回路用パッケ−ジに
おけるパッド配置の変換方法。」(請求項3)を要旨と
し、この方法を用いてパッド配置をアレイ状に変換した
集積回路用パッケ−ジの構造並びに該集積回路用パッケ
−ジを用いた実装方法を要旨とする。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明で使用する異方性導電シ−
トについて、図4を参照して詳細に説明する。なお、図
4は、本発明で使用する異方性導電シ−トの一例を示す
図であって、(A)はその平面図であり、(B)は(A)のa
−a線断面図である。
トについて、図4を参照して詳細に説明する。なお、図
4は、本発明で使用する異方性導電シ−トの一例を示す
図であって、(A)はその平面図であり、(B)は(A)のa
−a線断面図である。
【0018】図4に示す異方性導電シ−ト10は、樹脂31
から成るシ−ト中に直径5〜10μm程度の導電性粒子32
が分散した構造からなり、該シ−ト10にある一定以上の
圧力を加えた場合、この圧力を加えた領域において、圧
力を加えた方向にのみ導電性を示すシ−ト10である。上
記導電性粒子32としては、Au等の導電性粒子から成る
ものや樹脂製ボ−ルの表面にNi、Au等の導電性材料
が蒸着ないしはメッキなどにより形成されているものを
使用することができる。
から成るシ−ト中に直径5〜10μm程度の導電性粒子32
が分散した構造からなり、該シ−ト10にある一定以上の
圧力を加えた場合、この圧力を加えた領域において、圧
力を加えた方向にのみ導電性を示すシ−ト10である。上
記導電性粒子32としては、Au等の導電性粒子から成る
ものや樹脂製ボ−ルの表面にNi、Au等の導電性材料
が蒸着ないしはメッキなどにより形成されているものを
使用することができる。
【0019】また、本発明で使用する異方性導電シ−ト
10のシ−ト厚としては、約50μm程度が好ましい。そし
て、本発明では、該シ−ト10をチップに熱圧着して接着
させるものであるが、接着後では、約50μm程度のシ−
ト厚が導電性粒子31の粒径程度又はそれ以下の厚さとな
り、その結果、前記したとおり、圧力を加えた方向にの
み導電性を示すものである。なお、本発明で使用する異
方性導電シ−トとしては、上記した導電性粒子(その材
料や粒子径を含む)やシ−ト厚に限定されるものではな
く、「圧力を加えた方向にのみ導電性を示すもの」であ
る限り適宜変更できるものである。
10のシ−ト厚としては、約50μm程度が好ましい。そし
て、本発明では、該シ−ト10をチップに熱圧着して接着
させるものであるが、接着後では、約50μm程度のシ−
ト厚が導電性粒子31の粒径程度又はそれ以下の厚さとな
り、その結果、前記したとおり、圧力を加えた方向にの
み導電性を示すものである。なお、本発明で使用する異
方性導電シ−トとしては、上記した導電性粒子(その材
料や粒子径を含む)やシ−ト厚に限定されるものではな
く、「圧力を加えた方向にのみ導電性を示すもの」であ
る限り適宜変更できるものである。
【0020】
【実施例】次に、本発明の実施例を挙げ、本発明を具体
的に説明するが、本発明は、以下の実施例によって限定
されるものではなく、前記した本発明の要旨の範囲内で
種々の変更が可能である。
的に説明するが、本発明は、以下の実施例によって限定
されるものではなく、前記した本発明の要旨の範囲内で
種々の変更が可能である。
【0021】(参考例) 図1は、本発明の参考例を示す集積回路用パッケ−ジの
断面図である。本参考例の集積回路用パッケ−ジは、該
図に示すように、異方性導電シ−ト10、チップ11、該チ
ップ11の周辺電極パッド12、アレイ配線14、アレイ電極
パッド16、バンプ17、モ−ルド樹脂18からなる。
断面図である。本参考例の集積回路用パッケ−ジは、該
図に示すように、異方性導電シ−ト10、チップ11、該チ
ップ11の周辺電極パッド12、アレイ配線14、アレイ電極
パッド16、バンプ17、モ−ルド樹脂18からなる。
【0022】この集積回路用パッケ−ジの製造法を図2
に基づいて説明する。なお、図2は、図1に示した集積
回路用パッケ−ジの工程A〜Cからなる製造工程順断面
図である。
に基づいて説明する。なお、図2は、図1に示した集積
回路用パッケ−ジの工程A〜Cからなる製造工程順断面
図である。
【0023】まず、前記図4に示した約50μm厚の異方
性導電シ−ト10を使用し、この表面15(片面)にアレイ配
線14を施した異方性導電シ−ト10(図2工程A参照)を準
備する。また、周辺部にのみ電極パッド12が設けられて
いるチップ11(図2工程A参照)を準備する。なお、この
電極パッド12には、無電解メッキ法などを用いてNi,
Cu等のバンプを設けておいても良い。
性導電シ−ト10を使用し、この表面15(片面)にアレイ配
線14を施した異方性導電シ−ト10(図2工程A参照)を準
備する。また、周辺部にのみ電極パッド12が設けられて
いるチップ11(図2工程A参照)を準備する。なお、この
電極パッド12には、無電解メッキ法などを用いてNi,
Cu等のバンプを設けておいても良い。
【0024】次に、図2工程Aに示すように、チップ11
のデバイス面13と異方性導電シ−ト10のアレイ配線14を
施してない面とを位置合わせし、仮付けする。続いて、
図2工程Bに示すように、100〜150℃程度に加熱し、異
方性導電シ−ト10の全面に圧力を加える。(なお、この
圧力は、チップ11の周辺電極パッド12に相当する異方性
導電シ−ト10部分にのみ圧力をかけることもできる。)
のデバイス面13と異方性導電シ−ト10のアレイ配線14を
施してない面とを位置合わせし、仮付けする。続いて、
図2工程Bに示すように、100〜150℃程度に加熱し、異
方性導電シ−ト10の全面に圧力を加える。(なお、この
圧力は、チップ11の周辺電極パッド12に相当する異方性
導電シ−ト10部分にのみ圧力をかけることもできる。)
【0025】この加圧により、異方性導電シ−ト10の厚
さは、初期的には約50μmであったものが、接着後は含
有する導電性粒子32(前掲の図4参照)の粒径程度又はそ
れ以下の厚さとなる。そして、チップ11の周辺電極パッ
ド12と異方性導電シ−ト10の表面15部分(チップ11の周
辺電極パッド12とそれに相対する異方性導電シ−ト10の
アレイ配線14)とが導通することとなる。
さは、初期的には約50μmであったものが、接着後は含
有する導電性粒子32(前掲の図4参照)の粒径程度又はそ
れ以下の厚さとなる。そして、チップ11の周辺電極パッ
ド12と異方性導電シ−ト10の表面15部分(チップ11の周
辺電極パッド12とそれに相対する異方性導電シ−ト10の
アレイ配線14)とが導通することとなる。
【0026】次に、図2工程Cに示すように、アレイ配
線14に配設されているアレイ電極パッド16にバンプ17を
形成した後、モ−ルド樹脂18(例えば低熱膨張率のエポ
キシ系樹脂)によりコ−ティングする。なお、バンプ17
は、ボ−ルバンプ法によりスタッドバンプとすることが
でき、また、半田無電解メッキ、溶融半田ディップ等に
より半田バンプとすることもできる。
線14に配設されているアレイ電極パッド16にバンプ17を
形成した後、モ−ルド樹脂18(例えば低熱膨張率のエポ
キシ系樹脂)によりコ−ティングする。なお、バンプ17
は、ボ−ルバンプ法によりスタッドバンプとすることが
でき、また、半田無電解メッキ、溶融半田ディップ等に
より半田バンプとすることもできる。
【0027】本参考例では、以上のように異方性導電シ
−ト10を用いて電極パッド配置を変換しているので、セ
ラミックキャリアを用いる場合のようにスル−ホ−ルを
開ける必要がなく、また、熱圧着という簡単なプロセス
で、アレイパッド型のチップに近いサイズの集積回路パ
ッケ−ジとすることができる。そのため、コストの低減
を図ることができる。
−ト10を用いて電極パッド配置を変換しているので、セ
ラミックキャリアを用いる場合のようにスル−ホ−ルを
開ける必要がなく、また、熱圧着という簡単なプロセス
で、アレイパッド型のチップに近いサイズの集積回路パ
ッケ−ジとすることができる。そのため、コストの低減
を図ることができる。
【0028】本参考例に係る集積回路用パッケ−ジのサ
イズの1例を挙げると、例えば5mm□のチップの場
合、チップ厚を300μm、異方性導電シ−ト厚を5μ
m、モ −ルド樹脂の肉厚を50μm、バンプ電極高さを1
00μmとすると、パッケ−ジサ イズは、5.1mm□、厚
さは455μm程度となる。
イズの1例を挙げると、例えば5mm□のチップの場
合、チップ厚を300μm、異方性導電シ−ト厚を5μ
m、モ −ルド樹脂の肉厚を50μm、バンプ電極高さを1
00μmとすると、パッケ−ジサ イズは、5.1mm□、厚
さは455μm程度となる。
【0029】(実施例) 図3は、本発明の一実施例を示す集積回路用パッケ−ジ
の断面図である。この実施例に係る集積回路用パッケ−
ジは、図3に示すように、異方性導電シ−ト10、チップ
21、該チップ21の周辺電極パッド22、アレイ配線24、ア
レイ電極パッド26、バンプ27、モ−ルド樹脂28からな
り、アレイ配線24の位置が前記参考例と相違する例であ
る。
の断面図である。この実施例に係る集積回路用パッケ−
ジは、図3に示すように、異方性導電シ−ト10、チップ
21、該チップ21の周辺電極パッド22、アレイ配線24、ア
レイ電極パッド26、バンプ27、モ−ルド樹脂28からな
り、アレイ配線24の位置が前記参考例と相違する例であ
る。
【0030】本実施例の集積回路用パッケ−ジは、前記
参考例と同様の方法で製造することができる。即ち、ま
ず、アレイ配線24を片面に施し、対面(反対面)にアレイ
電極パッド26を設けた異方性導電シ−ト10をチップ21の
デバイス面に位置合わせし、仮付けする。但し、本実施
例においてアレイ配線24は、前記参考例の場合とは逆に
異方性導電シ−ト10のチップ21側とする。
参考例と同様の方法で製造することができる。即ち、ま
ず、アレイ配線24を片面に施し、対面(反対面)にアレイ
電極パッド26を設けた異方性導電シ−ト10をチップ21の
デバイス面に位置合わせし、仮付けする。但し、本実施
例においてアレイ配線24は、前記参考例の場合とは逆に
異方性導電シ−ト10のチップ21側とする。
【0031】次いで、100〜150℃程度に加熱し、異方性
導電シ−ト10のアレイ電極パッド26部分に圧力を加え、
異方性導電シ−ト10上のチップ21側のアレイ配線24と、
反対側に設けてあるアレイ電極パッド26との導通を確保
し、そして、チップ21の周辺電極パッド22とそれに対応
する上記のアレイ電極パッド26とを導通するようにす
る。(なお、圧力は、異方性導電シ−ト10の全面にかけ
ても良い。)その後、アレイ電極パッド26に実施例1と
同様バンプ27を形成し、モ−ルド樹脂28によりチップ21
をコ−ティングする。
導電シ−ト10のアレイ電極パッド26部分に圧力を加え、
異方性導電シ−ト10上のチップ21側のアレイ配線24と、
反対側に設けてあるアレイ電極パッド26との導通を確保
し、そして、チップ21の周辺電極パッド22とそれに対応
する上記のアレイ電極パッド26とを導通するようにす
る。(なお、圧力は、異方性導電シ−ト10の全面にかけ
ても良い。)その後、アレイ電極パッド26に実施例1と
同様バンプ27を形成し、モ−ルド樹脂28によりチップ21
をコ−ティングする。
【0032】本実施例では、以上のような方法で電極パ
ッド配置を変換し、集積回路パッケ−ジを作製するもの
であって、前記参考例と同様の効果が生じる。
ッド配置を変換し、集積回路パッケ−ジを作製するもの
であって、前記参考例と同様の効果が生じる。
【0033】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、異方性
導電シ−トを用いてチップの電極パツド配置をアレイパ
ッド配置に変換しているので、スル−ホ−ルを開ける必
要がなく、また、熱圧着という簡単なプロセスで「アレ
イパッド型のチップに近いサイズの集積回路パッケ−
ジ」とすることができる効果が生じる。
導電シ−トを用いてチップの電極パツド配置をアレイパ
ッド配置に変換しているので、スル−ホ−ルを開ける必
要がなく、また、熱圧着という簡単なプロセスで「アレ
イパッド型のチップに近いサイズの集積回路パッケ−
ジ」とすることができる効果が生じる。
【0034】例えば、本発明に係る集積回路パッケ−ジ
として、5mm□で225ピンのチップの場合、チップ厚を
300μm、異方性導電シ−ト厚を5μm、モ−ルド樹脂の
肉厚を50μm、バンプ電極高さを100μmとすると、パ
ッケ−ジサイズは5.1mm□、厚さは455μm程度となる
。これに対して、従来技術の場合、BGAパッケ−ジ
とすると、25〜30mm□で厚さは1〜2mmとなる。
として、5mm□で225ピンのチップの場合、チップ厚を
300μm、異方性導電シ−ト厚を5μm、モ−ルド樹脂の
肉厚を50μm、バンプ電極高さを100μmとすると、パ
ッケ−ジサイズは5.1mm□、厚さは455μm程度となる
。これに対して、従来技術の場合、BGAパッケ−ジ
とすると、25〜30mm□で厚さは1〜2mmとなる。
【0035】さらに、MCM(マルチチップモジュ−ル)
用としてベアチップを用いようとする場合、従来の集積
回路用パッケ−ジでは、出荷する側においてベアチップ
のテスト技術が未確立なため品質保証が困難であった
が、本発明に係る集積回路用パッケ−ジとすれば、品質
保証ができるため出荷が可能となり、ベアチップの代用
としてMCMに用いることができるようになる効果も生
じる。
用としてベアチップを用いようとする場合、従来の集積
回路用パッケ−ジでは、出荷する側においてベアチップ
のテスト技術が未確立なため品質保証が困難であった
が、本発明に係る集積回路用パッケ−ジとすれば、品質
保証ができるため出荷が可能となり、ベアチップの代用
としてMCMに用いることができるようになる効果も生
じる。
【図1】本発明の参考例を示す集積回路用パッケ−ジの
断面図
断面図
【図2】図1に示す集積回路用パッケ−ジの工程A〜C
からなる製造工程順断面図
からなる製造工程順断面図
【図3】本発明の一実施例を示す集積回路用パッケ−ジ
の断面図
の断面図
【図4】本発明で使用する異方性導電シ−トの一例を示
す図であって、(A)はその平面図であり、(B)は(A)の
a−a線断面図
す図であって、(A)はその平面図であり、(B)は(A)の
a−a線断面図
【図5】従来のPGA(キャビティアップタイプ)を示
す断面図
す断面図
【図6】従来のPGA(キャビティダウンタイプ)を示
す断面図
す断面図
【図7】従来のBGAを示す断面図
10 異方性導電シ−ト 11,21 チップ 12,22 電極パッド 13, − デバイス面 14,24 アレイ配線 15, − 異方性導電シ−ト表面 16,26 アレイ電極パッド 17,27 バンプ 18,28 モ−ルド樹脂 31 樹脂 32 導電性粒子 50,60,70 配線基板 51,61,71 チップ 52,62,72 チップの周辺電極パッド 53,63,73 配線基板側の電極パッド 54,64, − キャビティ 55, − ,75 スル−ホ−ル 56,66, − ピン 57,67,77 キャップ − , − ,78 半田ボ−ル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日下 輝雄 東京都港区芝五丁目7番1号日本電気株 式会社内 (56)参考文献 特開 平8−330355(JP,A) 特開 平8−330356(JP,A)
Claims (3)
- 【請求項1】 加圧した方向にのみ導電性を示す異方性
導電シ−トを用いた集積回路用パッケ−ジであって、一
方の面にアレイ配線が設けられ、他方の面にアレイ電極
パッドが設けられた異方性導電シ−トを集積回路チップ
に熱圧着することにより、前記アレイ配線と前記集積回
路チップの電極パッドとを接触させると共に、前記アレ
イ配線と前記アレイ電極パッド間の導電シ−ト部を導通
させた構造を有することを特徴とする集積回路用パッケ
−ジ。 - 【請求項2】 (1) 加圧した方向にのみ導電性を示すも
ので、一方の面にアレイ配線が設けられ、他方の面にア
レイ電極パッドが設けられた異方性導電シ−トを準備
し、集積回路チップの電極パッドと前記導電シ−トのア
レイ配線とを位置合わせすると共に、前記集積回路チッ
プと前記導電シ−トとを仮付けする工程と、 (2) 前記導電シ−トを前記集積回路チップに熱圧着し、
前記アレイ配線と前記集積回路チップの電極パッドとを
接触させると共に、前記アレイ配線と前記アレイ電極パ
ッド間の導電シ−ト部を導通さる工程と、 を含むことを特徴とする集積回路用パッケ−ジの製造方
法。 - 【請求項3】 加圧した方向にのみ導電性を示す異方性
導電シ−トを用いた集積回路用パッケ−ジにおけるパッ
ド配置の変換方法において、一方の面にアレイ配線が設
けられ、他方の面にアレイ電極パッドがアレイ状に設け
られた異方性導電シ−トを集積回路チップに熱圧着する
ことにより、前記アレイ配線と前記集積回路チップの電
極パッドとを接触させると共に、前記アレイ配線と前記
アレイ電極パッド間の導電シ−ト部を導通させ、前記集
積回路チップの電極パッド配置を前記アレイ電極パッド
の配置に変換したことを特徴とする集積回路用パッケ−
ジにおけるパッド配置の変換方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7200398A JP2713254B2 (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 集積回路用パッケ−ジ及びその製造方法並びにパッド配置の変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7200398A JP2713254B2 (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 集積回路用パッケ−ジ及びその製造方法並びにパッド配置の変換方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0936178A JPH0936178A (ja) | 1997-02-07 |
JP2713254B2 true JP2713254B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=16423665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7200398A Expired - Fee Related JP2713254B2 (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 集積回路用パッケ−ジ及びその製造方法並びにパッド配置の変換方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2713254B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100401975B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2003-10-17 | 삼성전기주식회사 | 칩 패키지 및 그 제조방법 |
KR100444228B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 칩 패키지 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3569585B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2004-09-22 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP7200398A patent/JP2713254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0936178A (ja) | 1997-02-07 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |