JP2674576B2 - 圧電磁器組成物 - Google Patents

圧電磁器組成物

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電磁器組成物に関
し、特に高範囲な振動レベルで高効率な電気機械変換特
性を有する圧電磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】電気エネルギーを機械的振動エネルギー
に変換することのできる圧電材料は、圧電アクチュエー
タや超音波モータなど、動力分野への応用がなされてい
る。これらの応用に対して圧電材料は、その用途に応じ
て小さい機械的出力から極めて大きな機械的出力まで広
範囲に亘り、高効率で電気−機械エネルギー変換がおこ
なわれることが求められる。
【0003】従って、これらの応用に対し、圧電材料に
は、電気エネルギーの機械的な振動エネルギーへの変換
に際してエネルギー損失が抑制されることが求められ
る。
【0004】従来、圧電磁器組成物として鉛系複合ペロ
ブスカイト化合物が広く知られ、一部の組成で実用化が
なされている。
【0005】その中でも大振幅駆動に適した代表的な組
成材料に、マンガン・アンチモン酸鉛[Pb(Mn1/3
Sb2/3)O3]、ジルコン酸[PbZrO3]およびチ
タン酸鉛[PbTiO3]を配合した3成分組成物、お
よびその組成物を構成元素であるPbの1部をCa、S
r、Baで置換して得られる組成物がある。
【0006】近時、圧電材料を応用した動力デバイスが
実用化されるなか、その機械的出力のさらなる増大が求
められている。
【0007】この要求に対し、上記従来の材料は、動作
振動振幅もしくは振動レベルが高くなるのにともない、
内部エネルギー損失による発熱が生じるため、やがて励
起できる振動振幅は限界値すなわち振動レベル限界値に
達し、さらには材料の絶縁破壊を引き起こすことにな
る。
【0008】従って、機械的出力の増大が求められるな
か、従来の材料は実用に供されないことがわかった。
【0009】今、振動レベルを、光学式変位測定器から
得られる振動子の最大先端振動振幅ξmと、振動子の共
振周波数f0の測定から算出できる実効的振動速度v0
して表すと、振動速度v0は次式(1)で表わせる。
【0010】 v0=√2πf0ξm …(1)
【0011】このように振動レベルを振動速度で表現し
た場合、従来技術では、安定して使用できる振動レベル
(速度)の限界が、0.2m/s程度に留まっていた。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、圧電
磁器組成物の従来の材料は0.2m/s程度を上限とし
た低振動レベル(速度)での駆動となるため、大きな機
械的出力が要求される動力デバイスへの応用は困難であ
った。
【0013】また、従来の材料の高出力化のため数々の
手段がとられたが、その材料性能を向上させるという効
果はみられなかった。
【0014】しかし、これら多数の実験から材料母体の
粒子と粒子の界面(粒界)にPbを多く含む、母体とは
異なる相の偏析が見い出された。
【0015】この異相が電気エネルギーから変換された
振動エネルギーの伝達を妨げ、その結果、母体内部でエ
ネルギー損失がおこる。エネルギー損失は熱にかわり散
逸される。このため、振動レベルを高めるために高電力
を印加しても、ますます内部損失が増大し、やがて絶縁
破壊をおこすことを本発明者らはつきとめた。
【0016】本発明は上記知見に基づきなされたもので
あって、従来材料の2倍以上の高振動レベル(速度)あ
るいは大振幅でも駆動可能な圧電磁器組成物を提供する
ことを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、マンガン・アンチモン酸鉛[Pb(Mn1/3
2/3)O3]、ジルコン酸[PbZrO3]、およびチ
タン酸鉛[PbTiO3]からなる3成分組成物であっ
て、組成式[Pb(Mn1/3Sb2/3)O3]x[PbZ
rO3]y[PbTiO3]z(ただしx+y+z=1)
で表わされ、その組成範囲が、3元系組成図において、 a(x=0.01,y=0.30,z=0.69)、 b(x=0.01,y=0.60,z=0.39)、 c(x=0.15,y=0.60,z=0.25)、 d(x=0.15,y=0.30,z=0.55)、 の各点を結ぶ線上、および点abcdで囲まれた領域内
で規定される範囲内にあり、構成成分である鉛(Pb)
を0.1〜5mol%減じたことを特徴とする圧電磁器
組成物を提供する。
【0018】本発明においては、その構成成分である鉛
(Pb)を、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(S
r)、及びバリウム(Ba)のうちのいずれか1成分に
より15mol%以下の量で置換し、かつ前記構成成分
である鉛(Pb)を0.1〜5mol%減じた構成とし
てもよい。
【0019】本発明は、構成成分であるPbを0.1〜
5mol%減じることで、粒界での異相(粒界にPbを
多く含む母体とは異なる相)の生成を抑制でき、このた
めに励振時の内部エネルギー損失が低減され、従来困難
であった、振動レベル限界v0maxが従来の2倍以上とな
るv0max≧0.4m/sの特性を有する圧電磁器材料を
提供するものであり、高い振動レベル限界を有する材料
が得られる。
【0020】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を以下に説明する。
【0021】図1は本発明の一実施形態に係る圧電磁器
材料の主成分の3成分組成図である。図中、(a)〜
(d)は各組成点を表し、本発明の一実施形態の組成範
囲は、図の斜線で示す範囲およびその境界線上の組成領
域において、その構成成分であるPbを0.1〜5mo
l%減じた組成物および、図の斜線部および境界線上で
あらわせる組成領域においてPbをCa、Sr、Baの
いずれか1成分により15mol%以下の量で置換した
組成物から各々Pbを0.1〜5mol%減じたもので
ある。以下、本発明を実施例に従い説明する。
【0022】
【実施例】本発明の材料を得る出発原料として、酸化鉛
(PbO)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化チタ
ン(TiO2)、炭酸マンガン(MnCO3)、酸化アン
チモン(Sb23)および炭酸カルシウム(CaC
3)、炭酸ストロンチウム(SrCO3)、炭酸バリウ
ム(BaCO3)の各粉末を用いた。
【0023】ここでMnCO3、CaCO3、SrC
3、BaCO3は各々、MnO、CaO、SrO、Ba
Oに換算して必要量得るようにした。
【0024】各原料粉末を所定量秤量し、ボールミルに
よる湿式混合後、混合粉末を850℃、2h(時間)、
大気中で仮焼した。仮焼粉を粉砕後、造粒、成形し、1
200℃、2時間、大気中で焼成をおこない、長さ60
mm、幅30mm、厚さ10mmの焼結ブロックを得
た。
【0025】このブロックを切断、研磨により43×7
×1mmtの矩形板に加工した後、相対向する両主面に
銀電極を焼き付け、100℃の絶縁油中で4kV/mm
の直流電界を1時間印加して分極処理を施した。
【0026】そして、24時間室温放置した後、定電流
駆動回路により圧電横効果長さ縦振動の基本モードを励
振させ、振動レベル限界の測定をおこなった。
【0027】振動レベルは、前記従来技術で説明したよ
うに、光学式変位測定器から得られる振動子の最大先端
振動振幅ξmと振動子の共振周波数f0の測定から算出で
きる実効的振動速度v0で表わした。
【0028】 v0=√2πf0ξm …(1)
【0029】振動レベル(速度)限界は圧電振動子の振
動の節点に設けられた熱電対の温度測定により、その振
動子の内部エネルギー損失により誘起される温度上昇
(振動子の温度と室温の差)ΔTが20℃になる振動速
度をv0maxとあらわし、これを振動レベル限界とした。
【0030】表1には、Pb無置換材料の組成比と振動
レベル限界を、表2〜表10には、Pbを、Ca、S
r、Baでそれぞれ置換した材料の組成比および振動レ
ベル限界を示す。
【0031】表1から表10において、PMS、PZ、
およびPTはそれぞれ、マンガン・アンチモン酸鉛[P
b(Mn1/3Sb2/3)O3]、ジルコン酸[PbZr
3]、およびチタン酸鉛[PbTiO3]をそれぞれ示
し、また試料番号の右に記された(*)は、本発明の範
囲外の試料(参考例)であることを示す。
【0032】なお、表2から表4(試料番号54〜17
7)は、PbをCaで置換した際のPb減少量と主成分
配合比および振動レベル限界の相関を示すものであり、
表5から表7(試料番号178〜300)は、PbをS
rで置換した際のPb減少量と主成分配合比および振動
レベル限界の相関を示すものであり、表8から表10
(試料番号301〜424)は、PbをBaで置換した
際のPb減少量と主成分配合比および振動レベル限界の
相関を示すものであり、それぞれ一つの表であったもの
を単に表作成の都合上それぞれ複数表に分割したもので
ある。
【0033】次に、各化合物の配合比率(組成比)、お
よびPbの置換量または減少量を限定した理由について
表1〜表10に従い説明する。
【0034】第1に、PMSの配合比率(x、但し%表
示)を請求項1(1mol%≦x≦15mol%)のよ
うに限定した理由は、配合比率が0mol%(例えば表
1の試料番号1〜4参照)であると、強誘電体分域壁の
運動にともなう内部摩擦による損失が大きいため、振動
レベル限界は低い。また、PMSの組成範囲が15mo
l%を超えるとパイロクロア等の異相が生成し、したが
って弾性的な損失をひきおこす。このため、Pb量を減
少させても振動レベル限界の向上が見られない。
【0035】また、PZの配合比率(y)を請求項1に
規定される範囲(30mol%≦y≦60mol%)外
の配合比率にすると、電気エネルギーを機械的なエネル
ギーに変換する能力が極端に下がるため、振動レベル限
界は低くなる。
【0036】さらに、Pbの減少量が0mol%である
と、前述したように、粒界相の生成、減少量が多いと該
圧電材料の結晶性の悪化や異相の生成が生じ、振動レベ
ル限界は低くなる。
【0037】PTの配合比率(z)は、PMSの配合比
率(x)とPZの配合比率(y)が決まれば必然的に決
まる。
【0038】そして、表から表10を参照して、Pbを
過剰量のCa、Ba、Srで置換すると圧電性が減少す
るため電気−振動エネルギー変換の効率が極端に減少す
る。従って、振動レベル限界が0.4m/s以上となる
のは、Pbを、Ca、Sr、及びBaのうちのいずれか
1成分により15mol%以下の量で置換し、かつPb
を0.1〜5mol%減じた場合に限定される。
【0039】
【表1】
【0040】
【表2】
【0041】
【表3】
【0042】
【表4】
【0043】
【表5】
【0044】
【表6】
【0045】
【表7】
【0046】
【表8】
【0047】
【表9】
【0048】
【表10】
【0049】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による組成
物は、高い振動レベル限界を有し、従って高振動レベル
または大振幅で駆動させる圧電デバイスへの応用が可能
となり、その工業的価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る組成物の主成分の3
成分組成図である。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マンガン・アンチモン酸鉛[Pb(Mn
    1/3Sb2/3)O3]、ジルコン酸[PbZrO3]、およ
    びチタン酸鉛[PbTiO3]からなる3成分組成物で
    あって、組成式[Pb(Mn1/3Sb2/3)O3]x[P
    bZrO3]y[PbTiO3]z(ただしx+y+z=
    1)で表わされ、 その組成範囲が、3元系組成図において、 a(x=0.01,y=0.30,z=0.69)、 b(x=0.01,y=0.60,z=0.39)、 c(x=0.15,y=0.60,z=0.25)、 d(x=0.15,y=0.30,z=0.55)、 の各点を結ぶ線上、および点abcdで囲まれた領域内
    で規定される範囲内にあり、 構成成分である鉛(Pb)を0.1〜5mol%減じた
    ことを特徴とする圧電磁器組成物。
  2. 【請求項2】マンガン・アンチモン酸鉛[Pb(Mn
    1/3Sb2/3)O3]、ジルコン酸[PbZrO3]、およ
    びチタン酸鉛[PbTiO3]からなる3成分組成物で
    あって、組成式が[Pb(Mn1/3Sb2/3)O3]x
    [PbZrO3]y[PbTiO3]z(ただしx+y+
    z=1)で表わされ、 その組成範囲が、3元系組成図において、 a(x=0.01,y=0.30,z=0.69)、 b(x=0.01,y=0.60,z=0.39)、 c(x=0.15,y=0.60,z=0.25)、 d(x=0.15,y=0.30,z=0.55)、 の各点を結ぶ線上、および点abcdで囲まれた領域内
    で規定される範囲内にあり、 構成成分である鉛(Pb)を、カルシウム(Ca)、ス
    トロンチウム(Sr)、及びバリウム(Ba)のうちの
    いずれか1成分により15mol%以下の量で置換し、
    かつ前記構成成分である鉛(Pb)を0.1〜5mol
    %減じたことを特徴とする圧電磁器組成物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006027927A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Nec Tokin Corp 圧電磁器組成物

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002226084A1 (en) * 2000-12-14 2002-06-24 The Penn State Research Foundation High-power piezoelectric ceramics
KR100481717B1 (ko) * 2001-12-27 2005-04-11 주식회사 에스세라 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자
JP2004059369A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Brother Ind Ltd 圧電磁器組成物及びこれを用いたインクジェットヘッド用圧電アクチュエータ
CN1953947A (zh) * 2004-01-20 2007-04-25 株式会社Iai 压电陶瓷组合物
US20060229187A1 (en) * 2005-04-11 2006-10-12 De Liufu Compositions for high power piezoelectric ceramics
US7494602B2 (en) * 2005-04-11 2009-02-24 Piezotech, Llc Compositions for high power piezoelectric ceramics
JP2007204346A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Iai:Kk 圧電磁器組成物と圧電共振子
JP6310775B2 (ja) * 2014-05-29 2018-04-11 Fdk株式会社 圧電磁器組成物および圧電磁器組成物の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3484377A (en) * 1966-12-08 1969-12-16 Nippon Electric Co Piezoelectric ceramic material
GB1179170A (en) * 1966-12-29 1970-01-28 Nippon Electric Co Piezoelectric Ceramic Material
JPS5915503B2 (ja) * 1974-11-21 1984-04-10 日本電気株式会社 ジルコン・チタン酸鉛を含む多成分系圧電性磁器用結晶化微粉末の製造方法
JPS63291870A (ja) * 1987-05-22 1988-11-29 Nippon Ceramic Kk 焦電素子用酸化物磁器材料
JPH02303172A (ja) * 1989-05-18 1990-12-17 Murata Mfg Co Ltd 圧電性磁器組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006027927A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Nec Tokin Corp 圧電磁器組成物

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