JPH0964384A - 光半導体装置用フィルムと光半導体装置用アタッチメント - Google Patents

光半導体装置用フィルムと光半導体装置用アタッチメント

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JPH0964384A
JPH0964384A JP7241007A JP24100795A JPH0964384A JP H0964384 A JPH0964384 A JP H0964384A JP 7241007 A JP7241007 A JP 7241007A JP 24100795 A JP24100795 A JP 24100795A JP H0964384 A JPH0964384 A JP H0964384A
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JP
Japan
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optical semiconductor
semiconductor chip
film
insulating film
circuit pattern
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JP7241007A
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Kinji Nagata
欣司 永田
Fumio Miyagawa
文雄 宮川
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光通信用モジュールに用いる光半導体チップ
と半導体チップとを搭載する光半導体装置用フィルムを
得る。 【解決手段】 折曲可能な絶縁フィルム10の表面に、
光半導体チップ20をマウントするマウントパッド22
と、半導体チップ30をダイボンディングするダイパッ
ド32と、光半導体チップ20の電極を半導体チップ3
0の電極に電気的に接続する接続回路パターン40と、
半導体チップ30の電極を外部回路に電気的に接続する
配線回路パターン50と、光半導体チップ20と半導体
チップ30のグランド電極を外部グランド回路に電気的
に接続するグランド回路パターン24と、絶縁フィルム
10の所定箇所を所定角度に折曲した状態に保持するた
めの補強パターン60とを備えて、光半導体装置用フィ
ルムを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用モジュー
ルに用いる受光素子が備えられた光半導体チップ又は発
光素子が備えられた光半導体チップと半導体チップとを
搭載する光半導体装置用フィルムと、該フィルムを用い
て形成した光半導体装置用アタッチメントに関する。
【0002】
【従来の技術】受光素子が1個又は複数個備えられた光
半導体チップ又は発光素子が1個又は複数個備えられた
光半導体チップと半導体チップとを電気的に接続してな
る光通信用モジュールがある。
【0003】この光通信用モジュールにおいては、従来
一般に、光半導体チップを高熱伝導性の銅―タングステ
ン合金、銅―モリブデン合金、アルミニウム合金又はセ
ラミックからなるブロック状をしたサブキャリアにマウ
ントしている。そして、その光半導体チップを光ファイ
バに対向させて配置している。そして、光ファイバから
放射される光を、光半導体チップの受光素子に入射させ
たり、光半導体チップの発光素子から発せられる光を、
光ファイバに入射させたりできるようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記光
通信用モジュールにおいては、光半導体チップをマウン
トするサブキャリアが複雑に入り組んだ形状をしてい
て、その製造に多大な手数と時間を要した。
【0005】また、銅―タングステン合金、銅―モリブ
デン合金又はアルミニウム合金からなるサブキャリア
は、金型を用いて粉末成形したり、切削加工形成したり
しなければならず、その製造に多大な手数と時間を要し
た。
【0006】また、セラミックからなるサブキャリアに
は、その2面以上の周囲側面に亙って、メタライズから
なる配線回路パターン等を備えなければならず、その製
造に多大な手数と時間を要した。
【0007】本発明は、このような課題を解消可能な、
光通信用モジュールに用いる光半導体チップと半導体チ
ップとを搭載する光半導体装置用フィルム(以下、フィ
ルムという)と、該フィルムを用いて形成した光半導体
装置用アタッチメント(以下、アタッチメントという)
とを提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1のフィルムは、折曲可能な絶縁フィル
ムの表面に、受光素子が備えられた光半導体チップ又は
発光素子が備えられた光半導体チップをマウントするマ
ウントパッドと、半導体チップをダイボンディングする
ダイパッドと、前記光半導体チップの電極を前記半導体
チップの電極に電気的に接続する接続回路パターンと、
前記半導体チップの電極を外部回路に電気的に接続する
配線回路パターンと、前記光半導体チップのグランド電
極を外部グランド回路に電気的に接続するグランド回路
パターンと、前記半導体チップのグランド電極を外部グ
ランド回路に電気的に接続するグランド回路パターン
と、前記絶縁フィルムの所定箇所を所定角度に折曲した
状態に保持するための補強パターンとを備えてなること
を特徴としている。
【0009】本発明の第1のフィルムにおいては、所定
角度に折曲した状態に保持する絶縁フィルムの所定箇所
の裏面に断面がほぼV字状をなす切り込みを設けた構造
とすることを好適としている。そして、絶縁フィルムの
所定箇所を、絶縁フィルムの持つスティフネスに抗し
て、所定角度に的確に折曲できるようにすることを好適
としている。
【0010】本発明の第2のフィルムは、本発明の第1
のフィルムにおいて、補強パターンを、絶縁フィルムの
表面に代えて、該フィルムの裏面に備えたことを特徴と
している。そして、所定角度に折曲した状態に保持する
絶縁フィルムの所定箇所の裏面に切り込みを設けないよ
うにしている。
【0011】本発明の第3のフィルムは、本発明の第1
又は第2のフィルムにおいて、絶縁フィルムの表面に光
半導体チップの発光素子から発せられる光を通過させる
窓を開口したことを特徴としている。
【0012】本発明の第3のフィルムにおいて、窓を開
口する絶縁フィルム部分の表面又はその裏面に補強パタ
ーンが備えられている場合には、窓を絶縁フィルムの表
面に補強パターンを貫通させて開口した構造とすること
を好適としている。そして、光が、補強パターンに妨げ
られずに、窓を通過できるようにすることを好適として
いる。
【0013】本発明の第1のアタッチメントは、本発明
の第1又は第2のフィルムのマウントパッドに受光素子
が備えられた光半導体チップをマウントし、前記第1又
は第2のフィルムのダイパッドに半導体チップをダイボ
ンディングし、該半導体チップの電極を前記光半導体チ
ップの電極に前記第1又は第2のフィルムの接続回路パ
ターンを介して電気的に接続し、前記半導体チップの電
極を前記第1又は第2のフィルムの配線回路パターンに
電気的に接続し、前記光半導体チップのグランド電極と
前記半導体チップのグランド電極とを前記第1又は第2
のフィルムのグランド回路パターンに電気的に接続し、
前記第1又は第2のフィルムの絶縁フィルムの所定箇所
を、該フィルムの所定箇所の表面又はその裏面に備えら
れた補強パターン、又はそれに加えて該フィルムの所定
箇所の表面に備えられた接続回路パターン、配線回路パ
ターン又はグランド回路パターンと共に、折曲して、前
記光半導体チップをマウントしたマウントパッドが備え
られた前記絶縁フィルム部分を斜め上下方向に起立させ
て、該フィルム部分の外側に前記光半導体チップを配置
し、前記絶縁フィルムの両端を横に向けて配置したこと
を特徴としている。
【0014】本発明の第1のアタッチメントにおいて
は、絶縁フィルムの両端を除いた絶縁フィルム部分を、
該フィルム部分の表面又はその裏面に備えられた補強パ
ターン、又はそれに加えて該フィルム部分の表面に備え
られた接続回路パターン、配線回路パターン又はグラン
ド回路パターンと共に、側面から見てほぼ台形状に上方
に折曲して、前記絶縁フィルムの斜め上下方向を向く絶
縁フィルム部分の外側に光半導体チップを配置した構造
とすることを好適としている。
【0015】又は、マウントパッドが備えられた絶縁フ
ィルム部分とそれに続く絶縁フィルム部分とを、該フィ
ルム部分の表面又はその裏面に備えられた補強パター
ン、又はそれに加えて該フィルム部分の表面に備えられ
た接続回路パターン、配線回路パターン又はグランド回
路パターンと共に、側面から見てほぼ逆V字状に上方に
折曲して、前記絶縁フィルムの斜め上下方向を向く絶縁
フィルム部分の外側に光半導体チップを配置した構造と
することを好適としている。
【0016】本発明の第2のアタッチメントは、本発明
の第1又は第2のフィルムのマウントパッドに発光素子
が備えられた光半導体チップをマウントし、前記第1又
は第2のフィルムのダイパッドに半導体チップをダイボ
ンディングし、該半導体チップの電極を前記光半導体チ
ップの電極に前記第1又は第2のフィルムの接続回路パ
ターンを介して電気的に接続し、前記半導体チップの電
極を前記第1又は第2のフィルムの配線回路パターンに
電気的に接続し、前記光半導体チップのグランド電極と
前記半導体チップのグランド電極とを前記第1又は第2
のフィルムのグランド回路パターンに電気的に接続し、
前記第1又は第2のフィルムの絶縁フィルムの所定箇所
を、該フィルムの所定箇所の表面又はその裏面に備えら
れた補強パターン、又はそれに加えて該フィルムの所定
箇所の表面に備えられた接続回路パターン、配線回路パ
ターン又はグランド回路パターンと共に、折曲して、前
記マウントパッドが備えられた絶縁フィルム部分を前記
絶縁フィルムの上方に突出させて、該フィルム部分の外
側に前記光半導体チップを配置し、前記絶縁フィルムの
両端を横に向けて配置したことを特徴としている。
【0017】本発明の第2のアタッチメントにおいて
は、絶縁フィルムの両端を除いた絶縁フィルム部分を、
該フィルム部分の表面又はその裏面に備えられた補強パ
ターン、又はそれに加えて該フィルム部分の表面に備え
られた接続回路パターン、配線回路パターン又はグラン
ド回路パターンと共に、側面から見てほぼ台形状に上方
に折曲して、前記絶縁フィルムの上方に突出させた絶縁
フィルム部分の外側に光半導体チップを配置した構造と
することを好適としている。
【0018】本発明の第3のアタッチメントは、本発明
の第3のフィルムのマウントパッドに発光素子が備えら
れた光半導体チップをマウントし、前記第3のフィルム
のダイパッドに半導体チップをダイボンディングし、該
半導体チップの電極を前記光半導体チップの電極に前記
第3のフィルムの接続回路パターンを介して電気的に接
続し、前記半導体チップの電極を前記第3のフィルムの
配線回路パターンに電気的に接続し、前記光半導体チッ
プのグランド電極と前記半導体チップのグランド電極と
を前記第3のフィルムのグランド回路パターンに電気的
に接続し、前記第3のフィルムの絶縁フィルムの所定箇
所を、該フィルムの所定箇所の表面又はその裏面に備え
られた補強パターン、又はそれに加えて該フィルムの所
定箇所の表面に備えられた接続回路パターン、配線回路
パターン又はグランド回路パターンと共に、折曲して、
前記マウントパッドが備えられた絶縁フィルム部分を前
記絶縁フィルムの下方に突出させて、該フィルム部分の
内側に前記光半導体チップを配置し、前記第3のフィル
ムの窓が開口された絶縁フィルム部分を斜め上下方向に
起立させて、前記光半導体チップを前記窓に対向させ、
前記絶縁フィルムの両端を横に向けて配置したことを特
徴としている。
【0019】本発明の第3のアタッチメントにおいて
は、絶縁フィルムの両端を除いた絶縁フィルム部分を、
該フィルム部分の表面又はその裏面に備えられた補強パ
ターン、又はそれに加えて該フィルム部分の表面に備え
られた接続回路パターン、配線回路パターン又はグラン
ド回路パターンと共に、側面から見てほぼ台形状に下方
に折曲して、前記絶縁フィルムの下方に突出させた絶縁
フィルム部分の内側に光半導体チップを配置し、該光半
導体チップを斜め上下方向を向く前記絶縁フィルム部分
に開口された窓に対向させた構造とすることを好適とし
ている。
【0020】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。図1と図2は受光素子が備えられた光
半導体チップと半導体チップとを搭載する本発明の第1
のフィルムの好適な実施の形態を示し、図1はその平面
図、図2はその側面図である。以下に、この第1のフィ
ルムを説明する。
【0021】図において、10は、折曲可能な絶縁フィ
ルムであって、フレキシブルな薄手のポリイミド樹脂、
エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等で形成している。
【0022】絶縁フィルム10の表面には、受光素子が
備えられた光半導体チップ20をマウントするマウント
パッド22と、半導体チップ30をダイボンディングす
るダイパッド32と、光半導体チップ20の電極を半導
体チップ30の電極に電気的に接続する接続回路パター
ン40と、半導体チップ30の電極を外部回路(図示せ
ず)に電気的に接続する配線回路パターン50と、光半
導体チップ20のグランド電極を外部グランド回路(図
示せず)に電気的に接続するグランド回路パターン24
と、半導体チップ30のグランド電極を外部グランド回
路(図示せず)に電気的に接続するグランド回路パター
ン24と、絶縁フィルム10の所定箇所を所定角度に折
曲した状態に保持するための補強パターン60とを備え
ている。
【0023】具体的には、ほぼ方形状をなす絶縁フィル
ム10の右側表面に、方形状をなすマウントパッド22
を縦に長く備えている。
【0024】絶縁フィルム10の中央表面には、方形状
をなすダイパッド32を幅広く備えている。
【0025】マウントパッド22とダイパッド32との
間に位置する絶縁フィルム10の表面には、細帯状の接
続回路パターン40を複数本ほぼ横に並べて備えてい
る。
【0026】絶縁フィルム10の左側表面には、帯状の
配線回路パターン50を複数本ほぼ横に並べて備えてい
る。
【0027】絶縁フィルム10の上下の中途部表面に
は、光半導体チップ20のグランド電極と半導体チップ
30のグランド電極とを外部グランド回路に電気的に接
続する帯状のグランド回路パターン24を備えている。
グランド回路パターン24は、その一部をマウントパッ
ド22とダイパッド32とに連ねて備えている。そし
て、マウントパッド22にマウントした光半導体チップ
20の底部のグランド電極と、ダイパッド32にマウン
トした半導体チップ30の底部のグランド電極とを、グ
ランド回路パターン24を介して、外部グランド回路に
電気的に接続できるようにしている。
【0028】絶縁フィルム10の上下の側部表面には、
塑性変形可能な補強パターン60を帯状に連続して横に
長く備えている。そして、絶縁フィルム10の所定箇所
を塑性変形させた補強パターン60を用いて所定角度に
折曲した状態に保持できるようにしている。
【0029】マウントパッド22とダイパッド32と接
続回路パターン40と配線回路パターン50とグランド
回路パターン24とは、絶縁フィルム10の表面に被着
した銅等からなる金属箔(図示せず)又は絶縁フィルム
10の表面にめっき法、スパッタリング法等により形成
した金属層(図示せず)をエッチング加工して、絶縁フ
ィルム10の表面に備えている。
【0030】補強パターン60は、塑性変形可能な厚手
のコバール(鉄―コバルト―ニッケル合金)、42アロ
イ(鉄―ニッケル合金)、銅等からなる金属板で形成し
ている。補強パターン60は、絶縁フィルム10の側部
表面に接着剤等を用いて被着している。
【0031】加えて、図の第1のフィルムでは、図2に
示したように、所定角度に折曲した状態に保持する絶縁
フィルム10の所定箇所の裏面に、断面がほぼV字状を
なす切り込み80を設けている。そして、その絶縁フィ
ルム10の所定箇所を、絶縁フィルム10の持つスティ
フネスに抗して、絶縁フィルム10の表側又はその裏側
に容易かつ的確に折曲することができるようにしてい
る。
【0032】図1と図2に示した第1のフィルムは、以
上のように構成している。
【0033】次に、この第1のフィルムを用いて形成し
た、本発明の第1のアタッチメントについて説明する。
【0034】図3又は図4は受光素子が備えられた光半
導体チップと半導体チップとを搭載してなる本発明の第
1のアタッチメントの好適な実施の形態を示し、詳しく
はその使用状態を示す側面図である。以下に、この第1
のアタッチメントを説明する。
【0035】図の第1のアタッチメントでは、図1に一
点鎖線で示したように、マウントパッド22に受光素子
が備えられた光半導体チップ20をマウントしている。
そして、光半導体チップ20の底部のグランド電極をマ
ウントパッド22に電気的に接続している。
【0036】光半導体チップ20の電極は、その近くの
接続回路パターン40にワイヤ100等を介して電気的
に接続している。
【0037】ダイパッド32には、半導体チップ30を
ダイボンディングしている。そして、半導体チップ30
の底部のグランド電極を、ダイパッド32に電気的に接
続している。
【0038】半導体チップ30の電極は、その近くの接
続回路パターン40と配線回路パターン50とにワイヤ
100等を介して電気的に接続している。そして、光半
導体チップ20の電極と半導体チップ30の電極とを接
続回路パターン40を介して電気的に接続している。
【0039】これらの光半導体チップ20をマウントパ
ッド22にマウントしたり、光半導体チップ20の電極
を接続回路パターン40に電気的に接続したり、半導体
チップ30をダイパッド32にダイボンディングした
り、半導体チップ30の電極を接続回路パターン40と
配線回路パターン50とに電気的に接続したりする作業
は、図1に示した第1のフィルムを、図3又は図4に示
したように折曲する前に行うようにしている。
【0040】その理由は、マウントパッド22とダイパ
ッド32とを水平な状態に保つことができるからであ
る。そして、マウントパッド22に光半導体チップ20
を的確にマウントしたり、ダイパッド32に半導体チッ
プ30を的確にダイボンディングしたりできるからであ
る。
【0041】また、マウントパッド22にマウントした
光半導体チップ20の電極上面とダイパッド32にダイ
ボンディングした半導体チップ30の電極上面と接続回
路パターン40表面と配線回路パターン50表面とを互
いに平行な状態に保つことができるからである。そし
て、光半導体チップ20の電極を接続回路パターン40
にワイヤボンディング装置を用いて容易かつ的確に電気
的に接続したり、半導体チップ30の電極を接続回路パ
ターン40と配線回路パターン50とにワイヤボンディ
ング装置を用いて容易かつ的確に電気的に接続したりで
きるからである。
【0042】図1に示した第1のフィルムの絶縁フィル
ム10の所定箇所(破線で示した箇所等)は、該フィル
ム10の所定箇所の表面又はその裏面(図では、表面と
している)に備えられた補強パターン60、又は該フィ
ルム10の所定箇所の表面に備えられた接続回路パター
ン40、配線回路パターン50又はグランド回路パター
ン24と共に、その外側又はその内側に折曲している。
そして、絶縁フィルム10の所定箇所を塑性変形させた
補強パターン60を用いて所定角度に折曲した状態に保
持している。
【0043】具体的には、図3に示したように、絶縁フ
ィルムの両端10cを除いた絶縁フィルム部分10a、
10bを、該フィルム部分10a、10bの表面に備え
られた補強パターン60、それに加えて該フィルム部分
10a、10bの表面に備えられた接続回路パターン4
0と配線回路パターン50とグランド回路パターン24
と共に、側面から見てほぼ台形状に上方に折曲してい
る。そして、マウントパッド22が備えられた絶縁フィ
ルム部分10aを、斜め上下方向に起立させている。そ
して、その絶縁フィルム部分10aの外側に、マウント
パッド22にマウントした光半導体チップ20を配置し
ている。
【0044】又は、図4に示したように、マウントパッ
ド22が備えられた絶縁フィルム部分10dとそれに連
なる絶縁フィルム部分10eとを、該フィルム部分10
d、10eの表面に備えられた補強パターン60、それ
に加えて該フィルム部分10d、10eの表面に備えら
れた接続回路パターン40とグランド回路パターン24
と共に、側面から見てほぼ逆V字状に上方に折曲してい
る。そして、マウントパッド22が備えられた絶縁フィ
ルム部分10dを、斜め上下方向に起立させている。そ
して、その絶縁フィルム部分10dの外側に、マウント
パッド22にマウントした光半導体チップ20を配置し
ている。
【0045】絶縁フィルムの両端10cは、横に向けて
配置している。
【0046】絶縁フィルム10の所定箇所を折曲させる
際には、該フィルム10の所定箇所の裏面に設けられた
切り込み80に沿って、絶縁フィルム10の所定箇所
を、絶縁フィルム10の持つスティフネスに抗して、絶
縁フィルム10の表側又はその裏側に所定角度に折曲し
ている。
【0047】図3又は図4に示した本発明の第1のアタ
ッチメントは、以上のように構成している。
【0048】次に、これらの第1のアタッチメントの使
用例並びにその作用を説明する。
【0049】絶縁フィルムの両端10cを、図3又は図
4に示したように、その底面を基板90上に密着させて
固定する。
【0050】その際には、図1に示したように、絶縁フ
ィルムの両端10cの表面に透孔110を補強パターン
60を貫通させて設けておき、該孔110に挿通したね
じ(図示せず)の先端を基板90に螺着等すると良い。
そして、絶縁フィルム10を基板90上にねじを用いて
動かぬように固定すると良い。
【0051】なお、絶縁フィルムの両端10cは、接着
剤を用いて基板90上に固定しても良い。
【0052】配線回路パターン50とグランド回路パタ
ーン24とは、その近くの基板90上に備えられた外部
回路(図示せず)と外部グランド回路94とにワイヤ1
00等を介して電気的に接続する。
【0053】その後、光ファイバ(図示せず)を光半導
体チップ20に対向させて配置して、光ファイバから光
を光半導体チップ20方向に放射させる。
【0054】すると、その光ファイバから放射されて光
半導体チップ20に入射する光で、光半導体チップ20
に備えられた受光素子に電流が発生する。そして、その
受光素子に生じた電流が、接続回路パターン40を通し
て、半導体チップ30に伝えられる。そして、その電流
が半導体チップ30で処理されて、その処理信号が、半
導体チップ30から、配線回路パターン50を通して、
外部回路に伝えられる。
【0055】図5と図6は受光素子が備えられた光半導
体チップを搭載する本発明の第2のフィルムの好適な実
施の形態を示し、図5はその平面図、図6はその側面図
である。以下に、この第2のフィルムを説明する。
【0056】図の第2のフィルムにおいては、補強パタ
ーン60を、絶縁フィルム10の表面に代えて、絶縁フ
ィルム10の裏面に板状に広く連続して備えている。
【0057】補強パターン60は、前述コバール、42
アロイ、銅等からなる塑性変形可能な厚手の金属板で形
成している。補強パターン60は、絶縁フィルム10の
裏面に接着剤等を用いて被着している。そして、絶縁フ
ィルム10の所定箇所を、該フィルム10の所定箇所の
裏面に備えられた補強パターン60と共に、所定角度に
折曲して、絶縁フィルム10の所定箇所を塑性変形させ
た補強パターン60を用いて所定角度に折曲した状態に
保持できるようにしている。
【0058】また、補強パターン60を外部グランド回
路(図示せず)に電気的に接続して、補強パターン60
をグランドプレーンとして用いることができるようにし
ている。そして、補強パターン60の上方に位置する絶
縁フィルム10の表面に備えられた接続回路パターン4
0又は配線回路パターン50をマイクロストリップ線路
に形成して、それらのパターン40、50の特性インピ
ーダンスを一定値にマッチングさせることができるよう
にしている。そして、それらのパターン40、50に高
周波信号を伝送損失少なく伝えることができるようにし
ている。
【0059】この第2のフィルムでは、所定角度に折曲
した状態に保持する絶縁フィルム10の所定箇所の裏面
に、前述の切り込み80を設けぬようにしている。そし
て、絶縁フィルム10の所定箇所の裏面に切り込み80
を設けたために、補強パターン60が左右に分断されて
しまうのを防いでいる。そして、絶縁フィルム10の所
定箇所を補強パターン60を用いて所定角度に折曲した
状態に的確に保持できなくなったり、補強パターン60
の一部をグランドプレーン化できなくなったりするのを
防いでいる。
【0060】その他は、前述図1と図2に示した第1の
フィルムと同様に構成している。
【0061】なお、図5と図6に示した第2のフィルム
においては、補強パターン60を、絶縁フィルム10の
裏面の側部等に横方向に帯状に長く連続して備えても良
い。そして、絶縁フィルム10の所定箇所を、該フィル
ム10の所定箇所の裏面に備えられた帯状の補強パター
ン60と共に、折曲して、絶縁フィルム10の所定箇所
を塑性変形させた補強パターン60を用いて所定角度に
折曲した状態に保持できるようにしても良い。
【0062】次に、この第2のフィルムを用いて形成し
た、本発明の第1のアタッチメントについて説明する。
【0063】図7は受光素子が備えられた光半導体チッ
プと半導体チップとを搭載してなる本発明の第1のアタ
ッチメントの好適な実施の形態を示し、詳しくはその使
用状態を示す側面図である。以下に、この第1のアタッ
チメントを説明する。
【0064】図の第1のアタッチメントでは、図5に示
した第2のフィルムの絶縁フィルム10の所定箇所(破
線で示した箇所)を、該フィルム10の所定箇所の表面
又はその裏面(図では、裏面としている)に備えられた
補強パターン60、又はそれに加えて該フィルム10の
所定箇所の表面に備えられた接続回路パターン40、配
線回路パターン50又はグランド回路パターン24と共
に、その外側又はその内側に折曲している。そして、絶
縁フィルム10の所定箇所を塑性変形させた補強パター
ン60を用いて所定角度に折曲した状態に保持してい
る。
【0065】具体的には、図7に示したように、絶縁フ
ィルムの両端10cを除いた絶縁フィルム部分10a、
10bを、該フィルム部分10a、10bの裏面に備え
られた補強パターン60、それに加えて該フィルム部分
10a、10bの表面に備えられた接続回路パターン4
0と配線回路パターン50とグランド回路パターン24
と共に、側面から見てほぼ台形状に上方に折曲してい
る。そして、マウントパッド22が備えられた絶縁フィ
ルム部分10aを、斜め上下方向に起立させている。そ
して、その絶縁フィルム部分10aの外側に、マウント
パッド22にマウントした光半導体チップ20を配置し
ている。
【0066】絶縁フィルムの両端10cは、横に向けて
配置している。
【0067】その他は、前述図3に示した第1のアタッ
チメントと同様に構成している。
【0068】次に、この第1のアタッチメントの使用例
並びにその作用を説明する。
【0069】図7に示したように、絶縁フィルムの両端
10cの裏面に備えられた補強パターン60部分を、基
板90上に備えられた外部グランド回路94にろう付け
等により接合する。そして、絶縁フィルムの両端10c
を外部グランド回路94を介して基板90上に固定す
る。それと共に、補強パターン60を外部グランド回路
94に電気的に接続して、補強パターン60をグランド
プレーンとして用いる。
【0070】それ以外は、前述図3に示した第1のアタ
ッチメントと同様であり、その説明を省略する。
【0071】図8と図9は発光素子が備えられた光半導
体チップと半導体チップとを搭載する本発明の第1のフ
ィルムの好適な実施の形態を示し、図8はその平面図、
図9はその側面図である。以下に、この第1のフィルム
を説明する。
【0072】図の第1のフィルムでは、発光素子が備え
られた光半導体チップ20をマウントするマウントパッ
ド22を、ダイパッド32近くの絶縁フィルム10の中
央の右側表面に備えている。また、それに合わせて、絶
縁フィルム10の中央表面に接続回路パターン40を複
数本ほぼ横に短く並べて備えている。
【0073】その他は、前述図1と図2に示した第1の
フィルムと同様に構成している。
【0074】次に、この第1のフィルムを用いて形成し
た、本発明の第2のアタッチメントについて説明する。
【0075】図10は発光素子が備えられた光半導体チ
ップと半導体チップとを搭載してなる本発明の第2のア
タッチメントの好適な実施の形態を示し、詳しくはその
使用状態を示す側面図である。以下に、この第2のアタ
ッチメントを説明する。
【0076】図の第2のアタッチメントでは、図8に一
点鎖線で示したように、第1のフィルムのマウントパッ
ド22に発光素子が備えられた光半導体チップ20をマ
ウントしている。そして、光半導体チップ20の底部の
グランド電極をマウントパッド22に電気的に接続して
いる。光半導体チップ20の電極は、その近くの接続回
路パターン40にワイヤ100等を介して電気的に接続
している。
【0077】ダイパッド32には、半導体チップ30を
ダイボンディングしている。そして、半導体チップ30
の底部のグランド電極をダイパッド32に電気的に接続
している。半導体チップ30の電極は、その近くの接続
回路パターン40と配線回路パターン50とにワイヤ1
00等を介して電気的に接続している。
【0078】これらの光半導体チップ20をマウントパ
ッド22にマウントしたり、光半導体チップ20の電極
を接続回路パターン40に電気的に接続したり、半導体
チップ30をダイパッド32にダイボンディングした
り、半導体チップ30の電極を接続回路パターン40と
配線回路パターン50とに電気的に接続したりする作業
は、図8に示した第1のフィルムを、図10に示したよ
うに折曲する前に行うようにしている。
【0079】その理由は、前述の通りである。
【0080】図8に示した第1のフィルムの絶縁フィル
ム10の所定箇所(破線で示した箇所)は、該フィルム
10の所定箇所の表面又はその裏面(図では、表面とし
ている)に備えられた補強パターン60、又はそれに加
えて該フィルム10の所定箇所の表面に備えられた接続
回路パターン40、配線回路パターン50又はグランド
回路パターン24と共に、その内側又はその外側に折曲
している。そして、絶縁フィルム10の所定箇所を塑性
変形させた補強パターン60を用いて所定角度に折曲し
た状態に保持している。そして、マウントパッド22が
備えられた絶縁フィルム部分10bを、絶縁フィルム1
0の上方に横に向けて突出させている。そして、その絶
縁フィルム部分10bの外側に、マウントパッド22に
マウントした光半導体チップ20を配置している。
【0081】具体的には、図10に示したように、絶縁
フィルムの両端10cを除いた絶縁フィルム部分10
a、10bを、該フィルム部分10a、10bの表面に
備えられた補強パターン60、それに加えて該フィルム
部分10a、10bの表面に備えられた配線回路パター
ン50とグランド回路パターン24と共に、側面から見
てほぼ台形状に上方に折曲している。そして、絶縁フィ
ルム10の上方に横に向けて突出させた絶縁フィルム部
分10bの外側に、マウントパッド22にマウントした
光半導体チップ20を配置している。
【0082】絶縁フィルムの両端10cは、横に向けて
配置している。
【0083】図10に示した第2のアタッチメントは、
以上のように構成している。
【0084】次に、この第2のアタッチメントの使用例
並びにその作用を説明する。
【0085】図10に示したように、絶縁フィルムの両
端10cを、基板90上に密着させて動かぬように固定
する。
【0086】配線回路パターン50とグランド回路パタ
ーン24とは、基板90上に備えられた外部回路(図示
せず)と外部グランド回路94とにワイヤ100等を用
いて電気的に接続する。
【0087】その後、配線回路パターン50とグランド
回路パターン24とを通して、半導体チップ30にバイ
アス電圧を印加する。そして、光半導体チップ20に閾
値電流以上の電流を流す。
【0088】すると、光半導体チップ20に備えられた
発光素子が発振して、発光素子から光が発せられる。そ
して、その光が、発光素子に対向させて配置された光フ
ァイバ(図示せず)に伝えられる。
【0089】図11と図12は発光素子が備えられた光
半導体チップと半導体チップとを搭載する本発明の第3
のフィルムの好適な実施の形態を示し、図11はその平
面図、図12はその側面図である。以下に、この第3の
フィルムを説明する。
【0090】図の第3のフィルムでは、絶縁フィルム1
0の右側表面に、方形状の窓120を縦に長く備えてい
る。
【0091】その他は、前述図8と図9に示した第1の
フィルムと同様に構成している。
【0092】次に、この第3のフィルムを用いて形成し
た、本発明の第3のアタッチメントについて説明する。
【0093】図13と図14は発光素子が備えられた光
半導体チップと半導体チップとを搭載してなる本発明の
第3のアタッチメントの好適な実施の形態を示し、図1
3はその平面図、図14はその使用状態を示す側面図で
ある。以下に、この第3のアタッチメントを説明する。
【0094】図の第3のアタッチメントでは、図11に
示した第3のフィルムの絶縁フィルム10の所定箇所
(破線で示した箇所)を、該フィルム10の所定箇所の
表面又はその裏面(図では、表面としている)に備えら
れた補強パターン60、又はそれに加えて該フィルム1
0の所定箇所の表面に備えられた接続回路パターン4
0、配線回路パターン50又はグランド回路パターン2
4と共に、その外側又はその内側に折曲している。そし
て、絶縁フィルム10の所定箇所を塑性変形させた補強
パターン60を用いて所定角度に折曲した状態に保持し
ている。そして、マウントパッド22が備えられた絶縁
フィルム部分10bを、絶縁フィルム10の下方に横に
向けて突出させている。そして、その絶縁フィルム部分
10bの内側に、マウントパッド22にマウントした光
半導体チップ20を配置している。
【0095】具体的には、図14に示したように、絶縁
フィルムの両端10cを除いた絶縁フィルム部分10
a、10bを、該フィルム部分10a、10bの表面に
備えられた補強パターン60、それに加えて該フィルム
部分10a、10bの表面に備えられた配線回路パター
ン50とグランド回路パターン24と共に、側面から見
てほぼ台形状に下方に折曲している。そして、絶縁フィ
ルム10の下方に横に向けて突出させた絶縁フィルム部
分10bの内側に、マウントパッド22にマウントした
光半導体チップ20を配置している。
【0096】窓120が開口された絶縁フィルム部分1
0aは、斜め上下方向に起立させている。そして、マウ
ントパッド22にマウントした光半導体チップ20を窓
120に対向させている。
【0097】絶縁フィルムの両端10cは、横に向けて
配置している。
【0098】その他は、前述図10に示した第2のアタ
ッチメントと同様に構成している。
【0099】次に、この第3のアタッチメントの使用例
並びにその作用を説明する。
【0100】図14に示したように、絶縁フィルムの一
方の端部10cの底面に備えられた配線回路パターン5
0とグランド回路パターン24とを、基板90上に備え
られた外部回路(図示せず)と外部グランド回路94と
にろう付け等により接合する。そして、絶縁フィルムの
一方の端部10cを、基板90上に外部回路と外部グラ
ンド回路94とを介して動かぬように固定する。それと
共に、配線回路パターン50とグランド回路パターン2
4とを、外部回路と外部グランド回路94とにワイヤ1
00等を介して電気的に接続する。
【0101】絶縁フィルムの他方の端部10cは、基板
90上に密着させて動かぬように固定する。
【0102】その後、光半導体チップ20に閾値電流以
上の電流を流す。
【0103】すると、光半導体チップ20に備えられた
発光素子が発振して、発光素子から光が発せられる。そ
して、その光が、光半導体チップ20に対向する窓12
0を通して、絶縁フィルム10の外方に伝えられる。
【0104】それ以外は、前述図10に示した第2のア
タッチメントと同様であり、その説明を省略する。
【0105】図15と図16は発光素子が備えられた光
半導体チップと半導体チップとを搭載する本発明の第3
のフィルムの他の好適な実施の形態を示し、図15はそ
の平面図、図16はその側面図である。以下に、この第
3のフィルムを説明する。
【0106】図の第3のフィルムでは、補強パターン6
0を、絶縁フィルム10の表面に代えて、絶縁フィルム
10の裏面に板状に広く連続して備えている。
【0107】補強パターン60は、前述コバール、42
アロイ、銅等からなる塑性変形可能な厚手の金属板で形
成していて、絶縁フィルム10の裏面に接着剤等を用い
て被着している。そして、補強パターン60を後述の外
部グランド回路94に電気的に接続することにより、補
強パターン60をグランドプレーンとして用いることが
できるようにしている。そして、補強パターン60の上
方に位置する絶縁フィルム10の表面に備えられた接続
回路パターン40又は配線回路パターン50を、マイク
ロストリップ線路に形成して、それらのパターン40、
50の特性インピーダンスを一定値にマッチングさせる
ことができるようにしている。そして、それらのパター
ン40、50に高周波信号を伝送損失少なく伝えること
ができるようにしている。
【0108】窓120は、絶縁フィルム10の右側表面
に、該フィルム部分10aの裏面に備えられた補強パタ
ーン60を貫通させて、開口している。
【0109】その他は、前述図11と図12に示した第
3のフィルムと同様に構成している。
【0110】次に、この第3のフィルムを用いて形成し
た、本発明の第3のアタッチメントについて説明する。
【0111】図17は発光素子が備えられた光半導体チ
ップと半導体チップとを搭載してなる本発明の第3のア
タッチメントの好適な実施の形態を示し、詳しくはその
使用状態を示す側面図である。以下に、この第3のアタ
ッチメントを説明する。
【0112】図の第3のアタッチメントでは、図15に
示した第3のフィルムの絶縁フィルム10の所定箇所
(破線で示した箇所)を、該フィルム10の所定箇所の
表面又はその裏面(図では、裏面としている)に備えら
れた補強パターン60、又はそれに加えて該フィルム1
0の所定箇所の表面に備えられた接続回路パターン4
0、配線回路パターン50又はグランド回路パターン2
4と共に、その内側又はその外側に折曲している。そし
て、絶縁フィルム10の所定箇所を塑性変形させた補強
パターン60を用いて所定角度に折曲した状態に保持し
ている。そして、マウントパッド22が備えられた絶縁
フィルム部分10bを、絶縁フィルム10の下方に横に
向けて突出させている。そして、その絶縁フィルム部分
10bの内側に、マウントパッド22にマウントした光
半導体チップ20を配置している。
【0113】具体的には、図17に示したように、絶縁
フィルムの両端10cを除いた絶縁フィルム部分10
a、10bを、該フィルム部分10a、10bの裏面に
備えられた補強パターン60、それに加えて該フィルム
部分10a、10bの表面に備えられた配線回路パター
ン50とグランド回路パターン24と共に、側面から見
てほぼ台形状に下方に折曲している。そして、絶縁フィ
ルム10の下方に横に向けて突出させた絶縁フィルム部
分10bの内側に、マウントパッド22にマウントした
光半導体チップ20を配置している。
【0114】窓120が開口された絶縁フィルム部分1
0aは、斜め上下方向に起立させている。そして、マウ
ントパッド22にマウントした光半導体チップ20を窓
120に対向させている。
【0115】絶縁フィルムの両端10cは、横に向けて
配置している。
【0116】その他は、前述図13と図14に示した第
3のアタッチメントと同様に構成している。
【0117】次に、この第3のアタッチメントの使用例
並びにその作用を説明する。
【0118】図17に示したように、絶縁フィルムの一
方の端部10cの底面に備えられた配線回路パターン5
0とグランド回路パターン24とを、基板90上に備え
られた外部回路(図示せず)と外部グランド回路94と
にろう付け等により接合する。そして、絶縁フィルムの
一方の端部10cを外部回路と外部グランド回路94と
を介して基板90上に動かぬように固定する。それと共
に、配線回路パターン50とグランド回路パターン24
とを、外部回路と外部グランド回路94とにワイヤ10
0等を介して電気的に接続する。
【0119】絶縁フィルムの他方の端部10cは、該端
部10cに設けられた前述透孔110に挿通したねじ等
を用いて、基板90上に密着させて動かぬように固定す
る。
【0120】補強パターン60は、基板90上に備えら
れた外部グランド回路94にワイヤ100等を介して電
気的に接続する。そして、補強パターン60を、接続回
路パターン40と配線回路パターン50とをマイクロス
トリップ線路に形成するためのグランドプレーンとして
用いる。
【0121】それ以外は、前述図13と図14に示した
第3のアタッチメントと同様であり、その説明を省略す
る。
【0122】なお、上述第3のアタッチメントの使用に
際しては、図17に示したように、絶縁フィルム10の
下方に突出させた絶縁フィルム部分10bの外側を向く
裏面に備えられた補強パターン60部分に、放熱フィン
130を搭載すると良い。そして、マウントパッド22
にマウントした光半導体チップ20の発光素子が発する
熱を、放熱フィン130を通して、外気中に効率良く放
散させると良い。
【0123】また、図11と図12に示した第3のフィ
ルムにおいて、補強パターン60が幅広く形成されて、
窓120を開口する絶縁フィルム部分10aの表面に補
強パターン60が配置されている場合には、窓120
を、補強パターン60を貫通させて、絶縁フィルム部分
10aの表面に開口する必要がある。
【0124】また、図15と図16に示した第3のフィ
ルムにおいて、補強パターン60が帯状等に幅狭く形成
されて、窓120を開口する絶縁フィルム部分10aの
裏面に補強パターン60が配置されていない場合には、
窓120を、補強パターン60を貫通させて、絶縁フィ
ルム部分10aの表面に開口する必要は勿論ない。
【0125】また、本発明の第1又は第3のフィルムに
おいては、所定角度に折曲した状態に保持する絶縁フィ
ルムの所定箇所の裏面に切り込み80を設けぬようにし
ても良い。そして、絶縁フィルム10の所定箇所を、補
強パターン60等と共に、所定角度にその内側又はその
外側に折曲させて、本発明の第1、第2又は第3のアタ
ッチメントを形成しても良い。
【0126】また、本発明の第1、第2又は第3のフィ
ルム、本発明の第1、第2又は第3のアタッチメントに
おいては、補強パターン60を絶縁フィルム10の表面
とその裏面との両方に備えても良い。そして、それらの
絶縁フィルム10の両面に備えた補強パターン60を用
いて、絶縁フィルム10の所定箇所を所定角度に確実に
折曲した状態に保持できるようにしても良い。
【0127】また、本発明の第1、第2又は第3のフィ
ルム、本発明の第1、第2又は第3のアタッチメントに
おいては、受光素子が備えられた光半導体チップ20を
マウントするマウントパッド22と発光素子が備えられ
た光半導体チップ20をマウントするマウントパッド2
2とを絶縁フィルム10の表面にそれぞれ備えて、それ
らのマウントパッド22に受光素子が備えられた光半導
体チップ20と発光素子が備えられた光半導体チップ2
0とをそれぞれマウントできるようにしたりマウントし
たりしても良い。そして、受光機能及び発光機能を共に
有する光通信用モジュールを形成できるようにしたり形
成したりしても良い。
【0128】また、本発明の第1、第2又は第3のフィ
ルムの絶縁フィルムの所定箇所を、該フィルムの所定箇
所の表面又はその裏面に備えられた補強パターン、又は
それに加えて該フィルムの所定箇所の表面に備えられた
接続回路パターン、配線回路パターン又はグランド回路
パターンと共に、側面から見て方形状、五角形状等の多
角形状又は鋸歯状等に上方又は下方に折曲して、本発明
の第1、第2又は第3のアタッチメントを形成しても良
い。
【0129】また、本発明の第1、第2又は第3のフィ
ルム、本発明の第1、第2又は第3のアタッチメント
は、グランド電極26がチップの上面に備えられた光半
導体チップ20又はグランド電極36がチップの上面に
備えられた半導体チップ30を搭載するフィルム、又は
グランド電極26がチップの上面に備えられた光半導体
チップ20又はグランド電極36がチップの上面に備え
られた半導体チップ30を搭載してなるアタッチメント
にも、利用可能である。そのようなフィルム又はアタッ
チメントにおいては、図18、図19、図20、図21
又は図22に一点鎖線で示したように、マウントパッド
22にマウントした光半導体チップ20の上面に備えら
れたグランド電極26又はダイパッド32にダイボンデ
ィングした半導体チップ30の上面に備えられたグラン
ド電極36を絶縁フィルム10の表面に備えられたグラ
ンド回路パターン24にワイヤ100等を用いて電気的
に接続すると良い。
【0130】また、本発明の第1、第2又は第3のフィ
ルム、本発明の第1、第2又は第3のアタッチメントに
おいては、光半導体チップ20のグランド電極を外部グ
ランド回路に電気的に接続するグランド回路パターン2
4と、半導体チップ30のグランド電極を外部グランド
回路に電気的に接続するグランド回路パターン24と
を、絶縁フィルム10の表面に別々に並べて備えても良
い。そして、それらのグランド回路パターン24に光半
導体チップのグランド電極と半導体チップのグランド電
極とをそれぞれ電気的に接続しても良い。
【0131】また、本発明の第1、第2又は第3のアタ
ッチメントにおいては、光半導体チップ20の電極又は
半導体チップ30の電極を、接続回路パターン40又は
配線回路パターン50に、フリップチップボンディング
法等を用いて、直接に接合しても良い。
【0132】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第1、第
2又は第3のフィルムによれば、光通信用モジュールに
用いる受光素子が備えられた光半導体チップ又は発光素
子が備えられた光半導体チップと半導体チップとを搭載
する製造容易で安価なフィルムを提供できる。
【0133】また、本発明の第1、第2又は第3のアタ
ッチメントによれば、光通信用モジュールに用いる受光
素子が備えられた光半導体チップ又は発光素子が備えら
れた光半導体チップと半導体チップとを搭載してなる製
造容易で安価な汎用性のある光半導体装置用アタッチメ
ントを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1のフィルムの平面図である。
【図2】本発明の第1のフィルムの側面図である。
【図3】本発明の第1のアタッチメントの使用状態を示
す側面図である。
【図4】本発明の第1のアタッチメントの使用状態を示
す側面図である。
【図5】本発明の第2のフィルムの平面図である。
【図6】本発明の第2のフィルムの側面図である。
【図7】本発明の第1のアタッチメントの使用状態を示
す側面図である。
【図8】本発明の第1のフィルムの平面図である。
【図9】本発明の第1のフィルムの側面図である。
【図10】本発明の第2のアタッチメントの使用状態を
示す側面図である。
【図11】本発明の第3のフィルムの平面図である。
【図12】本発明の第3のフィルムの側面図である。
【図13】本発明の第3のアタッチメントの平面図であ
る。
【図14】本発明の第3のアタッチメントの使用状態を
示す側面図である。
【図15】本発明の第3のフィルムの平面図である。
【図16】本発明の第3のフィルムの側面図である。
【図17】本発明の第3のアタッチメントの使用状態を
示す側面図である。
【図18】本発明の第1のフィルムの平面図である。
【図19】本発明の第2のフィルムの平面図である。
【図20】本発明の第1のフィルムの平面図である。
【図21】本発明の第3のフィルムの平面図である。
【図22】本発明の第3のフィルムの平面図である。
【符号の説明】
10 絶縁フィルム 20 光半導体チップ 22 マウントパッド 24 グランド回路パターン 26 グランド電極 30 半導体チップ 32 ダイパッド 36 グランド電極 40 接続回路パターン 50 配線回路パターン 60 補強パターン 80 切り込み 90 基板 94 外部グランド回路 100 ワイヤ 110 透孔 120 窓 130 放熱フィン

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 折曲可能な絶縁フィルムの表面に、受光
    素子が備えられた光半導体チップ又は発光素子が備えら
    れた光半導体チップをマウントするマウントパッドと、
    半導体チップをダイボンディングするダイパッドと、前
    記光半導体チップの電極を前記半導体チップの電極に電
    気的に接続する接続回路パターンと、前記半導体チップ
    の電極を外部回路に電気的に接続する配線回路パターン
    と、前記光半導体チップのグランド電極を外部グランド
    回路に電気的に接続するグランド回路パターンと、前記
    半導体チップのグランド電極を外部グランド回路に電気
    的に接続するグランド回路パターンと、前記絶縁フィル
    ムの所定箇所を所定角度に折曲した状態に保持するため
    の補強パターンとを備えてなることを特徴とする光半導
    体装置用フィルム。
  2. 【請求項2】 所定角度に折曲した状態に保持する絶縁
    フィルムの所定箇所の裏面に断面がほぼV字状をなす切
    り込みを設けた請求項1記載の光半導体装置用フィル
    ム。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の光半導体装置用フィルム
    において、補強パターンを、絶縁フィルムの表面に代え
    て、該フィルムの裏面に備えたことを特徴とする光半導
    体装置用フィルム。
  4. 【請求項4】 請求項1、2又は3記載の光半導体装置
    用フィルムにおいて、絶縁フィルムの表面に光半導体チ
    ップの発光素子から発せられる光を通過させる窓を開口
    したことを特徴とする光半導体装置用フィルム。
  5. 【請求項5】 窓を絶縁フィルムの表面に補強パターン
    を貫通させて開口した請求項4記載の光半導体装置用フ
    ィルム。
  6. 【請求項6】 請求項1、2又は3記載の光半導体装置
    用フィルムのマウントパッドに受光素子が備えられた光
    半導体チップをマウントし、前記光半導体装置用フィル
    ムのダイパッドに半導体チップをダイボンディングし、
    該半導体チップの電極を前記光半導体チップの電極に前
    記光半導体装置用フィルムの接続回路パターンを介して
    電気的に接続し、前記半導体チップの電極を前記光半導
    体装置用フィルムの配線回路パターンに電気的に接続
    し、前記光半導体チップのグランド電極と前記半導体チ
    ップのグランド電極とを前記光半導体装置用フィルムの
    グランド回路パターンに電気的に接続し、前記光半導体
    装置用フィルムの絶縁フィルムの所定箇所を、該フィル
    ムの所定箇所の表面又はその裏面に備えられた補強パタ
    ーン、又はそれに加えて該フィルムの所定箇所の表面に
    備えられた接続回路パターン、配線回路パターン又はグ
    ランド回路パターンと共に、折曲して、前記光半導体チ
    ップをマウントしたマウントパッドが備えられた前記絶
    縁フィルム部分を斜め上下方向に起立させて、該フィル
    ム部分の外側に前記光半導体チップを配置し、前記絶縁
    フィルムの両端を横に向けて配置したことを特徴とする
    光半導体装置用アタッチメント。
  7. 【請求項7】 絶縁フィルムの両端を除いた絶縁フィル
    ム部分を、該フィルム部分の表面又はその裏面に備えら
    れた補強パターン、又はそれに加えて該フィルム部分の
    表面に備えられた接続回路パターン、配線回路パターン
    又はグランド回路パターンと共に、側面から見てほぼ台
    形状に上方に折曲して、前記絶縁フィルムの斜め上下方
    向を向く絶縁フィルム部分の外側に光半導体チップを配
    置した請求項6記載の光半導体装置用アタッチメント。
  8. 【請求項8】 マウントパッドが備えられた絶縁フィル
    ム部分とそれに続く絶縁フィルム部分とを、該フィルム
    部分の表面又はその裏面に備えられた補強パターン、又
    はそれに加えて該フィルム部分の表面に備えられた接続
    回路パターン、配線回路パターン又はグランド回路パタ
    ーンと共に、側面から見てほぼ逆V字状に上方に折曲し
    て、前記絶縁フィルムの斜め上下方向を向く絶縁フィル
    ム部分の外側に光半導体チップを配置した請求項6記載
    の光半導体装置用アタッチメント。
  9. 【請求項9】 請求項1、2又は3記載の光半導体装置
    用フィルムのマウントパッドに発光素子が備えられた光
    半導体チップをマウントし、前記光半導体装置用フィル
    ムのダイパッドに半導体チップをダイボンディングし、
    該半導体チップの電極を前記光半導体チップの電極に前
    記光半導体装置用フィルムの接続回路パターンを介して
    電気的に接続し、前記半導体チップの電極を前記光半導
    体装置用フィルムの配線回路パターンに電気的に接続
    し、前記光半導体チップのグランド電極と前記半導体チ
    ップのグランド電極とを前記光半導体装置用フィルムの
    グランド回路パターンに電気的に接続し、前記光半導体
    装置用フィルムの絶縁フィルムの所定箇所を、該フィル
    ムの所定箇所の表面又はその裏面に備えられた補強パタ
    ーン、又はそれに加えて該フィルムの所定箇所の表面に
    備えられた接続回路パターン、配線回路パターン又はグ
    ランド回路パターンと共に、折曲して、前記マウントパ
    ッドが備えられた絶縁フィルム部分を前記絶縁フィルム
    の上方に突出させて、該フィルム部分の外側に前記光半
    導体チップを配置し、前記絶縁フィルムの両端を横に向
    けて配置したことを特徴とする光半導体装置用アタッチ
    メント。
  10. 【請求項10】 絶縁フィルムの両端を除いた絶縁フィ
    ルム部分を、該フィルム部分の表面又はその裏面に備え
    られた補強パターン、又はそれに加えて該フィルム部分
    の表面に備えられた接続回路パターン、配線回路パター
    ン又はグランド回路パターンと共に、側面から見てほぼ
    台形状に上方に折曲して、前記絶縁フィルムの上方に突
    出させた絶縁フィルム部分の外側に光半導体チップを配
    置した請求項9記載の光半導体装置用アタッチメント。
  11. 【請求項11】 請求項4又は5記載の光半導体装置用
    フィルムのマウントパッドに発光素子が備えられた光半
    導体チップをマウントし、前記光半導体装置用フィルム
    のダイパッドに半導体チップをダイボンディングし、該
    半導体チップの電極を前記光半導体チップの電極に前記
    光半導体装置用フィルムの接続回路パターンを介して電
    気的に接続し、前記半導体チップの電極を前記光半導体
    装置用フィルムの配線回路パターンに電気的に接続し、
    前記光半導体チップのグランド電極と前記半導体チップ
    のグランド電極とを前記光半導体装置用フィルムのグラ
    ンド回路パターンに電気的に接続し、前記光半導体装置
    用フィルムの絶縁フィルムの所定箇所を、該フィルムの
    所定箇所の表面又はその裏面に備えられた補強パター
    ン、又はそれに加えて該フィルムの所定箇所の表面に備
    えられた接続回路パターン、配線回路パターン又はグラ
    ンド回路パターンと共に、折曲して、前記マウントパッ
    ドが備えられた絶縁フィルム部分を前記絶縁フィルムの
    下方に突出させて、該フィルム部分の内側に前記光半導
    体チップを配置し、前記光半導体装置用フィルムの窓が
    開口された絶縁フィルム部分を斜め上下方向に起立させ
    て、前記光半導体チップを前記窓に対向させ、前記絶縁
    フィルムの両端を横に向けて配置したことを特徴とする
    光半導体装置用アタッチメント。
  12. 【請求項12】 絶縁フィルムの両端を除いた絶縁フィ
    ルム部分を、該フィルム部分の表面又はその裏面に備え
    られた補強パターン、又はそれに加えて該フィルム部分
    の表面に備えられた接続回路パターン、配線回路パター
    ン又はグランド回路パターンと共に、側面から見てほぼ
    台形状に下方に折曲して、前記絶縁フィルムの下方に突
    出させた絶縁フィルム部分の内側に光半導体チップを配
    置し、該光半導体チップを斜め上下方向を向く前記絶縁
    フィルム部分に開口された窓に対向させた請求項11記
    載の光半導体装置用アタッチメント。
JP7241007A 1995-08-25 1995-08-25 光半導体装置用フィルムと光半導体装置用アタッチメント Pending JPH0964384A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6533097B1 (en) * 1998-11-13 2003-03-18 Kabushiki Kaisha Nippon Conlux Sheet material transfer device
US6852787B1 (en) 1999-08-17 2005-02-08 Mcmichael James W. Free-flowing polymer composition
WO2015068565A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 アイシン精機株式会社 半導体装置

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