JP2665152B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents

半導体レーザモジュール

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JP2665152B2
JP2665152B2 JP6123822A JP12382294A JP2665152B2 JP 2665152 B2 JP2665152 B2 JP 2665152B2 JP 6123822 A JP6123822 A JP 6123822A JP 12382294 A JP12382294 A JP 12382294A JP 2665152 B2 JP2665152 B2 JP 2665152B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光通信装置などの光源と
して使用される半導体レーザモジュールに関し、特にバ
タフライパッケージを使用した半導体レーザモジュール
の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のバタフライパッケージを使用した
半導体レーザモジュールについて、図2の分解斜視図を
参照して説明する。
【0003】この半導体レーザモジュールは、予め組み
立てた光学系ユニット12をバタフライパッケージ16
の底面15に半田等により固定している。光学系ユニッ
ト12は、内部片端にキャンパッケージにより気密封止
した半導体レーザ12aを固定している。半導体レーザ
12aは、光学系電極端子11aおよび11bから駆動
用の電源を受け、光学系電極端子11cおよび11dか
らこの半導体レーザ12aの駆動状況をモニタする。こ
れら光学系電極端子11(11aないし11d)は、ユ
ニット12の一方の面から突出させている。また、光学
系ユニット12は、半導体レーザ12aからの光を光学
的に結合するとともにこれに一体化した光ファイバ14
を他方の面から引き出している。光ファイバ4は、パッ
ケージ16からさらに外部に引き出されている。
【0004】また、バタフライパッケージ16は、光学
系ユニット12をカバー17との間に収容する直方体状
のパッケージ本体であり、バタフライ状でしかも複数の
パッケージ電極端子13(13a,13b,13c,1
3d等)を互いに対向する側壁に対して垂直方向に形成
している。バタフライパッケージ16とパッケージ電極
端子13とは一体化されており、これら電極端子13
は、バタフライパッケージ16の側壁の内部方向に1.
5mm程度突出するとともに外部方向にも突出してい
る。
【0005】光学系電極端子11a,11b,11cお
よび11dは、光学系ユニット12をバタフライパッケ
ージ16の底面15に固定する前に、バタフライパッケ
ージ16の対応するパッケージ電極端子13a,13
b,13cおよび13dにほぼ添うように予め整形され
ている。そして、この半導体レーザモジュールでは、光
学系ユニット12をバタフライパッケージ16に固定し
た状態で、電極11aないし11dをこれらに対応する
電極13aないし13dにそれぞれ絡げて半田付け固定
する。これら電極13aないし13dと電極11aない
し11dとの半田付けは、光学系ユニット12の電極端
子11a〜11dをバタフライパッケージ16の電極1
1a〜11dに添うように整形してから行われる。
【0006】図3は、従来の半導体レーザモジュールの
別の例の分解斜視図である。
【0007】この半導体レーザモジュールは、図2の半
導体モジュールとほぼ同じ構造であり、図2と同じ符号
の主要構成要素を備えている。しかし、この半導体モジ
ュールでは、電極端子11aないし11dと電極端子1
3aないし13dとの接続を別の手段で行っている。即
ち、光学系ユニット12の電極端子11aないし11d
の長さを予め3mm程度まで短く切っておき、電極端子
11a〜11dとこれに対応する電極端子13a〜13
dとを銀線18によりそれぞれ接続する。
【0008】図2および図3の半導体レーザモジュール
は、電極端子13aないし13dと電極端子11aない
し11dとを接続した後、バタフライパッケージ9の開
口部をカバー17によって覆い、両者の接触部をシーム
溶接で固定する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述の半導体レーザモ
ジュールにおいて、光学系ユニット用の光学系電極端子
は、一般に約2〜2.54mmのピッチ円直径上に配置
されており、上記光学系ユニットの封入用バタフライパ
ッケージのパッケージ電極端子の端子間ピッチは約2.
5mmである。また、バタフライパッケージの側壁間隔
は11mm程度、光学系ユニットの幅は7mm程度、バ
タフライパッケージ内部へ突出しているパッケージ電極
端子の長さは1.5mm程度の長さである。
【0010】この従来技術を用いた半導体レーザモジュ
ールでは、光学系ユニットとバタフライパッケージとの
電極端子間の結線を、0.5mm程度の隙間を利用し、
半田こてを用いる半田付け作業で行っていたため、この
作業に多くの時間を要し、組立生産性が悪いという問題
があった。
【0011】特に、上述の隙間空間でピンセットを用い
て、光学系ユニットの光学系電極端子をバタフライパッ
ケージの電極端子に絡げたり、銀線を光学系電極端子や
パッケージ電極端子に絡げるという作業は、半田付け品
質が作業者の熟練度に左右されるだけでなく、作業性が
著しく悪いという問題があった。このため、作業空間の
確保およびピンセットを用いた絡げ配線作業の回避が課
題であった。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、気密封止された半導体レーザとこの半導体
レーザから光を受ける光ファイバと前記半導体レーザに
電源および電気信号を入出力する複数の光学系電極端子
とを一体化した光学系ユニットと、前記光学系ユニット
を直方体状の本体内に内蔵するとともにバタフライ状の
パッケージ電極端子を互いに対向する前記本体の側壁に
対して垂直方向に形成するバタフライパッケージとを備
え、前記パッケージ電極端子とこのパッケージ電極端子
に対応する前記光学系電極端子とが、それぞれ接続され
る半導体レーザモジュールにおいて、前記光学系電極端
子に接続されるべき前記パッケージ電極端子の各各が、
前記側壁の内側において前記バタフライパッケージのカ
バー方向に向けて直角に折れ曲がったL字形状を成して
おり、前記パッケージ電極端子に接続されるべき前記光
学系電極端子の各々が、前記バタフライパッケージのカ
バー方向に向けて整形されており、L字形状の前記パッ
ケージ電極端子とこれらに対応する前記光学系電極端子
とが、プリント配線板を介して接続されている。
【0013】前記半導体レーザモジュールは、前記プリ
ント配線板が、L字形状の前記パッケージ電極端子とこ
れらに対応する前記光学系電極端子とを差し込むスルー
ホールと、差し込まれた前記パッケージ電極端子とこれ
らにそれぞれ対応する前記光学系電極端子とを電気的に
接続する配線パターンとを有する構成をとることができ
る。
【0014】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0015】図1は本発明の一実施例の分解斜視図であ
る。
【0016】この半導体モジュールは、予め一体に組み
立てた光学系ユニット6を直方体の外面および内面を有
するバタフライパッケージ4の底面9に半田等により固
定している。光学系ユニット6は、ユニットの内部片端
にキャンパッケージにより気密封止した半導体レーザ6
aを固定しており、この半導体レーザ6aを駆動する電
源を受ける光学系電極端子2aおよび2bと半導体レー
ザ6aの駆動状況をモニタするための光学系電極端子2
cおよび2dを一方の面から突出させている。これらの
合計4本の電極端子2(2aないし2d)は、光学系ユ
ニット6をバタフライパッケージ4の底面9に固定する
前に、バタフライパッケージ4の開口部方向(即ち、カ
バー10の方向)に向けて、予め互いに並列に整形され
ている。また、光学系ユニット6の他方の面には、半導
体レーザ6aからの光を光学的に結合する光ファイバ5
を引き出している。光ファイバ5は半導体レーザ6aの
送出する光を光通信装置等に導く。
【0017】バタフライパッケージ4は、光学系ユニッ
ト6をカバー10との間に収容する直方体状のパッケー
ジ本体であり、バタフライ状でしかも複数のパッケージ
電極端子1(1a,1b,1c,1d等)を互いに対向
する側壁に対して垂直方向に突出させている。ここで、
パッケージ電極端子1のうち、電極1a,1b,1cお
よび1dは、バタフライパッケージ4の側壁内側方向に
おいて、バタフライパッケージ4の開口部方向に向けて
直角に折れ曲がったL字形状を成していることに注意さ
れたい。この半導体モジュールにおいて、パッケージ電
極端子1a,1b,1cおよび1dと光学系電極端子2
a,2b,2cおよび2dとは、符号同順で接続される
べき端子である。
【0018】パッケージ電極端子1a,1b,1cおよ
び1dと光学系電極端子2a,2b,2cおよび2dと
は、プリント基板8,その上に形成した配線パターン7
および配線パターン7とプリント基板8の裏面とを接続
するスルーホール3(3a,3b,3c,3d,3e,
3f,3gおよび3h)からなるプリント配線板を介し
て接続される。
【0019】ここで、プリント基板8は、ガラスエポキ
シ樹脂またはアルミナセラミックスなどの絶縁材ででき
ており、光学系電極端子2a,2b,2cおよび2dと
L字形状のパッケージ電極端子1a,1b,1cおよび
1dの各各の位置と数に合わせたスルーホール3a,3
b,3c,3d,3e,3f3gおよび3hと、配線
パターン7とを設けている。配線パターン7は、光学系
電極端子2a,2b,2cおよび2dとパッケージ電極
端子1a,1b,1c,1dとをそれぞれ符号同順で電
気的に接続できるように、エッチングまたはメタライズ
などの工法で、プリント基板8上に形成する。
【0020】上記プリント配線板は、光学系ユニット6
をバタフライパッケージ4の底面9に固定したあと、カ
バー10方向,つまり、バタフライパッケージ4の開口
部の方向からL字形状のパッケージ電極端子1と光学系
電極端子2とに支えられるように実装する。即ち、プリ
ント基板を8をバタフライパッケージ4に押し込み、プ
リント基板8のスルーホール3a,3b,3c,3d,
3e,3f,3gおよび3hに光学系電極端子2a,2
b,2cおよび2dとパッケージ電極端子1a,1b,
1cおよび1dとを差し込んだのち、上記各電極端子を
プリント基板8に半田固定する。この結果、バタフライ
パッケージ4内部の結線,つまりパッケージ電極端子1
a,1b,1cおよび1dとこれらに対応する光学系電
極端子2a,2b,2cおよび2dとの接続が完了す
る。その後、バタフライパッケージ4の開口部をカバー
10で覆い、この開口部をシーム溶接で固定し、光学系
ユニット6を気密封止する。
【0021】上述のとおり、本実施例の半導体レーザモ
ジュールは、光学系ユニット6をバタフライパッケージ
4の底面9に半田で固定したあと、プリント基板8のス
ルーホール3に、予め互いに並列にバタフライパッケー
ジ4の開口部の方向に向けて整形されている光学系電極
端子2とL字形状のパッケージの電極端子1aないし1
dとを差し込み、上記各電極端子をプリント基板8上で
半田固定することで、バタフライパッケージ4内部の簡
易な結線を可能にしている。
【0022】なお、本実施例の半導体レーザモジュール
は電子冷却素子による冷却をしていないが、本実施例の
構造が電子冷却素子を実装した半導体レーザモジュール
に適用できるのは明らかである。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光学系ユ
ニットの光学系電極端子に接続されるべきバタフライパ
ッケージのパッケージ電極端子の各各が、前記バタフラ
イパッケージの側壁の内側においてこのバタフライパッ
ケージのカバー方向に向けて直角に折れ曲がったL字形
状を成しており、前記パッケージ電極端子に接続される
べき前記光学系電極端子の各各が、前記バタフライパッ
ケージのカバー方向に向けて整形されており、L字形状
の前記パッケージ電極端子とこれらに対応する前記光学
系電極端子とが、プリント配線板を介して接続されてい
るので、前記電極端子を前記プリント配線板のスルーホ
ールに差し込み、前記プリント配線板上で前記各電極端
子を半田固定するという簡易な結線方法をとることが可
能となるという効果がある。
【0024】この効果は、前記バタフライパッケージの
狭い内側空間での半田付け作業を不要とするので、半田
付け品質ならびに半導体レーザモジュールの組立生産性
を向上することができるという効果がある。特にこの組
立作業においては、ピンセットの使用や絡げ作業などを
回避できるため、本発明は、組立作業時間の短縮を図る
ことができ、半導体レーザモジュールの低コスト化を実
現できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体レーザモジュー
ルの分解斜視図である。
【図2】従来の半導体レーザモジュールの一つの分解斜
視図である。
【図3】従来の半導体レーザモジュールの別の一つの分
解斜視図である。
【符号の説明】
1(1a〜1d,…) パッケージ電極端子 2(2a〜2d) 光学系電極端子 3(3a〜3h) スルーホール 4 バタフライパッケージ 5 光ファイバ 6 光学系ユニット 7 配線パターン 8 プリント基板 9 底面 10 カバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−140722(JP,A) 特開 平5−218572(JP,A) 特開 平1−289129(JP,A) 特開 昭61−214594(JP,A) 特開 平3−242986(JP,A) 特開 平5−150146(JP,A) 特開 平3−242986(JP,A) 特開 平2−17863(JP,A) 実開 平2−8162(JP,U)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 気密封止された半導体レーザとこの半導
    体レーザから光を受ける光ファイバと前記半導体レーザ
    に電源および電気信号を入出力する複数の光学系電極端
    子とを一体化した光学系ユニットと、前記光学系ユニッ
    トを直方体状の本体内に内蔵するとともにバタフライ状
    のパッケージ電極端子を互いに対向する前記本体の側壁
    に対して垂直方向に形成するバタフライパッケージとを
    備え、前記パッケージ電極端子とこのパッケージ電極端
    子に対応する前記光学系電極端子とが、それぞれ接続さ
    れる半導体レーザモジュールにおいて、 前記光学系電極端子に接続されるべき前記パッケージ電
    極端子の各各が、前記側壁の内側において前記バタフラ
    イパッケージのカバー方向に向けて直角に折れ曲がった
    L字形状を成しており、 前記パッケージ電極端子に接続されるべき前記光学系電
    極端子の各各が、前記バタフライパッケージのカバー方
    向に向けて整形されており、 L字形状の前記パッケージ電極端子とこれらに対応する
    前記光学系電極端子とが、プリント配線板を介して接続
    されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
  2. 【請求項2】 前記プリント配線板が、L字形状の前記
    パッケージ電極端子とこれらに対応する前記光学系電極
    端子とを差し込むスルーホールと、差し込まれた前記パ
    ッケージ電極端子とこれらにそれぞれ対応する前記光学
    系電極端子とを電気的に接続する配線パターンとを有す
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザモジュ
    ール。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61214594A (ja) * 1985-03-20 1986-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光通信装置
JP2582120B2 (ja) * 1988-05-16 1997-02-19 住友電気工業株式会社 光半導体装置
JPH028162U (ja) * 1988-06-28 1990-01-19
JPH0716304B2 (ja) * 1988-06-30 1995-02-22 日新電機株式会社 インバータ電流制御方式
JPH03242986A (ja) * 1990-02-21 1991-10-29 Hitachi Ltd 半導体レーザモジュール
JP3132868B2 (ja) * 1991-11-29 2001-02-05 アンリツ株式会社 半導体レーザモジュール
JPH05218572A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Nec Corp 半導体レーザモジュール
JP2871976B2 (ja) * 1992-10-23 1999-03-17 日本電気株式会社 半導体レーザモジュール

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