JP2664347B2 - 光ディスク記録再生装置 - Google Patents

光ディスク記録再生装置

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JP2664347B2
JP2664347B2 JP6301212A JP30121294A JP2664347B2 JP 2664347 B2 JP2664347 B2 JP 2664347B2 JP 6301212 A JP6301212 A JP 6301212A JP 30121294 A JP30121294 A JP 30121294A JP 2664347 B2 JP2664347 B2 JP 2664347B2
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light emitting
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健治朗 木目
恵司 中村
勢夫 渡辺
一 仲嶋
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク記録再生
装置に関するものであり、もう少し詳しくいうと、ディ
スクに外部磁界を与え、光スポットにより温度を上昇さ
せることにより、ディスク上の磁性体記録面の磁界の方
向を反転させて記録を行い、再生時は記録時より低パワ
ーの光スポットを記録面に照射し、上記磁界の方向を光
学的に読みとることにより行う光ディスク記録再生装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の光ディスク記録再生装置では、
光ディスクの位置を常に検出する必要があるが、従来よ
り検出器と被測定物との距離が近い場合の距離検出に
は、一般に光を用いた検出方式が良く用いられている。
図53は従来のこの種の光学式距離検出装置の一例を示
す側面断面図である。図において、基板2上に、光源と
しての発光ダイオード1と光検出器3が取付られてお
り、その前方に集光レンズ4が配置されている。発光ダ
イオード1と、光検出器3および集光レンズ4を収容す
るケース6の開口部にはガラス窓5が取付けられてお
り、その前方に位置変動する被測定物7がある。次に動
作について説明する。発光ダイオード1からは一定光量
の光が放射されており、集光レンズ4により収束光に変
換されてガラス窓5よりケース6外部に出射する。8は
この出射光の光軸を示す。出射した光は、被測定物7で
反射されて再びガラス窓5および集光レンズ4を通過し
て光検出器3上に照射する。9はこの反射した光の光軸
を示す。光検出器3上に照射する光の光量は、被測定物
7と検出装置との距離および被測定物7の反射率、形状
によって決まり、同一の被測定物7に対する距離と光検
出器3での光強度との関係を図54に示す。図に示すよ
うに、光強度は距離が約4.5mmのところで極大値をと
り、そこから離れるにしたがって低下する。それゆえ、
同一の光測定物7で、かつ、検出距離が光強度の線形範
囲に入るように限定すれば、光検出器3の出力と距離と
が1対1に対応することになり距離の検出が可能とな
る。
【0003】図55は上記のような距離検出手段を備え
た従来の光ディスク記録再生装置の要部を示す側面図で
ある。図において、従来の光ディスク記録再生装置は、
大略、被測定物である光ディスク10と、本体基盤に設
置されたモータ11と、本体基盤にベアリング12およ
び13を介して載置されたベース14と、このベース1
4に支持された光ヘッド15と、ベース14に支持され
た磁気ヘッド16とからなっている。なお、光ヘッド1
5は、光ビームLを出射する光源、光ビームLを光ディ
スク10に導く対物レンズ等の光学部品、光ディスク1
0からの反射光を導く光学部品、反射光を受光して電気
信号に変換する受光素子、光スポットSの焦点ずれ及び
トラックずれを検出する光学センサ等からなっている。
【0004】つぎに、上述した従来例の動作を図56
(a),(b),(c)および図57を参照しながら説明する。
図56(a)〜(c)は磁気ヘッド16と光ディスク10と
の位置関係を示す側面図、図57はディスク記録面の磁
界強度Bと、光ディスク10と磁気ヘッド16との間の
距離Hの関係を示す特性図である。まず、光ディスク1
0は、モータ11によって回転する。そして、光ヘッド
15および磁気ヘッド16が、ベアリング12,13お
よびベース14により矢印A方向に駆動される。光ヘッ
ド15は、磁気ヘッド16によって発生されたバイアス
磁界を、光スポットSにより変調(情報)を記録する。
なお、光スポットSは、一般に直径が1.0〜1.5μ
m程度である。ここで、図56(a)〜(c)で示すよう
に、光ディスク10が回転すると、光ディスク10の記
録面と磁気ヘッド16との間の距離H(H1〜H3)が変
動する。また、磁気ヘッド16により発生される磁界
は、100〜5000e程度であるが、図57で示すよ
うに、光ディスク10の記録面と磁気ヘッド16との間
の距離Hが大きくなるに従い、その磁界強度Bは低下す
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の光
ディスク記録再生装置では、光ディスクの面振れにより
磁界強度が大きく変動し、そのために磁界強度の効率が
悪く、記録特性のバラツキが大きいという課題があっ
た。また、磁気ヘッドが光ディスクに衝突することをさ
けるために両者をあまり接近させることができず、機械
的精度が厳しいという課題があった。この発明は、上記
のような問題点を解消するためになされたもので、磁界
強度の効率を向上することができ、記録特性の安定化を
図ることができ、かつ機械的精度を緩和することができ
る光ディスク記録再生装置を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用】この発明に係
る光ディスク記録再生装置は、光を光ディスクに照射し
て信号を記録再生する光ヘッドと、光ディスク面に対し
てほぼ垂直な方向に可動に支持されバイアス磁界を前記
光ディスクに印加する磁気ヘッドと、該磁気ヘッドと一
体的に可動するように同一のベース上に設けられた発光
素子と光検出器とからなり、上記磁気ヘッドと上記光デ
ィスクとの間の距離を検出しその距離情報を出力する距
離検出手段と、前記ベースと一体的に可動なように設け
られた円筒状コイルと、該円筒状コイルに磁束を差し向
けるように配置された永久磁石およびヨークからなる磁
気回路とからなり、前記距離情報をもとに該距離が一定
になるように前記磁気ヘッドを駆動する駆動手段と、当
該磁気回路から上記磁気ヘッドに漏れる磁束を遮断する
遮へい手段を備えたものである。この発明においては、
上記光ヘッドによって光が上記光ディスクに照射されて
信号が記録再生され、上記磁気ヘッドによってバイアス
磁界が上記光ディスクに印加されるという一連の動作
中、上記磁気回路から上記磁気ヘッドに漏れる磁束が遮
へい手段によって遮断される。
【0007】
【実施例】以下、光ディスク記録再生装置の例を図につ
いて説明する。まず、図3は各光学素子をその光軸の方
向からみた平面図である。図において、光源としての発
光ダイオード20、2個でなる光検出器のうちの一方の
光検出器(以後これをPD1と称する)21a、発光ダイ
オード20に対してPD1 21aよりさらに離れた位置に
配置されたもう一方の光検出器(以後これをPD2 と称す
る)21bが互いに同一平面内に配置されており、以後
この平面を検出器平面と称する。また、後述する理由に
より、PD2 21bの受光面積はPD1 21aの受光面積よ
り大きく設定している。次に動作について説明する。発
光ダイオード20はその発光面が平面の構造をしたもの
であり、図3において紙面に垂直で上向きに完全拡散面
に近い光強度分布をもつ光源となっており、これを一定
出力で発光させる。いま、発光ダイオード20の上方
に、検出器平面と平行に被測定物の鏡面があった場合、
発光ダイオード20から出射した光は再び検出器平面に
到達し、PD1 21aおよびPD2 21bに入射する。
【0008】検出器平面に照射した光の光強度分布の様
子を示したものが図2である。図2(a)(b)は図3にお
ける一点鎖線j−j上の位置に対する光強度を示したも
のであり、図2(c)は各光学素子の配置を示している。
図2(a)は、被測定物が近距離にある場合の光強度分布
を示しており、発光ダイオード20の近くに集中したピ
ーク強度の強い分布となる。これに対して、図2(b)は
被測定物が遠距離にある場合の光強度分布を示してお
り、ピーク強度の低い広がった分布となる。ここで、上
記図2(a)(b)で示された現象を図54の光検出器の特
性から検討してみる。図1は図3に示す配置の場合の、
PD1 21aおよびPD2 21bの位置における光強度と被
測定物までの距離との関係を重ねて図示したものであ
る。すなわち、測定すべき距離範囲でみると、PD1 21
aの特性は光強度の極大値を越えた負の勾配の領域に対
応し、PD2 21bの特性は光強度の極大値に至るまでの
正の勾配の領域に対応している。PD1 21aに比較して
PD2 21bの極大点が同図において下方かつ左右にずれ
ているのは、発光ダイオード20に対してPD2 21bを
PD1 21aより遠い位置に配置しているからである。な
お、図3における各光学素子間の相対位置の詳細は、測
定するべき距離範囲において、PD1 21aおよびPD2 2
1bの光強度特性が、図1に示すとおり、相互に逆の勾
配領域に対応するように調整設定される。
【0009】図4は測定すべき距離範囲における光検出
器出力と距離との関係を示す特性図である。図におい
て、PD1 21aの出力は曲線22、PD2 21bの出力は
曲線23であるが、両者の出力の大きさがほぼ同等とな
っているのは、図1における両者の光強度の大小差を補
償するため、PD2 21bの受光面積をPD1 21aの受光
面積より大きく設定しているからである。そして、両出
力22および23は図5に示した電気回路によってその
差xを求め、さらにこれと両出力の和yとの比をとって
規格化した差動出力24を演算する。この差動出力24
の特性を示したのが図6である。すなわち、上記した演
算により被測定物との距離を求めることにより、従来問
題とされた被測定物の反射率変化の影響を除去できる訳
である。
【0010】ところで、図6に示すように差動出力24
はある距離においてゼロクロスする。被測定物との距離
を絶えず一定とする制御装置にこの距離検出装置を使用
する場合、このゼロクロス点Nの距離を目標値に設定す
ると差動出力24がその目標値に対する誤差信号となっ
て都合がよい。そして、このゼロクロス点Nの距離は図
3におけるパラメータl1,l2,w1,w2,g1,g2
よって決定され、これらのパラメータを変化させること
によって、かなりの自由度でゼロクロス点Nを設定する
ことができる。例えば、PD1 21aとPD2 21bとの間
隔g2 を縮めればPD2 21bに入射する光量は、より距
離の短い所から増加し始めるので、ゼロクロス点Nより
短くなる。逆に間隔g2 を伸ばせば、ゼロクロス点Nの
距離はより長くなる。PD1 21aとPD2 21bとの面積
比によってもゼロクロス点Nの距離を変化させることが
できる。この場合、両者の面積が等しければ、ゼロクロ
ス点Nは無限遠点となり、PD2 21bの面積の方が増え
るに従ってゼロクロス点Nの距離が近づいてくるため、
少なくともPD2 21bの面積がPD1 21aの面積より大
きい適当な面積比を選ぶことによって所望のゼロクロス
点Nを得ることができる。
【0011】次に、発光ダイオード20の放射分布を特
に考慮して検討した他の例について説明する。すなわ
ち、発光ダイオードからの光の放射は、発光ダイオード
の中心を軸としてほぼ回転対称と見做すことができる。
従って、距離変化を正確にとらえるためには、光強度変
化の等しい所で検出するように、発光ダイオードの中心
を軸とした同心円の形状の光検出器を用いるのが最も効
率よい。ただし、完全な同心円形状では発光ダイオード
および光検出器を駆動するための電極を取付けるのが困
難であるので、図7に示すように、PD1 21a,PD2 2
1bは同心円形の一部を欠いた形状とし、その部分から
電極25a〜25dを取出すようにしている。
【0012】図8はさらに他の例を示す。基本的には図
7と同様、同心円形状の光検出器PD1 21a,PD2 21
bと発光ダイオード20とで形成されているが、PD1 2
1a,PD2 21bは共に半円より小さくなるように弦で
切り取られた形とし、円の中心に発光ダイオード20を
配置している。このようにした場合、光検出器としての
受光効率は低下するが、発光ダイオード20とPD1 21
a,PD2 21bとは取付基板上に異なるチップとして形
成できるため、その製作が容易になるという利点があ
る。ところで、光ディスクが非常に近い距離にあってそ
の近い距離でのみ検出を行う場合、検出の分解能をあげ
るには、光検出器特にPD1 21aの面積を小さくし、発
光ダイオード20とPD1 21a,PD2 21bとの間隔を
狭くする必要がある。この場合、原理的には発光ダイオ
ード20とPD1 21a,PD2 21bとが同一平面内にあ
ってもその間隔を極めて小さくすれば可能であるが、こ
れら各光学素子同志は電気的に非接触でなければならな
いので、作製上両者をあまり近付けることができない。
【0013】図9以降は、上記したように光ディスクが
非常に近い距離にある場合に適した他の例を示す。図9
は各光学素子をプリント配線基板上に形成させたもの
で、同図aはその正面図、同図bはその平面図、図10
はプリント配線基板の平面図である。図において、発光
ダイオード20は発光面が平面の構造をし、上方向に完
全拡散面に近い光り強度分布をもつ光源であり、プリン
ト配線基板26の発光ダイオード基板側電極用プリント
配線27に導電性接着剤で貼付け、発光ダイオード発光
面電極用プリント配線28に発光ダイオード用ボンデイ
ングワイヤ29で結線されており、これを一定出力で発
光させる。光検出器チップ30は、導電性スペーサ31
を介して光検出器カソード配線32の上に導電性接着剤
で貼り付けてある。光検出器のカソードである光検出器
チップ30の裏面は、光検出器カソード用プリント配線
32と導通している。ここで、導電性スペーサ31と発
光ダイオード20との間隔は、作製時に導電性接着剤の
はみ出しがあっても光検出器カソード用プリント配線3
2と発光ダイオード基板側電極用プリント配線27とが
ショートしないように十分離しておく必要がある。従っ
て、図9(a)に示すように、導電性スペーサ31の厚
みを発光ダイオード20の厚さより厚く設定し、発光ダ
イオード20の発光面と光検出器チップ30の受光面と
がその光軸方向に少なくとも光検出器チップ30の厚さ
以上の段差を有する構造としている。PD1 21aおよび
PD2 21bそれぞれのアノード用ボンデイングパッド3
3a,33bは、それぞれボンデイングワイヤー34a
および34bを介してPD1 アノード用プリント配線35
aおよびPD2 アノード用プリント配線35bに接続され
ている。
【0014】以上、図9,図10に示すように、発光ダ
イオード20と光検出器チップ30とに段差を設けるこ
とにより、発光ダイオード20と導電性スペーサ31と
を十分離してその電気的絶縁を確保するとともに、発光
ダイオード20と光検出器チップ30とを極めて接近さ
せることができる。すなわち、両者の発光面と受光面と
の光軸の方向への投影面を相互に十分接近させることが
でき、必要なら一部重畳するようにもできる。図11に
光ディスク10に対する上記の例における光の出射・反
射そして受光の状況を示す。
【0015】図12は上述した光学式距離検出手段を、
光磁気記録媒体に磁界を印加するためコイルと光磁気記
録媒体との間の距離を制御するための距離センサとして
応用した例で、同図(a)はその平面図、同図(b)は
同図(a)をその一点鎖線k−kで切断した断面図であ
る。図において、磁気ヘッド16に磁気コイル36が巻
回されている。光ディスク10は、この場合その距離を
検出すべき被測定物となる。磁気ヘッド16および距離
検出装置は台37に取付けられており、この台37は位
置制御のためのアクチュエータでもある。磁気ヘッドと
磁気媒体との間隙の生成手段としては、一般に空気浮上
法を用いて数μmの間隙とするが、光磁気記録における
磁気ヘッド16は、ほこりに強いという利点を殺さない
ように数10μm〜数100μmの間隙で制御する必要
があり、空気浮上法を用いない。このため、なんらかの
方法で磁気ヘッド16と光ディスク10との間の距離を
検出し、その間隔を一定に保つ制御を行う必要がある。
また、制御のためのアクチュエータを駆動しなければな
らないので、距離検出装置を小形・軽量にする必要もあ
る。この例は特にこのような要求を満足させるものであ
る。図12において、磁気ヘッド16と光ディスク10
との間隙が目標値gのとき、すなわち検出器チップ30
と光ディスク10との間隙がdのときに距離検出装置の
差動出力24が0となるようにPD1 21aとPD2 21b
との形状配置を設定しておく。そして、この差動出力2
4が0となるように目標値制御を行うことにより、磁気
ヘッド16と光ディスク10との間隙をその目標値のg
に一定に保つことができる。
【0016】次に、さらに他の例について説明する。先
に図7において説明したように、発光ダイオードからの
光の放射の強度分布は、発光ダイオードの中心を軸とし
てほぼ回転対称と見做せるため、光の強度分布から距離
を検出するには発光ダイオードを中心とした同心円の形
状の光検出器を用いるのが最も正確であって効率もよ
い。しかし、この場合各光学素子を同じチップ内に作り
付けるのは技術的に種々困難を伴う。以下の実施例はこ
れらの点を解決したものである。先ず、図13におい
て、円盤状に形成された光検出器チップ30には、その
中央に通し穴30aが設けられている。同様に円盤状に
形成された絶縁体で作られたスペーサ38には、その中
央には光検出器チップ30の通し穴30aより直径の大
きい通し穴38aが形成されており、その両面には図1
4に示すように各電極,配線がパターニングされてい
る。図14(a)は光検出器チップ30側のパターン
を、図14(b)は発光ダイオード20側のパターンを
示す。各光学素子は両通し穴30a,38aの中心が発
光ダイオード20の中心と一致するように配置される。
そして、光検出器チップ30はカソード用プリント配線
32上に導電性接着剤で貼付けられている。また、PD1
21a,PD2 21bは、それぞれボンデイングワイヤー
34aおよび34bでアノード用プリント配線35aお
よび35bに結線されている。発光ダイオード20は、
スペーサ38の通し穴38aよりも大きなチップサイズ
とし、その発光面を通し穴38a側にして発光ダイオー
ド発光面側電極用プリント配線28に導電性接着剤で貼
付け、図15に示すように、発光ダイオード20の基板
面通し発光ダイオード基板側電極用プリント配線27と
をボンデイングワイヤー29で結線している。
【0017】上記のような構成とすることにより、発光
ダイオード20は光検出器チップ30の通し穴30aに
向かって発光し、通し穴38a,30aを通過して光検
出器チップ30の上方へ放射する。このような場合、光
検出器チップ30の面上においてはその出射口を二次的
な光源と見做すことができる。図16,図17に上記の
例における光の出射,反射そして受光の状況[各図
(a)]および光強度の分布[各図(b)]を示す。前者は
光ディスク10が比較的近距離にある場合、後者に比較
的遠距離にある場合、光強度の分布はいずれも発光ダイ
オード20光軸を中心にした回転対称となっている。従
って上述した通り、PD1 21a,PD2 21bの受光する
光強度の分布がより均一になり、正確で効率のよい距離
検出が可能となる。さらに、二次的な光源である出射口
30aとPD1 21aの受光面は非常に近接して配置する
ことが可能であり、近接した位置における距離検出が可
能である。
【0018】図18はプリント配線基板へのパターニン
グの作業性を改善した別の例を示すものである。図18
(a)はその平面図、図18(b)同図(a)をその一点鎖線
m−mで切断した断面図である。図において、導電性の
スペーサ39は図19に示すような形状としている。ス
ペーサ39と発光ダイオード20とを取付けたプリント
配線基板26は、図20に発光ダイオード20を取付け
た状況の平面図を示す。スペーサ39は、発光ダイオー
ド20のボンデイングワイヤ29が光検出器チップ30
に接触しないように十分な厚みをもたせ、プリント配線
基板26上のカソード用プリント配線32に導電性接着
剤で貼付けられている。そして光検出器チップ30のカ
ソードであるその裏面が、スペーサ39の上面にやはり
導電性接着剤で貼付けられているこの場合も発光ダイオ
ード20からの光は通し穴30aを通過して出射される
ことは前の例と同様である。ただし、この例におけるプ
リント配線基板26は前の例の図14におけるスペーサ
38の場合と異なり、基板への配線電極のパターニング
がその片面のみで済み、各部品の取付けもその片面側の
みに集中してでまるので、その作製が簡単となる利点が
ある。
【0019】図21〜図23はさらに別の実施例を示
す。図において、発光ダイオード20と同一厚さを有す
る導電性のスペーサ40は、図22に展開斜視図として
示すような形状を有している。そして、発光ダイオード
20とスペーサ40とは、各々の上面が共に光検出器チ
ップ30のカソード側電極に導電性接着剤で貼付けら
れ、下面はそれぞれプリント配線基板26にパターニン
グされたプリント配線41および42にやはり導電性接
着剤で貼付けられている。ただし、この例では光検出器
チップ30と発光ダイオード20とが電気的に独立して
いないので、その駆動方法には特別の注意が必要で、図
23にその場合の駆動回路の一例を示す。図において、
発光ダイオード駆動用電源43、発光ダイオード20の
負荷抵抗44、I−V変換アンプ45aおよび45b、
これらの負荷抵抗46a,46bが図示のように接続さ
れている。図の配線内が本例の場合の光学素子部分に対
応し、発光ダイオード20のアノードとPD1 21aおよ
びPD2 21bのカソードとを共通電位にして動作するも
のである。この例における場合はその図21からも判る
ように、発光ダイオード20の発光面とその実質的な出
射口となる通し穴30aの上端との距離が光検出器チッ
プ30の厚さと同一の値にまで短縮されるので、それだ
け光デイスク10に出射される光量が大きくなり検出感
度が増大するという利点がある。
【0020】次に、この発明について説明する。図24
はこの発明の一実施例の要部を示す側面図であり、図2
5は当該実施例における電磁アクチュエータの要部の分
解斜視図である。これらの図においてベース14に固定
された円筒状のヨーク47と、このヨーク47の内側に
位置決めされ接合された永久磁石48と、ヨーク47に
固定されたリング状の磁性部材49と、ヨーク47の内
側の上下2箇所に固定された弾性支持部材50および5
1と、弾性支持部材50および51に上下2箇所で支持
されたコイルボビン52と、このコイルボビン52に巻
回された制御用コイル53と、コイルボビン52の一端
に支持された基板54と、こり基板54に設置された発
光素子20と、基板54に設置された2分割光検知器2
1とからなっている。なお、ヨーク47〜制御用コイル
53は電磁アクチュエータを形成している。また、磁気
ヘッド16は基板54に設置され、光ヘッド15は反射
ミラー55、対物レンズ56等からなっている。ところ
で、この実施例では発光素子20と2分割光検知器21
とから距離検出手段が形成され、駆動手段は電磁アクチ
ュエータで形成されている。また、遮へい手段は磁性部
材49によっている。以上の構成により、まず、光ディ
スク10の記録面と、磁気ヘッド16との間の距離ずれ
が検出される。すなわち、発光素子20により出射され
た光は、光ディスク10に反射して2分割光検知器21
に入射する。この入射した光の強度分布が上述した距離
によって変化することから、2分割光検知器21で両者
の距離ずれを検出することができる。そして、距離ずれ
の情報に基づいた電流が制御用コイル53に印加され、
永久磁石48との間の電磁力により磁気ヘッド16が矢
印V方向に駆動されて、距離ずれが解消される。従っ
て、光ディスク10の記録面と、磁気ヘッド16との間
の距離がほぼ一定に保たれる。なお、磁性部材49は、
ヨーク47および永久磁石48でなる磁気回路から磁気
ヘッド16へ漏れ出す磁束のシールドとして機能する。
これにより、磁界強度の変動を著しく少なくすることが
でき、磁気ヘッド16と光ディスク10とを接近させる
ことができる。
【0021】図26は、この発明の他の実施例の要部を
示す側面図であり、図においてコイルボビン52の一端
に支持された支持部材57と、この支持部材57の端部
に取り付けられたバランサ58とを備えている。その
他、図24と同一符号は同一部分である。なお、磁気ヘ
ッド16は、支持部材57およびコイルボビン52を介
して弾性支持部材51だけによりヨーク47に支持され
ている。電磁アクチュエータは、ヨーク47〜磁性部材
49、磁性支持部材51〜制御用コイル53、支持部材
57およびバランサ58から形成されている。また、基
板54は、支持部材57に固定されている。
【0022】図27は、この発明のさらに他の実施例の
要部を示す側面図であり、ベース14に固定された固定
台59と、この固定台59に支持された弾性支持部材6
0とを備えている。なお、磁気ヘッド16は、基板54
を介して弾性支持部材60に支持されている。電磁アク
チュエータは、ヨーク47〜磁性部材49、コイルボビ
ン52、制御用コイル53、固定台59および弾性支持
部材60からなっている。以上、図26,図27に示し
たそれぞれの実施例において、光ディスク10と磁気ヘ
ッド16との間の距離を検出する作用、および磁気ヘッ
ド16を駆動する作用は、上述した図24の実施例と同
一である。なお、上記各実施例では円筒状のヨーク47
とラジアル方向に着磁された永久磁石48により磁気回
路を形成したが、他の部材で磁気回路を形成しても同様
の動作を期待できる。また、光ディスク10と磁気ヘッ
ド16との間の距離を検出する方式も、上述した方式に
限らず、静電容量を利用する方式や、光ヘッドの信号を
利用する方式でも所期の目的を達成し得ることはいうま
でもない。ところで上記説明では、光ディスク10と磁
気ヘッド16との間の距離ずれの解消に利用する場合に
ついて述べたが、その他の例えば、光ディスクのローデ
ィング、アンローディングの際の磁気ヘッドの逃げのた
めにも利用できることはいうまでもない。すなわち、光
ディスクの着脱時には、磁気ヘッドを光ディスクから遠
ざかる方向(3〜10mm程度)に変位させる。
【0023】次に、光ディスク記録再生装置の他の例を
図28〜図30について説明する。図28は要部側面
図、図29は圧電素子アクチュエータの斜視図、図30
はディスクと磁気ヘッド、光スペットの位置関係を示す
側面図である。なお、図において、図1〜図27と同一
または相当部分には同一符号を付している。図におい
て、一端がベース14に固定されたバイモルフ形圧電素
子61の自由端に磁気ヘッド16が装着されている。光
ヘッド15に設けられた対物レンズ56はレンズアクチ
ュエータ62によって駆動される。次に動作について説
明する。圧電素子アクチュエータ61は、固定端を基準
に、通電量に応じた矢印(B)方向の変位が可能であ
る。図30に示すように、対物レンズ56はレンズアク
チュエータ62により矢印(C)方向に変位する。この
際、光ディスク10の記録面10aとレンズ56間の距
離はほぼ一定(D)に保たれる。磁気ヘッド16の駆動
は、光ヘッド15に設けられたレンズ56の駆動を行う
レンズアクチュエータ62の入力電圧に比例した電圧を
圧電素子61に通電することにより行われる。これによ
り磁気ヘッド16と光ディスク記録面10aの間の距離
(H)は、ほぼ一定に保つことが可能となる。
【0024】次に、同じく他の例を図31〜図33につ
いて説明する。図31において、ベース14に固定され
たホルダ63に2対の位置センサが設けられている。す
なわち、第1の位置センサは、図32に示すように、発
光素子20Aと2分割受光素子21Aにより、光ディス
ク10の表面の位置検出を行う。第2の位置センサは、
図33に示すように、同様に発光素子20bと2分割受
光素子21bからなり、圧電素子61表面の位置検出を
行う。以上の構成により、光ディスク10の表面と磁気
ヘッド16の間の距離(H)を検出することができ、こ
の距離の変動量(△x)を補正するように圧電素子61
を駆動することにより磁界強度(B)の変動を大幅に低
減することができる(図34参照)。
【0025】ついで、さらに他の例を図35〜図37に
ついて説明する。図35において、発光素子20と2分
割光検出器21が圧電素子アクチュエータ61上に設置
されている。ただし、光ディスク10は図で省略してい
る。図中、一点鎖線(E)に沿って断面を示したのが図
36であり、発光素子20より出射した光は光ディスク
10により反射し、光検出器21上に入射する。光検出
器21上の光強度分布は圧電素子アクチュエータ61と
光ディスク10の距離によって、さきに図2に示したよ
うに変化する。このため、2分割光検出器21の差をし
った出力は、図37のようになり、この差動出力から距
離検出ができる。実際には、距離信号は種々の周波数で
変動し、圧電素子に対する駆動電圧も距離信号と同じ周
波数の交流電圧となるため、バイモルフ形圧電素子61
は、種々の周波数で矢印B方向に変位される。このと
き、バイモルフ形圧電圧素子61の変位量の周波数特性
は、製作時の設計寸度等により決定しており、例えば図
38のようになる。
【0026】図38は駆動電圧を一定としたときの周波
数特性であり、横軸を周波数f、縦軸を変位量dとして
おり、f0 は1次共振周波数、f1 は2次共振周波数、
2は3次共振周波数を示している。このような周波数
特性を有するバイモルフ形圧電素子61を実際に駆動制
御すると、周波数f1及びf2付近の距離信号に対して所
要の駆動電圧を印加すると、変位量dが必要以上に大き
くなってしまう。通常、バイモルフ形圧電素子61の2
次および3次の共振周波数f1,f2は比較的低い周波数
であり、また、共振レベルは高い。従って、バイモルフ
形圧電素子61を用いたアクチュエータは、周波数f1
以下の狭い帯域のみでしか正確に制御できないことにな
る。
【0027】以下に述べる例は上記のような問題点を解
決するためになされたもので、2次および3次共振周波
数においても変位量を正確に制御でき、制御帯域を広く
とれるバイモルフ形圧電素子アクチュエータを具現する
ものである。図39はその例を示す斜視図であり、圧電
素子61a,61bと導電板61cからなるバイモルフ
形圧電素子61の振動端の一部には、電極を剥離して一
方の圧電素子61aを露出させた第1電気端子65、圧
電素子61a,61bからは第2電気端子66が導出さ
れている。切欠部64に接続された第3電気端子67は
駆動回路68に接続されている。
【0028】次に、図40の周波数特性図を参照しなが
ら、動作について説明する。まず、バイモルフ形圧電素
子61の周波数特性を測定し、各共振周波数f1 および
2 において適切な駆動電圧Vを出力するための係数を
演算し、駆動回路68内に予め設定しておく。そして、
図40のように、各共振周波数f1およびf2での変位量
dょ小さくし、バイモルフ形圧電素子61の変位量dの
特性を周波数fに対して一様に変化するようにする。実
際にバイモルフ形圧電素子61を駆動制御する場合、前
述のように駆動回路68は距離信号Hに基づいて駆動電
圧Vを制御し、磁気ヘッド16と光ディスク10との距
離を一定に保つ。このとき、圧電素子61aは、その時
点の運動加速度に応じた電圧を出力するので、切欠部6
4を介して圧電素子61aに接続された第3電気端子6
7からは、バイモルフ形圧電素子61の振動状態を表わ
す加速度電圧Cが出力される。駆動回路68は、加速度
電圧Cに基づいてバイモルフ形圧電素子61の周波数を
検知し、2次および3次共振周波数f1およびf2または
その近傍であれば、予め設定された係数に従って駆動電
圧Vを減少させる。これらより、不要な共振は抑制され
てバイモルフ形圧電素子61は適切に駆動され、磁気ヘ
ッド16と光ディスク10との距離は一定に制御され
る。このとき、切欠部64に露出した圧電素子61aの
表面が加速度センサとして作用し、直接加速度電圧Cを
出力するので、コストアップを招くことなく簡単な構造
でバイモルフ形圧電素子61の振動状態を検出すること
ができる。なお、上記例では、バイアス磁界発生用の磁
気ヘッド16を駆動する場合を例にとって説明したが、
他の例として図41に示すように光ビーム照射用の対物
レンズの駆動制御に用いてもよい。この場合、対物レン
ズ56を平行度を保ったまま矢印B方向に変位させるた
め、バイモルフ形圧電素子61と平行に、切欠部のない
バイモルフ形圧電素子70が配設され、各バイモルフ形
圧電素子61および70の振動端には、対物レンズ56
を保持するためのホルダ59が固定されている。また、
図示しないが、光学式ディスク記録再生装置に限らず、
VTRのトラッキング制御用磁気ヘッドのアクチュエー
タに適用してもよい。ここで、バイモルフ形圧電素子6
1や70は、図42に示すように、それぞれ同じ厚み方
向に分極された圧電素子61a,61bと銅などの金属
材による導電板を兼ねて弾性シム61cと電気端子6
5,66a,66bからなっている。そうして電気端子
66a,66bが同極、65が異極になるように電圧を
印加すると、圧電素子61a,61bのうち一方は矢印
の長さ方向に伸び、もう一方は矢印の長さ方向に縮む。
それぞれの圧電素子61a,61bの対向する側には弾
性シム61cが接着されており、この弾性シム61cの
長さは変化しない。その結果、バイモルフ形圧電素子は
図の(α)方向にたわみ変形する。よって、周知の方法
で焦点ずれを検出し、そのずれ量に応じた電圧をバイモ
ルフ形圧電素子に印加することにより対物レンズホルダ
69、ひいては対物レンズ56を駆動し、焦点制御を行
う。
【0029】以上の動作における周波数特性をみると、
図43に示すように、比較的低い周波数f2,f3,f4
で2次,3次,4次の共振が発生し、しかも、その振動
レベルが高いため、制御帯域が広くとれないという問題
があった。また対物レンズ56が変位したときに傾きが
生じないように、図41に示すように、2個のバイモル
フ形圧電素子61a,61bを平行に配置した構造とす
ると、組立性が悪かったり変位量を大きくとれないとい
う問題があった。次の例は上記のような課題を解決する
ためになされたもので、簡単な構造で組立性がよく、制
御帯域が広くとれ、かつ、可動量も大きくとれる記録再
生装置用アクチュエータを具現する。
【0030】以下、その例を図44〜図47について説
明する。図において、バイモルフ形圧電素子61は、そ
れぞれ同じ厚み方向に分極された圧電素子61a,61
bと、圧電素子61a,61bで挟まれ導電板を兼ねた
弾性シム71からなっている。弾性シム71は、その幅
が、固定−ロール支持のはりの1次の基準関数の値にほ
ぼ反比例するような形状に形成されている。すなわち、
図45において、弾性シム71の幅をb、長さをl、長
さ方向にx軸をとりx=0で支持するとすれば
【0031】
【数1】b∝ 1/{cos βl−coshβl)(coshβx−c
osβx)+(sinβl+sinβl)(sinβx−sinβx)} βl=2.365
【0032】となるような形状である。弾性シム71の
両面に、圧電素子61a,61bが接着されている。以
上の構成により、圧電素子61に所望の電圧を印加する
ことにより、従来と同様な原理で対物レンズホルダ6
9、ひいては対物レンズ56を矢印(B)方向に駆動
し、対物レンズ56により集光された光スポットの焦点
ずれの制御を行う。この際圧電素子61の弾性シム71
は前述のような形状であり、一般に屈曲変位は断面2次
モーメントに反比例、すなわち、厚さが一定のときは幅
に反比例するから圧電素子61は固定−ロール支持の振
動モードで変位し、図46に示すように対物レンズホル
ダ69は常に傾くことなく、矢印(B)方向に変位す
る。また、このアクチュエータの周波数特性は、図47
に示すように、2次以上の振動モードが抑圧されるので
制御帯域を拡大することができる。上記例では、弾性シ
ム71の形状を、その幅が固定−ロール支持のはりの一
次の基準関数の値に反比例するように形成したが、図4
8に示したように、同じく二次の基準関数の値に反比例
するように形成してもよい。動作の原理は前述のものと
全く同様である。そのときの周波数特性は、図49に示
すように、2次の共振周波数f2 が励起され、その他の
振動モードは抑圧されるので、いわゆるシステムとして
の共振周波数f0 をより高い周波数に設定することがで
きる。また、弾性シム71の形状は、用途に応じて三次
あるいは四次の基準関数を基に設定してもよいし、複数
次の基準関数の重ね合せを基にしてもよい。また、固定
−ロール支持の条件に限らず、支持条件が固定−自由,
自由−自由などに基づいた基準関数を利用してもよい。
なお、上記例では焦点制御を行う例について述べたが、
図50に示すように、対物レンズ56の光軸と直交する
トラッキング制御の方向、すなわち、矢印(B)方向に
駆動するときにも同様の効果を奏することは明らかであ
る。さらに、図44に示す焦点制御用と図50に示すト
ラッキング制御用を組合せ、2軸制御とすることも簡単
に推測できる。図51に磁気ヘッドのトラッキング動作
を行う他の例を示す。圧電素子61の自由端に磁気ヘッ
ドチップ16aが装着されており、前述と同様の原理で
磁気ヘッドチップ16aを駆動し、磁気テープに記録さ
れたトラックと磁気ヘッドチップ16aとのずれを補正
するように制御を行う。
【0033】図52にさらに他の例として光学式ディス
ク記録再生装置における外部磁界印加装置を示す。圧電
素子61の自由端に磁気ヘッド16が設けられており、
適宜の方法で光ディスク10と磁気ヘッド16との距離
を検知し、あらかじめ定められた距離とのずれを解消す
べく、前述と同様の原理で磁気ヘッド16を駆動する。
なお、上記各例では弾性シム71の両面に圧電素子61
a,61bを設けてバイモルフ圧電素子61としたが、
弾性シムの片面にのみ圧電素子を接合してバイモルフ圧
電素子としてもよい。
【0034】
【発明の効果】以上のように、この発明の光ディスク記
録再生装置によれば、磁気ヘッドを電磁力によって駆動
する駆動手段から漏れる磁束を遮断する遮へい手段を備
えたので、磁界強度の効率の向上、記録特性の安定化を
図ることができ、かつ、機械的精度を緩和することがで
きるという効果を奏する。また、磁気ヘッドと光ディス
クとの間の距離を検出しその距離情報を出力する距離検
出手段は発光素子と光検出器とからなり、構造が簡単で
あるとともに、小型化が可能であり、また安価に製造す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 光ディスク記録再生装置の一例による距離検
出手段における光強度−距離特性線図である。
【図2】 図3における一点鎖線j−j上の位置に対す
る光強度の分布を示す特性線図である。
【図3】 距離検出手段の光学素子配置平面図である。
【図4】 両光検出器の出力−距離特性線図である。
【図5】 差動出力を得るための回路図である。
【図6】 差動出力−距離特性線図である。
【図7】 光源の光強度分布を考慮した光学素子配置平
面図である。
【図8】 光源の光強度分布を考慮した他の例の光学素
子配置平面図である。
【図9】 光ディスク記録再生装置の要部の(a)側面
図と(b)平面図である。
【図10】 図9におけるプリント配線基板の平面図で
ある。
【図11】 図9のものにおける光路の説明図である。
【図12】 さらに他の例の(a)平面図と(a)図の
k−k線に沿う平面での(b)断面図である。
【図13】 別の例の平面図と(a)図のl−l線に沿
う平面での断面図である。
【図14】 図13におけるスペーサへの各配線のパタ
ーニングを示す平面図である。
【図15】 図13におけるスペーサへの各配線のパタ
ーニングの他の例を示す平面図である。
【図16】 図13のものの光の状況および光強度の分
布を示す説明図である。
【図17】 図13のものの光の状況および光強度の分
布を示す説明図である。
【図18】 さらに別の例の(a)平面図と(a)図の
m−m線に沿う平面での(b)断面図である。
【図19】 図18におけるスペーサの(a)側面図と
(b)平面図である。
【図20】 図18のもののプレント配線基板への各配
線のパターニングを示す平面図である。
【図21】 さらに他の例の側断面図である。
【図22】 図21のものの分解斜視図である。
【図23】 図21のものの駆動回路の結線図である。
【図24】 この発明の一実施例の要部側断面図であ
る。
【図25】 図24における電磁アクチュエータの分解
斜視図である。
【図26】 他の実施例の要部側断面図である。
【図27】 さらに他の実施例の要部側断面図である。
【図28】 光ディスク記録再生装置の一例の要部側面
図である。
【図29】 図28における圧電アクチュエータの斜視
図である。
【図30】 同じく動作を説明するための一部側面図で
ある。
【図31】 他の例の要部斜視図である。
【図32】 図31のものの動作説明のための一部側面
図である。
【図33】 図31のものの動作説明のための一部側面
図である。
【図34】 同じくディスク記録面の磁界強度変動の線
図である。
【図35】 さらに他の例の要部斜視図である。
【図36】 図35のものの位置検出センサ部の側面図
である。
【図37】 前記位置検出センサの出力特性線図であ
る。
【図38】 同じく変位量−周波数特性線図である。
【図39】 光ディスク記録再生装置の要部斜視図であ
る。
【図40】 図39におけるバイモルフ形圧電素子の変
位置−周波数特性線図である。
【図41】 他の例の要部斜視図である。
【図42】 図41におけるバイモルフ形圧電素子の側
面図である。
【図43】 図42のもののゲイン−周波数特性線図で
ある。
【図44】 光ディスク記録再生装置の要部斜視図であ
る。
【図45】 図44のものの平面図である。
【図46】 同じく動作を示す側面図である。
【図47】 同じく周波数特性線図である。
【図48】 他の例の平面図である。
【図49】 図48のものの周波数特性線である。
【図50】 さらに他の例の斜視図である。
【図51】 さらに他の例の斜視図である。
【図52】 さらに他の例の斜視図である。
【図53】 距離検出手段の側断面図である。
【図54】 図53のものの光強度−距離特性線図であ
る。
【図55】 光ディスク記録再生装置の要部概略側面図
である。
【図56】 動作説明のための一部側面図である。
【図57】 光ディスク記録面の磁界強度変動特性線図
である。
【符号の説明】
10 光ディスク、15 光ヘッド、16 磁気ヘッ
ド、20 発光ダイオード(光源)、21a,21b
光検出器、49 磁性部材(遮へい手段)、56対物レ
ンズ、61 バイモルフ圧電素子(圧電素子アクチュエ
ータ)、61a,61b 圧電素子、64 切欠部、
65,66,67 第1,第2,第3電気端子、71
弾性シム(導電性金属板)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平1−28597 (32)優先日 平1(1989)2月9日 (33)優先権主張国 日本(JP) (72)発明者 仲嶋 一 尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三菱電 機株式会社 産業システム研究所内

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光を光ディスクに照射して信号を記録再
    生する光ヘッド、光ディスク面に対してほぼ垂直な方
    向に可動に支持されバイアス磁界を前記光ディスクに印
    加する磁気ヘッド、 該磁気ヘッドと一体的に可動するように同一のベース上
    に設けられた発光素子と光検出器とからなり、上記磁気
    ヘッドと上記光ディスクとの間の距離を検出しその距離
    情報を出力する距離検出手段、 前記ベースと一体的に可動なように設けられた円筒状コ
    イル、該円筒状コイルに磁束を差し向けるように配置
    された永久磁石およびヨークからなる磁気回路とからな
    り、前記距離情報をもとに該距離が一定になるように前
    記磁気ヘッドを駆動する駆動手段と、 当該磁気回路から上記磁気ヘッドに漏れる磁束を遮断す
    る遮へい手段を備えた光ディスク記録再生装置。
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