JP2713005B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
電子部品及びその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 92
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミナ基板と、このア
ルミナ基板の片面上に形成されたガラスグレーズと、基
板の一部に形成された電極と、電極と接続する素子部を
有する電子部品及びその製造方法に関するものである。
ルミナ基板の片面上に形成されたガラスグレーズと、基
板の一部に形成された電極と、電極と接続する素子部を
有する電子部品及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜の微細なパターンを素子部と
する電子部品の下地基板には、低価格、高強度、耐環境
信頼性と表面平滑性に優れることを利点に、アルミナを
主成分とするセラミック粉末に、有機結合剤と、可塑剤
と、溶剤を加えて混合・攪はんしてスラリー状にし、ド
クターブレード法でシート状に造膜した（以下、グリー
ンシートという）後焼成して得られた不規則に反ったア
ルミナ基板の片面上に、酸化珪素、酸化バリウム等を主
成分とするアルカリフリーの高転移点ガラスが約１１０
０〜１２００℃の高温において焼成されたものがよく使
用されている。そして、この基板に電極を形成し、表面
に例えば蒸着等により薄膜を形成した後、ホトリソグラ
フィ技術を用いて電極と接続された所定の微細なパター
ン形状の素子部を形成し、さらにグレーズ、素子部、表
面電極を無機や有機の膜で覆うことにより電子部品を構
成している。
する電子部品の下地基板には、低価格、高強度、耐環境
信頼性と表面平滑性に優れることを利点に、アルミナを
主成分とするセラミック粉末に、有機結合剤と、可塑剤
と、溶剤を加えて混合・攪はんしてスラリー状にし、ド
クターブレード法でシート状に造膜した（以下、グリー
ンシートという）後焼成して得られた不規則に反ったア
ルミナ基板の片面上に、酸化珪素、酸化バリウム等を主
成分とするアルカリフリーの高転移点ガラスが約１１０
０〜１２００℃の高温において焼成されたものがよく使
用されている。そして、この基板に電極を形成し、表面
に例えば蒸着等により薄膜を形成した後、ホトリソグラ
フィ技術を用いて電極と接続された所定の微細なパター
ン形状の素子部を形成し、さらにグレーズ、素子部、表
面電極を無機や有機の膜で覆うことにより電子部品を構
成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、粒度分布が大きいアルミナ粉を無機を主
成分とするグリーンシートを焼成したアルミナ基板（熱
膨張係数７５〜８０×１０-7／℃）の凸側に、酸化珪
素、酸化バリウム等を主成分とするアルカリフリーの高
転移点ガラス（熱膨張係数が６０〜７０×１０-7／℃）
を約１１００〜１２００℃の高温において焼成すること
によりグレーズを形成しているため、グレーズ側が凸に
２インチ当り約１００μｍ反った基板となり、さらに、
マスク汚れに対する歩留向上のためにプロキシミティー
アライナを用いてギャップを設けて、基板中心に焦点を
合わせて露光しているので、形成されるパターンの形状
は、基板中心から離れる程、解像度の悪化によって、マ
スクのそれからかけ離れたものとなっていた。即ち、例
えば素子部形成後に基板を分割して個々の製品とする場
合には、抵抗値の分布が大きくなるという問題点を有し
ていた。
うな構成では、粒度分布が大きいアルミナ粉を無機を主
成分とするグリーンシートを焼成したアルミナ基板（熱
膨張係数７５〜８０×１０-7／℃）の凸側に、酸化珪
素、酸化バリウム等を主成分とするアルカリフリーの高
転移点ガラス（熱膨張係数が６０〜７０×１０-7／℃）
を約１１００〜１２００℃の高温において焼成すること
によりグレーズを形成しているため、グレーズ側が凸に
２インチ当り約１００μｍ反った基板となり、さらに、
マスク汚れに対する歩留向上のためにプロキシミティー
アライナを用いてギャップを設けて、基板中心に焦点を
合わせて露光しているので、形成されるパターンの形状
は、基板中心から離れる程、解像度の悪化によって、マ
スクのそれからかけ離れたものとなっていた。即ち、例
えば素子部形成後に基板を分割して個々の製品とする場
合には、抵抗値の分布が大きくなるという問題点を有し
ていた。
【０００４】本発明は上記課題に鑑み、反りの非常に小
さいグレーズドアルミナ基板を得ることにより、薄膜の
微細なパターンであって、かつ形状ばらつきが無い素子
部を有する電子部品及びその製造方法を提供するもので
ある。
さいグレーズドアルミナ基板を得ることにより、薄膜の
微細なパターンであって、かつ形状ばらつきが無い素子
部を有する電子部品及びその製造方法を提供するもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の電子部品は、アルミナ基板と、このアルミナ
基板の片面上に形成された酸化珪素、酸化バリウム等を
主成分とするアルカリフリーのガラスグレーズと、前記
アルミナ基板の一部に形成された電極用の導体と、ガラ
スグレーズ上に電極と接続するように形成した所定の形
状の導電体または誘電体もしくは抵抗体などの薄膜から
なる素子部とで構成したものである。
に本発明の電子部品は、アルミナ基板と、このアルミナ
基板の片面上に形成された酸化珪素、酸化バリウム等を
主成分とするアルカリフリーのガラスグレーズと、前記
アルミナ基板の一部に形成された電極用の導体と、ガラ
スグレーズ上に電極と接続するように形成した所定の形
状の導電体または誘電体もしくは抵抗体などの薄膜から
なる素子部とで構成したものである。
【０００６】また、その製造方法は、アルミナの平均粒
径が異なるグリーンシートを二枚以上積層圧着した後焼
成して一定方向に一定量反ったアルミナ基板を得る工程
と、このアルミナ基板の片面上に酸化珪素、酸化アルミ
ニウム、酸化バリウム、酸化カルシウム等を主成分とす
るガラスペーストをスクリーン印刷した後、焼成して反
りの小さいグレーズドアルミナ基板を得る工程と、この
グレーズドアルミナ基板の一部に導体を蒸着等の薄膜形
成法、あるいは導体ペーストの焼成等の厚膜形成法によ
り形成する工程と、グレーズ上に導電体または誘電体も
しくは抵抗体などの薄膜を形成し、レジスト塗布、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離を経て所定形状の
電極と接した素子部を形成する工程とからなるものであ
る。
径が異なるグリーンシートを二枚以上積層圧着した後焼
成して一定方向に一定量反ったアルミナ基板を得る工程
と、このアルミナ基板の片面上に酸化珪素、酸化アルミ
ニウム、酸化バリウム、酸化カルシウム等を主成分とす
るガラスペーストをスクリーン印刷した後、焼成して反
りの小さいグレーズドアルミナ基板を得る工程と、この
グレーズドアルミナ基板の一部に導体を蒸着等の薄膜形
成法、あるいは導体ペーストの焼成等の厚膜形成法によ
り形成する工程と、グレーズ上に導電体または誘電体も
しくは抵抗体などの薄膜を形成し、レジスト塗布、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離を経て所定形状の
電極と接した素子部を形成する工程とからなるものであ
る。
【０００７】
【作用】この構成によれば、アルミナ粉の粒径と分布の
違いにより、焼成時に生じる収縮率の違いを利用して得
た一定方向に一定量反ったアルミナ基板の凹側に、それ
より熱膨張係数の小さいアルカリフリーのグレーズを高
温で焼成し形成することにより、低価格、高強度、耐環
境信頼性と表面平滑性に優れた反りが非常に小さいグレ
ーズドアルミナ基板を得、その基板を用いて、ホトリソ
グラフィ技術を通して電子部品を得るため、従来課題で
あった基板の反りに起因していたパターンの露光ばらつ
きを無くすことができる。そのため素子部形成後に基板
を分割して個々の製品とする場合には、例えば抵抗値の
分布が小さいものといった、品質に優れた薄膜状の微細
なパターンを素子部に持つ電子部品を提供することがで
きる。
違いにより、焼成時に生じる収縮率の違いを利用して得
た一定方向に一定量反ったアルミナ基板の凹側に、それ
より熱膨張係数の小さいアルカリフリーのグレーズを高
温で焼成し形成することにより、低価格、高強度、耐環
境信頼性と表面平滑性に優れた反りが非常に小さいグレ
ーズドアルミナ基板を得、その基板を用いて、ホトリソ
グラフィ技術を通して電子部品を得るため、従来課題で
あった基板の反りに起因していたパターンの露光ばらつ
きを無くすことができる。そのため素子部形成後に基板
を分割して個々の製品とする場合には、例えば抵抗値の
分布が小さいものといった、品質に優れた薄膜状の微細
なパターンを素子部に持つ電子部品を提供することがで
きる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の一実施例の電子
部品として磁気抵抗効果素子を例にとって図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の一実施例における磁気
抵抗効果素子の断面図、図２は上面図である。また、
（表１）は本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子と従来
の磁気抵抗効果素子のパターン幅、抵抗値、中点電位値
を示したものである。
部品として磁気抵抗効果素子を例にとって図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の一実施例における磁気
抵抗効果素子の断面図、図２は上面図である。また、
（表１）は本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子と従来
の磁気抵抗効果素子のパターン幅、抵抗値、中点電位値
を示したものである。
【０００９】図１において、１はアルミナ基板、２はこ
のアルミナ基板１の片面上に形成された酸化珪素、酸化
バリウム等を主成分とするアルカリフリーのガラスグレ
ーズ、３は金属薄膜、４は電極で、この電極４はアルミ
ナ基板１の両端部において、アルミナ基板１の上面から
底面にかけて形成され、そして素子部を構成する金属薄
膜３は、電極４に両端部が重なるようにガラスグレーズ
２上に形成することにより電極４に接続されている。５
は金属薄膜３を覆うように形成した保護膜である。
のアルミナ基板１の片面上に形成された酸化珪素、酸化
バリウム等を主成分とするアルカリフリーのガラスグレ
ーズ、３は金属薄膜、４は電極で、この電極４はアルミ
ナ基板１の両端部において、アルミナ基板１の上面から
底面にかけて形成され、そして素子部を構成する金属薄
膜３は、電極４に両端部が重なるようにガラスグレーズ
２上に形成することにより電極４に接続されている。５
は金属薄膜３を覆うように形成した保護膜である。
【００１０】本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子は、
アルミナ基板１上に酸化珪素６０ｗｔ％と酸化バリウム
２５ｗｔ％を主成分とするガラスグレーズ２があり、そ
の上に、厚みが０．１μｍ、幅が１０μｍのパーマロイ
がストライプを折り返したような形状の強磁性体の金属
薄膜３が形成されている。また、銀：パラジウムの比が
１３：８７の電極４が強磁性体の金属薄膜３に接してお
り、そして強磁性体の金属薄膜３とガラスグレーズ２と
電極４をエポキシ系樹脂からなる保護膜５が覆った構成
である。
アルミナ基板１上に酸化珪素６０ｗｔ％と酸化バリウム
２５ｗｔ％を主成分とするガラスグレーズ２があり、そ
の上に、厚みが０．１μｍ、幅が１０μｍのパーマロイ
がストライプを折り返したような形状の強磁性体の金属
薄膜３が形成されている。また、銀：パラジウムの比が
１３：８７の電極４が強磁性体の金属薄膜３に接してお
り、そして強磁性体の金属薄膜３とガラスグレーズ２と
電極４をエポキシ系樹脂からなる保護膜５が覆った構成
である。
【００１１】以上のように構成された磁気抵抗効果素子
について、従来素子との比較評価結果を示す。
について、従来素子との比較評価結果を示す。
【００１２】評価は本発明の一実施例の磁気抵抗効果素
子と従来素子のパターン幅、抵抗値、中点電位値の比較
で行った。
子と従来素子のパターン幅、抵抗値、中点電位値の比較
で行った。
【００１３】パターン幅は走査型電子顕微鏡観察におい
て行った。抵抗値、中点電位値は図２の様に構成して測
定した。図２において、６は電流供給端子（＋）、７は
ＧＮＤ端子、８，９は出力端子である。抵抗値は６−７
間を測定した。中点電位値は、６−７間に５Ｖを印加し
た時の７−８間、７−９間の電位を求めた。
て行った。抵抗値、中点電位値は図２の様に構成して測
定した。図２において、６は電流供給端子（＋）、７は
ＧＮＤ端子、８，９は出力端子である。抵抗値は６−７
間を測定した。中点電位値は、６−７間に５Ｖを印加し
た時の７−８間、７−９間の電位を求めた。
【００１４】
【表１】
【００１５】（表１）より明らかなように、本発明の一
実施例の磁気抵抗効果素子のパターン幅、抵抗値、中点
電位値は従来素子のそれらに比べてバラツキが小さくな
っており、特性の精度が向上したことがわかる。
実施例の磁気抵抗効果素子のパターン幅、抵抗値、中点
電位値は従来素子のそれらに比べてバラツキが小さくな
っており、特性の精度が向上したことがわかる。
【００１６】（実施例２）次に実施例１の磁気抵抗効果
素子の製造方法について説明する。
素子の製造方法について説明する。
【００１７】アルミナ（平均粒径０．２μｍ）粉末を基
板材料の無機成分とし、有機バインダーとしてポリビニ
ルブチラール、可塑剤としてヂ−ｎ−ブチルフタレー
ト、溶剤としてトルエンとエタノールの混合液（６０対
４０比）を以下の割合で混合し、湿式微粉砕を行ってス
ラリーとした。
板材料の無機成分とし、有機バインダーとしてポリビニ
ルブチラール、可塑剤としてヂ−ｎ−ブチルフタレー
ト、溶剤としてトルエンとエタノールの混合液（６０対
４０比）を以下の割合で混合し、湿式微粉砕を行ってス
ラリーとした。
【００１８】 アルミナ粉末 １００部 ポリビニルブチラール １５部 ヂ−ｎ−ブチルフタレート １０部 トルエンとエタノールの混合液 ２０部 次に真空脱気処理によりスラリーから気泡を除去し、粘
度調整を行った。スラリーをドクターブレードを用いて
ポリエステルフィルム支持体上に塗布し、炉を通して乾
燥し、０．５ミリの厚さのグリーンシートを作製した。
グリーンシートを支持体より取り外し、８０ミリ角に切
断した。
度調整を行った。スラリーをドクターブレードを用いて
ポリエステルフィルム支持体上に塗布し、炉を通して乾
燥し、０．５ミリの厚さのグリーンシートを作製した。
グリーンシートを支持体より取り外し、８０ミリ角に切
断した。
【００１９】一方、アルミナの平均粒径が異なった２μ
ｍのものを用いて同様の方法によって８０ミリ角のグリ
ーンシートを作製した。次に、上記２種類のグリーンシ
ートを積層し、温度１００℃、１００kg／cm2で加圧し
た。その後、１００℃／ｈの速度で昇温して１６００℃
で１時間保持した後、室温にて取り出した。取り出した
アルミナ基板をレーザで所定サイズに切断し、さらにス
ルーホールを形成した。アルミナ基板の凹面上に、例え
ば酸化珪素６０ｗｔ％と酸化バリウム２５ｗｔ％を主成
分とするガラスの熱膨張係数が６８×１０-7のガラスペ
ーストをスクリーン印刷し１１００℃で焼成した後、さ
らに例えばパラジウムと銀の比が１３：８７である導体
ペーストをスルーホール部とランドにスクリーン印刷し
８５０℃で焼成した。この基板を真空蒸着機に設置し、
所定の真空度に排気した後、パーマロイを０．１μｍの
厚さで蒸着した。そして、レジスト塗布、独立したパタ
ーンの集合体であるマスクを用いた露光、現像、エッチ
ング、レジスト剥離を行って目的形状の素子部を得た。
次に、例えばエポキシ系樹脂を基板全面にスクリーン印
刷し硬化した後、各スルーホールを４分割するようにダ
イシングして図１，図２に示したような素子を２５５個
得、その後、裏面電極にリード線をはんだ付けした。
ｍのものを用いて同様の方法によって８０ミリ角のグリ
ーンシートを作製した。次に、上記２種類のグリーンシ
ートを積層し、温度１００℃、１００kg／cm2で加圧し
た。その後、１００℃／ｈの速度で昇温して１６００℃
で１時間保持した後、室温にて取り出した。取り出した
アルミナ基板をレーザで所定サイズに切断し、さらにス
ルーホールを形成した。アルミナ基板の凹面上に、例え
ば酸化珪素６０ｗｔ％と酸化バリウム２５ｗｔ％を主成
分とするガラスの熱膨張係数が６８×１０-7のガラスペ
ーストをスクリーン印刷し１１００℃で焼成した後、さ
らに例えばパラジウムと銀の比が１３：８７である導体
ペーストをスルーホール部とランドにスクリーン印刷し
８５０℃で焼成した。この基板を真空蒸着機に設置し、
所定の真空度に排気した後、パーマロイを０．１μｍの
厚さで蒸着した。そして、レジスト塗布、独立したパタ
ーンの集合体であるマスクを用いた露光、現像、エッチ
ング、レジスト剥離を行って目的形状の素子部を得た。
次に、例えばエポキシ系樹脂を基板全面にスクリーン印
刷し硬化した後、各スルーホールを４分割するようにダ
イシングして図１，図２に示したような素子を２５５個
得、その後、裏面電極にリード線をはんだ付けした。
【００２０】（表２）及び（表３）に基板分割前の素子
の位置と抵抗体のパターン幅、抵抗値、中点電位値の関
係を本実施例の製造方法によって得られた素子と従来素
子について比較して示す。図３に各素子の基板分割前の
位置を示す。図３中の丸中数字は（表２），（表３）の
それに一致する。
の位置と抵抗体のパターン幅、抵抗値、中点電位値の関
係を本実施例の製造方法によって得られた素子と従来素
子について比較して示す。図３に各素子の基板分割前の
位置を示す。図３中の丸中数字は（表２），（表３）の
それに一致する。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】（表２），（表３）より明らかなように、
本実施例の製造方法によって得られた素子は分割前の基
板上の位置に依存することなく設計値付近の特性を有し
たが、従来素子では位置に依存して、即ち基板中心から
外れるほど設計値からのズレが大きかったことがわか
る。
本実施例の製造方法によって得られた素子は分割前の基
板上の位置に依存することなく設計値付近の特性を有し
たが、従来素子では位置に依存して、即ち基板中心から
外れるほど設計値からのズレが大きかったことがわか
る。
【００２４】（表４）に本実施例におけるグレーズドア
ルミナ基板と従来例におけるグレーズドアルミナ基板の
反り値（ここでいう反り値は、基板の長辺方向の測定値
を意味する）を示す。
ルミナ基板と従来例におけるグレーズドアルミナ基板の
反り値（ここでいう反り値は、基板の長辺方向の測定値
を意味する）を示す。
【００２５】
【表４】
【００２６】この（表４）より明らかなように、本実施
例におけるグレーズドアルミナ基板の反りは従来例にお
けるグレーズドアルミナ基板の反りの１／５以下である
ことがわかる。
例におけるグレーズドアルミナ基板の反りは従来例にお
けるグレーズドアルミナ基板の反りの１／５以下である
ことがわかる。
【００２７】（表５）に本実施例の製造方法によって得
られた素子と従来の製造方法によって得られた素子の歩
留（良品は抵抗値と中点電位値により選別し、基準は従
来素子と同じ）を示す。
られた素子と従来の製造方法によって得られた素子の歩
留（良品は抵抗値と中点電位値により選別し、基準は従
来素子と同じ）を示す。
【００２８】
【表５】
【００２９】この（表５）より明らかなように、本実施
例の製造方法によって磁気抵抗効果素子を得た場合、歩
留が従来方法に比べて３５％向上したことがわかる。
例の製造方法によって磁気抵抗効果素子を得た場合、歩
留が従来方法に比べて３５％向上したことがわかる。
【００３０】以上のように本実施例によれば、ドクター
ブレード法により得られたアルミナの平均粒径が異なる
グリーンシートを二枚以上積層圧着し焼成して一定方向
に一定量反ったアルミナ基板を得た後、このアルミナ基
板の凹面上にガラス時の熱膨張係数がアルミナより少し
小さい酸化珪素、酸化バリウム等を主成分とするガラス
ペーストをスクリーン印刷し、その後１０００℃以上で
焼成して得た反りの小さいグレーズドアルミナ基板を用
い、このグレーズドアルミナ基板に素子部を形成する構
成であるため、以前生じていた露光バラツキによるパタ
ーン幅の分布が、１素子当りにおいて３％あったものが
０．５％に、基板当りにおいて１０％あったものが２％
にまで減少でき、それに伴う抵抗値や中点電位値等の特
性の精度も同様に向上し、従って製造歩留も従来方法に
比べて３５％向上する。
ブレード法により得られたアルミナの平均粒径が異なる
グリーンシートを二枚以上積層圧着し焼成して一定方向
に一定量反ったアルミナ基板を得た後、このアルミナ基
板の凹面上にガラス時の熱膨張係数がアルミナより少し
小さい酸化珪素、酸化バリウム等を主成分とするガラス
ペーストをスクリーン印刷し、その後１０００℃以上で
焼成して得た反りの小さいグレーズドアルミナ基板を用
い、このグレーズドアルミナ基板に素子部を形成する構
成であるため、以前生じていた露光バラツキによるパタ
ーン幅の分布が、１素子当りにおいて３％あったものが
０．５％に、基板当りにおいて１０％あったものが２％
にまで減少でき、それに伴う抵抗値や中点電位値等の特
性の精度も同様に向上し、従って製造歩留も従来方法に
比べて３５％向上する。
【００３１】（実施例３）図４は本発明の他の実施例に
おける磁気抵抗効果素子の断面図である。
おける磁気抵抗効果素子の断面図である。
【００３２】本実施例においては、ガラスグレーズ２を
電極４と面一に接触するように形成したものである。な
お、この場合、ガラスグレーズ２は電極４と完全に面一
になっていなくてもよい。例えば、一部が電極４に重な
る構造でもよい。
電極４と面一に接触するように形成したものである。な
お、この場合、ガラスグレーズ２は電極４と完全に面一
になっていなくてもよい。例えば、一部が電極４に重な
る構造でもよい。
【００３３】本実施例の磁気抵抗効果素子の構成は、ア
ルミナ基板上に酸化鉛５０ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％
と酸化珪素３５ｗｔ％と酸化アルミニウム５ｗｔ％を主
成分とするガラスグレーズ２を形成する点をのぞくと、
実施例１の構成と同様である。
ルミナ基板上に酸化鉛５０ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％
と酸化珪素３５ｗｔ％と酸化アルミニウム５ｗｔ％を主
成分とするガラスグレーズ２を形成する点をのぞくと、
実施例１の構成と同様である。
【００３４】なお、ガラスグレーズ２の表面粗度は０．
２０μｍＲａ以下であった。以上のように構成された磁
気抵抗効果素子について、従来素子との比較評価結果を
示す。
２０μｍＲａ以下であった。以上のように構成された磁
気抵抗効果素子について、従来素子との比較評価結果を
示す。
【００３５】評価は実施例１と同様に本実施例の磁気抵
抗効果素子と従来素子のパターン幅、抵抗値、中点電位
値の比較で行った。
抗効果素子と従来素子のパターン幅、抵抗値、中点電位
値の比較で行った。
【００３６】パターン幅は走査型電子顕微鏡観察におい
て行った。抵抗値、中点電位値は実施例１と同様に図２
の様に構成して測定した。中点電位値は、６−７間に５
Ｖを印加した時の７−８間、７−９間の電位を求めた。
て行った。抵抗値、中点電位値は実施例１と同様に図２
の様に構成して測定した。中点電位値は、６−７間に５
Ｖを印加した時の７−８間、７−９間の電位を求めた。
【００３７】同じく（表１）より明らかなように、本発
明の一実施例の磁気抵抗効果素子のパターン幅、抵抗
値、中点電位値は従来素子のそれらに比べてバラツキが
小さくなっており、特性の精度が向上したことがわか
る。
明の一実施例の磁気抵抗効果素子のパターン幅、抵抗
値、中点電位値は従来素子のそれらに比べてバラツキが
小さくなっており、特性の精度が向上したことがわか
る。
【００３８】（実施例４）次に実施例３の磁気抵抗効果
素子の製造方法について説明する。
素子の製造方法について説明する。
【００３９】アルミナスルーホール基板の片面上に酸化
鉛５０ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化珪素３５ｗｔ
％と酸化アルミニウム５ｗｔ％を無機分中の主成分とす
るガラスペーストをスクリーン印刷後８５０℃で焼成
し、さらにパラジウムと銀の比が１３：８７である導体
ペーストをスルーホール部とランドにスクリーン印刷後
８００℃で焼成した。その後、焼成した基板を真空蒸着
機に設置し、所定の真空度に排気した後、パーマロイを
０．１μｍの厚さで蒸着した。そして、レジスト塗布、
独立したパターンの集合体であるマスクを用いた露光、
現像、エッチング、レジスト剥離を経て目的形状の素子
部を得た。次に、エポキシ系樹脂を基板全面にスクリー
ン印刷し硬化した後、各スルーホールを４分割するよう
にダイシングして図４に示すような素子を２５５個得、
その後、裏面電極にリード線をはんだ付けした。
鉛５０ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化珪素３５ｗｔ
％と酸化アルミニウム５ｗｔ％を無機分中の主成分とす
るガラスペーストをスクリーン印刷後８５０℃で焼成
し、さらにパラジウムと銀の比が１３：８７である導体
ペーストをスルーホール部とランドにスクリーン印刷後
８００℃で焼成した。その後、焼成した基板を真空蒸着
機に設置し、所定の真空度に排気した後、パーマロイを
０．１μｍの厚さで蒸着した。そして、レジスト塗布、
独立したパターンの集合体であるマスクを用いた露光、
現像、エッチング、レジスト剥離を経て目的形状の素子
部を得た。次に、エポキシ系樹脂を基板全面にスクリー
ン印刷し硬化した後、各スルーホールを４分割するよう
にダイシングして図４に示すような素子を２５５個得、
その後、裏面電極にリード線をはんだ付けした。
【００４０】（表６）に本実施例の製造方法によって得
られた素子について、基板分割前の素子の位置と抵抗体
のパターン幅、抵抗値、中点電位値の関係を示す。
られた素子について、基板分割前の素子の位置と抵抗体
のパターン幅、抵抗値、中点電位値の関係を示す。
【００４１】各素子の基板分割前の位置を示す番号は図
３中の丸数字に一致する。
３中の丸数字に一致する。
【００４２】
【表６】
【００４３】（表３），（表６）より明らかなように、
本実施例の製造方法によって得られた素子は分割前の基
板上の位置に依存することなく設計値付近の特性を有し
たが、従来素子では位置に依存して、即ち基板中心から
外れるほど設計値からのズレが大きかったことがわか
る。
本実施例の製造方法によって得られた素子は分割前の基
板上の位置に依存することなく設計値付近の特性を有し
たが、従来素子では位置に依存して、即ち基板中心から
外れるほど設計値からのズレが大きかったことがわか
る。
【００４４】以上のように本実施例においても、実施例
３と同様な効果が得られる。 （実施例５）次に、実施例３の製造方法の他の例を説明
する。
３と同様な効果が得られる。 （実施例５）次に、実施例３の製造方法の他の例を説明
する。
【００４５】アルミナスルーホール基板の片面上に酸化
鉛１５ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化珪素７０ｗｔ
％と酸化アルミニウム５ｗｔ％とアルカリ金属酸化物２
ｗｔ％を無機分中の主成分とするガラスペーストをスク
リーン印刷後９００℃で焼成し、さらにパラジウムと銀
の比が１３：８７である導体ペーストをスルーホール部
とランドにスクリーン印刷後８５０℃で焼成した。その
後、焼成した基板を真空蒸着機に設置し、所定の真空度
に排気した後、パーマロイを０．１μｍの厚さで蒸着し
た。そして、レジスト塗布、独立したパターンの集合体
であるマスクを用いた露光、現像、エッチング、レジス
ト剥離を経て目的形状の素子部を得た。次に、エポキシ
系樹脂を基板全面にスクリーン印刷し硬化した後、各ス
ルーホールを４分割するようにダイシングして図４に示
すような素子を２５５個得、その後、裏面電極にリード
線をはんだ付けした。
鉛１５ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化珪素７０ｗｔ
％と酸化アルミニウム５ｗｔ％とアルカリ金属酸化物２
ｗｔ％を無機分中の主成分とするガラスペーストをスク
リーン印刷後９００℃で焼成し、さらにパラジウムと銀
の比が１３：８７である導体ペーストをスルーホール部
とランドにスクリーン印刷後８５０℃で焼成した。その
後、焼成した基板を真空蒸着機に設置し、所定の真空度
に排気した後、パーマロイを０．１μｍの厚さで蒸着し
た。そして、レジスト塗布、独立したパターンの集合体
であるマスクを用いた露光、現像、エッチング、レジス
ト剥離を経て目的形状の素子部を得た。次に、エポキシ
系樹脂を基板全面にスクリーン印刷し硬化した後、各ス
ルーホールを４分割するようにダイシングして図４に示
すような素子を２５５個得、その後、裏面電極にリード
線をはんだ付けした。
【００４６】本実施例において得られた磁気抵抗効果素
子においても、実施例４と同様な効果が得られた。
子においても、実施例４と同様な効果が得られた。
【００４７】（実施例６）次に本発明の他の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００４８】本実施例の磁気抵抗効果素子は、図４に示
すようにアルミナ基板１の一部に銀：パラジウムの比が
１３：８７の電極４が有り、酸化鉛５０ｗｔ％と酸化ホ
ウ素５ｗｔ％と酸化珪素３５ｗｔ％と酸化アルミニウム
５ｗｔ％を主成分とするガラスグレーズ２が導体電極４
の一部に重なってアルミナ基板１を覆っている。その上
に、厚みが０．１μｍ、幅が１０μｍのパーマロイがス
トライプを折り返したような形状をして電極に接してあ
り、パーマロイ膜とガラスグレーズ２とアルミナ基板１
上面にある電極４をエポキシ系樹脂が覆った構成であ
る。グレーズ２の表面粗度は０．２０μｍＲａ以下であ
った。
すようにアルミナ基板１の一部に銀：パラジウムの比が
１３：８７の電極４が有り、酸化鉛５０ｗｔ％と酸化ホ
ウ素５ｗｔ％と酸化珪素３５ｗｔ％と酸化アルミニウム
５ｗｔ％を主成分とするガラスグレーズ２が導体電極４
の一部に重なってアルミナ基板１を覆っている。その上
に、厚みが０．１μｍ、幅が１０μｍのパーマロイがス
トライプを折り返したような形状をして電極に接してあ
り、パーマロイ膜とガラスグレーズ２とアルミナ基板１
上面にある電極４をエポキシ系樹脂が覆った構成であ
る。グレーズ２の表面粗度は０．２０μｍＲａ以下であ
った。
【００４９】以上のように構成された磁気抵抗効果素子
について、従来素子との比較評価結果を（表７）に示
す。
について、従来素子との比較評価結果を（表７）に示
す。
【００５０】評価は本発明の一実施例の磁気抵抗効果素
子と従来素子のパターンの断線と虫食われの発生数の比
較で行った。
子と従来素子のパターンの断線と虫食われの発生数の比
較で行った。
【００５１】
【表７】
【００５２】（表７）より明らかなように、本発明の一
実施例の磁気抵抗効果素子では、従来素子であったパタ
ーンの断線や虫食われが無いことがわかる。
実施例の磁気抵抗効果素子では、従来素子であったパタ
ーンの断線や虫食われが無いことがわかる。
【００５３】以上のように本実施例によれば、断線や虫
食われの無い薄膜の微細なパターンからなる素子部を持
つ電子部品が得られた。
食われの無い薄膜の微細なパターンからなる素子部を持
つ電子部品が得られた。
【００５４】（実施例７）次に実施例６の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００５５】アルミナスルーホール基板のランドとスル
ーホール部に、パラジウムと銀の比が１３：８７である
導体ペーストをスクリーン印刷後８５０℃で焼成し、片
面上に、酸化鉛５０ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化
珪素３５ｗｔ％と酸化アルミニウム５ｗｔ％を無機分中
の主成分とするガラスペーストをスクリーン印刷後７５
０℃で焼成し、その後、焼成した基板を真空蒸着機に設
置し、所定の真空度に排気した後、パーマロイを０．１
μｍの厚さで蒸着した。そして、レジスト塗布、独立し
たパターンの集合体であるマスクを用いた露光、現像、
エッチング、レジスト剥離を経て目的形状の素子部を得
た。次に、エポキシ系樹脂を基板全面にスクリーン印刷
し硬化した後、各スルーホールを４分割するようにダイ
シングして図４に示すような素子を２５５個得、その
後、裏面電極にリード線をはんだ付けした。
ーホール部に、パラジウムと銀の比が１３：８７である
導体ペーストをスクリーン印刷後８５０℃で焼成し、片
面上に、酸化鉛５０ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化
珪素３５ｗｔ％と酸化アルミニウム５ｗｔ％を無機分中
の主成分とするガラスペーストをスクリーン印刷後７５
０℃で焼成し、その後、焼成した基板を真空蒸着機に設
置し、所定の真空度に排気した後、パーマロイを０．１
μｍの厚さで蒸着した。そして、レジスト塗布、独立し
たパターンの集合体であるマスクを用いた露光、現像、
エッチング、レジスト剥離を経て目的形状の素子部を得
た。次に、エポキシ系樹脂を基板全面にスクリーン印刷
し硬化した後、各スルーホールを４分割するようにダイ
シングして図４に示すような素子を２５５個得、その
後、裏面電極にリード線をはんだ付けした。
【００５６】（表８）に本実施例の製造方法によって得
られた素子と従来の製造方法によって得られた素子の歩
留を示す。
られた素子と従来の製造方法によって得られた素子の歩
留を示す。
【００５７】
【表８】
【００５８】（表８）より明らかなように、本実施例の
製造方法によって磁気抵抗効果素子を得た場合、歩留
（良品は抵抗値と中点電位値により選別し、基準は従来
素子と同じ）が従来方法に比べて１０％向上したことが
わかる。
製造方法によって磁気抵抗効果素子を得た場合、歩留
（良品は抵抗値と中点電位値により選別し、基準は従来
素子と同じ）が従来方法に比べて１０％向上したことが
わかる。
【００５９】以上のように本実施例によれば、製造歩留
を向上させることができる。 （実施例８）次に、実施例６の製造方法の他の例を示
す。
を向上させることができる。 （実施例８）次に、実施例６の製造方法の他の例を示
す。
【００６０】アルミナスルーホール基板のランドとスル
ーホール部に、パラジウムと銀の比が１３：８７である
導体ペーストをスクリーン印刷後９００℃で焼成し、片
面上に、酸化鉛１５ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化
珪素７０ｗｔ％と酸化アルミニウム５ｗｔ％と、アルカ
リ金属酸化物２ｗｔ％を無機分中の主成分とするガラス
ペーストをスクリーン印刷後８５０℃で焼成し、その
後、焼成した基板を真空蒸着機に設置し、所定の真空度
に排気した後、パーマロイを０．１μｍの厚さで蒸着し
た。そして、レジスト塗布、独立したパターンの集合体
であるマスクを用いた露光、現像、エッチング、レジス
ト剥離を経て目的形状の素子部を得た。次に、エポキシ
系樹脂を基板全面にスクリーン印刷し硬化した後、各ス
ルーホールを４分割するようにダイシングして図４に示
すような素子を２５５個得、その後、裏面電極にリード
線をはんだ付けした。
ーホール部に、パラジウムと銀の比が１３：８７である
導体ペーストをスクリーン印刷後９００℃で焼成し、片
面上に、酸化鉛１５ｗｔ％と酸化ホウ素５ｗｔ％と酸化
珪素７０ｗｔ％と酸化アルミニウム５ｗｔ％と、アルカ
リ金属酸化物２ｗｔ％を無機分中の主成分とするガラス
ペーストをスクリーン印刷後８５０℃で焼成し、その
後、焼成した基板を真空蒸着機に設置し、所定の真空度
に排気した後、パーマロイを０．１μｍの厚さで蒸着し
た。そして、レジスト塗布、独立したパターンの集合体
であるマスクを用いた露光、現像、エッチング、レジス
ト剥離を経て目的形状の素子部を得た。次に、エポキシ
系樹脂を基板全面にスクリーン印刷し硬化した後、各ス
ルーホールを４分割するようにダイシングして図４に示
すような素子を２５５個得、その後、裏面電極にリード
線をはんだ付けした。
【００６１】本実施例８において得られた磁気抵抗効果
素子においても、実施例７と同様の製造歩留の結果が得
られた。
素子においても、実施例７と同様の製造歩留の結果が得
られた。
【００６２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来基板
の反りが大きかったがために生じた、パターン形状のば
らつきを除去することができ、特性の精度と歩留が向上
した電子部品及びその製造方法を実現することができ
る。
の反りが大きかったがために生じた、パターン形状のば
らつきを除去することができ、特性の精度と歩留が向上
した電子部品及びその製造方法を実現することができ
る。
【図１】本発明の一実施例による磁気抵抗効果素子の断
面図
面図
【図２】同磁気抵抗効果素子の上面図
【図３】本発明及び従来の磁気抵抗効果素子において、
各素子の基板分割前の位置を示したアルミナスルーホー
ル基板の上面図
各素子の基板分割前の位置を示したアルミナスルーホー
ル基板の上面図
【図４】本発明の他の実施例による磁気抵抗効果素子の
断面図
断面図
１ アルミナ基板 ２ ガラスグレーズ ３ 金属薄膜 ４ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/40 Ｈ０１Ｇ 4/06 １０１
Claims (15)
- 【請求項１】アルミナ基板と、このアルミナ基板の片面
上に形成されかつ酸化鉛と酸化ホウ素と酸化珪素と酸化
アルミニウムを主成分とするガラスグレーズと、前記ア
ルミナ基板の両端部に形成された電極と、前記ガラスグ
レーズ上に電極と接続するように形成した所定の形状の
導電体または誘電体もしくは抵抗体などの薄膜からなる
素子部とからなる電子部品。 - 【請求項２】アルミナ基板と、このアルミナ基板の片面
上に形成されたアルカリフリーのガラスグレーズと、前
記アルミナ基板の両端部に形成された電極と、前記ガラ
スグレーズ上に電極と接続するように形成された所定の
形状の導電体または誘電体もしくは抵抗体などの薄膜か
らなる素子部とからなる電子部品。 - 【請求項３】アルミナ基板と、このアルミナ基板の両端
部に形成された電極と、一部が電極に重なる、あるいは
電極と面一に接触するように前記アルミナ基板の片面上
に形成されかつ酸化鉛と酸化ホウ素と酸化珪素と酸化ア
ルミニウムを主成分とするガラスグレーズと、前記電極
と接続するようにガラスグレーズ上に形成された所定の
形状の導電体または誘電体もしくは抵抗体などの薄膜か
らなる素子部とからなる電子部品。 - 【請求項４】グレーズの表面粗度が０．２０μｍＲａ以
下であることを特徴とする請求項１または３記載の電子
部品。 - 【請求項５】ガラスグレーズには、酸化鉛が１０〜７０
ｗｔ％、酸化珪素が３０〜８０ｗｔ％の範囲で、かつ両
者の和が６０ｗｔ％以上１００ｗｔ％未満含まれること
を特徴とする請求項１または３記載の電子部品。 - 【請求項６】ガラスグレーズ中に含まれるアルカリ金属
の酸化物が２ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項
１または３記載の電子部品。 - 【請求項７】素子部のパターン幅が５０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項２記載の電子部品。 - 【請求項８】素子部のパターン幅のばらつきが２％以内
であることを特徴とする請求項２記載の電子部品。 - 【請求項９】アルミナ基板の片面上に酸化鉛と酸化ホウ
素と酸化珪素を主成分とするガラスペーストをスクリー
ン印刷後焼成する工程と、アルミナ基板の両端部に電極
として導体ペーストをスクリーン印刷後焼成する工程
と、グレーズ上に導電体または誘電体もしくは抵抗体な
どの薄膜を形成し、所定形状の素子部を形成する工程と
を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項１０】アルミナの平均粒径が異なるグリーンシ
ートを二枚以上積層圧着した後焼成して一定方向に一定
量反ったアルミナ基板を得る工程と、このアルミナ基板
の片面上に酸化珪素、酸化バリウム等を主成分とするガ
ラスペーストをスクリーン印刷した後、焼成して反りの
小さいグレーズドアルミナ基板を得る工程と、このグレ
ーズドアルミナ基板の一部に電極として導体を形成する
工程と、グレーズ上に導電体または誘電体もしくは抵抗
体などの薄膜を形成し、所定形状の電極と接した素子部
を形成する工程とを有することを特徴とする電子部品の
製造方法。 - 【請求項１１】アルミナ基板に電極として導体ペースト
をスクリーン印刷後焼成する工程と、一部が電極に重な
る、あるいは電極と面一に接触するようにアルミナ基板
の片面上に酸化鉛と酸化ホウ素と酸化珪素と酸化アルミ
ニウムを主成分とするガラスペーストをスクリーン印刷
後焼成する工程と、ガラスグレーズのある面に導電体ま
たは誘電体もしくは抵抗体などの薄膜を形成する工程
と、この薄膜から電極と接続するように所定形状の素子
部を形成する工程とを有することを特徴とする電子部品
の製造方法。 - 【請求項１２】アルミナ基板と、このアルミナ基板の片
面上に形成された酸化鉛と酸化ホウ素と酸化珪素を主成
分とするガラスグレーズとからなる状態の基板の反りが
２０μｍ以下であることを特徴とする請求項９記載の電
子部品の製造方法。 - 【請求項１３】ガラスペーストの焼成温度が６００℃か
ら９５０℃であることを特徴とする請求項９または１１
記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１４】アルミナ基板と、このアルミナ基板の片
面上に形成された酸化珪素、酸化バリウム等を主成分と
するアルカリフリーのガラスグレーズで構成される基板
の反りが２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１
０記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１５】反りが２０μｍ以下であるグレーズドア
ルミナ基板を、アルミナ基板の凹面上に酸化珪素、酸化
バリウム等を主成分とするガラス時の熱膨張係数がアル
ミナより小さいガラスペーストをスクリーン印刷した後
１０００℃以上で焼成して得ることを特徴とする請求項
１０記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076820A JP2713005B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076820A JP2713005B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283556A JPH05283556A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2713005B2 true JP2713005B2 (ja) | 1998-02-16 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP4076820A Expired - Fee Related JP2713005B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713005B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101219003B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2013-01-04 | 삼성전기주식회사 | 칩형 코일 부품 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4076820A patent/JP2713005B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05283556A (ja) | 1993-10-29 |
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