JP2695249B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2695249B2 JP2695249B2 JP1227736A JP22773689A JP2695249B2 JP 2695249 B2 JP2695249 B2 JP 2695249B2 JP 1227736 A JP1227736 A JP 1227736A JP 22773689 A JP22773689 A JP 22773689A JP 2695249 B2 JP2695249 B2 JP 2695249B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- contact
- semiconductor device
- interlayer insulating
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、コンピュータ，テレビ，ビデオ等の産業機
器、民生機器に用いることができる半導体装置の製造方
法に関するものである。
器、民生機器に用いることができる半導体装置の製造方
法に関するものである。
従来の技術 近年、半導体装置の製造方法は、高集積化，高機能化
に伴ない、絶縁膜あるいは絶縁基板上に形成された半導
体薄膜と配線金属とコンタクトを形成する必要が生じる
場合が増えてきた。
に伴ない、絶縁膜あるいは絶縁基板上に形成された半導
体薄膜と配線金属とコンタクトを形成する必要が生じる
場合が増えてきた。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の半
導体装置の製造方法について説明する。
導体装置の製造方法について説明する。
第３図は従来の半導体装置の製造方法における半導体
薄膜と配線用金属とのコンタクト形成方法を示すもので
ある。まず、第３図（ａ）に示すように絶縁基板である
石英基板21上に半導体薄膜である多結晶シリコン薄膜22
を堆積し、パターニングした後、層間絶縁膜23を形成す
る。次に第３図（ｂ）に示すように層間絶縁膜23上にレ
ジストを塗布し、露光，現像により、層間絶縁膜23にコ
ンタクトホールを形成するためのパターンをレジスト24
に形成した後、層間絶縁膜23と多結晶シリコン22に対し
て選択性のあるドライエッチまたはウエットエッチによ
りコンタクトホールを形成する。そして、最後に第３図
（ｃ）で示すようにAl25を堆積し、パターニング後、ア
ロイすることにより、Al25と多結晶シリコン22とコンタ
クトを形成する。
薄膜と配線用金属とのコンタクト形成方法を示すもので
ある。まず、第３図（ａ）に示すように絶縁基板である
石英基板21上に半導体薄膜である多結晶シリコン薄膜22
を堆積し、パターニングした後、層間絶縁膜23を形成す
る。次に第３図（ｂ）に示すように層間絶縁膜23上にレ
ジストを塗布し、露光，現像により、層間絶縁膜23にコ
ンタクトホールを形成するためのパターンをレジスト24
に形成した後、層間絶縁膜23と多結晶シリコン22に対し
て選択性のあるドライエッチまたはウエットエッチによ
りコンタクトホールを形成する。そして、最後に第３図
（ｃ）で示すようにAl25を堆積し、パターニング後、ア
ロイすることにより、Al25と多結晶シリコン22とコンタ
クトを形成する。
以上のように構成された半導体装置の製造方法では、
多結晶シリコン22の表面上にコンタクトが形成されるこ
とになる。
多結晶シリコン22の表面上にコンタクトが形成されるこ
とになる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のような構成では、層間絶縁膜に
コンタクトホールを形成する場合、層間絶縁膜と半導体
薄膜に対して、選択性のあるエッチングを行なっている
ため、エッチングの方法、または、エッチング条件が限
られてしまうという欠点を有していた。
コンタクトホールを形成する場合、層間絶縁膜と半導体
薄膜に対して、選択性のあるエッチングを行なっている
ため、エッチングの方法、または、エッチング条件が限
られてしまうという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、選択性のないエッチングを
行なっても、半導体薄膜と配線金属のコンタクトを形成
することができる半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
行なっても、半導体薄膜と配線金属のコンタクトを形成
することができる半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製
造方法は、絶縁基板または絶縁膜上に半導体薄膜、層間
絶縁膜を順に形成工程と、レジストパターンを用いて、
前記層間絶縁膜と前記半導体薄膜に１回のエッチングに
よって前記絶縁基板または絶縁膜に達するコンタクトホ
ールを１つのコンタクト部に複数個形成する工程と、前
記コンタクトホールを埋めるように配線金属を形成する
工程とを有するものである。
造方法は、絶縁基板または絶縁膜上に半導体薄膜、層間
絶縁膜を順に形成工程と、レジストパターンを用いて、
前記層間絶縁膜と前記半導体薄膜に１回のエッチングに
よって前記絶縁基板または絶縁膜に達するコンタクトホ
ールを１つのコンタクト部に複数個形成する工程と、前
記コンタクトホールを埋めるように配線金属を形成する
工程とを有するものである。
作用 この構成によってコンタクトホールを形成する場合、
半導体薄膜と層間絶縁膜に対して選択性のないエッチン
グを用いることができるため、エッチングに対する制約
が緩和され、プロセスの簡素化が可能となる。しかも、
コンタクトホールを複数形成するため、コンタクトを形
成する半導体薄膜の穴の側面は十分に広いため配線金属
と半導体薄膜とのコンタクト抵抗を十分に低下させるこ
とができる。
半導体薄膜と層間絶縁膜に対して選択性のないエッチン
グを用いることができるため、エッチングに対する制約
が緩和され、プロセスの簡素化が可能となる。しかも、
コンタクトホールを複数形成するため、コンタクトを形
成する半導体薄膜の穴の側面は十分に広いため配線金属
と半導体薄膜とのコンタクト抵抗を十分に低下させるこ
とができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における半導体装置
の製造方法により形成したコンタクト部の平面図、第１
図（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。第１図において１は石
英基板、２は多結晶シリコン、３は層間絶縁膜、４はA
l、５はコンタクトホールである。
の製造方法により形成したコンタクト部の平面図、第１
図（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。第１図において１は石
英基板、２は多結晶シリコン、３は層間絶縁膜、４はA
l、５はコンタクトホールである。
次に、本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法を第２図に従いながら説明する。第２図（ａ）で示す
ようにまず、石英基板１上に多結晶シリコン２を堆積
し、パターニングした後、層間絶縁膜３を形成する。次
に第２図（ｂ）に示すように層間絶縁膜３上にレジスト
14を塗布し、露光，現像により、コンタクトホールを形
成するためのパターンを形成した後、層間絶縁膜３と多
結晶シリコン２に対して選択性のないエッチングにより
コンタクトホールを形成する。この時、層間絶縁膜３だ
けでなく、多結晶シリコン２にも下地の石英基板１に達
する穴を形成する。そして、最後に第２図（ｃ）で示す
ようにAl4を堆積し、パターニング後、アロイすること
により、Al4と多結晶シリコン２とのコンタクトを形成
する。Al4と多結晶シリコン２とのコンタクトは、多結
晶シリコン２に形成されたコンタクトホールの側面に形
成され、コンタクトホールを複数にすることによりコン
タクトホールの面積を広げ、配線金属と半導体薄膜との
コンタクト抵抗を十分に低下させることができる。
法を第２図に従いながら説明する。第２図（ａ）で示す
ようにまず、石英基板１上に多結晶シリコン２を堆積
し、パターニングした後、層間絶縁膜３を形成する。次
に第２図（ｂ）に示すように層間絶縁膜３上にレジスト
14を塗布し、露光，現像により、コンタクトホールを形
成するためのパターンを形成した後、層間絶縁膜３と多
結晶シリコン２に対して選択性のないエッチングにより
コンタクトホールを形成する。この時、層間絶縁膜３だ
けでなく、多結晶シリコン２にも下地の石英基板１に達
する穴を形成する。そして、最後に第２図（ｃ）で示す
ようにAl4を堆積し、パターニング後、アロイすること
により、Al4と多結晶シリコン２とのコンタクトを形成
する。Al4と多結晶シリコン２とのコンタクトは、多結
晶シリコン２に形成されたコンタクトホールの側面に形
成され、コンタクトホールを複数にすることによりコン
タクトホールの面積を広げ、配線金属と半導体薄膜との
コンタクト抵抗を十分に低下させることができる。
以上のように、本実施例によれば、層間絶縁膜と半導
体薄膜に対して選択性のないエッチングを用いても、デ
バイス動作に必要なコンタクトを形成することができ
る。
体薄膜に対して選択性のないエッチングを用いても、デ
バイス動作に必要なコンタクトを形成することができ
る。
なお、本実施例では、半導体薄膜として多結晶シリコ
ン薄膜、配線金属としてAlを用いたが、他の半導体薄
膜、配線金属でもよい。
ン薄膜、配線金属としてAlを用いたが、他の半導体薄
膜、配線金属でもよい。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体薄膜と層間絶縁膜に対
して選択性のないエッチングを用いてコンタクトを形成
することができ、エッチングに対する制約が簡素化され
る。また石英基板に達するコンタクトホールを複数個備
えているために、そのコンタクトホールの側面と配線金
属との接触面積を増加することができ、配線金属と半導
体薄膜とのコンタクト抵抗を十分に低下させることがで
きる。
して選択性のないエッチングを用いてコンタクトを形成
することができ、エッチングに対する制約が簡素化され
る。また石英基板に達するコンタクトホールを複数個備
えているために、そのコンタクトホールの側面と配線金
属との接触面積を増加することができ、配線金属と半導
体薄膜とのコンタクト抵抗を十分に低下させることがで
きる。
第１図は本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法を示す図、第２図は本発明の第１の実施例におけ
る半導体装置の製造方法の工程図、第３図は従来の半導
体装置の製造方法の工程図である。 １……石英基板、２……多結晶シリコン、３……層間絶
縁膜、４……Al、５……コンタクトホール。
造方法を示す図、第２図は本発明の第１の実施例におけ
る半導体装置の製造方法の工程図、第３図は従来の半導
体装置の製造方法の工程図である。 １……石英基板、２……多結晶シリコン、３……層間絶
縁膜、４……Al、５……コンタクトホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江本 文昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 山本 敦也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 小林 和憲 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−129852（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−137941（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板または絶縁膜上に半導体薄膜、層
間絶縁膜を順に形成工程と、レジストパターンを用い
て、前記層間絶縁膜と前記半導体薄膜に１回のエッチン
グによって前記絶縁基板または絶縁膜に達するコンタク
トホールを１つのコンタクト部に複数個形成する工程
と、前記コンタクトホールを埋めるように配線金属を形
成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227736A JP2695249B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1227736A JP2695249B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0391243A JPH0391243A (ja) | 1991-04-16 |
| JP2695249B2 true JP2695249B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=16865558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1227736A Expired - Fee Related JP2695249B2 (ja) | 1989-09-01 | 1989-09-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695249B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5686122B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2015-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| KR101663460B1 (ko) * | 2015-04-13 | 2016-10-07 | 주식회사 스마트파워 | 수소 및 산소 발생장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH079972B2 (ja) * | 1984-11-28 | 1995-02-01 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
| JPS63137941U (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-12 |
-
1989
- 1989-09-01 JP JP1227736A patent/JP2695249B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0391243A (ja) | 1991-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11330245A (ja) | 半導体装置のコンタクト形成方法 | |
| US5915198A (en) | Contact process using taper contact etching and polycide step | |
| KR970051945A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2695249B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2983543B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPH0766178A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03108330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2994644B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JP2597424B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02134818A (ja) | 配線構造体の形成法 | |
| KR0172249B1 (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPH04324673A (ja) | 薄膜抵抗形成法 | |
| JPH05267208A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002118166A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000174117A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002217203A (ja) | 半導体装置の金属配線形成方法 | |
| JPS60201634A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000058640A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0590198A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11224898A (ja) | レジストを用いた溝穴形成方法 | |
| JPH06302540A (ja) | 半導体装置におけるコンタクト部形成方法 | |
| JP2002151470A (ja) | ハードマスクの形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH06291116A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03203321A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH04349647A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070912 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080912 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |