JPS61214594A - 光通信装置 - Google Patents
光通信装置Info
- Publication number
- JPS61214594A JPS61214594A JP5671485A JP5671485A JPS61214594A JP S61214594 A JPS61214594 A JP S61214594A JP 5671485 A JP5671485 A JP 5671485A JP 5671485 A JP5671485 A JP 5671485A JP S61214594 A JPS61214594 A JP S61214594A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- optical communication
- stem
- communication device
- peripheral wall
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信装置に関する。
従来の技術
光通信における光通信装置の一つとして半導体レーザを
含む集積回路素子と光ファイバとを光学的に結合させた
半導体レーザモジュールがある。
含む集積回路素子と光ファイバとを光学的に結合させた
半導体レーザモジュールがある。
従来、半導体レーザモジュールとしては第３図に示すよ
うな構造の半導体レーザ１と光フフイバ２を光学的に結
合させた装置がある。ステム３上に、サブマウント４を
設置し、さらにサブマウント４上に半導体レーザ４をマ
ウントする。光ファイバ２の半導体レーザと対面する片
端は球状にレンズ加工がされて光学的に高効率で結合で
きるよう工夫されている。一方ステム３を貫通させてリ
ード６が互いに絶縁されて取り付けられておシ、ワイヤ
ポンドにより半導体レーザと電気的に接続されている。
うな構造の半導体レーザ１と光フフイバ２を光学的に結
合させた装置がある。ステム３上に、サブマウント４を
設置し、さらにサブマウント４上に半導体レーザ４をマ
ウントする。光ファイバ２の半導体レーザと対面する片
端は球状にレンズ加工がされて光学的に高効率で結合で
きるよう工夫されている。一方ステム３を貫通させてリ
ード６が互いに絶縁されて取り付けられておシ、ワイヤ
ポンドにより半導体レーザと電気的に接続されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、前記リード５は、モジュール全体を光通
信システムに組み入れる場合、半田付は等を行えるよう
に一時的に１儒以上あり、さらに一般に接地されたステ
ムを貫通しているため大きな浮遊容量を持ち、高速動作
の防げとなる。さらにリード５は、リード数が多くなる
と、ステムを貫通してサブマウント４の周囲をかこむよ
うに配置されワイヤボンドを行う際、作業の能率低下を
まねき、かつ今後の集積回路のような多ピンを用する素
子には実装が困難となる。
信システムに組み入れる場合、半田付は等を行えるよう
に一時的に１儒以上あり、さらに一般に接地されたステ
ムを貫通しているため大きな浮遊容量を持ち、高速動作
の防げとなる。さらにリード５は、リード数が多くなる
と、ステムを貫通してサブマウント４の周囲をかこむよ
うに配置されワイヤボンドを行う際、作業の能率低下を
まねき、かつ今後の集積回路のような多ピンを用する素
子には実装が困難となる。
またステム３は、Ｎ ｌ ＋ Ａ ｌまたはそれらの合
金を用いて中央部をくシ抜いて形成されている。モジュ
ール全体を光通信システムに組み入れる場合ステム３に
設けられた穴６を用いてネジ止めを行うが、ネジを締め
ることによりステム３に歪みが生じ、光ファイバ２との
結合効率が低下するという問題があった。光ファイバと
してコア径９μｍのシングルモードファイバを用いた場
合、先端の球レンズ形状の曲率半径は約１０μｍとなり
ステム３の歪みにより半導体レーザーと光ファイバ２の
位置が０．５μｍ程度ずれるだけで光ファイバから取り
出せる光出力が約１０％低下するＱｆ。
金を用いて中央部をくシ抜いて形成されている。モジュ
ール全体を光通信システムに組み入れる場合ステム３に
設けられた穴６を用いてネジ止めを行うが、ネジを締め
ることによりステム３に歪みが生じ、光ファイバ２との
結合効率が低下するという問題があった。光ファイバと
してコア径９μｍのシングルモードファイバを用いた場
合、先端の球レンズ形状の曲率半径は約１０μｍとなり
ステム３の歪みにより半導体レーザーと光ファイバ２の
位置が０．５μｍ程度ずれるだけで光ファイバから取り
出せる光出力が約１０％低下するＱｆ。
間ｒ＋解決するための手段
上記問題を解決する本発明の技術的な手段は、ステムの
主面を構成する材料として強度の大きな金属を用いると
ともに、主面周辺に形成する周壁として誘電率の小さい
絶縁体を用いる。周壁を貫通して配置される複数個のリ
ードは屈曲することなしにステム内部まで達するように
するとともに、リードの貫通する位置を周壁上、本発明
の装置の上面に比較的近接させることによる０ 作 用 この技術的手段による作用は次のようなものである。す
なわち、主面を含むステムの材料の強度が大きくなるこ
とにより、実際の使用に当たりネジ止めを行っても生じ
る歪みが小さくなシ、結合効率の低下が防止できる。ま
た周壁に誘電率の小さい絶縁体を用いることにより、リ
ード相互の絶縁が良くなるとともに、浮遊容量が小さく
なシ高速動作に適した装置が構成できる。さらにリード
の貫通位置は周壁を横切る同一平面内に配置することが
可能となりワイヤボンドを行う際リード側の高さをリー
ド数によらず一定とすることが出来、発光素子を含む集
積回路のような多′数のリード数を要する素子において
も実装の作業効率の低下を招かない。
主面を構成する材料として強度の大きな金属を用いると
ともに、主面周辺に形成する周壁として誘電率の小さい
絶縁体を用いる。周壁を貫通して配置される複数個のリ
ードは屈曲することなしにステム内部まで達するように
するとともに、リードの貫通する位置を周壁上、本発明
の装置の上面に比較的近接させることによる０ 作 用 この技術的手段による作用は次のようなものである。す
なわち、主面を含むステムの材料の強度が大きくなるこ
とにより、実際の使用に当たりネジ止めを行っても生じ
る歪みが小さくなシ、結合効率の低下が防止できる。ま
た周壁に誘電率の小さい絶縁体を用いることにより、リ
ード相互の絶縁が良くなるとともに、浮遊容量が小さく
なシ高速動作に適した装置が構成できる。さらにリード
の貫通位置は周壁を横切る同一平面内に配置することが
可能となりワイヤボンドを行う際リード側の高さをリー
ド数によらず一定とすることが出来、発光素子を含む集
積回路のような多′数のリード数を要する素子において
も実装の作業効率の低下を招かない。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。第１図は本発明の斜視図であり、第２図は本発明の
装置をプリント基板上に半田付けにより取り付けた場合
の断面図である。
る。第１図は本発明の斜視図であり、第２図は本発明の
装置をプリント基板上に半田付けにより取り付けた場合
の断面図である。
第１図において、ステムは主面を含む金属ペース１１と
、絶縁体で形成された周壁１２により構成されている。
、絶縁体で形成された周壁１２により構成されている。
金属ペースとしては、タングステン９０％および銅１０
％を含む合金を材料としている。この材料のヤング率は
３３ Ｘ １０ ” Ｎ／ｙｊであシ、この値はアルミ
ニウム（７Ｘ １０ Ｎ７ｍ” ）の約６倍、黄銅（
１０Ｘ１０”Ｎ７ｍ”）の約３倍の強度である。周壁は
、アルミナを材料として形成されている。
％を含む合金を材料としている。この材料のヤング率は
３３ Ｘ １０ ” Ｎ／ｙｊであシ、この値はアルミ
ニウム（７Ｘ １０ Ｎ７ｍ” ）の約６倍、黄銅（
１０Ｘ１０”Ｎ７ｍ”）の約３倍の強度である。周壁は
、アルミナを材料として形成されている。
アルミナの周壁１２を貫通してリード１３及び周辺リー
ド１４が同一平面内に配置されている。貫通位置は、周
壁１２のうち、対土用のキャップ１５に近接して位置し
ている。光ファイバ１６は、ファイバ芯線１′″ｒと補
強材１８とによシ構成されているが、補強材１８はケプ
ラ押え１９により固定されており光ファイバ１６に外部
から加わる力を吸収している。ファイバ芯線１７は、フ
ァイバフェルール２０内を通り、発光素子を含む集積回
路素子２１に光学的に結合されている。２２は集積回路
素子２１の発光出力をモニタする受光素子である。
ド１４が同一平面内に配置されている。貫通位置は、周
壁１２のうち、対土用のキャップ１５に近接して位置し
ている。光ファイバ１６は、ファイバ芯線１′″ｒと補
強材１８とによシ構成されているが、補強材１８はケプ
ラ押え１９により固定されており光ファイバ１６に外部
から加わる力を吸収している。ファイバ芯線１７は、フ
ァイバフェルール２０内を通り、発光素子を含む集積回
路素子２１に光学的に結合されている。２２は集積回路
素子２１の発光出力をモニタする受光素子である。
光通信システムに使用する場合を示したのが第２図であ
り、銅箔３１により所望の高周波用ストリップライン等
のパターンが形成されているプリント基板３２上に本発
明の装置が上下を逆にして固定されている。内部の構造
は金属ベース１１上にベリリアで形成されたサプマウト
３３が取り付けられており、さらにその上に集積回路素
子２１がダイスボンドされている。集積回路素子２１と
リード１３とは金線３４を用いて電気的に接続されてい
る。リード１３及び周辺リード１４はキャップ１５に近
いところで周壁１２を貫通しているので、少ししなる程
度でプリント基板３２上のストリップラインを形成して
いる銅箔３１に半田付けによシ接続することが出来、特
性インピーダンスと整合させることが可能となる。リー
ド１３は１．２７６（５ｏｎｉｃ）ピッチで通常の高周
波用ＩＣパッケージと共通である。周辺リード１４は、
他のリード１３０両端に計４本配置され、リード１３よ
シ幅が広くなっている。これは周辺リード１４を銅箔に
半田付けすることによシ本発明の装置の固定強度を強め
るとともに周囲四方で接地を施すことによシ高速動作時
における接地電位の安一定に寄与している。
り、銅箔３１により所望の高周波用ストリップライン等
のパターンが形成されているプリント基板３２上に本発
明の装置が上下を逆にして固定されている。内部の構造
は金属ベース１１上にベリリアで形成されたサプマウト
３３が取り付けられており、さらにその上に集積回路素
子２１がダイスボンドされている。集積回路素子２１と
リード１３とは金線３４を用いて電気的に接続されてい
る。リード１３及び周辺リード１４はキャップ１５に近
いところで周壁１２を貫通しているので、少ししなる程
度でプリント基板３２上のストリップラインを形成して
いる銅箔３１に半田付けによシ接続することが出来、特
性インピーダンスと整合させることが可能となる。リー
ド１３は１．２７６（５ｏｎｉｃ）ピッチで通常の高周
波用ＩＣパッケージと共通である。周辺リード１４は、
他のリード１３０両端に計４本配置され、リード１３よ
シ幅が広くなっている。これは周辺リード１４を銅箔に
半田付けすることによシ本発明の装置の固定強度を強め
るとともに周囲四方で接地を施すことによシ高速動作時
における接地電位の安一定に寄与している。
金属ベース１１に接して熱電冷却装置３６、さらに熱電
冷却装置３６に接して放熱器３６が取り付けられており
、金属ベース１１を介して集積回路素子２１の素子温度
を一定に保っている。
冷却装置３６に接して放熱器３６が取り付けられており
、金属ベース１１を介して集積回路素子２１の素子温度
を一定に保っている。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、高速動作に支
障がなく、発光素子の集積化に伴う必要リード数の増大
にも容易に対応出来、ネジ止めに伴う結合効率の低下の
ない光通信装置を得ることが出来る。
障がなく、発光素子の集積化に伴う必要リード数の増大
にも容易に対応出来、ネジ止めに伴う結合効率の低下の
ない光通信装置を得ることが出来る。
さらにステムを金属ベースと絶縁体の周壁との別々に構
成することによシ、金属材料からくシぬいて形成したも
のに比較して安価に製造することが出来る。
成することによシ、金属材料からくシぬいて形成したも
のに比較して安価に製造することが出来る。
第１図は本発明の一実施例における光通信装置の斜視図
、第２図は本発明の光通信装置がプリント基板化に取り
付けられた場合の断面図、第３図は従来の光通信装置を
示す断面図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２．１６−・・・・・光
ファイバ、３・・・・・・ステム、５，１３・・・・・
・リード、１１・・・・・・金属ベース、１２・・・・
・・周壁、１４・・・・・・周辺リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図
、第２図は本発明の光通信装置がプリント基板化に取り
付けられた場合の断面図、第３図は従来の光通信装置を
示す断面図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２．１６−・・・・・光
ファイバ、３・・・・・・ステム、５，１３・・・・・
・リード、１１・・・・・・金属ベース、１２・・・・
・・周壁、１４・・・・・・周辺リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図
Claims (4)
- （１）主面周縁部に周壁を有するステムと、このステム
中央に固定された発光素子と、前記周壁を貫通して内端
を前記発光素子に光結合させた光ファイバと、前記発光
素子と電気的に接続されて取り付けられたリードとを有
し、複数本の前記リードが前記周壁を貫通して前記光フ
ァイバと同一平面内にあるかもしくは前記同一平面と平
行に取り付けられており、かつ前記リードが屈曲するこ
となしに前記周壁を貫通していることを特徴とする光通
信装置。 - （２）リードの貫通位置が光通信装置の下面もしくは上
面に近接した周壁に形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光通信装置。 - （３）ステムのうち主面を構成する材料としてタングス
テン又はタングステン合金を用いることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光通信装置。 - （４）発光素子は気密的に封止されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光通信装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5671485A JPS61214594A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 光通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5671485A JPS61214594A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 光通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214594A true JPS61214594A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=13035147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5671485A Pending JPS61214594A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 光通信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214594A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112389A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザモジユ−ル |
| EP0412528A2 (en) * | 1989-08-11 | 1991-02-13 | Fujitsu Limited | Electronic circuit package and production thereof |
| JPH07335966A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Nec Eng Ltd | 半導体レーザモジュール |
| US5631807A (en) * | 1995-01-20 | 1997-05-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electronic circuit structure with aperture suspended component |
| WO1998035410A1 (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-13 | Coherent, Inc. | Composite laser diode enclosure and method for making the same |
| US6061374A (en) * | 1997-02-07 | 2000-05-09 | Coherent, Inc. | Laser diode integrating enclosure and detector |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5671485A patent/JPS61214594A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112389A (ja) * | 1985-11-12 | 1987-05-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザモジユ−ル |
| EP0412528A2 (en) * | 1989-08-11 | 1991-02-13 | Fujitsu Limited | Electronic circuit package and production thereof |
| JPH07335966A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Nec Eng Ltd | 半導体レーザモジュール |
| US5631807A (en) * | 1995-01-20 | 1997-05-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electronic circuit structure with aperture suspended component |
| US5689600A (en) * | 1995-01-20 | 1997-11-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electronic circuit structure |
| WO1998035410A1 (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-13 | Coherent, Inc. | Composite laser diode enclosure and method for making the same |
| US6027256A (en) * | 1997-02-07 | 2000-02-22 | Coherent, Inc. | Composite laser diode enclosure and method for making the same |
| US6061374A (en) * | 1997-02-07 | 2000-05-09 | Coherent, Inc. | Laser diode integrating enclosure and detector |
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