JPS63137941U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63137941U JPS63137941U JP3039487U JP3039487U JPS63137941U JP S63137941 U JPS63137941 U JP S63137941U JP 3039487 U JP3039487 U JP 3039487U JP 3039487 U JP3039487 U JP 3039487U JP S63137941 U JPS63137941 U JP S63137941U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- layer
- wiring
- groove
- sectional
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第1図は本考案を適用した二層配線構造の一例
を示す概略断面図である。第2図A乃至第2図D
は本考案を適用した二層配線構造の配線接続部の
製造工程をその工程順を追つて示す概略断面図で
、第2図Aは第1の配線層形成工程、第2図Bは
絶縁層及び開口部形成工程、第2図Cは第1の配
線層の溝部形成工程、第2図Dは第2の配線層の
形成工程をそれぞれ示している。第3図は本考案
を適用した二層配線構造の他の例を示す概略断面
図である。第4図は本考案を適用した三層配線構
造の一例を示す概略断面図である。第5図は本考
案を適用した三層配線構造の他の例を示す概略断
面図である。第6図は本考案を適用した三層配線
構造のさらに他の例を示す概略断面図である。第
7図は従来の配線構造の一例を示す概略断面図で
ある。 2……第1の配線層、3……絶縁層、4……開
口部、5……第2の配線層、6……溝部、6a…
…溝部側壁。
を示す概略断面図である。第2図A乃至第2図D
は本考案を適用した二層配線構造の配線接続部の
製造工程をその工程順を追つて示す概略断面図で
、第2図Aは第1の配線層形成工程、第2図Bは
絶縁層及び開口部形成工程、第2図Cは第1の配
線層の溝部形成工程、第2図Dは第2の配線層の
形成工程をそれぞれ示している。第3図は本考案
を適用した二層配線構造の他の例を示す概略断面
図である。第4図は本考案を適用した三層配線構
造の一例を示す概略断面図である。第5図は本考
案を適用した三層配線構造の他の例を示す概略断
面図である。第6図は本考案を適用した三層配線
構造のさらに他の例を示す概略断面図である。第
7図は従来の配線構造の一例を示す概略断面図で
ある。 2……第1の配線層、3……絶縁層、4……開
口部、5……第2の配線層、6……溝部、6a…
…溝部側壁。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第1の配線層と、一部を開口した絶縁層を介し
て第2の配線層が上記第1の配線層の接続部で接
続する配線構造において、 上記第1の配線層は、その上記接続部に溝部を
有し、少なくともその溝部側壁で上記第2の配線
層が接続することを特徴とする配線構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3039487U JPS63137941U (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3039487U JPS63137941U (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63137941U true JPS63137941U (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=30835159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3039487U Pending JPS63137941U (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63137941U (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391243A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0621235A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2007142087A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2009520367A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-21 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 埋没接点を有するトランジスタとその形成方法 |
JP2010192646A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6235645A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその製造法 |
JPS62118543A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-29 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP3039487U patent/JPS63137941U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6235645A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその製造法 |
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JPH0621235A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
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JP2010192646A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |