JP2696758B2 - 多層光干渉膜 - Google Patents
多層光干渉膜Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は耐熱性と耐候性とを向上した多層光干渉膜に
関する。
関する。
（従来の技術） 従来、反射鏡付きハロゲン電球またはガラス製反射鏡
の内面に可視光反射赤外線透過膜を形成し、かつ反射鏡
内にハロゲン電球を配設したもので、ハロゲン電球から
放射された光のうち可視光を可視光反射赤外線透過膜で
反射して前方に投射し、赤外線は可視光反射赤外線透過
膜を透過して後方に向かうようにしたものである。この
結果、この反射鏡付きハロゲン電球は赤外線の少ない可
視光いわゆる冷光を放射し、投光器、店舗照明あるいは
医療照明などに多用されている。
の内面に可視光反射赤外線透過膜を形成し、かつ反射鏡
内にハロゲン電球を配設したもので、ハロゲン電球から
放射された光のうち可視光を可視光反射赤外線透過膜で
反射して前方に投射し、赤外線は可視光反射赤外線透過
膜を透過して後方に向かうようにしたものである。この
結果、この反射鏡付きハロゲン電球は赤外線の少ない可
視光いわゆる冷光を放射し、投光器、店舗照明あるいは
医療照明などに多用されている。
しかして、上記可視光反射赤外線透過膜は反射鏡面に
硫化亜鉛（ZnS）などからなる高屈折率層とふっ化マグ
ネシウム（MgF2），シリカ（SiO2）などからなる低屈折
率層とをたとえば15〜25層交互積層してなるもので、光
の干渉により可視光を反射し、赤外線を透過するもので
ある。
硫化亜鉛（ZnS）などからなる高屈折率層とふっ化マグ
ネシウム（MgF2），シリカ（SiO2）などからなる低屈折
率層とをたとえば15〜25層交互積層してなるもので、光
の干渉により可視光を反射し、赤外線を透過するもので
ある。
また、電子式複写機やファクシミリなどの露光用光源
として、石英製管形バルブの中心線に沿ってフィラメン
トを配設し、かつバルブ外面に可視光透過赤外線反射膜
を形成したハロゲン電球が用いられている。このものは
フィラメントから放射された光のうち可視光は可視光透
過赤外線反射膜を透過して外界に放射し、赤外線は可視
光透過赤外線反射膜で反射してフィラメントに帰還して
これを加熱して効率を向上したことによって、赤外線の
少ない可視光いわゆる冷光を放射し、かつ発光効率の高
い利点がある。
として、石英製管形バルブの中心線に沿ってフィラメン
トを配設し、かつバルブ外面に可視光透過赤外線反射膜
を形成したハロゲン電球が用いられている。このものは
フィラメントから放射された光のうち可視光は可視光透
過赤外線反射膜を透過して外界に放射し、赤外線は可視
光透過赤外線反射膜で反射してフィラメントに帰還して
これを加熱して効率を向上したことによって、赤外線の
少ない可視光いわゆる冷光を放射し、かつ発光効率の高
い利点がある。
そして、上述の可視光透過赤外線反射膜は上述の可視
光反射赤外線透過膜と同様バルブ外面に硫化亜鉛などか
らなる高屈折率層とふっ化マグネシウム、シリカなどか
らなる低屈折率層とを15〜21層交互積層してなるもの
で、層の厚さを変えたことにより可視光を透過し赤外線
を反射するものである。
光反射赤外線透過膜と同様バルブ外面に硫化亜鉛などか
らなる高屈折率層とふっ化マグネシウム、シリカなどか
らなる低屈折率層とを15〜21層交互積層してなるもの
で、層の厚さを変えたことにより可視光を透過し赤外線
を反射するものである。
このように、可視光反射赤外線透過膜と可視光透過赤
外線反射膜とは同じ構成で、たんに層の厚さを変えるこ
とにより、光の干渉を利用して所望の波長域の光を透過
し、所望の波長域の光を反射するものである。そこで、
このような可視光反射赤外線透過膜と可視光透過赤外線
反射膜とを総合して多層光干渉膜と称する。
外線反射膜とは同じ構成で、たんに層の厚さを変えるこ
とにより、光の干渉を利用して所望の波長域の光を透過
し、所望の波長域の光を反射するものである。そこで、
このような可視光反射赤外線透過膜と可視光透過赤外線
反射膜とを総合して多層光干渉膜と称する。
（発明が解決しようとする課題） 上述のZnS/MgF2交互層光干渉膜やZnS/Si2交互層光干
渉膜を形成した反射鏡付ハロゲン電球はランプ点灯によ
る熱負荷や高温多湿の雰囲気によって剥離しやすい欠点
がある。そこで、このような条件に対する耐熱性と耐候
性とを第１表に示す条件下で光干渉膜が剥離するまでの
時間によって評価した、この結果を第１表に示した。
渉膜を形成した反射鏡付ハロゲン電球はランプ点灯によ
る熱負荷や高温多湿の雰囲気によって剥離しやすい欠点
がある。そこで、このような条件に対する耐熱性と耐候
性とを第１表に示す条件下で光干渉膜が剥離するまでの
時間によって評価した、この結果を第１表に示した。
この表から明らかなとおり、ZnS/MgF2系光干渉膜は耐
候性は良いが耐熱性に劣るため、比較的熱負荷が低く長
寿命形のハロゲン電球に適する。また、Zns/SiO2系干渉
膜は耐熱性は良いが耐候性に劣るため、熱負荷が高く、
短寿命の光源たとえば高出力短寿命のハロゲン電球に適
する。このため、用途に応じて膜構成を選択して用いて
きたが、近年ハロゲン電球や反射鏡付きハロゲン電球の
高出力化、高効率化および長寿命化が要求され、耐熱性
と耐候性を高いレベルで同時に満足する多層光干渉膜が
求められるようになった。
候性は良いが耐熱性に劣るため、比較的熱負荷が低く長
寿命形のハロゲン電球に適する。また、Zns/SiO2系干渉
膜は耐熱性は良いが耐候性に劣るため、熱負荷が高く、
短寿命の光源たとえば高出力短寿命のハロゲン電球に適
する。このため、用途に応じて膜構成を選択して用いて
きたが、近年ハロゲン電球や反射鏡付きハロゲン電球の
高出力化、高効率化および長寿命化が要求され、耐熱性
と耐候性を高いレベルで同時に満足する多層光干渉膜が
求められるようになった。
そこで、本発明の課題は多層光干渉膜の耐熱性と耐候
性とを同時に向上することである。
性とを同時に向上することである。
（課題を解決するための手段） 本発明はZnS/MgF2系多層光干渉膜の改良に関し、請求
項の第１は亜鉛元素（Zn）と硫黄元素（Ｓ）との組成比
S/Znが0.60以上0.90以下であり、かつマグネシウム元素
（Ng）とふっ素元素（Ｆ）との組成比F2/Mgが0.60以上
0.90以下であるようにして耐熱性と耐候性とを向上した
ものである。また、請求項の第２は、請求項の第１に記
載したものにおいて高屈折率層の層密度を0.96以上と
し、かつ低屈折率層の層密度を0.98以上にして耐熱性と
耐候性とを向上したものである。
項の第１は亜鉛元素（Zn）と硫黄元素（Ｓ）との組成比
S/Znが0.60以上0.90以下であり、かつマグネシウム元素
（Ng）とふっ素元素（Ｆ）との組成比F2/Mgが0.60以上
0.90以下であるようにして耐熱性と耐候性とを向上した
ものである。また、請求項の第２は、請求項の第１に記
載したものにおいて高屈折率層の層密度を0.96以上と
し、かつ低屈折率層の層密度を0.98以上にして耐熱性と
耐候性とを向上したものである。
（作 用） 多層光干渉膜を構成する硫化亜鉛とふっ化マグネシウ
ムとは通常化学式ZnS,MgF2で表わすが、現実の各層を構
成する物質は必ずしも上述の整数比になっているわけで
なく、これを化学式で表すと、ZnS(1-x),MgF2(1-y)（０
＜ｘ＜1,0＜ｙ＜１）の状態となっている。すなわち、
硫化亜鉛は１単位のZnと（１−ｘ）単位のＳ（ただし、
０＜ｘ＜１）、ふっ化マグネシウムは１単位のMgと（１
−ｙ）単位のF2（ただし、０＜ｙ＜１）よりなり、硫化
亜鉛における組成比S/Znは（１−ｘ）/1、ふっ化マグネ
シウムにおける組成比F2/Mgは（１−ｙ）/1となる。
ムとは通常化学式ZnS,MgF2で表わすが、現実の各層を構
成する物質は必ずしも上述の整数比になっているわけで
なく、これを化学式で表すと、ZnS(1-x),MgF2(1-y)（０
＜ｘ＜1,0＜ｙ＜１）の状態となっている。すなわち、
硫化亜鉛は１単位のZnと（１−ｘ）単位のＳ（ただし、
０＜ｘ＜１）、ふっ化マグネシウムは１単位のMgと（１
−ｙ）単位のF2（ただし、０＜ｙ＜１）よりなり、硫化
亜鉛における組成比S/Znは（１−ｘ）/1、ふっ化マグネ
シウムにおける組成比F2/Mgは（１−ｙ）/1となる。
また、層密度とは層の密度（1cm3当りのｇ数）を層を
構成する物質本来の密度換言すればその物質の結晶体の
密度（1cm3当りのｇ数）で割って得た商をいう。多層光
干渉膜においても高屈折率層と低屈折層との層密度が１
に近づくほど結晶構造がち密になって化学的にも物理的
にも安定する。
構成する物質本来の密度換言すればその物質の結晶体の
密度（1cm3当りのｇ数）で割って得た商をいう。多層光
干渉膜においても高屈折率層と低屈折層との層密度が１
に近づくほど結晶構造がち密になって化学的にも物理的
にも安定する。
そして、各層の組成比の適正化と層密度の向上とを同
時に実施すれば得られた多層光干渉膜の耐熱性と耐候性
とは飛躍的に向上する。
時に実施すれば得られた多層光干渉膜の耐熱性と耐候性
とは飛躍的に向上する。
（実施例） 以下、本発明の詳細を図示の各実施例によって説明す
る。第１図は第１の実施例を適用してなる反射鏡付きハ
ロゲン電球を示し、（１）は反射鏡、（２）はこの反射
鏡（１）内面に形成された多層光干渉膜の１種である可
視光反射赤外線透過膜、（３）は反射鏡（１）に取付け
られたハロゲン電球、（４）はこのハロゲン電球（３）
を反射鏡（１）に固定する耐熱性接着剤である。
る。第１図は第１の実施例を適用してなる反射鏡付きハ
ロゲン電球を示し、（１）は反射鏡、（２）はこの反射
鏡（１）内面に形成された多層光干渉膜の１種である可
視光反射赤外線透過膜、（３）は反射鏡（１）に取付け
られたハロゲン電球、（４）はこのハロゲン電球（３）
を反射鏡（１）に固定する耐熱性接着剤である。
上記反射鏡（１）は硬質ガラスからなり、内面が回転
放物面をなす反射部（11）の背後に筒形の口金部（12）
を一体に連設したものである。
放物面をなす反射部（11）の背後に筒形の口金部（12）
を一体に連設したものである。
上記可視光反射赤外線透過膜（２）は第２図に模型的
に拡大して示すように、硫化亜鉛（ZnS）からなる高屈
折率層（2H）とふっ化マグネシウム（MgF2）からなる低
屈折率層（2L）とを合計25層反射部（11）内面に交互積
層してなるもので、各層の光学膜厚は1/4λである。こ
のうち第１層から第13層まではλ１〜13＝600nmに制御
してある。すなわちλ＝600nmの高屈折率層（2H）とλ
＝600nmの低屈折率層（2L）とをそれぞれ６層ずつ交互
に積層し、さらにそのうえにλ＝600nmの高屈折率層（2
H）を１層付加して13層としてある。さらにその上に第1
4層から第25層までをλ14〜25＝450nmに制御してある。
すなわちλ＝450nmの高屈折率層（2H）とλ＝450nmの低
屈折率層（2L）とをそれぞれ６層ずつ交互に積層したも
のである。そして、実施例の第１の特徴はS/Znの組成比
が0.60〜0.90,F2/Mgの組成比が0.60〜0.90であることで
ある。また、本実施例の第２の特徴は高屈折率層（2H）
の層密度が0.96以上でかつ低屈折率層（2L）の層密度の
0.98以上であることである。
に拡大して示すように、硫化亜鉛（ZnS）からなる高屈
折率層（2H）とふっ化マグネシウム（MgF2）からなる低
屈折率層（2L）とを合計25層反射部（11）内面に交互積
層してなるもので、各層の光学膜厚は1/4λである。こ
のうち第１層から第13層まではλ１〜13＝600nmに制御
してある。すなわちλ＝600nmの高屈折率層（2H）とλ
＝600nmの低屈折率層（2L）とをそれぞれ６層ずつ交互
に積層し、さらにそのうえにλ＝600nmの高屈折率層（2
H）を１層付加して13層としてある。さらにその上に第1
4層から第25層までをλ14〜25＝450nmに制御してある。
すなわちλ＝450nmの高屈折率層（2H）とλ＝450nmの低
屈折率層（2L）とをそれぞれ６層ずつ交互に積層したも
のである。そして、実施例の第１の特徴はS/Znの組成比
が0.60〜0.90,F2/Mgの組成比が0.60〜0.90であることで
ある。また、本実施例の第２の特徴は高屈折率層（2H）
の層密度が0.96以上でかつ低屈折率層（2L）の層密度の
0.98以上であることである。
上記ハロゲン電球（３）は石英ガラスなどの耐熱ガラ
スからなる筒形（Ｔ形）バルブ（31）の基部を圧潰して
封止部（32）を形成してフィラメント（33）を封装して
なり、封止部（32）を口金部（12）内に位置させて接着
剤（４）で固定し、フィラメント（33）を反射部（11）
の焦点に位置させてある。
スからなる筒形（Ｔ形）バルブ（31）の基部を圧潰して
封止部（32）を形成してフィラメント（33）を封装して
なり、封止部（32）を口金部（12）内に位置させて接着
剤（４）で固定し、フィラメント（33）を反射部（11）
の焦点に位置させてある。
次に、上記可視光反射赤外線透過膜（２）の形成方法
を説明する。高屈折率層（2H）および低屈折率層（2L）
はいずれもイオンプレーテング法およびイオンアシスト
法とを同時に行なう形成法によって得られ、イオンアシ
スト法によるイオンや電子の衝撃によって層密度が向上
する。また、蒸着母材の組成比と蒸着条件とによって層
（2H），（2L）の組成比が定まる。すなわち、第３図に
示す電子ビーム成膜装置（５）において、複数個の蒸着
母材が収容可能なるつぼ（51）中にふっ化マグネシウム
が収容されており、電子銃（52）からの電子ビームによ
って加熱蒸発される。この場合、加速電圧は6KVであ
る。また、エミッション電流値は42mAである。硫化亜鉛
はボート（53）による抵抗加熱によって加熱蒸発させ
る。ちなみに、このボート（53）はタングステン製で、
通電時の電流値はたとえば290Aである。そして、反射鏡
（１）用ガラス（13）はドーム（54）上に複数個取付け
られており、このドームは回転機構（55）によって１時
間当り900〜1500回転の速度で自転して反射鏡用ガラス
（13）を移動させる。このとき、ガラス（13）はヒータ
（56）のふく射によって100〜300℃に加熱される。イオ
ン銃（57）はエンドホール型イオン銃で、イオン化のた
めの導入ガスは硫化亜鉛層、ふっ化マグネシウム層の成
膜時いずれもアルゴンを共通に用いた。このイオン化の
ためおよび背景としてのアルゴンの全圧を８×10-3〜1.
0×10-4Torrとした。（６）は膜厚制御装置で、光源（6
1）からの光を回転機構（62）からなる複数個収容可能
なモニタ基板（63）で反射させ、この反射光を制御波長
λnmなる干渉フィルタ（64）を通してモニタ基板（63）
１個につき数層ずつ光学的膜厚を製御し、これによって
反射鏡ガラス（13）に可視光反射赤外線透過膜（２）の
各層（2H），（2L）を形成するものである。つまり本実
施例では光学方式の膜厚制御方法を用いている。上述の
イオン銃（57）の条件は、導入ガスを陽イオン化させる
ために熱電子を放出させるためのカソード電流を20A、
放電のための加速電圧を100V、放電電流を4.5Aとする。
また、成層中の雰囲気はプラズマ雰囲気である。このプ
ラズマは周波数13.56MHzなる高周波電源（58）から高周
波出力50W〜10KWの高周波電圧を整合器（58a）を介して
装置（５）内のコイル（59）へ出力させることによって
生じる。
を説明する。高屈折率層（2H）および低屈折率層（2L）
はいずれもイオンプレーテング法およびイオンアシスト
法とを同時に行なう形成法によって得られ、イオンアシ
スト法によるイオンや電子の衝撃によって層密度が向上
する。また、蒸着母材の組成比と蒸着条件とによって層
（2H），（2L）の組成比が定まる。すなわち、第３図に
示す電子ビーム成膜装置（５）において、複数個の蒸着
母材が収容可能なるつぼ（51）中にふっ化マグネシウム
が収容されており、電子銃（52）からの電子ビームによ
って加熱蒸発される。この場合、加速電圧は6KVであ
る。また、エミッション電流値は42mAである。硫化亜鉛
はボート（53）による抵抗加熱によって加熱蒸発させ
る。ちなみに、このボート（53）はタングステン製で、
通電時の電流値はたとえば290Aである。そして、反射鏡
（１）用ガラス（13）はドーム（54）上に複数個取付け
られており、このドームは回転機構（55）によって１時
間当り900〜1500回転の速度で自転して反射鏡用ガラス
（13）を移動させる。このとき、ガラス（13）はヒータ
（56）のふく射によって100〜300℃に加熱される。イオ
ン銃（57）はエンドホール型イオン銃で、イオン化のた
めの導入ガスは硫化亜鉛層、ふっ化マグネシウム層の成
膜時いずれもアルゴンを共通に用いた。このイオン化の
ためおよび背景としてのアルゴンの全圧を８×10-3〜1.
0×10-4Torrとした。（６）は膜厚制御装置で、光源（6
1）からの光を回転機構（62）からなる複数個収容可能
なモニタ基板（63）で反射させ、この反射光を制御波長
λnmなる干渉フィルタ（64）を通してモニタ基板（63）
１個につき数層ずつ光学的膜厚を製御し、これによって
反射鏡ガラス（13）に可視光反射赤外線透過膜（２）の
各層（2H），（2L）を形成するものである。つまり本実
施例では光学方式の膜厚制御方法を用いている。上述の
イオン銃（57）の条件は、導入ガスを陽イオン化させる
ために熱電子を放出させるためのカソード電流を20A、
放電のための加速電圧を100V、放電電流を4.5Aとする。
また、成層中の雰囲気はプラズマ雰囲気である。このプ
ラズマは周波数13.56MHzなる高周波電源（58）から高周
波出力50W〜10KWの高周波電圧を整合器（58a）を介して
装置（５）内のコイル（59）へ出力させることによって
生じる。
つぎに、この実施例の反射鏡付きハロゲン電球の作用
を説明する。ハロゲン電球（３）を点灯すると、フィラ
メント（33）から可視光とともに大量の赤外線が放射さ
れる。そして、これらの光が可視光反射赤外線透過膜
（２）に入射すると、可視光は可視光反射赤外線透過膜
（２）で反射して前方に投射され、赤外線は可視光反射
赤外線透過膜（２）を透過し、さらに反射部（11）を透
過して後方に向かう。したがって、この反射鏡付きハロ
ゲン電球は赤外線の少ない可視光いわゆる冷光を放射す
る。また、このとき、ハロゲン電球（３）からの伝熱と
光の吸収とにより、可視光反射赤外線透過膜（２）およ
び反射部（11）が高温に熱せられるが本実施例の可視光
反射赤外線透過膜（２）は耐熱性に優れているので剥離
することがない。さらに、本実施例可視光反射赤外線透
過膜（２）は耐候性にも優れているので湿潤雰囲気中に
長期間放置しても剥離することがない。
を説明する。ハロゲン電球（３）を点灯すると、フィラ
メント（33）から可視光とともに大量の赤外線が放射さ
れる。そして、これらの光が可視光反射赤外線透過膜
（２）に入射すると、可視光は可視光反射赤外線透過膜
（２）で反射して前方に投射され、赤外線は可視光反射
赤外線透過膜（２）を透過し、さらに反射部（11）を透
過して後方に向かう。したがって、この反射鏡付きハロ
ゲン電球は赤外線の少ない可視光いわゆる冷光を放射す
る。また、このとき、ハロゲン電球（３）からの伝熱と
光の吸収とにより、可視光反射赤外線透過膜（２）およ
び反射部（11）が高温に熱せられるが本実施例の可視光
反射赤外線透過膜（２）は耐熱性に優れているので剥離
することがない。さらに、本実施例可視光反射赤外線透
過膜（２）は耐候性にも優れているので湿潤雰囲気中に
長期間放置しても剥離することがない。
つぎに、このようにして形成された反射鏡（１）の可
視光反射赤外線透過膜（２）の両層（2H），（2L）の組
成比および層密度を上述のように限定した理由を説明す
る。まず、高屈折率層（2H）、および低屈折率層（2L）
の層密度をそれぞれ0.98に保ち高周波をかけて各層（2
H），（2L）の組成比を種々変化させて、耐熱性と耐候
性とを調査した。耐熱性はランプ点灯時、反射鏡反射部
（11）が通常負荷される温度である300℃と350℃とをと
り、耐候性は50℃で関係湿度（Ｈ）90％をとり、剥離が
発生するまでの時間で表現した。この結果を第２表に示
す。
視光反射赤外線透過膜（２）の両層（2H），（2L）の組
成比および層密度を上述のように限定した理由を説明す
る。まず、高屈折率層（2H）、および低屈折率層（2L）
の層密度をそれぞれ0.98に保ち高周波をかけて各層（2
H），（2L）の組成比を種々変化させて、耐熱性と耐候
性とを調査した。耐熱性はランプ点灯時、反射鏡反射部
（11）が通常負荷される温度である300℃と350℃とをと
り、耐候性は50℃で関係湿度（Ｈ）90％をとり、剥離が
発生するまでの時間で表現した。この結果を第２表に示
す。
第２表から明らかなとおり、S/Znの組成比が0.60以上
0.90以下で、かつF2/Mgの組成比が0.60以上0.90以下の
とき耐熱性および耐候性が優れている。
0.90以下で、かつF2/Mgの組成比が0.60以上0.90以下の
とき耐熱性および耐候性が優れている。
つぎに、可視光反射赤外線透過膜（２）の高屈折率層
（2H）のS/Znの組成比および低屈折率層（2L）のF2/Mg
の組成比をいずれも1.0とし、高周波をかけない場合の
膜密度を変化させたものについて耐熱性および耐候性を
調査した。調査は第２表と同様にした。この結果を第３
表に示す。
（2H）のS/Znの組成比および低屈折率層（2L）のF2/Mg
の組成比をいずれも1.0とし、高周波をかけない場合の
膜密度を変化させたものについて耐熱性および耐候性を
調査した。調査は第２表と同様にした。この結果を第３
表に示す。
第３表から明らかなとおり、高屈折率層（2H）の層密
度が0.96以上かつ低屈折率層（2L）の層密度が0.98以上
のとき耐熱性および耐候性が優れている。
度が0.96以上かつ低屈折率層（2L）の層密度が0.98以上
のとき耐熱性および耐候性が優れている。
以上を要約して再言すれば、高屈折率層（2H）および
低屈折率層（2L）は組成的に真空蒸着したものよりもイ
オンプレーテングのように硫黄やふっ素が若干減った組
成の方が耐熱性や耐候性が高く、さらに層密度をより高
くすることにより優れた耐熱性および耐候性が得られ
る。そして、各層（2H），（2L）のS/Zn,F2/Mgの組成比
が上述の範囲にありさらに層密度が上述の数値以上であ
るときは、組成比および層密度のいずれか一方だけの条
件を具備した場合に比較して耐熱性および耐候性が格段
に向上する。
低屈折率層（2L）は組成的に真空蒸着したものよりもイ
オンプレーテングのように硫黄やふっ素が若干減った組
成の方が耐熱性や耐候性が高く、さらに層密度をより高
くすることにより優れた耐熱性および耐候性が得られ
る。そして、各層（2H），（2L）のS/Zn,F2/Mgの組成比
が上述の範囲にありさらに層密度が上述の数値以上であ
るときは、組成比および層密度のいずれか一方だけの条
件を具備した場合に比較して耐熱性および耐候性が格段
に向上する。
つぎに、第４図に第２の実施例を示す。このものは複
写機やファクシミリなどの露光用に用いられるハロゲン
電球で、石英ガラス製管形バルブ（７）の中心線に沿っ
てフィラメント（８）を配設し、バルブ（７）の外面に
多層光干渉膜の他の例である可視光透過赤外線反射膜
（９）を形成したもので、フィラメント（８）から放射
された光のうち可視光は可視光透過赤外線反射膜（９）
を透過して外界に放射され、赤外線は可視光透過赤外線
反射膜（９）で反射してイラメント（８）に帰還してこ
れを加熱する。したがって、このハロゲン電球は冷光を
放射し、かつ高効率である。
写機やファクシミリなどの露光用に用いられるハロゲン
電球で、石英ガラス製管形バルブ（７）の中心線に沿っ
てフィラメント（８）を配設し、バルブ（７）の外面に
多層光干渉膜の他の例である可視光透過赤外線反射膜
（９）を形成したもので、フィラメント（８）から放射
された光のうち可視光は可視光透過赤外線反射膜（９）
を透過して外界に放射され、赤外線は可視光透過赤外線
反射膜（９）で反射してイラメント（８）に帰還してこ
れを加熱する。したがって、このハロゲン電球は冷光を
放射し、かつ高効率である。
上記可視光透過赤外線反射膜（９）は上述の可視光反
射赤外線透過膜（２）と同様硫化亜鉛からなる高屈折率
層とふっ化マグネシウムからなる抵屈折率層とを交互積
層してなるもので層の厚さを変えたことにより可視光を
透過し、赤外線を反射するものである。
射赤外線透過膜（２）と同様硫化亜鉛からなる高屈折率
層とふっ化マグネシウムからなる抵屈折率層とを交互積
層してなるもので層の厚さを変えたことにより可視光を
透過し、赤外線を反射するものである。
そして、本可視光透過赤外線反射膜（９）においても
前述の可視光反射赤外線透過膜と同様S/Zn組成比が0.60
〜0.90で、かつF2/Mgが0.60〜0.90であるとき耐熱性、
耐候性が優れ、また高屈折率層の層密度が0.96以上で、
かつ抵屈折率の層密度が0.98であるとき耐熱性、耐候性
が優れている。さらに、上述の組成比の条件と層密度の
条件とが併有されるとき、耐熱性と耐候性とはそれぞれ
の条件に単独に満したときに比較してその効果は格段に
大きなものとなる。
前述の可視光反射赤外線透過膜と同様S/Zn組成比が0.60
〜0.90で、かつF2/Mgが0.60〜0.90であるとき耐熱性、
耐候性が優れ、また高屈折率層の層密度が0.96以上で、
かつ抵屈折率の層密度が0.98であるとき耐熱性、耐候性
が優れている。さらに、上述の組成比の条件と層密度の
条件とが併有されるとき、耐熱性と耐候性とはそれぞれ
の条件に単独に満したときに比較してその効果は格段に
大きなものとなる。
なお、前述の両実施例は多層光干渉膜の例として可視
光反射赤外線透過膜と可視光透過赤外線反射膜を上げた
が、本発明はこれに限らず、他の波長域の光を反射し他
の波長域の光を透過するものでもよく、要は光の干渉を
利用して所望の波長域の光を反射し、所望の波長域の光
を透過するものであればよい。さらに、本発明の多層光
干渉膜の適用例は前述のほか、干渉色フィルタ、紫外線
遮断フィルタなどにも適用できる。そして、基体はセラ
ミクスなどでもよく、その形状は問わない。
光反射赤外線透過膜と可視光透過赤外線反射膜を上げた
が、本発明はこれに限らず、他の波長域の光を反射し他
の波長域の光を透過するものでもよく、要は光の干渉を
利用して所望の波長域の光を反射し、所望の波長域の光
を透過するものであればよい。さらに、本発明の多層光
干渉膜の適用例は前述のほか、干渉色フィルタ、紫外線
遮断フィルタなどにも適用できる。そして、基体はセラ
ミクスなどでもよく、その形状は問わない。
このように、本発明はZnS/MgF2系多層光干渉膜に関
し、請求項の第１は高屈折率層を構成する硫化亜鉛の組
成比S/Znを0.60以上0.90以下に限定し、かつ低屈折率層
を構成するふっ化マグネシウムの組成比F2/Mgを0.60以
上0.90以下に限定したので、耐熱性および耐候性が向上
し、長期使用しても剥離しにくく、苛酷な条件に耐えら
れる。また、請求項の第２は、請求項の第１に記載した
ものにおいて高屈折率層の層密度を0.96以上とし、かつ
低屈折率層の層密度を0.98以上に限定したので耐熱性お
よび耐候性とがさらに格段に向上し、長期使用しても剥
離しにくく、苛酷な条件に耐えられる等の利点がある。
し、請求項の第１は高屈折率層を構成する硫化亜鉛の組
成比S/Znを0.60以上0.90以下に限定し、かつ低屈折率層
を構成するふっ化マグネシウムの組成比F2/Mgを0.60以
上0.90以下に限定したので、耐熱性および耐候性が向上
し、長期使用しても剥離しにくく、苛酷な条件に耐えら
れる。また、請求項の第２は、請求項の第１に記載した
ものにおいて高屈折率層の層密度を0.96以上とし、かつ
低屈折率層の層密度を0.98以上に限定したので耐熱性お
よび耐候性とがさらに格段に向上し、長期使用しても剥
離しにくく、苛酷な条件に耐えられる等の利点がある。
第１図は本発明の多層光干渉膜の第１の実施例を適用し
てなる反射鏡付きハロゲン電球の断面図、第２図は要部
の模型的拡大断面図、第３図は上記多層光干渉膜の形成
方法を示す説明図、第４図は第２の実施例を適用してな
るハロゲン電球の断面図である。 （１）……反射鏡（基体の一例） （11）……反射部、（13）……反射鏡用ガラス （２）……可視光反射赤外線透過膜（多層光干渉膜の一
例） （2H）……高屈折率層、（2L）……低屈折率層 （３）……ハロゲン電球、（31）……バルブ （33）……フィラメント、（４）……接着剤 （５）……電子ビーム成膜装置 （６）……膜厚制御装置 （７）……バルブ（基体の他の例） （８）……フィラメント （９）……可視光透過赤外線反射膜（多層光干渉膜の他
の例）
てなる反射鏡付きハロゲン電球の断面図、第２図は要部
の模型的拡大断面図、第３図は上記多層光干渉膜の形成
方法を示す説明図、第４図は第２の実施例を適用してな
るハロゲン電球の断面図である。 （１）……反射鏡（基体の一例） （11）……反射部、（13）……反射鏡用ガラス （２）……可視光反射赤外線透過膜（多層光干渉膜の一
例） （2H）……高屈折率層、（2L）……低屈折率層 （３）……ハロゲン電球、（31）……バルブ （33）……フィラメント、（４）……接着剤 （５）……電子ビーム成膜装置 （６）……膜厚制御装置 （７）……バルブ（基体の他の例） （８）……フィラメント （９）……可視光透過赤外線反射膜（多層光干渉膜の他
の例）
Claims (2)
- 【請求項１】基体面に硫化亜鉛からなる高屈折率層とふ
っ化マグネシウムからなる低屈折率層とを交互積層して
なり、上記硫化亜鉛を構成する亜鉛元素と硫黄元素との
組成比S/Znが0.60以上0.90以下であり、かつ上記ふっ化
マグネシウムを構成するマグネシウム元素とふっ素元素
との組成比F2/Mgが0.60以上0.90以下であることを特徴
とする多層光干渉膜。 - 【請求項２】硫化亜鉛からなる高屈折率層は層密度が0.
96以上であり、かつふっ化マグネシウムからなる低屈折
率層は層密度が0.98以上であることを特徴とする請求項
１記載の多層光干渉膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225670A JP2696758B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 多層光干渉膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225670A JP2696758B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 多層光干渉膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0389201A JPH0389201A (ja) | 1991-04-15 |
| JP2696758B2 true JP2696758B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=16832944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1225670A Expired - Fee Related JP2696758B2 (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 多層光干渉膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2696758B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5193025A (en) * | 1992-01-21 | 1993-03-09 | Hughes Aircraft Company | Optical viewing and near infrared tracking system for a portable missle launcher |
| JP4838085B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-12-14 | 住友建機株式会社 | 建設機械のエンジン制御装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0759751B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-06-28 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の製作方法 |
| JPS63116106A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学多層膜及びその製造方法 |
| JPS63220103A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線反射電波透過ミラ− |
| JPS63284502A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-21 | Toshiba Corp | 誘電体多層膜フィルタの製造方法 |
| JPH0679090B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1994-10-05 | 東芝硝子株式会社 | 多層膜反射鏡の製造方法 |
| JPS6480906A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared-light and radio wave separating plate |
| JPH01172563A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 高純度膜の形成方法 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1225670A patent/JP2696758B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0389201A (ja) | 1991-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |