JP2668836B2 - シリコン結晶の選択成長法 - Google Patents
シリコン結晶の選択成長法Info
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- JP2668836B2 JP2668836B2 JP27860389A JP27860389A JP2668836B2 JP 2668836 B2 JP2668836 B2 JP 2668836B2 JP 27860389 A JP27860389 A JP 27860389A JP 27860389 A JP27860389 A JP 27860389A JP 2668836 B2 JP2668836 B2 JP 2668836B2
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- silicon crystal
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコン半導体デバイス作製におけるシリコ
ン結晶の選択成長法に関する。
ン結晶の選択成長法に関する。
シリコンの結晶成長の場合、シリコンの終端に水素が
付着してしまうので、基板を約600℃に加熱させて表面
の水素を脱離させシリコン結晶成長を進めており、第４
図（ａ）に示すようにシリコン基板７上にマスク層８を
形成した後（ｂ）に示すように斜線部分９のみにシリコ
ン結晶を成長させ、最後に（ｃ）に示すようにマスク層
をエッチングすることによりシリコン結晶の選択成長を
行っていた。
付着してしまうので、基板を約600℃に加熱させて表面
の水素を脱離させシリコン結晶成長を進めており、第４
図（ａ）に示すようにシリコン基板７上にマスク層８を
形成した後（ｂ）に示すように斜線部分９のみにシリコ
ン結晶を成長させ、最後に（ｃ）に示すようにマスク層
をエッチングすることによりシリコン結晶の選択成長を
行っていた。
上述したように、従来は基板全体を加熱することによ
りシリコン結晶成長を行っていたため選択成長させるた
めには、マスク層を形成しなければならなかった。
りシリコン結晶成長を行っていたため選択成長させるた
めには、マスク層を形成しなければならなかった。
本発明は上記技術水準に鑑み、マスク層の使用を要せ
ず簡単な方法でシリコン結晶を選択的に成長させる方法
を提供しようとするものである。
ず簡単な方法でシリコン結晶を選択的に成長させる方法
を提供しようとするものである。
本発明は水素原子で終端されたシリコン表面において
結晶成長させようとする領域に真空紫外光を照射して表
面の水素原子を脱離させた後、未結合手が現われている
シリコン表面にシランガスを導入して１原子層だけシリ
コン結晶を成長させることを特徴とするシリコン結晶の
選択成長法である。
結晶成長させようとする領域に真空紫外光を照射して表
面の水素原子を脱離させた後、未結合手が現われている
シリコン表面にシランガスを導入して１原子層だけシリ
コン結晶を成長させることを特徴とするシリコン結晶の
選択成長法である。
マスク層を形成することなしに、真空紫外光の照射の
みで選択成長を行うことができる。
みで選択成長を行うことができる。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図によって説
明する。
明する。
第２図（ａ）に示すように、フッ酸処理等で表面の未
結合手を水素で終端されたシリコン表面３に真空紫外光
（ｈν:20eV以上、h:プランクの常数，ν：振動数）４
を照射する。真空紫外光を照射された部分からは、第２
図（ｂ）に示すように水素が離脱し、シリコンの未結合
手５が現われる。
結合手を水素で終端されたシリコン表面３に真空紫外光
（ｈν:20eV以上、h:プランクの常数，ν：振動数）４
を照射する。真空紫外光を照射された部分からは、第２
図（ｂ）に示すように水素が離脱し、シリコンの未結合
手５が現われる。
次に、第３図（ａ）に示すように原料ガス（シラン;S
iH4）６を供給すると第３図（ｂ）に示すようにシリコ
ンの未結合手にシラン分子が解離して吸着し、シリコン
結晶が１原子層だけ成長したことになる。
iH4）６を供給すると第３図（ｂ）に示すようにシリコ
ンの未結合手にシラン分子が解離して吸着し、シリコン
結晶が１原子層だけ成長したことになる。
上記このような機構でシリコンの選択成長ができる。
例えば、第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１上
の斜線部分２に、上記のような光照射、原料ガス供給を
繰り返すことにより第１図（ｂ）に示すように選択的に
シリコン薄膜を形成することができる。
例えば、第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１上
の斜線部分２に、上記のような光照射、原料ガス供給を
繰り返すことにより第１図（ｂ）に示すように選択的に
シリコン薄膜を形成することができる。
本発明により、マスク層を使用することなく、真空紫
外光を照射した部分にのみ、１原子層だけシリコン結晶
を選択成長させることができるため、極めて簡単なシリ
コン結晶の選択的成長が行え、その工業的価値は顕著で
ある。
外光を照射した部分にのみ、１原子層だけシリコン結晶
を選択成長させることができるため、極めて簡単なシリ
コン結晶の選択的成長が行え、その工業的価値は顕著で
ある。
第１図は本発明の一実施例としての、シリコン選択成長
過程の模式図、第２図は本発明の一実施例としてのシリ
コン表面からの水素の脱離のモデル図、第３図は本発明
の一実施例としてのシリコン表面へのシラン分子の吸着
のモデル図、第４図は従来の選択成長過程の一例の模式
図である。
過程の模式図、第２図は本発明の一実施例としてのシリ
コン表面からの水素の脱離のモデル図、第３図は本発明
の一実施例としてのシリコン表面へのシラン分子の吸着
のモデル図、第４図は従来の選択成長過程の一例の模式
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−143420（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−82615（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−203331（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−124123（ＪＰ，Ａ) Ｐ．Ｊ．Ｇｒｕｎｔｈａｎｅｒ ｅ ｔ．ａｌ．，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆ ｉｌｍｓ，183，197 （1989)
Claims (1)
- 【請求項１】水素原子で終端されたシリコン表面におい
て結晶成長させようとする領域に真空紫外光を照射して
表面の水素原子を脱離させた後、未結合手が現われてい
るシリコン表面にシランガスを導入して１原子層だけシ
リコン結晶を成長させることを特徴とするシリコン結晶
の選択成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27860389A JP2668836B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | シリコン結晶の選択成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27860389A JP2668836B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | シリコン結晶の選択成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141635A JPH03141635A (ja) | 1991-06-17 |
| JP2668836B2 true JP2668836B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=17599575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27860389A Expired - Fee Related JP2668836B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | シリコン結晶の選択成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668836B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2748819B2 (ja) * | 1993-06-04 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | パターニング方法 |
| JP3935476B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2007-06-20 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法および画像表示装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP27860389A patent/JP2668836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｐ．Ｊ．Ｇｒｕｎｔｈａｎｅｒ ｅｔ．ａｌ．，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，１８３，１９７ （１９８９） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03141635A (ja) | 1991-06-17 |
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