JP2699949B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2699949B2 JP2699949B2 JP7251535A JP25153595A JP2699949B2 JP 2699949 B2 JP2699949 B2 JP 2699949B2 JP 7251535 A JP7251535 A JP 7251535A JP 25153595 A JP25153595 A JP 25153595A JP 2699949 B2 JP2699949 B2 JP 2699949B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- semiconductor chip
- reinforcing pattern
- semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にＴＡＢ方式の半導体装置に関する。
特にＴＡＢ方式の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＴＡＢテープと半導体チップとの
ボンディング構造は、図４および図５に示すように、Ｔ
ＡＢテープに形成されているインナリード４を半導体チ
ップ３のパッド部にボンディングし、インナリード４の
みでデバイスホール２に半導体チップ３を支える構造と
なっている。この従来のＴＡＢテープと半導体チップ３
とのボンディング構造では、インナリード４のみで半導
体チップ３を支持しているため、半導体チップ３自身の
重量および工程上の振動などでインナリード４にストレ
スが加わって、強度の低下を引き起こし、インナリード
４の切れに至る場合もあった。また、半導体チップ４の
パッドは狭ピッチ化の傾向にあり、これに伴ってＴＡＢ
テープのインナリード４の幅も細くなる傾向にある。こ
のため、インナリード４のみで半導体チップ３を支持す
ることも困難となっていくことが予想される。
ボンディング構造は、図４および図５に示すように、Ｔ
ＡＢテープに形成されているインナリード４を半導体チ
ップ３のパッド部にボンディングし、インナリード４の
みでデバイスホール２に半導体チップ３を支える構造と
なっている。この従来のＴＡＢテープと半導体チップ３
とのボンディング構造では、インナリード４のみで半導
体チップ３を支持しているため、半導体チップ３自身の
重量および工程上の振動などでインナリード４にストレ
スが加わって、強度の低下を引き起こし、インナリード
４の切れに至る場合もあった。また、半導体チップ４の
パッドは狭ピッチ化の傾向にあり、これに伴ってＴＡＢ
テープのインナリード４の幅も細くなる傾向にある。こ
のため、インナリード４のみで半導体チップ３を支持す
ることも困難となっていくことが予想される。
【０００３】一方、電気的に接続不要な空きパッドを利
用し、サポートリードをボンディングして半導体チップ
３の保持強度を改善する半導体装置が提案されているが
（特開平３−７２６４３号公報参照）、この方式の場
合、空きパッド数が少ない場合にサポートリード数が減
り、保持強度を上げるまでに至らず十分な効果が得られ
ない。
用し、サポートリードをボンディングして半導体チップ
３の保持強度を改善する半導体装置が提案されているが
（特開平３−７２６４３号公報参照）、この方式の場
合、空きパッド数が少ない場合にサポートリード数が減
り、保持強度を上げるまでに至らず十分な効果が得られ
ない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来のボンディング構造では、インナリードにストレスが
加わった時に強度の低下を引き起こし、インナリードの
切れに至るという欠点がある。
来のボンディング構造では、インナリードにストレスが
加わった時に強度の低下を引き起こし、インナリードの
切れに至るという欠点がある。
【０００５】また、半導体チップのパッドは狭ピッチ化
の傾向にありインナリードの幅も細くなるので狭ピッチ
化に対応できないという欠点もある。
の傾向にありインナリードの幅も細くなるので狭ピッチ
化に対応できないという欠点もある。
【０００６】一方、空きパッドを利用し保持強度を改善
する方式では、空きパッドが少い場合に十分な効果が得
られないという欠点がある。
する方式では、空きパッドが少い場合に十分な効果が得
られないという欠点がある。
【０００７】本発明の目的は、インナリードの保持強度
が高く切れがなく、パッドの狭ピッチ化に対応できる接
続信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
が高く切れがなく、パッドの狭ピッチ化に対応できる接
続信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、デバイスホー
ルとこのデバイスホールに導出された複数のインナリー
ドとを有するＴＡＢテープと、前記複数のインナリード
とボンディングにより接続され前記デバイスホールに支
持されるインナリード用パッドを有する半導体チップと
を備えたＴＡＢ方式の半導体装置において、前記ＴＡＢ
テープの前記複数のインナーリード形成領域以外の領域
である前記デバイスホールのコーナ部に、該コーナ部お
よびその近傍のみに島状に位置する平面形状が４辺形の
インナリード補強用パターンを設け、このインナリード
補強用パターンと対応する位置の半導体チップに前記イ
ンナリード補強用パターンとボンディングにより接続さ
れるインナリード補強パターン専用パッドを設けたこと
を特徴とする。
ルとこのデバイスホールに導出された複数のインナリー
ドとを有するＴＡＢテープと、前記複数のインナリード
とボンディングにより接続され前記デバイスホールに支
持されるインナリード用パッドを有する半導体チップと
を備えたＴＡＢ方式の半導体装置において、前記ＴＡＢ
テープの前記複数のインナーリード形成領域以外の領域
である前記デバイスホールのコーナ部に、該コーナ部お
よびその近傍のみに島状に位置する平面形状が４辺形の
インナリード補強用パターンを設け、このインナリード
補強用パターンと対応する位置の半導体チップに前記イ
ンナリード補強用パターンとボンディングにより接続さ
れるインナリード補強パターン専用パッドを設けたこと
を特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１０】図１は本発明の実施の形態のＴＡＢ方式の
半導体装置の一例を説明する平面図、図２は図１の半導
体チップの支持構造を示す部分拡大平面図、図３は図１
の半導体チップのコーナ部の部分拡大平面図である。本
発明の実施の形態のＴＡＢ方式の半導体装置は、図１お
よび図２に示すように、デバイスホール２の４つのコー
ナ部にインナリード補強用パターン１が形成されてい
る。一方、図３に示すように、半導体チップ３の４辺の
インナリード４と対応する位置にはインナリード用パッ
ド５が、４コーナのインナリード補強用パターンと対応
する位置にはインナリード補強パターン専用パッド６が
設けられ、インナリード４とインナリード用パッド５
が、インナリード補強用パターン１とインナリード補強
パターン専用パッド６がそれぞれボンディングされ、半
導体チップ３は４辺のインナリード４とコーナのインナ
リード補強用パター１の両方によって支持される。
半導体装置の一例を説明する平面図、図２は図１の半導
体チップの支持構造を示す部分拡大平面図、図３は図１
の半導体チップのコーナ部の部分拡大平面図である。本
発明の実施の形態のＴＡＢ方式の半導体装置は、図１お
よび図２に示すように、デバイスホール２の４つのコー
ナ部にインナリード補強用パターン１が形成されてい
る。一方、図３に示すように、半導体チップ３の４辺の
インナリード４と対応する位置にはインナリード用パッ
ド５が、４コーナのインナリード補強用パターンと対応
する位置にはインナリード補強パターン専用パッド６が
設けられ、インナリード４とインナリード用パッド５
が、インナリード補強用パターン１とインナリード補強
パターン専用パッド６がそれぞれボンディングされ、半
導体チップ３は４辺のインナリード４とコーナのインナ
リード補強用パター１の両方によって支持される。
【００１１】本実施の形態では長方形のインナリード補
強用パターン１を４コーナに設けた例について説明した
が、位置，形状および数量を制限する必要はなく、ＴＡ
Ｂテープの配線領域の広さ、半導体チップの重量などを
考慮し、適切な位置，形状，数量を選択できる。また、
インナリード補強用パターンは、インナリードと同材質
の金属箔であり、インナリードを形成する際、ホトエッ
チングにより同時に形成する。
強用パターン１を４コーナに設けた例について説明した
が、位置，形状および数量を制限する必要はなく、ＴＡ
Ｂテープの配線領域の広さ、半導体チップの重量などを
考慮し、適切な位置，形状，数量を選択できる。また、
インナリード補強用パターンは、インナリードと同材質
の金属箔であり、インナリードを形成する際、ホトエッ
チングにより同時に形成する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、インナリ
ード補強用パターンを半導体チップ上のインナリード補
強用パターン専用パッドにボンディングし、インナリー
ドとともに半導体チップを支持するため、インナリード
へのストレスが緩和され、インナリードの強度を保つこ
とができるのでインナリード切れが低減され、接続信頼
性の高い半導体装置が得られるという効果がある。
ード補強用パターンを半導体チップ上のインナリード補
強用パターン専用パッドにボンディングし、インナリー
ドとともに半導体チップを支持するため、インナリード
へのストレスが緩和され、インナリードの強度を保つこ
とができるのでインナリード切れが低減され、接続信頼
性の高い半導体装置が得られるという効果がある。
【００１３】また、半導体チップ上にインナリード補強
用パターン専用パッドを設けてこれにボンディングする
ため、空きパッド数に関係なくインナリードの補強が可
能となる効果もある。
用パターン専用パッドを設けてこれにボンディングする
ため、空きパッド数に関係なくインナリードの補強が可
能となる効果もある。
【図１】本発明の実施の形態のＴＡＢ方式の半導体装置
の一例を説明する平面図である。
の一例を説明する平面図である。
【図２】図１の半導体チップの支持構造を示す部分拡大
平面図である。
平面図である。
【図３】図１の半導体チップのコーナ部の部分拡大平面
図である。
図である。
【図４】従来のＴＡＢ方式の半導体装置の一例を説明す
る平面図である。
る平面図である。
【図５】図４の半導体チップの支持構造を示す部分拡大
平面図である。
平面図である。
１ インナリード補強用パターン ２ デバイスホール ３ 半導体チップ ４ インナリード ５ インナリード用パッド ６ インナリード補強パターン専用パッド ７ スプロケットホール
Claims (1)
- 【請求項１】 デバイスホールとこのデバイスホールに
導出された複数のインナリードとを有するＴＡＢテープ
と、前記複数のインナリードとボンディングにより接続
され前記デバイスホールに支持されるインナリード用パ
ッドを有する半導体チップとを備えたＴＡＢ方式の半導
体装置において、前記ＴＡＢテープの前記複数のインナ
ーリード形成領域以外の領域である前記デバイスホール
のコーナ部に、該コーナ部およびその近傍のみに島状に
位置する平面形状が４辺形のインナリード補強用パター
ンを設け、このインナリード補強用パターンと対応する
位置の半導体チップに前記インナリード補強用パターン
とボンディングにより接続されるインナリード補強パタ
ーン専用パッドを設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251535A JP2699949B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251535A JP2699949B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997817A JPH0997817A (ja) | 1997-04-08 |
| JP2699949B2 true JP2699949B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=17224265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7251535A Expired - Fee Related JP2699949B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2699949B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3564970B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2004-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | テープキャリアおよびこれを用いたテープキャリアデバイス |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62113459A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルムキヤリア |
| JPS6464332A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Nec Corp | Manufacture of tape carrier type semiconductor device |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7251535A patent/JP2699949B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0997817A (ja) | 1997-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5708294A (en) | Lead frame having oblique slits on a die pad | |
| KR0175676B1 (ko) | 티에이비용 필름캐리어 테이프 | |
| JP2699949B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3290869B2 (ja) | 半導体装置 | |
| USRE38043E1 (en) | Lead frame | |
| US5925927A (en) | Reinforced thin lead frames and leads | |
| KR100268756B1 (ko) | 리드프레임의 분리형 다이패드구조 | |
| JP2890621B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2982703B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JP2803642B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3855478B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0739255Y2 (ja) | ワイヤボンディングを行う両面フレキシブル基板の構造 | |
| JPS6141246Y2 (ja) | ||
| JP2751896B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2518247Y2 (ja) | リードフレーム | |
| KR0124547Y1 (ko) | 멀티형 리드프레임을 이용한 반도체 장치 | |
| JP2968769B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4225794B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06295934A (ja) | フィルムキャリアリード及びそれを用いたｌｓｉ構造 | |
| JPS6334289Y2 (ja) | ||
| JPH03116767A (ja) | Ｉｃのパッケージ | |
| JPH0543294B2 (ja) | ||
| JPH0529159U (ja) | 電子部品用リードフレームの構造 | |
| JPH043508Y2 (ja) | ||
| JPH04372161A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970826 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |