JP2656836B2 - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は例えば、各種光メモリ素子の製造に使用する
フォトマスクの製造方法に係り、より詳しくは遮光性薄
膜をマスク基板内に埋め込んだ埋込み型のフォトマスク
の製造方法に関するものである。
フォトマスクの製造方法に係り、より詳しくは遮光性薄
膜をマスク基板内に埋め込んだ埋込み型のフォトマスク
の製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕 光メモリ素子として、従来、読出し専用型のもの、１
回のみ記録可能な追加記録可能型のもの及び書換え可能
型のものが知られており、その中でも近年書換え可能型
光メモリ素子の１種としての光磁気メモリ素子の開発が
活発に進められている。
回のみ記録可能な追加記録可能型のもの及び書換え可能
型のものが知られており、その中でも近年書換え可能型
光メモリ素子の１種としての光磁気メモリ素子の開発が
活発に進められている。
ところで、光磁気メモリ素子等の基板には通常情報の
記録経路となる案内溝が形成される。この案内溝は例え
ば、基板上にフォトレジストを設け、フォトマスクを使
用して例えば、密着露光法によりフォトレジスト上に案
内溝のパターンを形成した後、エッチングを行うことに
よって形成される。
記録経路となる案内溝が形成される。この案内溝は例え
ば、基板上にフォトレジストを設け、フォトマスクを使
用して例えば、密着露光法によりフォトレジスト上に案
内溝のパターンを形成した後、エッチングを行うことに
よって形成される。
以下、従来のフォトマスクの製造方法につき述べる。
まず、第３図（ａ）に示すようにマスク基板１上にC
r、Ta等の光を透過させない遮光性の薄膜２を付着さ
せ、続いて、同部（ｂ）に示すように薄膜２上にフォト
レジスト３を塗布する。
r、Ta等の光を透過させない遮光性の薄膜２を付着さ
せ、続いて、同部（ｂ）に示すように薄膜２上にフォト
レジスト３を塗布する。
次に、フォトレジスト３にレーザカッティング法又は
密着露光等により露光（露光部位3a・3aのみ同図（ｃ）
にハッチングで示す）を行った後、露光部位3a・3aのフ
ォトレジスト３を現像により除去（図示（ｄ）参照）し
てマスクパターンに対応したパターンをフォトレジスト
３により形成する。
密着露光等により露光（露光部位3a・3aのみ同図（ｃ）
にハッチングで示す）を行った後、露光部位3a・3aのフ
ォトレジスト３を現像により除去（図示（ｄ）参照）し
てマスクパターンに対応したパターンをフォトレジスト
３により形成する。
次に、残存したフォトレジスト３をマスク材として薄
膜２をエッチングし（同図（ｅ）参照）、最後に残存し
た薄膜２を除去すると、遮光性の薄膜２によるマスクパ
ターンを有するフォトマスク（同図（ｆ）参照）が完成
する。
膜２をエッチングし（同図（ｅ）参照）、最後に残存し
た薄膜２を除去すると、遮光性の薄膜２によるマスクパ
ターンを有するフォトマスク（同図（ｆ）参照）が完成
する。
ところが、上記のフォトマスクがマスク基板１上に薄
膜２によるマスクパターンが付着した構造となっている
ため、0.4μｍ程度の幅のマスクパターンを必要とする
光メモリ素子用のフォトマスクでは洗浄工程等でマスク
パターンの剥離が生じやすく、その結果、フォトマスク
の寿命が短くなるという問題を有していた。
膜２によるマスクパターンが付着した構造となっている
ため、0.4μｍ程度の幅のマスクパターンを必要とする
光メモリ素子用のフォトマスクでは洗浄工程等でマスク
パターンの剥離が生じやすく、その結果、フォトマスク
の寿命が短くなるという問題を有していた。
本発明に係るフォトマスクは、基本的にはマスク基板
上に第２の薄膜を形成するフォトレジスト用の現像液に
可溶な第１の薄膜を形成した後、この第１の薄膜上に上
記フォトレジストからなる第２の薄膜を形成し、次にマ
スクパターンに対応させて第２の薄膜に露光し、続いて
現像液により第２の薄膜を現像するとともにこの現像液
により第１の薄膜をマスク基板の表面に平行な方向及び
上記表面に垂直な方向に等方的に除去し、更に、上記第
２の薄膜をマスクとして上記マスク基板にその表面に垂
直な方向のみに異方的にエッチングを施してマスクパタ
ーンに対応した溝を形成し、続いて上記第２の薄膜を介
してマスク基板の上記溝内に遮光性を有する第３の薄膜
を形成した後、上記第１及び第２の薄膜を除去するよう
にしたことを特徴とするものである。
上に第２の薄膜を形成するフォトレジスト用の現像液に
可溶な第１の薄膜を形成した後、この第１の薄膜上に上
記フォトレジストからなる第２の薄膜を形成し、次にマ
スクパターンに対応させて第２の薄膜に露光し、続いて
現像液により第２の薄膜を現像するとともにこの現像液
により第１の薄膜をマスク基板の表面に平行な方向及び
上記表面に垂直な方向に等方的に除去し、更に、上記第
２の薄膜をマスクとして上記マスク基板にその表面に垂
直な方向のみに異方的にエッチングを施してマスクパタ
ーンに対応した溝を形成し、続いて上記第２の薄膜を介
してマスク基板の上記溝内に遮光性を有する第３の薄膜
を形成した後、上記第１及び第２の薄膜を除去するよう
にしたことを特徴とするものである。
なお、上記第１の薄膜は例えば、第２の薄膜を形成す
るフォトレジスト用現像液に可溶なAl又はAlNから形成
することができる。
るフォトレジスト用現像液に可溶なAl又はAlNから形成
することができる。
又、上記第１の薄膜としては第２の薄膜を形成するフ
ォトレジストと同種のフォトレジストに予め全面露光し
たものを使用することができる。
ォトレジストと同種のフォトレジストに予め全面露光し
たものを使用することができる。
上記の製造方法は、まず、マスク基板にマスクパター
ンに対応した溝を形成した後、形成した溝内にマスクパ
ターンとなる遮光性の薄膜（上記第３の薄膜）を埋め込
むようにしたものである。その際、マスク基板のマスク
パターンに対応する溝を形成するために、１層のみのフ
ォトレジスト（上記第２の薄膜）を使用するのではな
く、更に、上記第１の薄膜を使用することにより、マス
ク基板の溝内に充填される第３の薄膜と第２の薄膜上に
付着される第３の薄膜とを分離状態で形成して、第２の
薄膜上に形成された第３の薄膜を第１及び第２の薄膜と
ともに容易に除去できるように工夫している。
ンに対応した溝を形成した後、形成した溝内にマスクパ
ターンとなる遮光性の薄膜（上記第３の薄膜）を埋め込
むようにしたものである。その際、マスク基板のマスク
パターンに対応する溝を形成するために、１層のみのフ
ォトレジスト（上記第２の薄膜）を使用するのではな
く、更に、上記第１の薄膜を使用することにより、マス
ク基板の溝内に充填される第３の薄膜と第２の薄膜上に
付着される第３の薄膜とを分離状態で形成して、第２の
薄膜上に形成された第３の薄膜を第１及び第２の薄膜と
ともに容易に除去できるように工夫している。
即ち、マスク基板上に第１及び第２の薄膜を順次形成
して第２の薄膜にマスクパターンに対応した露光を行
い、現像液で現像すると、まず、第２の薄膜にマスクパ
ターンに対応した窓が形成される。その後、上記現像液
は第１の薄膜を除去するが、この現像液による第１の薄
膜の除去はマスク基板の表面に平行な方向及び上記表面
に垂直な方向で等法的に行われるので、第１の薄膜には
第２の薄膜の窓より幅の広い窓が第２の薄膜の窓に対応
した位置に形成される。
して第２の薄膜にマスクパターンに対応した露光を行
い、現像液で現像すると、まず、第２の薄膜にマスクパ
ターンに対応した窓が形成される。その後、上記現像液
は第１の薄膜を除去するが、この現像液による第１の薄
膜の除去はマスク基板の表面に平行な方向及び上記表面
に垂直な方向で等法的に行われるので、第１の薄膜には
第２の薄膜の窓より幅の広い窓が第２の薄膜の窓に対応
した位置に形成される。
その後、マスク基板にエッチングを施すが、上記のよ
うに第２の薄膜の窓より第１の薄膜の窓の方が幅が広い
ため、このエッチングに際しては第２の薄膜がマスク材
となる。このように、第２の薄膜をマスク材としてマス
ク基板にエッチングが施されることにより、マスク基板
にマスクパターンに対応した溝が形成される。そして、
このエッチングは例えば、ドライエッチングによりマス
ク基板の表面に垂直な方向のみに異方的に行われるの
で、マスク基板に形成される溝の幅は第２の薄膜の窓の
幅とほぼ等しくなる。
うに第２の薄膜の窓より第１の薄膜の窓の方が幅が広い
ため、このエッチングに際しては第２の薄膜がマスク材
となる。このように、第２の薄膜をマスク材としてマス
ク基板にエッチングが施されることにより、マスク基板
にマスクパターンに対応した溝が形成される。そして、
このエッチングは例えば、ドライエッチングによりマス
ク基板の表面に垂直な方向のみに異方的に行われるの
で、マスク基板に形成される溝の幅は第２の薄膜の窓の
幅とほぼ等しくなる。
続いて、第２の薄膜をマスク材として第３の薄膜が形
成されるが、この第３の薄膜は第２の薄膜の窓を介して
マスク基板の溝内に充填されるとともに第２の薄膜上に
も付着される。更に、第３の薄膜は第２の薄膜における
窓の側面にも付着される。しかしながら、第１の薄膜の
窓の幅は第２の薄膜の窓の幅より大きいため、第１の薄
膜の窓の側面には第３の薄膜は付着されない。このよう
に、第３の薄膜を形成する際のマスク材となる第２の薄
膜とマスク基板との間に第２の薄膜の窓より大きい窓を
有する第１の薄膜を介在させることにより、マスク基板
の溝内に充填される第３の薄膜と第２の薄膜上に付着さ
れる第３の薄膜とを分離させることができる。従って、
第２の薄膜上に付着された第３の薄膜は第１及び第２の
薄膜とともに容易にマスク基板から除去することができ
る。そして、このように第１及び第２の薄膜並びに第２
の薄膜上に構成された第３の薄膜を除去することにより
埋込み型のフォトマスクが完成する。
成されるが、この第３の薄膜は第２の薄膜の窓を介して
マスク基板の溝内に充填されるとともに第２の薄膜上に
も付着される。更に、第３の薄膜は第２の薄膜における
窓の側面にも付着される。しかしながら、第１の薄膜の
窓の幅は第２の薄膜の窓の幅より大きいため、第１の薄
膜の窓の側面には第３の薄膜は付着されない。このよう
に、第３の薄膜を形成する際のマスク材となる第２の薄
膜とマスク基板との間に第２の薄膜の窓より大きい窓を
有する第１の薄膜を介在させることにより、マスク基板
の溝内に充填される第３の薄膜と第２の薄膜上に付着さ
れる第３の薄膜とを分離させることができる。従って、
第２の薄膜上に付着された第３の薄膜は第１及び第２の
薄膜とともに容易にマスク基板から除去することができ
る。そして、このように第１及び第２の薄膜並びに第２
の薄膜上に構成された第３の薄膜を除去することにより
埋込み型のフォトマスクが完成する。
〔実施例１〕 本発明の一実施例を第１図に基づいて説明すれば、以
下の通りである。
下の通りである。
第１図（ｇ）に示すように、本実施例に係るフォトマ
スクは例えば、各種光メモリ素子の基板に案内溝を形成
する際等に使用されるものである。このフォトマスクは
ガラス等からなる透光性のマスク基板11にマスクパター
ンに対応した溝11a・11aを設けられ、これら溝11a・11a
内に遮光性を有する第３の薄膜14・14からなるマスクパ
ターンが埋め込まれて形成されている。
スクは例えば、各種光メモリ素子の基板に案内溝を形成
する際等に使用されるものである。このフォトマスクは
ガラス等からなる透光性のマスク基板11にマスクパター
ンに対応した溝11a・11aを設けられ、これら溝11a・11a
内に遮光性を有する第３の薄膜14・14からなるマスクパ
ターンが埋め込まれて形成されている。
以下、製造手順を説明すると、第１図（ａ）に示すよ
うに、まず、マスク基板11上に後述する第２の薄膜13の
現像に使用する現像液に可溶な材料からなる第１の薄膜
12が形成される。例えば第２の薄膜13として、ポジ型フ
ォトレジストであるシプレイ社のAZ−1140フォトレジス
トが使用される場合、その現像液の主成分であるNaOHに
可溶なAl薄膜又はAlN薄膜等が第１の薄膜12として使用
される。
うに、まず、マスク基板11上に後述する第２の薄膜13の
現像に使用する現像液に可溶な材料からなる第１の薄膜
12が形成される。例えば第２の薄膜13として、ポジ型フ
ォトレジストであるシプレイ社のAZ−1140フォトレジス
トが使用される場合、その現像液の主成分であるNaOHに
可溶なAl薄膜又はAlN薄膜等が第１の薄膜12として使用
される。
次に、同図（ｂ）に示すように第１の薄膜12上に第２
の薄膜13が形成される。第２の薄膜13としては、例えば
上述したシプレイ社のAZ−1140フォトレジストが使用さ
れ、このフォトレジストが第１の薄膜12上に塗布された
後、加熱されてプリベイクが行われる。
の薄膜13が形成される。第２の薄膜13としては、例えば
上述したシプレイ社のAZ−1140フォトレジストが使用さ
れ、このフォトレジストが第１の薄膜12上に塗布された
後、加熱されてプリベイクが行われる。
続いて、上記第２の薄膜13にレーザカッティング法又
は密着露光法等によりマスクパターンに対応した露光が
行われる。なお、同図（ｃ）に第２の薄膜13における露
光部位13a・13aのみを便宜上ハッチングで示す。
は密着露光法等によりマスクパターンに対応した露光が
行われる。なお、同図（ｃ）に第２の薄膜13における露
光部位13a・13aのみを便宜上ハッチングで示す。
次に、第２の薄膜13に現像液を作用させると、第２の
薄膜13における露光部位13a・13aが除去されてマスクパ
ターンに対応した窓13b・13bが形成されるとともに第１
の薄膜12が上記現像液によりマスク基板11の表面に平行
な方向及びマスク基板11の表面に垂直な方向に等方的に
エッチングにより除去されて第２の薄膜13の窓13b・13b
より幅の広い窓12a・12aが窓13b・13bに対応した位置に
形成される（同図（ｄ）参照）。そして、窓12a・12aの
幅が窓13b・13bの幅より若干大きくなった時点でマスク
基板11が純水により洗浄されて現像液が除去された後、
第２の薄膜13が加熱されてポストベークが行われる。
薄膜13における露光部位13a・13aが除去されてマスクパ
ターンに対応した窓13b・13bが形成されるとともに第１
の薄膜12が上記現像液によりマスク基板11の表面に平行
な方向及びマスク基板11の表面に垂直な方向に等方的に
エッチングにより除去されて第２の薄膜13の窓13b・13b
より幅の広い窓12a・12aが窓13b・13bに対応した位置に
形成される（同図（ｄ）参照）。そして、窓12a・12aの
幅が窓13b・13bの幅より若干大きくなった時点でマスク
基板11が純水により洗浄されて現像液が除去された後、
第２の薄膜13が加熱されてポストベークが行われる。
次に、第２の薄膜13をマスク材として、CF4ガス、CHF
3ガス等を使用したドライエッチング法によりマスク基
板11がこのマスク基板11の表面に垂直な方向のみに異方
的にエッチングされ、マスクパターンに対応した溝11a
・11aが形成される（同図（ｅ））。これらの溝11a・11
aの幅は第２の薄膜13の窓13b・13bの幅とほぼ等しく、
従って、第１の薄膜12の窓12a・12aの幅よりは小さくな
る。
3ガス等を使用したドライエッチング法によりマスク基
板11がこのマスク基板11の表面に垂直な方向のみに異方
的にエッチングされ、マスクパターンに対応した溝11a
・11aが形成される（同図（ｅ））。これらの溝11a・11
aの幅は第２の薄膜13の窓13b・13bの幅とほぼ等しく、
従って、第１の薄膜12の窓12a・12aの幅よりは小さくな
る。
その後、第２の薄膜13をマスク材としてCr、Ta、Ti等
の遮光性を有する第３の薄膜14が形成される。これによ
り、第３の薄膜14はマスク基板11の溝11a・11a内に充填
されるとともに第２の薄膜13上に付着され、更に第２の
薄膜13の窓13b・13bの側面13c・13cにも付着される。
の遮光性を有する第３の薄膜14が形成される。これによ
り、第３の薄膜14はマスク基板11の溝11a・11a内に充填
されるとともに第２の薄膜13上に付着され、更に第２の
薄膜13の窓13b・13bの側面13c・13cにも付着される。
一方、第１の薄膜12の窓12a・12aは第２の薄膜13の窓
13b・13bより幅が広いので、第１の薄膜12の窓12a・12a
の側面12b・12bには第３の薄膜14は付着されない。その
結果、マスク基板11の溝11a・11a内に充填された第３の
薄膜14と第２の薄膜13上に付着された第３の薄膜14とが
互いに分離状態となる。
13b・13bより幅が広いので、第１の薄膜12の窓12a・12a
の側面12b・12bには第３の薄膜14は付着されない。その
結果、マスク基板11の溝11a・11a内に充填された第３の
薄膜14と第２の薄膜13上に付着された第３の薄膜14とが
互いに分離状態となる。
最後に、現像液に可溶な第１の薄膜12が上記現像液に
より溶かされ、これにより、第１及び第２の薄膜12・13
並びに第２の薄膜13上に付着された第３の薄膜14が除去
される（同図（ｇ）参照）。上記のように、マスク基板
11の溝11a・11a内に充填された第３の薄膜14と第２の薄
膜13上に付着された第３の薄膜14とは分離（同図
（ｆ））されているので、第２の薄膜13上の第３の薄膜
14は第１の薄膜12とともに容易に除去される。
より溶かされ、これにより、第１及び第２の薄膜12・13
並びに第２の薄膜13上に付着された第３の薄膜14が除去
される（同図（ｇ）参照）。上記のように、マスク基板
11の溝11a・11a内に充填された第３の薄膜14と第２の薄
膜13上に付着された第３の薄膜14とは分離（同図
（ｆ））されているので、第２の薄膜13上の第３の薄膜
14は第１の薄膜12とともに容易に除去される。
〔実施例２〕 次に、第２実施例を第２図に基づいて説明する。な
お、第２実施例において上記の第１実施例と共通の部材
には同一の参照番号を付して示す。
お、第２実施例において上記の第１実施例と共通の部材
には同一の参照番号を付して示す。
第２実施例のフォトマスクは第１実施例と同様、第２
図（ｇ）に示すようにマスク基板11に設けられた溝11a
・11a内に遮光性を有する第３の薄膜14からなるマスク
パターンが埋め込まれて形成されたものである。
図（ｇ）に示すようにマスク基板11に設けられた溝11a
・11a内に遮光性を有する第３の薄膜14からなるマスク
パターンが埋め込まれて形成されたものである。
以下、製造手順を説明すると、まず、第２図（ａ）に
示すように透光性を有するマスク基板11上にポジ型フォ
トレジストが塗布されて第１の薄膜12′が形成された
後、第１の薄膜12′が加熱されてプリベークが行われ
る。その後、第１の薄膜12′が全面露光されて第１の薄
膜12′の全面が現像液に可溶な状態とされる。
示すように透光性を有するマスク基板11上にポジ型フォ
トレジストが塗布されて第１の薄膜12′が形成された
後、第１の薄膜12′が加熱されてプリベークが行われ
る。その後、第１の薄膜12′が全面露光されて第１の薄
膜12′の全面が現像液に可溶な状態とされる。
以下、第１の実施例と同様の手順で処理が行われる。
即ち、第２図（ｂ）に示すように第１の薄膜12′上に第
１の薄膜12′を形成するフォトレジストと同一のフォト
レジストが塗布されて第２の薄膜13が形成され、更に加
熱によりプリベイクが行われる。
即ち、第２図（ｂ）に示すように第１の薄膜12′上に第
１の薄膜12′を形成するフォトレジストと同一のフォト
レジストが塗布されて第２の薄膜13が形成され、更に加
熱によりプリベイクが行われる。
続いて、上記第２の薄膜13にレーザカッティング法又
は密着露光法等によりマスクパターンに対応した露光が
行われる。なお、同図（ｃ）に第２の薄膜13における露
光部位13a・13aのみを便宜上ハッチングで示す。
は密着露光法等によりマスクパターンに対応した露光が
行われる。なお、同図（ｃ）に第２の薄膜13における露
光部位13a・13aのみを便宜上ハッチングで示す。
次に、第２の薄膜13に現像液を作用させると、第２の
薄膜13における露光部位13a・13aが除去されてマスクパ
ターンに対応した窓13b・13bが形成されるとともに第１
の薄膜12′が上記現像液によりマスク基板11の表面に平
行な方向及びマスク基板11の表面に垂直な方向に等方的
に除去されて第２の薄膜13の窓13b・13bより幅の広い窓
12a′・12a′が窓13b・13bに対応した位置に形成される
（同図（ｄ）参照）。そして、窓12a′・12a′の幅が窓
13b・13bの幅より若干大きくなった時点でマスク基板11
が純水により洗浄されて現像液が除去された後、加熱に
よりポストベークが行われる。
薄膜13における露光部位13a・13aが除去されてマスクパ
ターンに対応した窓13b・13bが形成されるとともに第１
の薄膜12′が上記現像液によりマスク基板11の表面に平
行な方向及びマスク基板11の表面に垂直な方向に等方的
に除去されて第２の薄膜13の窓13b・13bより幅の広い窓
12a′・12a′が窓13b・13bに対応した位置に形成される
（同図（ｄ）参照）。そして、窓12a′・12a′の幅が窓
13b・13bの幅より若干大きくなった時点でマスク基板11
が純水により洗浄されて現像液が除去された後、加熱に
よりポストベークが行われる。
次に、第２の薄膜13をマスク材として、CF4ガス、CHF
3ガス等を使用したドライエッチング法によりマスク基
板11がこのマスク基板11の表面に垂直な方向のみに異方
的にエッチングされ、マスクパターンに対応した溝11a
・11aが形成される（同図（ｅ））。これらの溝11a・11
aの幅は第２の薄膜13の窓13b・13bの幅とほぼ等しく、
従って、第１の薄膜12′の窓12a′・12a′の幅よりは小
さくなる。
3ガス等を使用したドライエッチング法によりマスク基
板11がこのマスク基板11の表面に垂直な方向のみに異方
的にエッチングされ、マスクパターンに対応した溝11a
・11aが形成される（同図（ｅ））。これらの溝11a・11
aの幅は第２の薄膜13の窓13b・13bの幅とほぼ等しく、
従って、第１の薄膜12′の窓12a′・12a′の幅よりは小
さくなる。
その後、第２の薄膜13をマスク材としてCr、Ta、Ti等
により遮光性を有する第３の薄膜14が形成される。これ
により、第３の薄膜14はマスク基板11の溝11a・11a内に
充填されるとともに第２の薄膜13上に付着され、更に第
２の薄膜13の窓13b・13bの側面13c・13cにも付着され
る。一方、第１の薄膜12′の窓12a′・12a′は第２の薄
膜13の窓13b・13bより幅が広いので、第１の薄膜12′の
窓12a′・12a′の側面12b′・12b′には第３の薄膜14は
付着されない。
により遮光性を有する第３の薄膜14が形成される。これ
により、第３の薄膜14はマスク基板11の溝11a・11a内に
充填されるとともに第２の薄膜13上に付着され、更に第
２の薄膜13の窓13b・13bの側面13c・13cにも付着され
る。一方、第１の薄膜12′の窓12a′・12a′は第２の薄
膜13の窓13b・13bより幅が広いので、第１の薄膜12′の
窓12a′・12a′の側面12b′・12b′には第３の薄膜14は
付着されない。
最後に、第１の薄膜12′が上記現像液により溶かさ
れ、これにより、第１及び第２の薄膜12′・13並びに第
２の薄膜13上に付着された第３の薄膜14が除去される
（同図（ｆ）参照）。
れ、これにより、第１及び第２の薄膜12′・13並びに第
２の薄膜13上に付着された第３の薄膜14が除去される
（同図（ｆ）参照）。
以上のように、本発明に係るフォトマスクの製造方法
は、マスク基材上に第２の薄膜を形成するフォトレジス
ト用の現像液に可溶な第１の薄膜を形成した後、この第
１の薄膜上に上記フォトレジストからなる第２の薄膜を
形成し、次にマスクパターンに対応させて第２の薄膜に
露光し、続いて現像液により第２の薄膜を現像するとと
もにこの現像液により第１の薄膜をマスク基板の表面に
平行な方向及び上記表面に垂直な方向に等方的に除去
し、更に、上記第２の薄膜をマスクとして上記マスク基
板にその表面に垂直な方向のみに異方的にエッチングを
施してマスクパターンに対応した溝を形成し、続いて上
記第２の薄膜を介してマスク基板の上記溝内に遮光性を
有する第３の薄膜を形成した後、上記第１及び第２の薄
膜を除去するようにした構成である。
は、マスク基材上に第２の薄膜を形成するフォトレジス
ト用の現像液に可溶な第１の薄膜を形成した後、この第
１の薄膜上に上記フォトレジストからなる第２の薄膜を
形成し、次にマスクパターンに対応させて第２の薄膜に
露光し、続いて現像液により第２の薄膜を現像するとと
もにこの現像液により第１の薄膜をマスク基板の表面に
平行な方向及び上記表面に垂直な方向に等方的に除去
し、更に、上記第２の薄膜をマスクとして上記マスク基
板にその表面に垂直な方向のみに異方的にエッチングを
施してマスクパターンに対応した溝を形成し、続いて上
記第２の薄膜を介してマスク基板の上記溝内に遮光性を
有する第３の薄膜を形成した後、上記第１及び第２の薄
膜を除去するようにした構成である。
上記のように、マスク基板上に第１及び第２の薄膜を
順次形成して第２の薄膜に露光を行い、現像液を付与す
ると、第２の薄膜が現像されてマスクパターンに対応し
た窓が形成されるとともに上記現像液により第１の薄膜
が等方的に除去されて第２の薄膜の窓に対応した位置に
第２の薄膜の窓より幅の広い窓が形成される。その後、
第２の薄膜をマスク材としてマスク基板に異方的にエッ
チングを行い、第３の薄膜を形成すると、第３の薄膜は
マスク基板の溝内に充填されるばかりでなく、第２の薄
膜上及び第２の薄膜における窓の側面にも付着される
が、第１の薄膜の窓は第２の薄膜の窓より幅が広いの
で、第１の薄膜の窓の側面には第３の薄膜は付着され
ず、その結果、マスク基板の溝内の第３の薄膜と第２の
薄膜上の第３の薄膜とが分離されるので、第２の薄膜上
の第３の薄膜は第１及び第２の薄膜とともにマスク基板
から容易に除去され、埋込み型のフォトマスクが形成さ
れる。
順次形成して第２の薄膜に露光を行い、現像液を付与す
ると、第２の薄膜が現像されてマスクパターンに対応し
た窓が形成されるとともに上記現像液により第１の薄膜
が等方的に除去されて第２の薄膜の窓に対応した位置に
第２の薄膜の窓より幅の広い窓が形成される。その後、
第２の薄膜をマスク材としてマスク基板に異方的にエッ
チングを行い、第３の薄膜を形成すると、第３の薄膜は
マスク基板の溝内に充填されるばかりでなく、第２の薄
膜上及び第２の薄膜における窓の側面にも付着される
が、第１の薄膜の窓は第２の薄膜の窓より幅が広いの
で、第１の薄膜の窓の側面には第３の薄膜は付着され
ず、その結果、マスク基板の溝内の第３の薄膜と第２の
薄膜上の第３の薄膜とが分離されるので、第２の薄膜上
の第３の薄膜は第１及び第２の薄膜とともにマスク基板
から容易に除去され、埋込み型のフォトマスクが形成さ
れる。
このようにして形成されたフォトマスクは第３の薄膜
からなるマスクパターンがフォトマスクの溝内に埋め込
まれているので、洗浄等を行ってもマスクパターンが剥
離することがなく、長寿命のフォトマスクが提供され
る。
からなるマスクパターンがフォトマスクの溝内に埋め込
まれているので、洗浄等を行ってもマスクパターンが剥
離することがなく、長寿命のフォトマスクが提供され
る。
第１図（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ本発明の第１実施例に
おけるフォトマスクの製造手順を示す概略縦断面図であ
る。 第２図（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ本発明の第２実施例に
おけるフォトマスクの製造手順を示す概略縦断面図であ
る。 第３図（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従来のフォトマスクの
製造手順を示す概略縦断面図である。 11はマスク基板、11aは溝、12・12′は第１の薄膜、12a
・12a′は窓、13は第２の薄膜、13bは窓、14は第３の薄
膜である。
おけるフォトマスクの製造手順を示す概略縦断面図であ
る。 第２図（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ本発明の第２実施例に
おけるフォトマスクの製造手順を示す概略縦断面図であ
る。 第３図（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ従来のフォトマスクの
製造手順を示す概略縦断面図である。 11はマスク基板、11aは溝、12・12′は第１の薄膜、12a
・12a′は窓、13は第２の薄膜、13bは窓、14は第３の薄
膜である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−273543（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−231959（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−103254（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−207256（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−96677（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−50671（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】マスク基板上に第２の薄膜を形成するフォ
トレジスト用の現像液に可溶な第１の薄膜を形成した
後、この第１の薄膜上に上記フォトレジストからなる第
２の薄膜を形成し、次にマスクパターンに対応させて第
２の薄膜に露光し、続いて現像液により第２の薄膜を現
像するとともにこの現像液により第１の薄膜をマスク基
板の表面に平行な方向及び上記表面に垂直な方向に等方
的に除去し、更に、上記第２の薄膜をマスクとして上記
マスク基板にその表面に垂直な方向のみに異方的にエッ
チングを施してマスクパターンに対応した溝を形成し、
続いて上記第２の薄膜を介してマスク基板の上記溝内に
遮光性を有する第３の薄膜を形成した後、上記第１及び
第２の薄膜を除去するようにしたことを特徴とするフォ
トマスクの製造方法。 - 【請求項２】上記第１の薄膜は第２の薄膜を形成するフ
ォトレジスト用の現像液に可溶なAl又はAlNからなるこ
とを特徴とする請求項第１項に記載のフォトマスクの製
造方法。 - 【請求項３】上記第１の薄膜は第２の薄膜を形成するフ
ォトレジストと同種のフォトレジストが全面露光された
ものであることを特徴とする請求項第１項に記載のフォ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29070889A JP2656836B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29070889A JP2656836B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150565A JPH03150565A (ja) | 1991-06-26 |
| JP2656836B2 true JP2656836B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=17759491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29070889A Expired - Fee Related JP2656836B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656836B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100947550B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2010-03-12 | 위아코퍼레이션 주식회사 | 레이저 반사형 마스크 및 그 제조방법 |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP29070889A patent/JP2656836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03150565A (ja) | 1991-06-26 |
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Legal Events
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