JPS63284502A - 誘電体多層膜フィルタの製造方法 - Google Patents
誘電体多層膜フィルタの製造方法Info
- Publication number
- JPS63284502A JPS63284502A JP11890687A JP11890687A JPS63284502A JP S63284502 A JPS63284502 A JP S63284502A JP 11890687 A JP11890687 A JP 11890687A JP 11890687 A JP11890687 A JP 11890687A JP S63284502 A JPS63284502 A JP S63284502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- change
- over time
- dielectric multilayer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 30
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012788 optical film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的）
（産業上の利用分野）
この発明は、例えば光波長多重伝送システムに用いられ
る誘電体多層膜フィルタの製造方法に関する。
る誘電体多層膜フィルタの製造方法に関する。
（従来の技術）
光波長多重伝送方式の光合分波器には誘電体多層膜フィ
ルタが使用されている。この種の誘電体多層膜フィルタ
としては、バンド・パス・フィルタ（以下ＢＰＦと略す
）と長波長域通過フィルタ（以下ＬＷＰＦと略す）と短
波長域通過フィルタ（以下５ＷＰＦと略す）とがある。
ルタが使用されている。この種の誘電体多層膜フィルタ
としては、バンド・パス・フィルタ（以下ＢＰＦと略す
）と長波長域通過フィルタ（以下ＬＷＰＦと略す）と短
波長域通過フィルタ（以下５ＷＰＦと略す）とがある。
これらの誘電体多層膜フィルタは、光学ガラス基板上に
、電子ビーム加熱による蒸着方法等により、高屈折率物
質と低屈折率物質とを交互に多層に積層してなる。高屈
折率物質としては二酸化チタン（ＴｉＯ２）や酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）が、低屈折率物質としては二酸化
シリコン（ＳｉＯ３）や酸化アルミニウム（ＡＪ７２０
３ ）が用いられる。
、電子ビーム加熱による蒸着方法等により、高屈折率物
質と低屈折率物質とを交互に多層に積層してなる。高屈
折率物質としては二酸化チタン（ＴｉＯ２）や酸化ジル
コニウム（ＺｒＯ２）が、低屈折率物質としては二酸化
シリコン（ＳｉＯ３）や酸化アルミニウム（ＡＪ７２０
３ ）が用いられる。
誘電体多層膜フィルタは、長期間に亘って所定の光学特
性を有することが望まれるが、誘電体多層膜フィルタに
は経時変化があり、光学特性の変動は避けられなかった
。
性を有することが望まれるが、誘電体多層膜フィルタに
は経時変化があり、光学特性の変動は避けられなかった
。
（発明が解決しようとする問題点）
光学特性の経時変化の問題を解決するために、特開昭５
８−１３７８０９号公報には、誘電体多層膜を形成後、
空気または酸素雰囲気中で１００’Ｃ乃至３５０℃で加
熱してアニールを行なうことにより、高安定な誘電体多
層膜フィルタを形成することが提案されている。
８−１３７８０９号公報には、誘電体多層膜を形成後、
空気または酸素雰囲気中で１００’Ｃ乃至３５０℃で加
熱してアニールを行なうことにより、高安定な誘電体多
層膜フィルタを形成することが提案されている。
しかしながら、本発明者は、誘電体多層膜を形成後、上
述のアニールを行なっても、経時変化を高精度には抑制
できないことを見出した。即ち、アニール後、大気中・
室温に取出すと、例えばＢＰＦの場合、その分光特性の
中心波長値はアニール前の中心波長値より短波長側へ移
動し、放置時間が経過するに従い長波長側に移動するこ
とが判明した。
述のアニールを行なっても、経時変化を高精度には抑制
できないことを見出した。即ち、アニール後、大気中・
室温に取出すと、例えばＢＰＦの場合、その分光特性の
中心波長値はアニール前の中心波長値より短波長側へ移
動し、放置時間が経過するに従い長波長側に移動するこ
とが判明した。
１．３Ｉｍ帯のＢＰＦについて、その経時変化を第１図
に示す。成膜後アニールをしないで２５°Ｃ１相対湿度
（１？Ｈ）６０％の恒温恒湿槽中に保管した場合の経時
変化を曲線１で、また成膜後１日経過したものを、大気
中３５０’Ｃで３０分アニールした場合の、Ｒ８６０％
の室温に取出してからの経時変化を曲線５で示す。成膜
後アニールをしない場合には、経時変化は１２７５ｎｍ
から１３００ｎｍへと変化し、変化率は約２．０％にも
なる。またアニールをした場合でも、経時変化は１２７
２ｎｍから１２９７ｒ１ｍへと変化し、変化率は約２．
０％にもなる。なお、この経時変化の様子は酸素雰囲気
中でアニールした場合も同様の傾向であった。
に示す。成膜後アニールをしないで２５°Ｃ１相対湿度
（１？Ｈ）６０％の恒温恒湿槽中に保管した場合の経時
変化を曲線１で、また成膜後１日経過したものを、大気
中３５０’Ｃで３０分アニールした場合の、Ｒ８６０％
の室温に取出してからの経時変化を曲線５で示す。成膜
後アニールをしない場合には、経時変化は１２７５ｎｍ
から１３００ｎｍへと変化し、変化率は約２．０％にも
なる。またアニールをした場合でも、経時変化は１２７
２ｎｍから１２９７ｒ１ｍへと変化し、変化率は約２．
０％にもなる。なお、この経時変化の様子は酸素雰囲気
中でアニールした場合も同様の傾向であった。
以上のように誘電体多層膜フィルタは、成膜後アニール
の有無に拘らず、経時変化により分光特性が大きく変化
する。また経時変化は長期間に亘っておこり、例えば大
気中で室温、あるいはＲ８６０％、２５°Ｃの雰囲気中
で保管した場合には、アニールの有無に拘らず、経時変
化が飽和するまでに半年以上の時間がかかる。
の有無に拘らず、経時変化により分光特性が大きく変化
する。また経時変化は長期間に亘っておこり、例えば大
気中で室温、あるいはＲ８６０％、２５°Ｃの雰囲気中
で保管した場合には、アニールの有無に拘らず、経時変
化が飽和するまでに半年以上の時間がかかる。
誘電体多層膜フィルタを光合分波器に用いる場合、分光
特性を高精度で合せようとすれば、成膜後経時変化が飽
和するまで長期間、誘電体多層膜フィルタを保管せねば
ならず、成膜した誘電体多層膜フィルタが規格範囲内の
ものであるか否かの判別に時間がかかり、従って、在庫
が多くなるという問題があった。さらに、経時変化の飽
和までに長時間を要し、分光特性の測定結果を誘電体多
層膜の成膜条件にフィードバックできず、分光特性を高
精度で再説性よく制御することができなかった。
特性を高精度で合せようとすれば、成膜後経時変化が飽
和するまで長期間、誘電体多層膜フィルタを保管せねば
ならず、成膜した誘電体多層膜フィルタが規格範囲内の
ものであるか否かの判別に時間がかかり、従って、在庫
が多くなるという問題があった。さらに、経時変化の飽
和までに長時間を要し、分光特性の測定結果を誘電体多
層膜の成膜条件にフィードバックできず、分光特性を高
精度で再説性よく制御することができなかった。
本発明は、上述の欠点を解消するもので、経時変化が少
ない誘電体多層膜フィルタを提供することを目的とする
。
ない誘電体多層膜フィルタを提供することを目的とする
。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、基板上に高屈折率および低屈折率の誘電体物
質を多層に積層してなる誘電体多層膜フィルタの製造方
法において、前記基板に高屈折率および低屈折率の誘電
体物質を多層に積層した後、加湿雰囲気中で加熱するこ
とを特徴とする誘電体多層膜フィルタの製造方法でおる
。
質を多層に積層してなる誘電体多層膜フィルタの製造方
法において、前記基板に高屈折率および低屈折率の誘電
体物質を多層に積層した後、加湿雰囲気中で加熱するこ
とを特徴とする誘電体多層膜フィルタの製造方法でおる
。
（作 用）
成膜後の誘電体多層膜フィルタを加湿雰囲気中で加熱す
ることにより、以降の経時変化は極めて小さいものとな
り、経時変化が少ない誘電体多層膜フィルタが得られる
。
ることにより、以降の経時変化は極めて小さいものとな
り、経時変化が少ない誘電体多層膜フィルタが得られる
。
また経時変化が少ないため、誘電体多層膜の中心波長等
の分光特性を規格範囲内にあるか否かの判別が容易とな
り、また成膜の制御の指針が容易に得られ、所定の分光
特性を高精度で再現性良く制御可能とすることができる
。
の分光特性を規格範囲内にあるか否かの判別が容易とな
り、また成膜の制御の指針が容易に得られ、所定の分光
特性を高精度で再現性良く制御可能とすることができる
。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
なお、誘電体多層膜フィルタとして、１．３１ＪＪｎ帯
のＢＰＦを例にとり説明する。また作成したＢＰＦの膜
厚構成は、下記の２３１３キヤビテイを有するものであ
る。
のＢＰＦを例にとり説明する。また作成したＢＰＦの膜
厚構成は、下記の２３１３キヤビテイを有するものであ
る。
基板ＩＡ−Ｌ−Ａ−Ｌ−ＡＩ接着剤 ・・・・・・
（１）ここで、Ａ＝Ｈ−Ｌ−Ｈ・２Ｌ−Ｈ−Ｌ−Ｈ但し
、Ｈ−Ｌは各々光学的膜厚がλ。／４の高屈折率物質、
低屈折率物質である。２［は光学的膜厚がλ。／２の低
屈折率物質であり、キャビティを示す。
（１）ここで、Ａ＝Ｈ−Ｌ−Ｈ・２Ｌ−Ｈ−Ｌ−Ｈ但し
、Ｈ−Ｌは各々光学的膜厚がλ。／４の高屈折率物質、
低屈折率物質である。２［は光学的膜厚がλ。／２の低
屈折率物質であり、キャビティを示す。
第２図に示す電子ビーム蒸着装置において、蒸発源３０
を収能するルツボ３２は、二酸化チタンと二酸化シリコ
ンの２種類を複数個ずつ具備可能な、図示しない円板型
のものである。所定の物質を蒸着させる場合、電子銃３
４からエミッション電流が到達する位置へ回転させて持
って来る。電子銃３４の加速電圧は、例えば１０ｋＶで
あり、エミッション電流値は、例えば二酸化チタンの場
合２８０ｍＡであり、二酸化シリコンの場合６０ｍ Ａ
である。二酸化チタンの蒸着の場合、二酸化チタンが還
元して黒色に着色した膜となるのを防ぐため、真空槽２
０内を高真空に排気した俊、酸素を例えば１Ｘ１０＝Ｔ
ｏｒｒ導入する反応性蒸着を用いる。又、基板２２の温
度は、例えば３００℃とした。
を収能するルツボ３２は、二酸化チタンと二酸化シリコ
ンの２種類を複数個ずつ具備可能な、図示しない円板型
のものである。所定の物質を蒸着させる場合、電子銃３
４からエミッション電流が到達する位置へ回転させて持
って来る。電子銃３４の加速電圧は、例えば１０ｋＶで
あり、エミッション電流値は、例えば二酸化チタンの場
合２８０ｍＡであり、二酸化シリコンの場合６０ｍ Ａ
である。二酸化チタンの蒸着の場合、二酸化チタンが還
元して黒色に着色した膜となるのを防ぐため、真空槽２
０内を高真空に排気した俊、酸素を例えば１Ｘ１０＝Ｔ
ｏｒｒ導入する反応性蒸着を用いる。又、基板２２の温
度は、例えば３００℃とした。
各層の膜厚制御は、蒸着中にモニタ基板１２をポジショ
ン１１の位置におき、光源３１からの光線の透過率（あ
るいは図示しない方法である反射率〉を受光素子３２で
検知し、透過率（あるいは反射率）の変化による極値を
検出することによって、ドーム２１上に配置された製品
となる基板２２．２２．２２に形成される膜厚を制御す
る光学的な膜厚制御方式を用いた。即ち、光源３１から
の白色光は薄膜が蒸着されつつあるモニタ基板１２を通
過し、波長が例えば波長λ。を有する単色フィルタ３５
を通過して受光素子３２に到達する。このようにして測
定された蒸着中の光量変化を信号として、図示しない増
幅器やペンレコーダを経て透過率の変化を表示、記録し
、λｏ ／ ４に相当する極値を検出して光学的膜厚を
制御する。なお、制御波長としてλ。として１２４０ｎ
ｍを用いた。
ン１１の位置におき、光源３１からの光線の透過率（あ
るいは図示しない方法である反射率〉を受光素子３２で
検知し、透過率（あるいは反射率）の変化による極値を
検出することによって、ドーム２１上に配置された製品
となる基板２２．２２．２２に形成される膜厚を制御す
る光学的な膜厚制御方式を用いた。即ち、光源３１から
の白色光は薄膜が蒸着されつつあるモニタ基板１２を通
過し、波長が例えば波長λ。を有する単色フィルタ３５
を通過して受光素子３２に到達する。このようにして測
定された蒸着中の光量変化を信号として、図示しない増
幅器やペンレコーダを経て透過率の変化を表示、記録し
、λｏ ／ ４に相当する極値を検出して光学的膜厚を
制御する。なお、制御波長としてλ。として１２４０ｎ
ｍを用いた。
このようにして、２３層構成の誘電体多層膜を真空中で
基板２２．２２．２２上に形成後、例えば基板温度を２
５０℃以下に冷却後、大気圧に戻し、真空槽２０より取
り出した。
基板２２．２２．２２上に形成後、例えば基板温度を２
５０℃以下に冷却後、大気圧に戻し、真空槽２０より取
り出した。
形成されたＢＰＦの分光特性を第３図及び第４図に示す
。ＢＰＦを始めとする誘電体多層膜フィルタを光合分波
器に組立てる場合には、ガラス・ブロックに接着剤を介
して貼合せるため、ＢＰＦの膜構成は前述の（１）の如
くなる。しかし、成膜後、加湿、加温した恒温恒湿槽に
保管する時点では、構成（１）においては接着剤の変り
に空気となる。第３図及び第４図はこの時の分光特性を
示す。なお、ガラス・ブロックに接着剤を介して貼合せ
たときの分光特性を第５図及び第６図に示す。
。ＢＰＦを始めとする誘電体多層膜フィルタを光合分波
器に組立てる場合には、ガラス・ブロックに接着剤を介
して貼合せるため、ＢＰＦの膜構成は前述の（１）の如
くなる。しかし、成膜後、加湿、加温した恒温恒湿槽に
保管する時点では、構成（１）においては接着剤の変り
に空気となる。第３図及び第４図はこの時の分光特性を
示す。なお、ガラス・ブロックに接着剤を介して貼合せ
たときの分光特性を第５図及び第６図に示す。
さて、成膜後、２５℃、Ｒ０６０％の恒温恒湿槽中でＢ
ＰＦを保管すると、ＢＰＦの中心波長値は、既に説明し
たように第１図の曲線１の経時変化を示し、約２００日
後はぼ一定値に飽和した。一方、同一製造ロットのＢＰ
Ｆを、成膜後２５℃、４０℃および８０℃での温度でそ
れぞれＲ８９５％の雰囲気を有する恒温恒湿槽中に３日
間保管後、恒温恒湿槽から取出し、２５℃、Ｒ０６０％
の雰囲気中に戻し、経時変化を追跡した。この結果を同
様に第１図に示す。
ＰＦを保管すると、ＢＰＦの中心波長値は、既に説明し
たように第１図の曲線１の経時変化を示し、約２００日
後はぼ一定値に飽和した。一方、同一製造ロットのＢＰ
Ｆを、成膜後２５℃、４０℃および８０℃での温度でそ
れぞれＲ８９５％の雰囲気を有する恒温恒湿槽中に３日
間保管後、恒温恒湿槽から取出し、２５℃、Ｒ０６０％
の雰囲気中に戻し、経時変化を追跡した。この結果を同
様に第１図に示す。
曲線２は２５°Ｃ，Ｒ８９５％、曲線３は４０’Ｃ，Ｒ
８９５％、曲線４は８０℃、Ｒ８９５％の条件で加熱、
加湿したものである。
８９５％、曲線４は８０℃、Ｒ８９５％の条件で加熱、
加湿したものである。
この結果より、２５℃、Ｒ８９５％の場合は経時変化が
長波長側に移動したのに対し、８０℃、Ｒ８９５％の場
合は経時変化が短波長側に移動した。しかし、これらの
経時変化の量は、れぞれ約０．２％、約０゜４％でおり
、２５℃、Ｒ０６０％で保管した場合の約２゜０％と比
べ極めて小さい。また、４０℃、ＲＨ９５％場合には、
２５℃、Ｒ０６０％の雰囲気中に戻した後の経時変化は
殆どなかった。なお、８０℃、Ｒ８９５％の条件で加熱
、加湿した場合には、２５℃、Ｒ８９５％の条件の場合
に比べ経時変化が早期に飽和している。
長波長側に移動したのに対し、８０℃、Ｒ８９５％の場
合は経時変化が短波長側に移動した。しかし、これらの
経時変化の量は、れぞれ約０．２％、約０゜４％でおり
、２５℃、Ｒ０６０％で保管した場合の約２゜０％と比
べ極めて小さい。また、４０℃、ＲＨ９５％場合には、
２５℃、Ｒ０６０％の雰囲気中に戻した後の経時変化は
殆どなかった。なお、８０℃、Ｒ８９５％の条件で加熱
、加湿した場合には、２５℃、Ｒ８９５％の条件の場合
に比べ経時変化が早期に飽和している。
上述の実施例では、２５℃１．ＩＯ’ｃおよび８０’Ｃ
での温度でそれぞれＲ８９５％の雰囲気を有する恒温恒
湿槽中に３日間保管した場合を示したが、Ｒ８９５％で
温度が２５℃乃至８０℃の場合には、概ね曲線２と４と
の間の領域で経時変化する。また実施例では、加熱・加
湿の時間が４日間の場合を例に取り説明したが、１日以
上の加熱・加湿の時間ならば、第１図の時間軸が移動す
るのみで、曲線２．３．４とほぼ同様のものとなる。更
に、加湿条件はＲ８６０％以上であれば経時変化の短縮
に効果があり、以降の特性変動を極めて小さくできるこ
とが確認された。
での温度でそれぞれＲ８９５％の雰囲気を有する恒温恒
湿槽中に３日間保管した場合を示したが、Ｒ８９５％で
温度が２５℃乃至８０℃の場合には、概ね曲線２と４と
の間の領域で経時変化する。また実施例では、加熱・加
湿の時間が４日間の場合を例に取り説明したが、１日以
上の加熱・加湿の時間ならば、第１図の時間軸が移動す
るのみで、曲線２．３．４とほぼ同様のものとなる。更
に、加湿条件はＲ８６０％以上であれば経時変化の短縮
に効果があり、以降の特性変動を極めて小さくできるこ
とが確認された。
また本実施例では誘電体多層膜フィルタとしてＢＲＦの
場合を例にとり説明したが、経時変化が問題となる他の
誘電体多層膜フィルタ、例えば他の膜構成のＢＰＦやＬ
ＷＰＦ、５ＷＰＦに対して適用しても良く、同様に経時
変化促進の効果が得られる。
場合を例にとり説明したが、経時変化が問題となる他の
誘電体多層膜フィルタ、例えば他の膜構成のＢＰＦやＬ
ＷＰＦ、５ＷＰＦに対して適用しても良く、同様に経時
変化促進の効果が得られる。
また、成膜後、膜に吸収があり透過率の低いもの、例え
ばＢＰＦの透過率の最大値が８０％等のものが得られる
ことがあるが、加湿・加温雰囲気、例えば４０’Ｃ，Ｒ
８９５％雰囲気の恒温恒湿槽に４日間保管した後、２５
℃、ＲＨｆ３０％の雰囲気に戻したところ透過率値は上
昇し、第３図に示すような高透過率のＢＰＦが得られた
。即ち、本発明によれば、透過率が向上するという効果
もある。しかし２５℃、Ｒ８６０％の雰囲気に保管した
場合には、このような効果は認められず、この低透過率
は回復しなかった。
ばＢＰＦの透過率の最大値が８０％等のものが得られる
ことがあるが、加湿・加温雰囲気、例えば４０’Ｃ，Ｒ
８９５％雰囲気の恒温恒湿槽に４日間保管した後、２５
℃、ＲＨｆ３０％の雰囲気に戻したところ透過率値は上
昇し、第３図に示すような高透過率のＢＰＦが得られた
。即ち、本発明によれば、透過率が向上するという効果
もある。しかし２５℃、Ｒ８６０％の雰囲気に保管した
場合には、このような効果は認められず、この低透過率
は回復しなかった。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、成膜後の誘電体多層膜フ
ィルタを加湿雰囲気中で加熱することにより、以降の経
時変化は極めて小さいものとなり、−経時変化が少ない
誘電体多層膜フィルタが得られる。このため、分光特性
の測定結果を誘電体多層膜の成膜条件にフィードバック
でき、中心波長値等の分光特性を高精度で再現性良く制
御でき、歩留り向上に寄与する。また通過帯域の透過率
の向上が得られ、膜の吸収の殆どない透明な高性能の誘
電体多層膜フィルタが提供出来る。
ィルタを加湿雰囲気中で加熱することにより、以降の経
時変化は極めて小さいものとなり、−経時変化が少ない
誘電体多層膜フィルタが得られる。このため、分光特性
の測定結果を誘電体多層膜の成膜条件にフィードバック
でき、中心波長値等の分光特性を高精度で再現性良く制
御でき、歩留り向上に寄与する。また通過帯域の透過率
の向上が得られ、膜の吸収の殆どない透明な高性能の誘
電体多層膜フィルタが提供出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図はＢＰＦの中心周波数の経時変化特性を示す図、
第２図はＢＰＦを形成するための電子ビーム蒸着装置を
示す構成図、第３図乃至第６図はＢＰＦの分光特性の測
定結果を示す特性曲線図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
第２図はＢＰＦを形成するための電子ビーム蒸着装置を
示す構成図、第３図乃至第６図はＢＰＦの分光特性の測
定結果を示す特性曲線図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- 基板上に高屈折率および低屈折率の誘電体物質を多層に
積層してなる誘電体多層膜フィルタの製造方法において
、前記基板に高屈折率および低屈折率の誘電体物質を多
層に積層した後、加湿雰囲気中で加熱することを特徴と
する誘電体多層膜フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11890687A JPS63284502A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 誘電体多層膜フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11890687A JPS63284502A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 誘電体多層膜フィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284502A true JPS63284502A (ja) | 1988-11-21 |
Family
ID=14748095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11890687A Pending JPS63284502A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 誘電体多層膜フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284502A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0389201A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Toshiba Glass Co Ltd | 多層光干渉膜 |
| JP2003043420A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Fujikura Ltd | 誘電体多層膜付光コリメータ部品およびその製造方法 |
| US10007039B2 (en) | 2012-09-26 | 2018-06-26 | 8797625 Canada Inc. | Multilayer optical interference filter |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP11890687A patent/JPS63284502A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0389201A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Toshiba Glass Co Ltd | 多層光干渉膜 |
| JP2003043420A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Fujikura Ltd | 誘電体多層膜付光コリメータ部品およびその製造方法 |
| JP4657515B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2011-03-23 | 株式会社フジクラ | 誘電体多層膜付光コリメータ部品の製造方法 |
| US10007039B2 (en) | 2012-09-26 | 2018-06-26 | 8797625 Canada Inc. | Multilayer optical interference filter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3682528A (en) | Infra-red interference filter | |
| JPS5844961B2 (ja) | 膜厚制御または監視装置 | |
| US4415233A (en) | Achromatized beam splitter of low polarization | |
| JP2003043211A (ja) | 薄膜型ｎｄフィルタ及びその製造方法 | |
| JPH08254612A (ja) | 多層膜光学部品およびその製造方法 | |
| JPS63284502A (ja) | 誘電体多層膜フィルタの製造方法 | |
| JPH03109503A (ja) | プラスチック製光学部品の反射防止膜とその形成方法 | |
| JPS63159811A (ja) | 多層膜反射鏡及びその製造方法 | |
| JP2000171622A (ja) | 内面反射型の光学素子及びその製造方法 | |
| JPS63144306A (ja) | 誘電体多層膜及びその製造方法 | |
| JP2009175225A (ja) | 吸収型多層膜ｎｄフィルター | |
| JP2546203B2 (ja) | ＴｉＯｘ薄膜を用いた光学素子 | |
| JPS62220903A (ja) | 誘電体多層膜の製造方法 | |
| JPS61296305A (ja) | 多層膜干渉フイルタの製造方法 | |
| JPH04107505A (ja) | くさび型干渉フィルター | |
| JP3111243B2 (ja) | 積層反射防止膜を有する光学部品 | |
| JPS6296901A (ja) | 合成樹脂製レンズ | |
| JPS6088902A (ja) | 色分離フイルタ | |
| JP3052400B2 (ja) | 反射防止膜被覆イットリア光学部品 | |
| JP3353944B2 (ja) | 光学部品の反射防止膜およびこの反射防止膜を形成した光学部品 | |
| JPH05249312A (ja) | 光学多層膜の作製方法 | |
| JPS62150204A (ja) | エツジ・フイルタの製造方法 | |
| JPH10160930A (ja) | ペリクル光学素子 | |
| SU614050A1 (ru) | Светопоглощающее покрытие | |
| JP2023163424A (ja) | 光学フィルタ、光学フィルタを搭載した撮像装置 |