JP2652012B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JP2652012B2 JP2652012B2 JP62000853A JP85387A JP2652012B2 JP 2652012 B2 JP2652012 B2 JP 2652012B2 JP 62000853 A JP62000853 A JP 62000853A JP 85387 A JP85387 A JP 85387A JP 2652012 B2 JP2652012 B2 JP 2652012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- current
- cladding layer
- algaas
- ridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体レーザに関し、特に低しきい値電流
での動作を可能とするリッジガイド構造よりなる半導体
レーザに関するものである。
での動作を可能とするリッジガイド構造よりなる半導体
レーザに関するものである。
［従来の技術］ コンパクトディスクプレーヤの登場以来、ビデオディ
スクプレーヤ、光ディスクメモリ、レーザ・ビームプリ
ンタ等の半導体レーザの応用分野が急速に広がっている
が、これらの応用機器はレーザ光を利用することによ
り、高密度の情報の記憶、再生および高速動作をその大
きな特徴としている。このレーザ光に主に用いられてい
る半導体レーザのしきい値電流値は約50mAと大きいので
レーザチップの放熱を必要とし、そのためピックアップ
等の光学系の小型化および高速アクセス化の妨げとなっ
ている。
スクプレーヤ、光ディスクメモリ、レーザ・ビームプリ
ンタ等の半導体レーザの応用分野が急速に広がっている
が、これらの応用機器はレーザ光を利用することによ
り、高密度の情報の記憶、再生および高速動作をその大
きな特徴としている。このレーザ光に主に用いられてい
る半導体レーザのしきい値電流値は約50mAと大きいので
レーザチップの放熱を必要とし、そのためピックアップ
等の光学系の小型化および高速アクセス化の妨げとなっ
ている。
そうした中で、近年MBE（分子線エピタキシ）法、MOC
VD（有機金属熱分解）法等の超薄膜の成長を制御できる
新結晶成長技術の進展に伴う量子井戸レーザと呼ばれる
半導体レーザが、従来のDH（ダブルヘテロ）構造のレー
ザに比してその大幅な低しきい値電流を可能とする点で
注目されている。たとえばMBE法により形成されたGRIN
−SCH（Granded Index Separate Confinement Hete
ro structure）構造よりなる量子井戸レーザでは、共
振器長500μｍを有する大面積レーザで約200A/cm2とい
うDH構造のレーザの数分の１程度の低しきい値電流密度
が得られている。しかし前述の応用機器にこのレーザを
適用して安定した光ビームと十分な低しきい値電流特性
を得るには、屈折率導波機構を有する何らかのストライ
プ構造を採用して光と電流を狭いストライプ領域に閉じ
込めることが必要である。
VD（有機金属熱分解）法等の超薄膜の成長を制御できる
新結晶成長技術の進展に伴う量子井戸レーザと呼ばれる
半導体レーザが、従来のDH（ダブルヘテロ）構造のレー
ザに比してその大幅な低しきい値電流を可能とする点で
注目されている。たとえばMBE法により形成されたGRIN
−SCH（Granded Index Separate Confinement Hete
ro structure）構造よりなる量子井戸レーザでは、共
振器長500μｍを有する大面積レーザで約200A/cm2とい
うDH構造のレーザの数分の１程度の低しきい値電流密度
が得られている。しかし前述の応用機器にこのレーザを
適用して安定した光ビームと十分な低しきい値電流特性
を得るには、屈折率導波機構を有する何らかのストライ
プ構造を採用して光と電流を狭いストライプ領域に閉じ
込めることが必要である。
ここで、MBE法またはMOCVD法では良好な結晶層を得る
ために平坦な基板上で成長させることが必要であり、ま
た成長機構が従来用いられているLPE（液相成長）法と
は異なるので、LPE法で開発されたストライプ構造をそ
のまま採用するのは困難である。したがって従来の構造
とは異なる新たな構造の採用が必要である。特に量子井
戸レーザが有する低しきい値特性を有効に利用するため
には、電流と光の両方を十分に狭いストライプ領域に閉
じ込めることが可能な構造でなければならない。そのよ
うな構造としてBH（埋込みヘテロ）構造がよく知られて
いるが第３図はその断面図である。
ために平坦な基板上で成長させることが必要であり、ま
た成長機構が従来用いられているLPE（液相成長）法と
は異なるので、LPE法で開発されたストライプ構造をそ
のまま採用するのは困難である。したがって従来の構造
とは異なる新たな構造の採用が必要である。特に量子井
戸レーザが有する低しきい値特性を有効に利用するため
には、電流と光の両方を十分に狭いストライプ領域に閉
じ込めることが可能な構造でなければならない。そのよ
うな構造としてBH（埋込みヘテロ）構造がよく知られて
いるが第３図はその断面図である。
図において、たとえばｎ−GaAs基板１上にｎ−AlGaAs
第１クラッド層３、活性層４およびｐ−AlGaAs第２クラ
ッド層８を順次形成した後、第２クラッド層８を所定幅
残して両側の動作層をｎ−GaAs基板１の一部までエッチ
ング除去する。次に除去された部分にｐ−AlGaAs埋込層
22およびｎ−AlGaAs層23を順次形成した後、ｐ−AlGaAs
第２クラッド層８の表面からZnを拡散しZn拡散領域24を
形成する。さらに全表面にSi3N4層15を形成してその上
に電流パス用の開口を設けた後ｐ側電極17、裏面にはｎ
側電極18を形成する。
第１クラッド層３、活性層４およびｐ−AlGaAs第２クラ
ッド層８を順次形成した後、第２クラッド層８を所定幅
残して両側の動作層をｎ−GaAs基板１の一部までエッチ
ング除去する。次に除去された部分にｐ−AlGaAs埋込層
22およびｎ−AlGaAs層23を順次形成した後、ｐ−AlGaAs
第２クラッド層８の表面からZnを拡散しZn拡散領域24を
形成する。さらに全表面にSi3N4層15を形成してその上
に電流パス用の開口を設けた後ｐ側電極17、裏面にはｎ
側電極18を形成する。
以上のように構成されたBH構造は活性層４の狭い幅の
中に電流と光を閉じ込めることができる。
中に電流と光を閉じ込めることができる。
また、平坦な基板上に成長したレーザ動作領域を利用
した他の屈折率導波型のレーザ構造としてリッジガイド
構造があるが第４図はこの断面図である。
した他の屈折率導波型のレーザ構造としてリッジガイド
構造があるが第４図はこの断面図である。
図において、たとえばｎ−GaAs基板１上にｎ−AlGaAs
第１クラッド層３、活性層４、ｐ−AlGaAs第２クラッド
層８およびｐ−GaAsキャップ層９を順次形成した後、ｐ
−GaAsキャップ層９を所定幅残して両側をｐ−AlGaAs第
２クラッド層８の一部に至るまでエッチング除去しリッ
ジ部11を形成する。次に全面にSi3N4絶縁層15を形成
し、リッジ部10に電流パス用の開口を設けた後、ｐ側電
極17、裏面にはｎ型電極18を形成する。
第１クラッド層３、活性層４、ｐ−AlGaAs第２クラッド
層８およびｐ−GaAsキャップ層９を順次形成した後、ｐ
−GaAsキャップ層９を所定幅残して両側をｐ−AlGaAs第
２クラッド層８の一部に至るまでエッチング除去しリッ
ジ部11を形成する。次に全面にSi3N4絶縁層15を形成
し、リッジ部10に電流パス用の開口を設けた後、ｐ側電
極17、裏面にはｎ型電極18を形成する。
以上のように構成されたリッジガイド構成は成長層膜
の制御性に優れたMBE法、MOCVD法とRIE法、RIBE法等の
ドライエッチング技術を併用することにより、高い歩留
りを得ることが可能である。
の制御性に優れたMBE法、MOCVD法とRIE法、RIBE法等の
ドライエッチング技術を併用することにより、高い歩留
りを得ることが可能である。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来のBH構造では、２回の結晶成長を必
要とするため生産性の面で問題を有し、また埋込構造の
均一性、再現性およびリーク電流のない埋込構造として
の問題も生じる。さらにその光学的特性も素子の寸法に
よって非常に大きな影響を受けるのである。
要とするため生産性の面で問題を有し、また埋込構造の
均一性、再現性およびリーク電流のない埋込構造として
の問題も生じる。さらにその光学的特性も素子の寸法に
よって非常に大きな影響を受けるのである。
このBH構造に代わるリッジガイド構造は、上記BH構造
の欠点は改善されるもののこの構造においてはリッジ部
の両側に活性層上に第２クラッド層が一部残るためにこ
の領域へ電流が拡散してしまい、十分な低しきい値電流
特性が得られないという問題点があった。
の欠点は改善されるもののこの構造においてはリッジ部
の両側に活性層上に第２クラッド層が一部残るためにこ
の領域へ電流が拡散してしまい、十分な低しきい値電流
特性が得られないという問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたも
ので、MBE法やMOCVD法によって形成される量子井戸レー
ザの低しきい値電流特性を十分に利用できる屈折率導波
型の半導体レーザを提供することを目的とする。
ので、MBE法やMOCVD法によって形成される量子井戸レー
ザの低しきい値電流特性を十分に利用できる屈折率導波
型の半導体レーザを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体レーザは、半導体基板上に第１
クラッド層、活性層、第２クラッド層およびキャップ層
が順次形成されて動作層を形成し、前記動作層の表面か
ら所定の幅を残して前記第２クラッド層の一部まで除去
することによってリッジガイド構造をなす半導体レーザ
において、該第２クラッド層を通しての電流の拡散を防
止する電流ブロック層を前記リッジ部の両サイドから離
れた位置にそれぞれ設け、かつ前記リッジ部の両サイド
から離れた位置にそれぞれ設けられた電流ブロック層間
の距離が、前記リッジ部の幅よりも大きいことを特徴と
するものである。
クラッド層、活性層、第２クラッド層およびキャップ層
が順次形成されて動作層を形成し、前記動作層の表面か
ら所定の幅を残して前記第２クラッド層の一部まで除去
することによってリッジガイド構造をなす半導体レーザ
において、該第２クラッド層を通しての電流の拡散を防
止する電流ブロック層を前記リッジ部の両サイドから離
れた位置にそれぞれ設け、かつ前記リッジ部の両サイド
から離れた位置にそれぞれ設けられた電流ブロック層間
の距離が、前記リッジ部の幅よりも大きいことを特徴と
するものである。
［作用］ この発明においてはリッジガイド構造に拡散防止手段
としての電流ブロック層を設けたので第２クラッド層を
通して広がる無効電流を極めて小さくすることができ、
低しきい値電流化が可能となる。
としての電流ブロック層を設けたので第２クラッド層を
通して広がる無効電流を極めて小さくすることができ、
低しきい値電流化が可能となる。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。
図において、たとえばｎ−GaAs基板１上にMBE法によ
りｎ−GaAsバッファ層２、ｎ−AlGaAs第１クラッド層
３、活性層４（第１光ガイド層５、多重量子井戸層、第
２ガイド層７からなる）、ｐ−AlGaAs第２クラッド層８
およびｐ−GaAsキャップ層９を順次成長させて形成す
る。成長を終えたウエハを通常のフォトリソグラフィ法
により幅３μｍ程度のストライプ状のフォトレジストパ
ターンを形成し、これをマスクとしてRIBE法によりキャ
ップ層９の表面からｐ−AlGaAs第２クラッド層８までエ
ッチングしてリッジ部11を形成する。このときリッジ部
11の両側におけるｐ−AlGaAs第２クラッド層８を厚さで
約3000Å残すものとする。
りｎ−GaAsバッファ層２、ｎ−AlGaAs第１クラッド層
３、活性層４（第１光ガイド層５、多重量子井戸層、第
２ガイド層７からなる）、ｐ−AlGaAs第２クラッド層８
およびｐ−GaAsキャップ層９を順次成長させて形成す
る。成長を終えたウエハを通常のフォトリソグラフィ法
により幅３μｍ程度のストライプ状のフォトレジストパ
ターンを形成し、これをマスクとしてRIBE法によりキャ
ップ層９の表面からｐ−AlGaAs第２クラッド層８までエ
ッチングしてリッジ部11を形成する。このときリッジ部
11の両側におけるｐ−AlGaAs第２クラッド層８を厚さで
約3000Å残すものとする。
次にマスクとしたフォトレジストパターンを除去し、
全面にCVD法によりSi3N4を形成してフォトリソグラフィ
法によってこれをリッジ部11以外を除去したマスクとし
てSi、SiO2を形成する。さらにこれをアンプル内に封入
し850℃程度で数時間放置することによって、Siを拡散
源としてｎ−AlGaAs第１クラッド層３に至る拡散領域10
が形成される。この拡散領域10においては活性層４の量
子井戸構造が破壊されてその平均的組成を有する混晶と
なる。
全面にCVD法によりSi3N4を形成してフォトリソグラフィ
法によってこれをリッジ部11以外を除去したマスクとし
てSi、SiO2を形成する。さらにこれをアンプル内に封入
し850℃程度で数時間放置することによって、Siを拡散
源としてｎ−AlGaAs第１クラッド層３に至る拡散領域10
が形成される。この拡散領域10においては活性層４の量
子井戸構造が破壊されてその平均的組成を有する混晶と
なる。
さらに結晶表面に形成されているSi、SiO2を除去した
後、新たに全面にSi3N4絶縁層15を形成し、フォトリソ
グラフィ法でリッジ部11の上部に電流パス用の開口を形
成する。
後、新たに全面にSi3N4絶縁層15を形成し、フォトリソ
グラフィ法でリッジ部11の上部に電流パス用の開口を形
成する。
最後にウエハ裏面を研磨して100μｍ程度の厚さと
し、ウエハ裏面にｐ側電極17およびｎ側電極18を形成し
た後、へき開放等で適当な大きさのチップとする。
し、ウエハ裏面にｐ側電極17およびｎ側電極18を形成し
た後、へき開放等で適当な大きさのチップとする。
以上の構成よりなる半導体レーザにおいては、量子井
戸構造がくずれた拡散領域10はリッジ部11下の量子井戸
構造が保たれている領域に比べて禁制帯幅が大きくな
り、結果としてこの拡散領域10がｐ−AlGaAs第２クラッ
ド層８を通してリッジ部11の両側へ流れる電流をブロッ
クする電流ブロック層として機能することになる。
戸構造がくずれた拡散領域10はリッジ部11下の量子井戸
構造が保たれている領域に比べて禁制帯幅が大きくな
り、結果としてこの拡散領域10がｐ−AlGaAs第２クラッ
ド層８を通してリッジ部11の両側へ流れる電流をブロッ
クする電流ブロック層として機能することになる。
また、第１図に示すように、電流ブロック層としての
拡散領域10は、リッジ部11の両サイドから離れた位置に
それぞれ設けられている。すなわち、図に示すように、
リッジ部の両サイドから離れた位置にそれぞれ設けられ
た電流ブロック層としての拡散領域10間の距離ｄは、リ
ッジ部の幅ｗよりも大きい。
拡散領域10は、リッジ部11の両サイドから離れた位置に
それぞれ設けられている。すなわち、図に示すように、
リッジ部の両サイドから離れた位置にそれぞれ設けられ
た電流ブロック層としての拡散領域10間の距離ｄは、リ
ッジ部の幅ｗよりも大きい。
但し電流のブロック層、すなわち拡散領域10がリッジ
部11の両サイドから遠く離れて形成されると無効電流を
十分に小さくできないので、その離れた距離は光の閉じ
込め幅およびキャリアの拡散長を考慮すると15μｍ以下
程度とする必要がある。
部11の両サイドから遠く離れて形成されると無効電流を
十分に小さくできないので、その離れた距離は光の閉じ
込め幅およびキャリアの拡散長を考慮すると15μｍ以下
程度とする必要がある。
第２図はこの発明の他の実施例を示す断面図である。
図において、符号１〜18は第１図と同様であるが電流
ブロック層としてｐ−AlGaAs埋込層19、ｎ−AlGaAs埋込
層20およびｐ−GaAs埋込層21を順次形成したものであ
る。この場合埋込層を適度に厚く形成することによりそ
の表面を装着面とすることができ、また活性層４が量子
井戸構造でない場合にも確実に電流をブロックできる。
ブロック層としてｐ−AlGaAs埋込層19、ｎ−AlGaAs埋込
層20およびｐ−GaAs埋込層21を順次形成したものであ
る。この場合埋込層を適度に厚く形成することによりそ
の表面を装着面とすることができ、また活性層４が量子
井戸構造でない場合にも確実に電流をブロックできる。
［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、リッジガイド構造よ
りなる半導体レーザにおいてリッジ部の両側に電流ブロ
ック領域を設けたので、レーザチップ全面に広がってい
た無効電流を極めて小さくできるので低しきい値電流化
が可能となる効果がある。
りなる半導体レーザにおいてリッジ部の両側に電流ブロ
ック領域を設けたので、レーザチップ全面に広がってい
た無効電流を極めて小さくできるので低しきい値電流化
が可能となる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来のBH構
造よりなる半導体レーザの断面図、第４図は従来のリッ
ジガイド構造よりなる半導体レーザの断面図である。 図において、１はｎ−GaAs基板、３はｎ−AlGaAs第１ク
ラッド層、４は活性層、６は多重量子井戸層、８はｐ−
AlGaAs第２クラッド層、９はｐ−GaAsキャップ層、10は
拡散領域、11はリッジ部、19はｐ−AlGaAs埋込層、20は
ｎ−AlGaAs埋込層、21はｐ−GaAs埋込層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
の発明の他の実施例を示す断面図、第３図は従来のBH構
造よりなる半導体レーザの断面図、第４図は従来のリッ
ジガイド構造よりなる半導体レーザの断面図である。 図において、１はｎ−GaAs基板、３はｎ−AlGaAs第１ク
ラッド層、４は活性層、６は多重量子井戸層、８はｐ−
AlGaAs第２クラッド層、９はｐ−GaAsキャップ層、10は
拡散領域、11はリッジ部、19はｐ−AlGaAs埋込層、20は
ｎ−AlGaAs埋込層、21はｐ−GaAs埋込層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早川 利郎 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−43193（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−281389（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−79686（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｆｆ，47 ［12］（1985）Ｐ．1239−1241
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に第１クラッド層、活性層、
第２クラッド層およびキャップ層が順次形成されて動作
層を形成し、前記動作層の表面から所定の幅を残して前
記第２クラッド層の一部まで除去することによってリッ
ジガイド構造となす半導体レーザにおいて、 前記第２クラッド層を通しての電流の拡散を防止する電
流ブロック層を前記リッジ部の両サイドから離れた位置
にそれぞれ設け、かつ 前記リッジ部の両サイドから離れた位置にそれぞれ設け
られた前記電流ブロック層間の距離が、前記リッジ部の
幅よりも大きいことを特徴とする、半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000853A JP2652012B2 (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000853A JP2652012B2 (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169094A JPS63169094A (ja) | 1988-07-13 |
| JP2652012B2 true JP2652012B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=11485200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62000853A Expired - Lifetime JP2652012B2 (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2652012B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482594A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device and manufacture thereof |
| US5138626A (en) * | 1990-09-12 | 1992-08-11 | Hughes Aircraft Company | Ridge-waveguide buried-heterostructure laser and method of fabrication |
| CN103503174A (zh) * | 2011-05-02 | 2014-01-08 | 松下电器产业株式会社 | 超辐射发光二极管 |
| JP5916414B2 (ja) | 2012-02-09 | 2016-05-11 | 日本オクラロ株式会社 | 光半導体装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129183A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザ |
| JPS6243193A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6279686A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザおよびその製法 |
| JPH07114302B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1995-12-06 | キヤノン株式会社 | 半導体レ−ザ |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP62000853A patent/JP2652012B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｆｆ，４７［１２］（１９８５）Ｐ．１２３９−１２４１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63169094A (ja) | 1988-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6989550B2 (en) | Distributed feedback semiconductor laser equipment employing a grating | |
| JPS6014482A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US7098064B2 (en) | Semiconductor laser device and its manufacturing method, and optical disc reproducing and recording apparatus | |
| JP2652012B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3971581B2 (ja) | 半導体レーザ素子アレイ及びその製造方法 | |
| JP2960926B2 (ja) | レーザダイオードの製造方法 | |
| JPS62200786A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPS62200785A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| US6647043B2 (en) | Semiconductor laser device capable of preventing degradation of characteristics | |
| JPH02116187A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP4123554B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3239821B2 (ja) | 歪み半導体結晶の製造方法 | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| US20050058170A1 (en) | Semiconductor laser element and semiconductor laser element manufacturing method | |
| JPS61236185A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JP3191359B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| JP4093709B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| KR100259006B1 (ko) | 반도체 레이저소자의 제조방법 | |
| JPH05145171A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH077230A (ja) | 屈折率反導波型半導体レーザ | |
| JPS62134986A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2000133875A (ja) | 半導体レーザ素子および半導体レーザの製造方法 | |
| JPH06112586A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH041516B2 (ja) | ||
| JPH0680868B2 (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |