JP2680395B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JP2680395B2 JP2680395B2 JP1020744A JP2074489A JP2680395B2 JP 2680395 B2 JP2680395 B2 JP 2680395B2 JP 1020744 A JP1020744 A JP 1020744A JP 2074489 A JP2074489 A JP 2074489A JP 2680395 B2 JP2680395 B2 JP 2680395B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composition
- high dielectric
- porcelain composition
- constant porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は高誘電率磁器組成物、特にコンデンサ材料と
して、好適な高誘電率磁器組成物に関する。
して、好適な高誘電率磁器組成物に関する。
（従来の技術） 高誘電率磁器組成物に代表される誘電体材料では、誘
電率、誘電率温度係数、誘電損失、誘電バイアス電界依
存性、容量抵抗積等において優れた電気的特性が要求さ
れる。すなわち誘電体材料として要求される電気的特性
としては、大きな誘電率、容量抵抗積を有する一方で、
誘電率温度係数、誘電損失、誘電バイアス電界依存性は
小さい程良い。高誘電率磁器組成物においては、上記し
たような誘電体材料としての優れた電気的特性が要求さ
れることに加えて、セラミックス材料としての優れた特
性が必要となる。セラミックス材料として要求される特
性としては、具体的には焼成温度が比較的低温であるこ
とが挙げられる。この理由としては、積層タイプの素子
を考えた場合電極層と誘電体層とは一体的に焼成される
ため、電極材料としては誘電体材料の焼成温度でも安定
なものを用いる必要がある。従ってセラミックス材料の
焼成温度が高いとPt,Pd等の高価な材料を用いなければ
ならず、銀等の安価な材料を使用できるように、1100℃
以下程度の低温での焼成が可能であることが要求される
からである。上記したような要求を満足する高誘電率磁
器組成物として、本出願人は特開昭61−155245号に示さ
れるものを提供した。
電率、誘電率温度係数、誘電損失、誘電バイアス電界依
存性、容量抵抗積等において優れた電気的特性が要求さ
れる。すなわち誘電体材料として要求される電気的特性
としては、大きな誘電率、容量抵抗積を有する一方で、
誘電率温度係数、誘電損失、誘電バイアス電界依存性は
小さい程良い。高誘電率磁器組成物においては、上記し
たような誘電体材料としての優れた電気的特性が要求さ
れることに加えて、セラミックス材料としての優れた特
性が必要となる。セラミックス材料として要求される特
性としては、具体的には焼成温度が比較的低温であるこ
とが挙げられる。この理由としては、積層タイプの素子
を考えた場合電極層と誘電体層とは一体的に焼成される
ため、電極材料としては誘電体材料の焼成温度でも安定
なものを用いる必要がある。従ってセラミックス材料の
焼成温度が高いとPt,Pd等の高価な材料を用いなければ
ならず、銀等の安価な材料を使用できるように、1100℃
以下程度の低温での焼成が可能であることが要求される
からである。上記したような要求を満足する高誘電率磁
器組成物として、本出願人は特開昭61−155245号に示さ
れるものを提供した。
一方高誘電率磁器組成物をコンデンサ材料として用い
る場合には、上記したような電気的特性及び焼成温度が
低温であること以外に、コンデンサとしての信頼性が必
要となる。すなわちこの場合には、過酷な条件下（高
温，高湿，一定電圧印加）でも電気的特性の劣化が少な
く優れた寿命特性を有することが要求される。本出願人
が特開昭61−155245号で提供した高誘電率磁器組成物
は、電気的特性や焼成温度に関しては優れたものである
が、コンデンサ材料として見た場合には寿命特性は満足
できるものではなく、さらには耐圧特性に関しても改善
の余地が残されていた。
る場合には、上記したような電気的特性及び焼成温度が
低温であること以外に、コンデンサとしての信頼性が必
要となる。すなわちこの場合には、過酷な条件下（高
温，高湿，一定電圧印加）でも電気的特性の劣化が少な
く優れた寿命特性を有することが要求される。本出願人
が特開昭61−155245号で提供した高誘電率磁器組成物
は、電気的特性や焼成温度に関しては優れたものである
が、コンデンサ材料として見た場合には寿命特性は満足
できるものではなく、さらには耐圧特性に関しても改善
の余地が残されていた。
（発明が解決しようとする課題） 上記したように従来の高誘電率磁器組成物において
は、寿命特性、耐圧特性に関してより一層の改良が望ま
れていた。
は、寿命特性、耐圧特性に関してより一層の改良が望ま
れていた。
本発明はこのような要望に応えて、寿命特性及び耐圧
特性に優れ、コンデンサ材料として要求される全ての特
性を具備した高誘電率磁器組成物を提供することを目的
としている。
特性に優れ、コンデンサ材料として要求される全ての特
性を具備した高誘電率磁器組成物を提供することを目的
としている。
（課題を解決するための手段及び作用） 本発明はPb（Mg1/3Nb2/3）O3及びPb（Zn1/3Nb2/3）O3
の少なくとも１種を含有するペロブスカイト系高誘電率
磁器組成物に、イットリウム（Ｙ）をY2O3に換算して0.
01〜５重量％、ジルコニウム（Zr）をZrO2に換算して0.
01〜５重量％添加含有した高誘電率磁器組成物である。
すなわち従来のPb系の高誘電率磁器組成物に、上述した
量のイットリウム（Ｙ）及びジルコニウム（Zr）を添加
することにより、優れた電気的特性及び焼成温度を保ち
つつ寿命特性及び耐圧特性を上げるものである。
の少なくとも１種を含有するペロブスカイト系高誘電率
磁器組成物に、イットリウム（Ｙ）をY2O3に換算して0.
01〜５重量％、ジルコニウム（Zr）をZrO2に換算して0.
01〜５重量％添加含有した高誘電率磁器組成物である。
すなわち従来のPb系の高誘電率磁器組成物に、上述した
量のイットリウム（Ｙ）及びジルコニウム（Zr）を添加
することにより、優れた電気的特性及び焼成温度を保ち
つつ寿命特性及び耐圧特性を上げるものである。
本発明において上記したイットリウム（Ｙ）の添加量
は0.01〜５重量％、好ましくは0.05〜５重量％である。
添加量が少なすぎると添加の効果が現われず、多すぎる
と電気的特性が劣化し、またかえって寿命特性も低下す
るからである。一方ジルコニウム（Zr）の添加量を0.01
〜0.5重量％と限定したのも、イットリウム（Ｙ）にお
ける限定と同様の理由による。
は0.01〜５重量％、好ましくは0.05〜５重量％である。
添加量が少なすぎると添加の効果が現われず、多すぎる
と電気的特性が劣化し、またかえって寿命特性も低下す
るからである。一方ジルコニウム（Zr）の添加量を0.01
〜0.5重量％と限定したのも、イットリウム（Ｙ）にお
ける限定と同様の理由による。
またペロブスカイト系高誘電率磁器組成物の構成元素
としてのPbの存在量としては、PbOに換算して30〜70重
量％であることが好ましい。
としてのPbの存在量としては、PbOに換算して30〜70重
量％であることが好ましい。
特にPb（Mg1/3Nb2/3）O3及びPb（Zn1/3Nb2/3）O3のう
ち少なくとも一種を50mol％以上含有して構成し、Pbの
１〜35mol％をBa,Sr及びCaのうちの少なくとも一種で置
要したとき、本発明の高誘電率磁気組成物はなお優れた
電気的特性を示す。さらに本発明に係る高誘電率磁気組
成物において最も好ましい組成は、一般式xPb（Zn1/3Nb
2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−zPbTiO3で表わしたと
き、それぞれの成分を頂点とする三元図の ａ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｂ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｃ（ｘ＝0.20,y＝0.80,z＝0.00） ｄ（ｘ＝0.05,y＝0.90,z＝0.05） で示される各点を結ぶ線内の基本組成（ただし、abを結
ぶ線分上は除く）のPbの一部を、１〜35mol％のBa及びS
rの少なくとも一種で置換した組成に、イットリウム
（Ｙ）及びジルコニウム（Zr）を前記した重量比で添加
したものである。上述したような三元図における基本組
成を第１図に示す。
ち少なくとも一種を50mol％以上含有して構成し、Pbの
１〜35mol％をBa,Sr及びCaのうちの少なくとも一種で置
要したとき、本発明の高誘電率磁気組成物はなお優れた
電気的特性を示す。さらに本発明に係る高誘電率磁気組
成物において最も好ましい組成は、一般式xPb（Zn1/3Nb
2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−zPbTiO3で表わしたと
き、それぞれの成分を頂点とする三元図の ａ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｂ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｃ（ｘ＝0.20,y＝0.80,z＝0.00） ｄ（ｘ＝0.05,y＝0.90,z＝0.05） で示される各点を結ぶ線内の基本組成（ただし、abを結
ぶ線分上は除く）のPbの一部を、１〜35mol％のBa及びS
rの少なくとも一種で置換した組成に、イットリウム
（Ｙ）及びジルコニウム（Zr）を前記した重量比で添加
したものである。上述したような三元図における基本組
成を第１図に示す。
上記したように高誘電率機器組成物中に含有されるPb
の一部を、１〜35mol％のBa,Sr及びCaのうちの少なくと
も一種で置換するのは、基本成分のうちPb（Zn1/3N
b2/3）O3がペロブスカイト構造をとりにくく、安定した
ペロブスカイト構造を形成するためには、Ba,Sr及びCa
のような金属（以下Me成分と称す）でPbの一部を置換す
る必要があるからである。このようなMe成分の置換量は
（Pb1−αMeα）と表したとき 0.01＜α＜0.35 である。これ以上にMe成分の量が少ないと、高誘電率磁
器組成物中にパイロクロア構造が混在し、誘電率及び容
量抵抗積が小さくなり電気的特性が低下するからであ
る。またMe成分の量が多すぎると、焼成温度が1100℃以
上の高温となってしまう。
の一部を、１〜35mol％のBa,Sr及びCaのうちの少なくと
も一種で置換するのは、基本成分のうちPb（Zn1/3N
b2/3）O3がペロブスカイト構造をとりにくく、安定した
ペロブスカイト構造を形成するためには、Ba,Sr及びCa
のような金属（以下Me成分と称す）でPbの一部を置換す
る必要があるからである。このようなMe成分の置換量は
（Pb1−αMeα）と表したとき 0.01＜α＜0.35 である。これ以上にMe成分の量が少ないと、高誘電率磁
器組成物中にパイロクロア構造が混在し、誘電率及び容
量抵抗積が小さくなり電気的特性が低下するからであ
る。またMe成分の量が多すぎると、焼成温度が1100℃以
上の高温となってしまう。
また本発明において最も好ましい組成を上記したよう
なa,b,c,dの各点を結ぶ線内に限定したのは、以下のよ
うな理由による。まず線分adの外側では焼成温度が1100
℃以上の高温となり、容量抵抗積も小さくなり電気的特
性も低下する。また線分cdの外側では、キューリ温度が
もともと常温付近にあるため、Me成分による置換で誘電
率が大幅に低温方向に移動して、常温における誘電率が
大幅に低下してしまうからである。またd1（ｘ＝0.10,y
＝0.80,z＝0.10）としたとき、線分cd1の内側がより好
ましい。
なa,b,c,dの各点を結ぶ線内に限定したのは、以下のよ
うな理由による。まず線分adの外側では焼成温度が1100
℃以上の高温となり、容量抵抗積も小さくなり電気的特
性も低下する。また線分cdの外側では、キューリ温度が
もともと常温付近にあるため、Me成分による置換で誘電
率が大幅に低温方向に移動して、常温における誘電率が
大幅に低下してしまうからである。またd1（ｘ＝0.10,y
＝0.80,z＝0.10）としたとき、線分cd1の内側がより好
ましい。
さらに第１図に示した三元図において、Pb（Mg1/3Nb
2/3）O3は少量の含有でその効果を発揮するが、実用上
は1mol％以上含有されることが望ましい。またPbTiO3は
特に含有されなくてもよいが、0.01mol％以上含有され
た三元系の方が望ましい。一方容量抵抗積を考慮する
と、Pb（Zn1/3Nb2/3）O3は15mol％以上含有されること
が望ましく、さらには20mol％以上含有されることがよ
り望ましい。20mol％以上含有されるときは、誘電損失
が特に小さい。またc1（ｘ＝0.40,y＝0.60,z＝0.00）、
d2（ｘ＝0.15,y＝0.70,z＝0.15）、d3（ｘ＝0.20,y＝0.
60,z＝0.20）、c2（ｘ＝0.45,y＝0.55,z＝0.00）とした
とき、線分c1,d1の外側では緻密な磁器を得ることが比
較的困難である。さらに容量抵抗積、誘電率温度係数等
の電気的特性及び焼成温度等を考慮すると、線分c1,d2
の内側、特に線分c2,d2の内側、さらには線分c2,d3の内
側が望ましい。しかしながら誘電率等を考慮した場合に
は、このような線分で区切られた組成系でも充分な特性
を有している。
2/3）O3は少量の含有でその効果を発揮するが、実用上
は1mol％以上含有されることが望ましい。またPbTiO3は
特に含有されなくてもよいが、0.01mol％以上含有され
た三元系の方が望ましい。一方容量抵抗積を考慮する
と、Pb（Zn1/3Nb2/3）O3は15mol％以上含有されること
が望ましく、さらには20mol％以上含有されることがよ
り望ましい。20mol％以上含有されるときは、誘電損失
が特に小さい。またc1（ｘ＝0.40,y＝0.60,z＝0.00）、
d2（ｘ＝0.15,y＝0.70,z＝0.15）、d3（ｘ＝0.20,y＝0.
60,z＝0.20）、c2（ｘ＝0.45,y＝0.55,z＝0.00）とした
とき、線分c1,d1の外側では緻密な磁器を得ることが比
較的困難である。さらに容量抵抗積、誘電率温度係数等
の電気的特性及び焼成温度等を考慮すると、線分c1,d2
の内側、特に線分c2,d2の内側、さらには線分c2,d3の内
側が望ましい。しかしながら誘電率等を考慮した場合に
は、このような線分で区切られた組成系でも充分な特性
を有している。
また本発明において、Pbを構成元素として含有するペ
ロブスカイト系高誘電率磁気組成物の基本組成として
は、第１図に示したものの他に、一般式xPb（Zn1/3Nb
2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−zPb（Ni1/3Nb2/3）O3
で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の ｅ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｆ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｇ（ｘ＝0.10,y＝0.90,z＝0.00） で示される各点を結ぶ線内の組成（ただし、efgを結ぶ
線分上は除く）のPbの一部を、１〜30mol％のBa及びSr
の少なくとも一種で置換したもの、一般式（１−ｘ）
（Pb1−ａ−bBaaSrb）｛Zn1/3Nb2/3）１−ｃ−ｄ（Mg
1/3Nb2/3）cTid｝O3・xBaTiO3で表したとき、 ０≦ａ≦0.35 ０≦ｂ≦0.35 0.01≦ａ＋ｂ≦0.35 ０＜ｃ≦0.9 ０＜ｄ≦0.5 0.3≦ｘ≦0.5 を満たすもの、 一般式xPb（Zn1/3Nb2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−
zPbTiO3で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三
元図の ｈ（ｘ＝0.60,y＝0.40,z＝0.00） ｉ（ｘ＝0.60,y＝0.05,z＝0.35） ｊ（ｘ＝0.45,y＝0.05,z＝0.50） ｋ（ｘ＝0.01,y＝0.49,z＝0.50） ｌ（ｘ＝0.01,y＝0.85,z＝0.14） ｍ（ｘ＝0.15,y＝0.85,z＝0.00） で示される各点を結ぶ線内の組成のPbの一部を、２〜30
mol％のCaで置換したもの等があげられる。
ロブスカイト系高誘電率磁気組成物の基本組成として
は、第１図に示したものの他に、一般式xPb（Zn1/3Nb
2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−zPb（Ni1/3Nb2/3）O3
で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元図の ｅ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｆ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｇ（ｘ＝0.10,y＝0.90,z＝0.00） で示される各点を結ぶ線内の組成（ただし、efgを結ぶ
線分上は除く）のPbの一部を、１〜30mol％のBa及びSr
の少なくとも一種で置換したもの、一般式（１−ｘ）
（Pb1−ａ−bBaaSrb）｛Zn1/3Nb2/3）１−ｃ−ｄ（Mg
1/3Nb2/3）cTid｝O3・xBaTiO3で表したとき、 ０≦ａ≦0.35 ０≦ｂ≦0.35 0.01≦ａ＋ｂ≦0.35 ０＜ｃ≦0.9 ０＜ｄ≦0.5 0.3≦ｘ≦0.5 を満たすもの、 一般式xPb（Zn1/3Nb2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−
zPbTiO3で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三
元図の ｈ（ｘ＝0.60,y＝0.40,z＝0.00） ｉ（ｘ＝0.60,y＝0.05,z＝0.35） ｊ（ｘ＝0.45,y＝0.05,z＝0.50） ｋ（ｘ＝0.01,y＝0.49,z＝0.50） ｌ（ｘ＝0.01,y＝0.85,z＝0.14） ｍ（ｘ＝0.15,y＝0.85,z＝0.00） で示される各点を結ぶ線内の組成のPbの一部を、２〜30
mol％のCaで置換したもの等があげられる。
さらに本発明においては、本発明の効果を損わない範
囲での不純物、添加物、置換物の含有も構わない。この
ようなものとしては、例えばMnO2,CoO,Sb2O3,La2O3,Nd2
O3,Sm2O3等の遷移金属やランタノイド元素があげられ
る。ただしこれらの含有量は多くても0.5重量％程度で
ある。
囲での不純物、添加物、置換物の含有も構わない。この
ようなものとしては、例えばMnO2,CoO,Sb2O3,La2O3,Nd2
O3,Sm2O3等の遷移金属やランタノイド元素があげられ
る。ただしこれらの含有量は多くても0.5重量％程度で
ある。
上記したような本発明に係る高誘電率磁器組成物は、
誘電率、容量抵抗積、誘電率温度係数、誘電損失、誘電
バイアス電界依存性等の電気的特性に加え、焼成温度、
さらには寿命特性、耐圧特性に優れている。従って厚膜
誘電体ペースト、電歪素子等の用途に加えて、特にコン
デンサ材料として優れた特性を示す。
誘電率、容量抵抗積、誘電率温度係数、誘電損失、誘電
バイアス電界依存性等の電気的特性に加え、焼成温度、
さらには寿命特性、耐圧特性に優れている。従って厚膜
誘電体ペースト、電歪素子等の用途に加えて、特にコン
デンサ材料として優れた特性を示す。
（実施例） 以下に実施例として、 一般式xPb（Zn1/3Nb2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3−
zPbTiO3の組成でPbの一部がBaまたはSrによって置換さ
れた高誘電率磁器組成物の場合を示す。
zPbTiO3の組成でPbの一部がBaまたはSrによって置換さ
れた高誘電率磁器組成物の場合を示す。
出発原料としてPb,Ba,Sr,Zn,Nb,Y,Zr,Ti,Mg等の酸化
物等の出発原料を用いて所望の組成になるように調合し
た後、ボールミル等で混合し700〜850℃で仮焼する。次
いでこの仮焼体をボールミル等で粉砕し乾燥の後、バイ
ンダーを加え造粒しプレスして直径17mm、厚さ約2mmの
円板状素体を形成した。混合、粉砕用のボールは、不純
物の混入を防止するため、部分安定化ジルコニアボール
等の硬度が大きく、かつ靭性の高いボールを用いること
が好ましい。
物等の出発原料を用いて所望の組成になるように調合し
た後、ボールミル等で混合し700〜850℃で仮焼する。次
いでこの仮焼体をボールミル等で粉砕し乾燥の後、バイ
ンダーを加え造粒しプレスして直径17mm、厚さ約2mmの
円板状素体を形成した。混合、粉砕用のボールは、不純
物の混入を防止するため、部分安定化ジルコニアボール
等の硬度が大きく、かつ靭性の高いボールを用いること
が好ましい。
この素体を空気中980〜1080℃、２時間の条件で焼結
し、両面に銀電極を焼付け、各特性の測定を行なった。
誘電損失（DF）、容量（Ｃ）については1kHz、1Vrms、2
5℃の条件でデジタルLCRメーターを用いて測定し、この
値より誘電率（Ｋ）を算出した。絶縁抵抗（IR）は100V
の電圧を２分間印加した後、絶縁抵抗計を用いて25℃に
て測定し、容量抵抗積（CR）は25℃での（誘電率）×
（絶縁抵抗）×（真空の誘電率）から求めた。誘電率温
度係数（T.C.C.）は25℃の値を基準とし、−25℃,85℃
での変化率で表した。耐圧はシリコンオイル中で測定を
行なった。寿命試験は、85℃,95％RHの恒温恒湿槽中に
素体を保持し、200Vの印加をして500時間経過後、素体
を取り出し表面の水分を取り除き室温に一昼夜放置した
後、容量及び絶縁抵抗を測定した容量抵抗積を算出し
た。各特性の測定結果を第１表に示す。第１表から明ら
かなように、本発明に係る高誘電率磁器組成物は誘電
率，誘電率温度係数等の電気的特性が優れているのみな
らず、耐圧特性にも優れ、さらには高温高湿加速寿命試
験後においても容量抵抗積の劣化が少なく、寿命特性も
優れコンデンサ材料としての信頼性が高いことがわか
る。
し、両面に銀電極を焼付け、各特性の測定を行なった。
誘電損失（DF）、容量（Ｃ）については1kHz、1Vrms、2
5℃の条件でデジタルLCRメーターを用いて測定し、この
値より誘電率（Ｋ）を算出した。絶縁抵抗（IR）は100V
の電圧を２分間印加した後、絶縁抵抗計を用いて25℃に
て測定し、容量抵抗積（CR）は25℃での（誘電率）×
（絶縁抵抗）×（真空の誘電率）から求めた。誘電率温
度係数（T.C.C.）は25℃の値を基準とし、−25℃,85℃
での変化率で表した。耐圧はシリコンオイル中で測定を
行なった。寿命試験は、85℃,95％RHの恒温恒湿槽中に
素体を保持し、200Vの印加をして500時間経過後、素体
を取り出し表面の水分を取り除き室温に一昼夜放置した
後、容量及び絶縁抵抗を測定した容量抵抗積を算出し
た。各特性の測定結果を第１表に示す。第１表から明ら
かなように、本発明に係る高誘電率磁器組成物は誘電
率，誘電率温度係数等の電気的特性が優れているのみな
らず、耐圧特性にも優れ、さらには高温高湿加速寿命試
験後においても容量抵抗積の劣化が少なく、寿命特性も
優れコンデンサ材料としての信頼性が高いことがわか
る。
〔発明の効果〕 以上詳述してきたように本発明によれば、誘電率、誘
電率温度係数、容積抵抗積、誘電損失等の電気的特性に
優れているばかりでなく、焼成温度も低く積層タイプの
セラミックス素子への応用に適し、さらには寿命特性、
耐圧特性にも優れているのでコンデンサ材料として適用
した場合にも信頼性の高い高誘電率磁器組成物を提供す
ることができる。
電率温度係数、容積抵抗積、誘電損失等の電気的特性に
優れているばかりでなく、焼成温度も低く積層タイプの
セラミックス素子への応用に適し、さらには寿命特性、
耐圧特性にも優れているのでコンデンサ材料として適用
した場合にも信頼性の高い高誘電率磁器組成物を提供す
ることができる。
第１図は本発明の一例における基本組成を示す組成図で
ある。
ある。
Claims (3)
- 【請求項１】Pb（Mg1/3Nb2/3）O3及びPb（Zn1/3Nb2/3）
O3の少なくとも１種を含有するペロブスカイト系高誘電
率磁器組成物に、イットリウム（Ｙ）をY2O3に換算して
0.01〜５重量％、ジルコニウム（Zr）ZrO2に換算して0.
01〜５重量％添加含有することを特徴とする高誘電率磁
器組成物。 - 【請求項２】前記Pb（Mg1/3Nb2/3）O3及びPb（Zn1/3Nb
2/3）O3の少なくとも１種を50mol％以上含有し、Pbの１
〜35mol％がBa,Sr及びCaの少なくとも１種で置換された
組成であることを特徴とする請求項１記載の高誘電率磁
器組成物。 - 【請求項３】前記ペロブスカイト系高誘電率磁器組成物
は、一般式xPb（Zn1/3Nb2/3）O3−yPb（Mg1/3Nb2/3）O3
−zPbTiO3で表され、それぞれの成分を頂点とする三元
図の ａ（ｘ＝0.50,y＝0.00,z＝0.50） ｂ（ｘ＝1.00,y＝0.00,z＝0.00） ｃ（ｘ＝0.20,y＝0.80,z＝0.00） ｄ（ｘ＝0.05,y＝0.90,z＝0.05） で示される各点を結ぶ線内の基本組成（ただし、abを結
ぶ線分上は除く）のPbの一部が、１〜35mol％のBa及びS
rの少なくとも１種で置換された組成であることを特徴
とする請求項１記載の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020744A JP2680395B2 (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020744A JP2680395B2 (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02204357A JPH02204357A (ja) | 1990-08-14 |
| JP2680395B2 true JP2680395B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=12035702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1020744A Expired - Fee Related JP2680395B2 (ja) | 1989-02-01 | 1989-02-01 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2680395B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-01 JP JP1020744A patent/JP2680395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02204357A (ja) | 1990-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3046436B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP5327555B2 (ja) | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ | |
| EP3078648B1 (en) | Sintered oxide compact | |
| JPWO2010067868A1 (ja) | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ | |
| JPWO2010067865A1 (ja) | 半導体セラミック及び正特性サーミスタ | |
| JP3435607B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH02123614A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| EP0180132A2 (en) | High dielectric constant type ceramic composition | |
| JP2680395B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP2660010B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ | |
| JP3087644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3385631B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| KR890004286B1 (ko) | 고유전율(高誘電率) 자기 조성물 | |
| JPH0817057B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05250916A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JP2521862B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61251563A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH04368709A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| KR100225498B1 (ko) | 페로브스카이트계 써미스터 조성물 | |
| JPH0778510A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0664933B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH10167813A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0478577B2 (ja) | ||
| JPH0664932B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |