JP2682737B2 - 電力分配合成器 - Google Patents

電力分配合成器

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JP2682737B2
JP2682737B2 JP2315592A JP31559290A JP2682737B2 JP 2682737 B2 JP2682737 B2 JP 2682737B2 JP 2315592 A JP2315592 A JP 2315592A JP 31559290 A JP31559290 A JP 31559290A JP 2682737 B2 JP2682737 B2 JP 2682737B2
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英一 佐野
正人 阿佐
政幸 中嶋
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株式会社トキメック
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H01P5/18Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers

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  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、マイクロ波通信等において用いられるマイ
クロ波電力用の電力分配合成器に関する。
[従来の技術] 従来から、マイクロ波通信においては、様々な種類の
電力分配合成器が使用されてきた。
従来の電力分配合成器の一例を第10図を用いて説明す
る。
電力分配合成器は、通常、共通ポート90と、分配ポー
ト91aおよび分配ポート91bと、これらの間に設けられた
1/4波長インピーダンス変成器92aおよび1/4波長インピ
ーダンス変成器92bとにより構成されている。
共通ポート90から入力されたマイクロ波電力は、1/4
波長インピーダンス変成器92aおよび1/4波長インピーダ
ンス変成器92bにより分配されて、分配ポート91aと、分
配ポート91bとから出力される。また、逆に、分配ポー
ト91aと、分配ポート91bとから入力される等位相のマイ
クロ波電力は、1/4波長インピーダンス変成器92aおよび
1/4波長インピーダンス変成器92bにより合成されて、共
通ポート90から出力される。
なお、このような電力分配合成器については、S.B.Co
hn“A class of Bload Band Three−Part TEM−Mode Hy
brid"IEEE Trans.Microwave Theory Tech,MIT−16,No2
(Feb.1968)p.p.110〜116等に記載されている。
最近では、機器の小型化を進めるため、上記構成を、
マイクロストリップ線路(microstrip line)が開発さ
れている。
なお、マイクロストリップ線路は、第11図に示すとお
り、誘電体基板95aの一面側にストリップ導体96aを配置
し、他方の面に接地導体97aを配置した構造となってい
る。
[発明が解決しようとする課題] しかし、上述した従来の電力分配合成器においては、
1/4波長インピーダンス変成器を使用するため、その形
状が大きく、小型化が困難であった。
また、これをマイクロストリップ線路により構成した
場合においても、誘電体基板95aの誘電率および厚さに
よりストリップ導体96a線路幅が決定され、設計の自由
度が小さいため、小型化には限界があった。
また、CPW(coplanar waveguides)を用いて電力分配
合成器を構成することも考えられる。
CPW線路は、第12図に示すとおり、誘電体基板95bの一
面側にストリップ導体96bを設け、これと同じ面上にお
いて、ストリップ導体96bを両側からはさむように接地
導体97bを配置した構造となっている。
しかし、CPWを使用した場合でも、ストリップ導体96b
の両側に接地導体97bを設ける必要があるため、この接
地導体97bがアイソレーション抵抗を設ける上での障害
となる。すなわち、アイソレーション抵抗を設置するた
めには、接地導体を迂回するようなパターンにするか、
または、接地導体の上に絶縁層を設けた上で、アイソレ
ーション抵抗をその上に配置しなければならないという
困難があり実用化されていなかった。そのため、ストリ
ップ導体の線幅を変更することができるという、CPWの
利点を、電力分配合成器には、活かすことができていな
かった。
本発明は、これらの問題点を解決し、小型でVSWRの優
れた電力分配合成器を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、様々な可能性について検討
した結果、発明者は、R.K.Hoffman,“Handbook of Micr
owave Integrated Circuits",Artech Houseに記載され
る、ダブルストリップCPWを使用することにより、目的
を達成できることを見出した。
その一態様によれば、合成されたマイクロ波電力を出
力するまたは分配されるべきマイクロ波電力を入力する
共通ポートと、合成されるべきまたは分配されたマイク
ロ波電力を入出力する複数の分配ポートと、該共通ポー
トと該分配ポートとの間に設けられ、マイクロ波電力の
分配および合成を行うインピーダンス変成器とを有する
電力分配合成器であって、上記インピーダンス変成器
が、該誘電体基板と、該誘電体基板の一面に設けられス
トリップ導体と、該面上の該ストリップ導体の片側に沿
って設けられた接地導体を備えたことを特徴とする電力
分配合成器が提供される。
この場合、該ストリップ導体が、共通ポートと分配ポ
ートとの間を、最短距離よりも長い経路で接続したもの
であってもよい。また、上記誘電体基板の上記ストリッ
プ導体の設けられた面と反対側の面上に導体層を形成し
ても良い。
[作用] 共通ポートから入力されたマイクロ波電力は、インピ
ーダンス変成器により分配されて、分配ポートから出力
される。また、逆に、各分配ポートから入力されたマイ
クロ波電力は、インピーダンス変成器により合成されて
共通ポートから出力される。
[実施例] 本発明の一実施例を、図面を用いて説明する。
なお、左右、上下等の方向を示す用語は図面中におけ
る方向を示すものである。
この電力分配合成器は、非対称ダブルストリップCPW
を使用して構成されている。第9図に、この非対称ダブ
ルストリップCPWの基本構造を示す。
この非対称ダブルストリップCPWは、通常のCPWとは異
なり、誘電体基板9上の一面側にストリップ導体4を設
け、このストリップ導体4の片側に沿って接地導体5を
設けた構造である。また、ストリップ導体4の幅と、接
地導体5の幅とは、同幅とする必要はない。
第1図および第2図を用いて、具体的な構成を説明す
る。
第1図は、本実施例の電力分配合成器の上面図であ
る。また、第2図は、第1図中に示したA−A線の断面
図である。
この電力分配合成器は、横長の長方形状の誘電体基板
9の一面上に、共通ポート1、分配ポート2a、2b、スト
リップ導体4a、4b、接地導体5a、5b、接地導体6を、金
をスパッタリングすることにより形成されている。ま
た、分配ポート2aと分配ポート2bとの間には、所定のパ
ターンに従って、TaNxをスパッタリングすることによ
り、アイソレーション抵抗10が、形成されている。
共通ポート1は、誘電体基板9の左側端部に設けられ
ており、後述する1/4波長インピーダンス変成器7a、7b
により分配されるマイクロ波電力が入力されている。ま
た、逆に、共通ポート1からは、1/4波長インピーダン
ス変成器7a、7bにより合成されたマイクロ波電力が出力
される構成となっている。そして、この分配されたマイ
クロ波電力は、誘電体基板9の上辺と下辺の右側部分に
設けられた分配ポート2aおよび分配ポート2bから出力さ
れている。逆に、1/4波長インピーダンス変成器7a、7b
により合成されるマイクロ波電力は、分配ポート2aおよ
び分配ポート2bから入力されている。
1/4波長インピーダンス変成器7a、7bは、共通ポート
1と分配ポート2との間に配置された、ストリップ導体
4a、4bと、接地導体5a、5bと、誘電体基板9と、により
それぞれ構成されている。そして、上述のとおりマイク
ロ波電力の分配および合成を行う機能を有している。な
お、本実施例においては、この分配は均等に行われる
が、これに限定されるものではない。
このストリップ導体4a、4bは、誘電体基板9の左右方
向の中心線上において、共通ポート1と結合されてい
る。そして、ストリップ導体4aは、誘電体基板9の該面
の上半分の領域を、上下方向に蛇行しながら、すなわ
ち、各セクションが1/4波長分の線路長を確保しなが
ら、右側へ進み、分配ポート2aと接続されている。一
方、ストリップ導体4bは、該面の下半分の領域を、上下
方向に蛇行しながら右側へ進み、分配ポート2bと接続さ
れている。
そして、このストリップ導体4aとストリップ導体4bと
は、誘電体基板9の上記中心線側の屈曲部分を、各屈曲
部分毎に、すなわち、1/4波長毎に、合計3カ所、アイ
ソレーション抵抗10により結合されている。
また、ストリップ導体4aと接地導体5aとの間隔およ
び、ストリップ導体4bと接地導体5bとの間隔は、それぞ
れ分配ポート2a、2bに近づくにつれて、狭くなってい
る。また、アイソレーション抵抗10の大きさは分配ポー
ト2a、2bに近づくにつれて、順次、小さくなっている。
なお、ストリップ導体4a、4bの湾曲、屈曲形状、線路幅
等や、アイソレーション抵抗10の形状、数、大きさ等
は、これに限定されるものではなく、個々の素子の目
的、用途等に応じて変更することができる。
さらに、上述したように、本実施例においては、非対
称ダブルストリップCPWを使用しているため、分配ポー
ト2a、2bの右側の接地導体6の設けられている部分を除
いて、ストリップ導体4aの片側、この場合、上側にの
み、接地導体5aが設けられている。また、同様にストリ
ップ導体4bの下側にのみ、接地導体5bが形成されてい
る。従って、ストリップ導体4aとストリップ導体4bとの
間には、接地導体は、設けられていない。
誘電体基板9としては、アルミナ基板を使用している
が、これに限定されるものではない。
なお、共通ポート1と分配ポート2a、2bとの間の直線
距離は、約4mmである。
次に動作を説明する。
共通ポート1から、マイクロ波電力を入射させると、
このマイクロ波電力は、1/4波長インピーダンス変成器7
a、1/4波長インピーダンス変成器7bにより等分配され
て、それぞれ分配ポート2aと分配ポート2bとから出力さ
れる。
一方、分配ポート2aと分配ポート2bとからマイクロ波
電力を入射すると、該マイクロ波電力は、1/4波長イン
ピーダンス変成器7a、1/4波長インピーダンス変成器7b
により合成されて、共通ポート1から出力される。
共通ポート1からマイクロ波電力を入力した場合の電
力分配および合成の特性を測定した結果を、第3図およ
び第4図に示す。
第3図(a)は、マイクロ波の通過特性を、(b)
は、反射特性を示したものである。なお、横軸は入射し
たマイクロ波の周波数である。
(a)に示した共通ポート1から分配ポート2aへの通
過特性S21と、共通ポート1から分配ポート2bへの通過
特性S31とは、測定周波数の全範囲(6GHz〜20.5GHz)に
おいてほぼ一致しており、マイクロ波電力は等分配され
ていることが分かる。また、その通過特性は、6GHz(図
中、符号Pで示す)においては−3.7dBの減衰となって
おり、伝送損失は0.7dBであった。また、18GHz(図中、
符号Qで示す)においては、−3.9dBの減衰となってお
り、伝送損失は−1.0dBであった。これは、十分実用に
耐える値である。また、6GHz〜18GHzの範囲において
は、この値はほぼ一定であった。
一方、(b)に示した、共通ポート1からマイクロ波
電力を入力した場合の、反射特性S11は、6GHz〜18GHzの
帯域において−13dBを超える値となっており、十分に小
さい値であった。
第4図は、分配ポート側からマイクロ波電力を入射し
た場合のアイソレーション特性および反射損失を示した
ものである。
第4図(a)は、アイソレーション特性を示したもの
である。
分配ポート2aから入力されたマイクロ波電力が、分配
ポート2bに漏れる程度を示すアイソレーション特性S23
は、6GHz(図中、符号Pで示す)〜18GHz(図中、符号
Qで示す)の全範囲において、−21dB以下となってお
り、大きなアイソレーション効果を有していた。
第4図(b)は、分配ポート2aおよび分配ポート2bか
らマイクロ波電力を入射した場合の反射特性を示したも
のである。なお、横軸は周波数を示している。
この図によれば、分配ポート2aにおける反射特性S22
と、分配ポート2bにおける反射特性S33とは、ほぼ一致
しており、また、6GHz〜18GHzの全範囲において、−15d
B以下となっており、電力合成を行うことができる。
以上のように本実施例の、電力分配合成器は、実用に
十分な特性を有していた。
また、本実施例の電力分配合成器は、非対称ダブルス
トリップCPWを使用しているため、接地導体が、アイソ
レーション抵抗を配置する上での障害とならない。その
上、線路幅、線路の湾曲等の設計上の自由度が増して、
ストリップ導体4a,4bの幅を一様にすることができる。
その結果、VSWR特性を劣化させることなく、単位面積内
に形成することのできる線路長を長くすることができ、
電力分配合成器を、より小型にすることができた。
具体的には、マイクロストリップ線路を使用して本実
施例と同じ能力を有する電力分配合成器を構成するため
には、共通ポートと分配ポートの間隔が約11mmは必要で
あるのに対し、本実施例においては半分以下の約4mmで
あった。
次に第2の実施例を説明する。
第5図および第6図にその構成を示す。
第5図は、本実施例の電力分配合成器の上面図であ
る。また、第6図は、第1図中に示したC−C線の断面
図である。
本実施例の電力分配合成器は、上記第1の実施例とほ
ぼ同様の構成であるが、ストリップ導体4aとストリップ
導体4bとは、誘電体基板9の上記中心線側の屈曲部分
を、各屈曲部分毎に、すなわち、1/4波長毎に、合計6
カ所、アイソレーション抵抗10により結合されている。
また、ストリップ導体4aと接地導体5aとの間隔およ
び、ストリップ導体4bと接地導体5bとの間隔は、それぞ
れ分配ポート2a、2bに近づくにつれて、その線路幅が広
くなっている。
次に動作を説明する。
共通ポート1から、マイクロ波電力を入射させると、
このマイクロ波電力は、1/4波長インピーダンス変成器7
a、1/4波長インピーダンス変成器7bにより等分配され
て、それぞれ分配ポート2aと分配ポート2bとから出力さ
れる。
一方、分配ポート2aと分配ポート2bとからマイクロ波
電力を入射すると、該マイクロ波電力は、1/4波長イン
ピーダンス変成器7a、1/4波長インピーダンス変成器7b
により合成されて、共通ポート1から出力される。
本実施例の、電力分配合成器も、実用に十分な特性を
有するものである。
また、本実施例の電力分配合成器は、非対称ダブルス
トリップCPWを使用しているため、接地導体が、アイソ
レーション抵抗を配置する上での障害とならない。その
上、線路幅、線路の湾曲等の設計上の自由度が増して、
ストリップ導体4a,4bの幅を一様にすることができる。
その結果、VSWR特性を劣化させることなく、単位面積内
に形成することのできる線路長を長くすることができ、
電力分配合成器をより小型にすることができた。
次に、第3の実施例を示す。
本実施例の電力分配合成器は、コンダクターバックド
非対称ダブルストリップCPWを使用したことを特徴とし
ている。
コンダクターバックド非対称ダブルストリップCPWと
は、第9図に示した非対称ダブルストリップCPWと、ほ
ぼ同様の基本構成をとるが、誘電体基板9のストリップ
導体4等の設けられていない側の面にも、導体層を、す
なわちグランド平面を形成したものである。
本実施例の電力分配合成器の具体的構造を、第7図お
よび第8図に示す。
この電力分配合成器は、コンダクターバックド非対称
ダブルストリップCPWを使用している点を除き、実施例
2とほぼ同様の構成をとる。
共通ポート1は、誘電体基板9の左側端部に設けられ
ており、1/4波長インピーダンス変成器7cと1/4波長イン
ピーダンス変成器7dとにより分配されるマイクロ波電力
が入力されている。また、逆に、共通ポート1からは1/
4波長インピーダンス変成器7cと1/4波長インピーダンス
変成器7dとにより合成されたマイクロ波電力が、出力さ
れる構成となっている。そして、この分配されたマイク
ロ波電力は、誘電体基板9の上辺と下辺の右側部分に設
けられた分配ポート2aおよび分配ポート2bから出力され
ている。逆に、1/4波長インピーダンス変成器7cと1/4波
長インピーダンス変成器7dとにより合成されるマイクロ
波電力は、分配ポート2aおよび分配ポート2bから入力さ
れている。
1/4波長インピーダンス変成器7c、7dは、共通ポート
1と分配ポート2との間に配置された、ストリップ導体
4a、4bと、接地導体5a、5bと、誘電体基板9とによりそ
れぞれ構成されている。そして、上述のとおりマイクロ
波電力の分配および合成を行う機能を有している。な
お、本実施例においては、この分配は均等に行われる
が、これに限定されるものではない。
さらに、上述したように、本実施例においては、コン
ダクターバックド非対称ダブルストリップCPWを使用し
ているため、誘電体基板9のストリップ導体4a等の設け
られていない側には、全面に接地導体11が設けられてい
る。なお、この接地導体11は、金をスパッタリングした
ものである。
動作を説明する。
共通ポート1からマイクロ波電力を入射させると、こ
のマイクロ波電力は、1/4波長インピーダンス変成器7
c、1/4波長インピーダンス変成器7dにより等分配され
て、それぞれ分配ポート2aと分配ポート2bとから出力さ
れる。
本実施例においては、接地導体11の存在により、該電
力分配器を、直接、金属板等の支持部材(図には示して
いない)の上に配置することができる。この場合、接地
導体11が放熱材としても機能し、該電力分配器の動作時
に発生した熱を上記支持部材に効率的に伝達するため、
熱による性能の低下が少なくなる。これは、特に大電力
を使用した場合に、有効である。
以上説明してきたように、本発明を適用した上記実施
例においては,非対称ダブルストリップCPWを使用して
いるため、設計上の自由度が増した。その結果、VSWR特
性を劣化させることなく、電力分配合成器を、小型化す
ることができた。
さらに、コンダクターバックド非対称ダブルストリッ
プCPWを使用した場合には、発生した熱の放熱効率が高
くなるため、大電力使用時の特性の低下を防止すること
ができる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の電力分配合成器は、VS
WRの劣化を伴うことなく、小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す上面図、第2図はA
−A線における断面図、第3図は、その通過特性および
反射特性を示すグラフ、第4図は、分配ポートにおける
反射特性およびアイソレーション特性を示すグラフ、第
5図は、本発明の他の実施例を示す上面図、第6図はC
−C線における断面図、第7図は他の実施例を示す上面
図、第8図は第7図中のB−B線における断面図、第9
図は、非対称ダブルストリップCPWの基本構成を示す斜
視図、第10図は従来の電力分配合成器を示す説明図、第
11図は、MS線路の基本構造を示す斜視図、第12図は、CP
Wの基本構造を示す斜視図である。 1:共通ポート、2:分配ポート、4:ストリップ導体、5:接
地導体、6:接地導体、7:1/4波長インピーダンス変成
器、9:誘電体基板、10:アイソレーション抵抗、11:接地
導体、90:共通ポート、91:分配ポート、92:1/4波長イン
ピーダンス変成器、95:誘電体基板、96:ストリップ導
体、97:接地導体、S11:反射特性、S21:通過特性、S22:
通過特性、S23:アイソレーション特性、S31:通過特性、
S33:反射特性、X:不連続部分。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−171201(JP,A) 特開 昭63−157503(JP,A) 特開 平1−198804(JP,A)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】合成されたマイクロ波電力を出力し、もし
    くは、分配されるべきマイクロ波電力を入力するための
    共通ポートと、合成されるべきマイクロ波電力を入力
    し、もしくは、分配されたマイクロ波電力を出力するた
    めの複数の分配ポートと、該共通ポートと該分配ポート
    との間に設けられ、マイクロ波電力の分配または合成を
    行うインピーダンス変成器とを有する電力分配器であっ
    て、 上記インピーダンス変成器は、該誘電体基板と、該誘電
    体基板の一面に設けられたストリップ導体と、該面上の
    該ストリップ導体の片側に沿って設けられた接地導体を
    備え、 上記インピーダンス変成器におけるストリップ導体と接
    地導体との間隔は、上記共通ポート側における間隔よ
    り、上記分配ポート側における間隔が狭いことを特徴と
    する電力分配合成器。
  2. 【請求項2】上記インピーダンス変成器は、上記マイク
    ロ波の波長の1/4に相当する線路長のストリップ導体を
    それぞれ有する複数のセクションに分割され、 上記インピーダンス変成器におけるストリップ導体と接
    地導体との間隔は、上記共通ポート側のセクションか
    ら、上記分配ポート側のセクションになるにつれて、セ
    クション毎に順次狭くなっていることを特徴とする請求
    項1記載の電力分配合成器。
  3. 【請求項3】上記インピーダンス変成器におけるストリ
    ップ導体の線路幅は、上記インピーダンス変成器の全体
    に渡って一様であることを特徴とする請求項1および2
    のいずれか一項記載の電力分配合成器。
  4. 【請求項4】合成されたマイクロ波電力を出力し、もし
    くは、分配されるべきマイクロ波電力を入力するための
    共通ポートと、合成されるべきマイクロ波電力を入力
    し、もしくは、分配されたマイクロ波電力を出力するた
    めの複数の分配ポートと、該共通ポートと該分配ポート
    との間に設けられ、マイクロ波電力の分配または合成を
    行うインピーダンス変成器とを有する電力分配器であっ
    て、 上記インピーダンス変成器は、該誘電体基板と、該誘電
    体基板の一面に設けられたストリップ導体と、該面上の
    該ストリップ導体の片側に沿って設けられた接地導体を
    備え、 上記インピーダンス変成器は、上記マイクロ波の波長の
    1/4に相当する線路長のストリップ導体をそれぞれ有す
    る複数のセクションに分割され、 上記接地導体は、上記ストリップ導体との間隔が、セク
    ションとセクションとの境界において不連続に変化する
    形状に形成されること を特徴とする電力分配合成器。
  5. 【請求項5】合成されたマイクロ波電力を出力し、もし
    くは、分配されるべきマイクロ波電力を入力するための
    共通ポートと、合成されるべきマイクロ波電力を入力
    し、もしくは、分配されたマイクロ波電力を出力するた
    めの複数の分配ポートと、該共通ポートと該分配ポート
    との間に設けられ、マイクロ波電力の分配または合成を
    行うインピーダンス変成器とを有する電力分配器であっ
    て、 上記インピーダンス変成器は、該誘電体基板と、該誘電
    体基板の一面に設けられたストリップ導体と、該面上の
    該ストリップ導体の片側に沿って設けられた接地導体を
    備え、 上記インピーダンス変成器は、上記マイクロ波の波長の
    1/4に相当する線路長のストリップ導体をそれぞれ有す
    る複数のセクションに分割され、 上記ストリップ導体は、上記インピーダンス変成器の全
    体に渡って、その線路幅が連続して変化する形状に形成
    されること を特徴とする電力分配合成器。
JP2315592A 1990-11-20 1990-11-20 電力分配合成器 Expired - Lifetime JP2682737B2 (ja)

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JP2315592A JP2682737B2 (ja) 1990-11-20 1990-11-20 電力分配合成器
US07/758,823 US5198787A (en) 1990-11-20 1991-09-12 Waveguide for dividing and combining microwaves

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JP2315592A JP2682737B2 (ja) 1990-11-20 1990-11-20 電力分配合成器

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