JP2647257B2 - セラミックコーティング形成装置 - Google Patents

セラミックコーティング形成装置

Info

Publication number
JP2647257B2
JP2647257B2 JP2800038A JP80003890A JP2647257B2 JP 2647257 B2 JP2647257 B2 JP 2647257B2 JP 2800038 A JP2800038 A JP 2800038A JP 80003890 A JP80003890 A JP 80003890A JP 2647257 B2 JP2647257 B2 JP 2647257B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
chamber
coating
coating target
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2800038A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07145477A (ja
Inventor
リチャード・スコット・ムリン
レオ・アルバート・リェンデュー
ニコラス・ユージーン・ユリオン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RTX Corp
Original Assignee
United Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by United Technologies Corp filed Critical United Technologies Corp
Publication of JPH07145477A publication Critical patent/JPH07145477A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2647257B2 publication Critical patent/JP2647257B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、金属基板にセラミックコーティングを施
す装置に関する。更に具体的には、特に金属部品の表面
にセラミッコーティングを施すのに適している電子ビー
ム物理蒸着装置に関する。
(従来の技術) セラミックコーティングは、ゴワード(Goward)他の
米国特許第4,248,940号、ストラングマン(Strangman)
の米国特許第4,321,311号、及びデマレイ(Demaray)の
米国特許第4,676,994号に述べられている。好例のセラ
ミックは、マグネシヤ、セリア、もしくはイットリアで
スタビライズされたジルコニアを含んでいる。その他の
型のセラミックコーティングもまた公知であって、例え
ば、Al2O3とMgO、TiNとSi3O4、及びSiCを含んでいる。
前記の特許に述べられているように、セラミックコーテ
ィングは金属コーティング層と複合して使用したり、或
いは基板表面に直接適用することができる。
Gowardによって述べられている装置は、プラズマスプ
レイ技術によってセラミックコーティングを行い、Stra
ngmanとDemarayによって述べられている装置は、電子ビ
ーム物理蒸着技術によってセラミッルコーティングを施
す。
上記の装置及び技術を用いて施されるサーマルバリア
コーティングは種々の製造工業においてある程度の有用
性を示しているが、種々な用途に対しては更に改良が求
められている。本発明はこれらの必要性を満たすもので
ある。
(課題を解決するための手段) 本発明は、基板に対してセラミックコーティングを蒸
着するための改良された電子ビーム物理蒸着装置であ
る。該装置は、コーティングチャンバ、チャンバ内でセ
ラミックのコーティングターゲットを支持する装置、及
び電子ビームを発生し更にそのビームをターゲット上に
衝突させるための装置を具備する。該装置は更に、セラ
ミックの陰イオン成分をコーティングチャンバ内に導入
し、蒸着過程中に基板の周囲にこの陰イオン成分、及び
セラミックのコーティングターゲットに電子ビームを衝
突させることによって生じる蒸発物を閉じ込めるための
装置を具備する。
用語「陰イオン成分」は、コーティングターゲットが
電子ビームで蒸発させられた時に形成される陰イオンに
対応するガス状の化学種と規定する。例えば、コーティ
ングターゲットがジルコニアである場合は、形成される
陰イオンは、O-2であり、陰イオン成分は酸素ガス、ま
たは酸素原子を供給きる化合物である。同様に、コーテ
ィングターゲットが窒化チタンである場合には陰イオン
は、N-1であり、陰イオン成分が窒素ガスまたは、窒素
原子を供給できる化合物である。
本発明は、低分圧の陰イオン成分で特徴付けらる環境
内でセラミックのコーティングターゲットが蒸発させら
れる時に、準化学量論的状態に反応するようなタイプの
セラミックコーティングの蒸着において特に有用であ
る。この種のセラミックの例はジルコニアである。この
材料は低圧チャンバ内における電子ビーム物理蒸着過程
の間に、反応して準化学量論的な化学種ZrO2-Xを形成す
る。
本発明の一実施例では、陰イオン成分が、蒸着チャン
バの外に配置されている陰イオン成分供給源と流体的に
通じている管を介して、コーティングを施される部品に
向けて蒸着チャンバ内へ流入させられる。蒸着チャンバ
内には、コーティングを施される部品を近くに取り囲ん
でいる外被が設けられており、この外被とその中に配置
されている部品とはコーティングターゲットの上方に配
置される。上記の管は、陰イオン成分を直接上記の外被
内へ流し込む。この外被はまた、少なくとも1個の開口
を備え、電子ビームがコーティングターゲットに衝突す
ることによって生じた蒸発物が通過できるようになって
いる。外被内に入った蒸発物は部品表面に凝縮し、上記
の外被は陰イオン成分をコーティングされている部品の
周囲に閉じ込めて、高品質コーティングを形成させるこ
とになる。
本発明の上記及びその他の目的、特徴、及び利点は、
以下に図面を添付して説明される好ましい実施例の詳細
な説明によって更に明らかになると考える。
(実施例) 本発明を実施するための最適モードについて説明す
る。
一般的に言って、この発明は、部品の表面にセラミッ
クコーティングを施すのに特に適している電子ビーム物
理蒸着(EB−PVD)装置に関する。
この発明の鍵となる観点は、被コーティング部品の表
面を直接囲んでいる空間に、セラミックの陰イオン成分
を閉じ込める外被の使用に関する。上述のように、用語
陰イオン成分は、コーティングターゲットが電子ビーム
によって蒸発させられた時に形成される陰イオンに対応
するガス状の種と規定することを意味する。この陰イオ
ン成分は、電子ビームの干渉及び電子ビームの劣化を最
小化し、従って、被コーティング部品上への蒸発物凝結
との干渉を最小化するような技法で蒸着チャンバ内へ導
入される。
上記の目的は、添付の図面を引用して説明される方法
で構成される装置によって最も良く満たされる。特に、
第1図はEB−PVD蒸着装置5を示しており、装置5は、
壁11で区切られているシールされた蒸着チャンバ10及び
蒸着チャンバ10を真空化する装置12を具備する。装置5
は更に、電子ビーム銃14、セラミックのコーティングタ
ーゲット16、及び蒸着チャンバ10の内部に1個以上の被
コーティング部品20を支持する装置を具備する。これら
の装置はすべて当該産業における在来型である。第1図
は分かり易くするために、電子ビーム銃14、コーティン
グターゲット16、及び真空ポンプ12を1台づつしか示し
ていない。これらの各構成品が2個以上使用可能である
ことは当然理解されるものと考える。
セラミックの陰イオン成分は1個又はそれ以上の導管
即ち管22を介して蒸着チャンバ10の内部へ導かれる。管
22は陰イオン成分の供給源26から延びている。供給源26
は好ましくはチャンバ10の外部に配置される。夫々の管
22は1個又はそれ以上の管出口端28で終端している。夫
々の管22は、その出口端28を介して、陰イオン成分を被
コーティング部品20に向けて流すように構成されてい
る。第1図から分かるように、夫々の出口端28は、部品
20とコーティングターゲット16の間に位置している。陰
イオン成分は、夫々の出口端28を通って部品20に向けて
流れる。その移流方向は蒸発物がコーティングターゲッ
ト16から部品20へ移動する方向と同じ向き(即ち逆流し
ない向き)の方向である。
第2図にも示されているように、管22は外被30内へ直
接的に陰イオン成分を流し込む。外被30(以下反応チャ
ンバと呼ぶ)は蒸着チャンバ10の内部においてコーティ
ングターゲット16の上方に支持されている。反応チャン
バ30内において、夫々の被コーティング部品20は、以下
に詳述するような方法で懸吊されている。反応チャンバ
30は、夫々の管出口端28に対してほぼ対向した関係で部
品20の背方表面21に近接して離隔された少くとも1個の
壁40(以下頂壁40と呼ぶ)を具備する。(部品20の背方
表面21は、コーティングターゲット16から遠く離れてい
る方の表面である)。図面に示されるように、頂壁40
は、蒸着チャンバ壁11と部品20の背方表面21との間にあ
る。電子ビームがコーティングターゲット16に衝突する
ことによって発生した蒸発物はコーティングターゲット
16から離隔してある底壁42の開口46を通って反応チャン
バ30内に流入する。
反応チャンバ30は更に側壁32を備え、側壁32は頂壁4
0、及び底壁42と共にコーティングを施される夫々の部
品を取り囲む外被を形成する。反応チャンバ30の寸法
は、蒸着チャンバ10の寸法よりも小さい。その結果、反
応チャンバ30は蒸着チャンバ10の内包容積よりも小さい
内包容積を画成する。頂壁40は開口52を備え、コーティ
ング実施中に反応チャンバ内に流入した陰イオン成分の
1部が反応チャンバ30から外方へ出ることができるよう
いなっている。頂壁の開口52及び底壁の開口46は、それ
ぞれ、実質的にコーティングターゲット16の直上に垂直
に整合して配列されている。
反応チャンバ30の目的は、上に述べたように、陰イオ
ン成分を、被コーティング部品を直接取り囲んでいる空
間へ閉じ込めることである。反応チャンバ30は、部品20
の周囲に陰イオン成分の高分圧を生じさせる。蒸発物が
反応チャンバに流入して部品の表面に衝突した時に、蒸
発物はこの部品表面に凝結してコーティングを形成す
る。陰イオン成分が更にこの凝結物に衝突すると、コー
ティングに陰イオン欠損があれば化学反応が生じて、こ
の凝結物と結合し、それによって化学量論的(もしくは
近化学量論的)コーティングが形成される。
反応チャンバ30は、陰イオン成分が凝結物と衝突する
確率を増大させる。一般的に言うと、チャンバ内の陰イ
オン成分は反応チャンバ30の壁で次々に跳ね返り、最終
的には凝結物と衝突して反応するか、もしくは反応チャ
ンバ30の開口から飛び出る。従って、反応チャンバ30
は、陰イオン成分が部品20の周囲に滞在する時間を増加
させる。
反応チャンバ30の開口52の主たる機能は、反応チャン
バ30から陰イオン成分を吐き出し、それによって、蒸発
物の部品表面への凝結に対する陰イオン成分の干渉を最
小にすることである。開口52は余剰陰イオン成分を反応
チャンバ30からコーティングターゲット16に衝突する電
子ビームと交差或いは干渉しない方向へ向ける。開口52
の好ましい構造例は第2図に示されている。コーティン
グターゲット16から遠ざかる方向に向かって延びている
壁54及び58は開口52に隣接し、煙突状構造56を形成して
いる。
反応チャンバ30内で被コーティング部品を保持する手
段48は、部品を垂直軸その他の軸回りに回転或るいは並
進させることのできる構造であることが望ましい。コー
ティング実施中における部品20の反応チャンバ30内にお
ける移動(例えば、回転、並進、または傾斜)は、部品
の表面全体に一様な厚さのコーティングを形成させるこ
とを増進する。
コーティングサイクル中に、陰イオン成分を反応チャ
ンバ30内へ導入するための管22は反応チャンバ壁32を貫
通し、コーティングサイクル中に陰イオン成分の流れを
夫々の部品20の方に向けるように配置されている。好ま
しくは、管22は陰イオン成分を部品表面に向かって直接
流すように配置される。最も好ましくは、夫々の管22が
多数の直径が小さく密な間隔で配置された開口58を備
え、開口58が水平に対して約45°の角度で部品表面に向
けて陰イオン成分を流す。これらの管は、その開口が少
なくとも部分的に、反応チャンバ30に入ってくる蒸発物
からシールドされるような角度に向けられる。この構造
により、蒸発物が開口58に凝結し開口58を著しく狭める
ことを防ぐ。
反応チャンバ30内で2個以上の部品がコーティングさ
れる場合には、チャンバは好ましくは夫々のコンパート
メント60、62に分割され、その中に各個の被コーティン
グ部品が保持される。コンパートメント60及び62は隔壁
64によって区切られ、隔壁64は壁54にほぼ平行に壁58と
58の間を反応チャンバ30の長さに沿って延びる。隔壁64
は、反応チャンバ30内において陰イオン成分が跳ね返る
面の面積を増加する。
反応チャンバ30は、チャンバの内部寸法が被コーティ
ング部品(1個または複数個)の寸法よりも僅かだけ大
きくなるように作られる必要がある。このような構造
は、陰イオン成分を、部品の極く近傍の空間領域に閉じ
込めることになる。
上述のタイプの反応チャンバが制作され、ニッケルベ
ース合金製部品の表面に柱状粒イットリア安定化ジルコ
ニアをコーティングするために有用であることが示され
た。チャンバ及び管はオーステナイトステンレススチー
ル合金で作られた。管には、直径0.75mmの開口が間隔6.
5mmでチャンバ内の長さ約10cmに亙って施された。上記
の開口は、水平に対して約45°の向きで、図に示されて
いるように、夫々の被コーティング試料の中心線に向け
らた。チャンバは長さ約25cm、幅約25cm、高さ約12cmで
あった。煙突56はチャンバの頂面から上方へ約7.5cm突
出し頂面のほぼ中心に位置していた。頂面及び底面の開
口はコーティングターゲットに対して垂直方向で整合さ
れた。被コーティング部品は頂壁と底壁のほぼ中間に位
置し、管は底壁とほぼ同レベルの高さでチャンバ内に入
っている。
本発明は詳細な実施例に関して図示及び説明したが、
本発明の精神及び請求範囲から逸脱することなく、その
形式及び細部に関して種々な変更を行うことができるこ
とは当業者の当然とするところである。例えば、反応チ
ャンバ内へ陰イオン成分を導入するために2個以上の管
を用い、もしくは、図面に示されているのとは異なる位
置に管を設けることができる。その他、陰イオン成分を
被コーティング部品を取り囲む局部的な空間に閉じ込め
る装置から逸脱しない他の種々の変化も考えられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明による電子ビーム物理蒸着装置の単
純化された概略図である。 第2図は、部分断面によって反応チャンバの実施例を示
している透視図である。 (符号の説明) 10…コーティングチャンバ 12…排気装置 14…電子ビーム銃 16…コーティングターゲット 20…コーティングを施される部品 22…管 26…陰イオン成分供給源 28…陰イオン成分出口端 30…反応チャンバ 40…頂壁 46…開口 52…開口 56…煙突状構造 58…陰イオン成分放出開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ニコラス・ユージーン・ユリオン アメリカ合衆国コネチカット州06447, マールボロ,ストーニー・ブルック・ド ライブ 11 (56)参考文献 特開 平2−197560(JP,A)

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の容積を画成する第1のチャンバと、 前記第1のチャンバ内のセラミックのコーティングター
    ゲットと、 前記第1のチャンバ内の前記コーティングターゲットに
    電子ビームを衝突させることによって前記コーティング
    ターゲットを蒸発させるための装置と、 を含んで構成される部品表面にコーティングを施すため
    の電子ビーム物理蒸着装置において、 前記第1のチャンバの内部に第2のチャンバを設け、 前記第2のチャンバがその内部に、前記第1の容積より
    も小さい第2の容積を画成し、前記コーティングを施さ
    れる部品を保持するための装置を具備し、 前記第2のチャンバがセラミックの陰イオン成分、及び
    前記コーティングターゲット上への前記電子ビームの衝
    突によって発生させられる蒸発物を前記第2のチャンバ
    内へ受け入れるための装置を具備し、 陰イオンを受け入れるための前記装置が、前記第1のチ
    ャンバの外部に配置される前記陰イオン成分の供給源と
    流体的に連通している装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の装置において、 前記部品を保持するための装置が前記コーティングを施
    される部品をその軸の回りに回転させるための装置を具
    備する装置。
  3. 【請求項3】第1の容積を画成する第1のチャンバと、 前記第1のチャンバ内のセラミックのコーティングター
    ゲットと、 前記第1のチャンバ内の前記コーティングターゲットに
    電子ビームを衝突させることによって前記コーティング
    ターゲットを蒸発させるための装置と、 を含んで構成される部品表面にコーティングを施すため
    の電子ビーム物理蒸着装置において、 前記第1のチャンバの内部に第2のチャンバを設け、 前記第2のチャンバがその内部において、前記第1の容
    積よりも小さい第2の容積を画成し、かつ前記コーティ
    ングを施される部品を保持して前記部品を軸の回りに回
    転させるための装置を具備し、 前記第2のチャンバが、更に、 前記コーティングターゲット上への前記電子ビームの衝
    突によって発生される蒸発物を受け入れるための開口
    と、前記第1のチャンバの外部に配置される陰イオン成
    分の供給源からセラミックの陰イオン成分を受け入れる
    ための装置を具備することを特徴とする蒸着装置。
  4. 【請求項4】部品表面にセラミックコーティングを蒸着
    するための装置であって、 チャンバ壁で画成されるコーティングチャンバと、 前記コーティングチャンバ内のセラミックのコーティン
    グターゲットと、 前記コーティングターゲットに電子ビームを衝突させる
    装置と、 前記コーティングターゲットと部品との中間に配置され
    る出口端を有する管系を介して前記コーティングチャン
    バ内にセラミックの陰イオン成分を流入させる装置と、 前記コーティングチャンバ内にあって前記コーティング
    チャンバの壁面から隔離される少なくとも1個の壁とを
    含んで成り、 前記壁は前記出口端と実質的に対向する関係にあり、 前記蒸着装置が、更に、部品を、前記コーティングチャ
    ンバ内で実質的に前記コーティングターゲットの上方で
    前記壁と前記出口端との中間で保持するための装置を具
    備することを特徴とする蒸着装置。
  5. 【請求項5】請求項4に記載の装置において、 前記部品を保持するための装置が前記コーティングを施
    される部品をその軸回りに回転させるための装置を具備
    する装置。
  6. 【請求項6】請求項4に記載の装置において、 前記管系が、前記コーティングターゲットと部品との中
    間にそれぞれ配置される複数個の出口端を有する装置。
  7. 【請求項7】部品表面にセラミックコーティングを蒸着
    するための装置であって、 第1の容積を画成するチャンバ壁を備えるコーティング
    チャンバと、 前記コーティングチャンバ内のセラミックのコーティン
    グターゲットと、 前記コーティングターゲットに電子ビームを衝突させる
    装置と、 前記コーティングチャンバ内にあって部品を取り囲む外
    被と、 を含んで構成され、 前記外被は、前記第1の容積よりも小さい第2の容積を
    画成し、その内部にコーティングされる部品を保持する
    装置を備え、 前記外被は、対向する底壁及び頂壁を含んで構成され、 前記底壁は前記コーティングターゲットから離隔され、 前記頂壁及び底壁が共に前記コーティングターゲットと
    実質的に垂直方向に整合された開口を備え、 前記蒸着装置は更に、 前記コーティングチャンバの外部に配置される陰イオン
    成分供給源と流体的に連通する管系を介して前記外被の
    内部にセラミックの陰イオン成分を流入させるための装
    置を具備し、 前記管系は前記コーティングターゲットと部品との中間
    に配置される出口端を有し、 前記頂壁は実質的に前記出口端と対向する関係にあり、 部品は前記頂壁と前記出口端との中間に配置されること
    を特徴とする蒸着装置。
  8. 【請求項8】請求項7に記載の装置において、 前記外被が前記頂壁及び底壁と一体化した側壁を具備す
    る装置。
  9. 【請求項9】請求項7に記載の装置において、 前記部品を前記外被内に保持する装置が部品を軸の回り
    に回転させる装置を具備する装置。
  10. 【請求項10】請求項9に記載の装置において、 前記部品を保持する前記装置が部品を軸の回りで並進さ
    せる装置を装備する装置。
  11. 【請求項11】請求項10に記載の装置において、 前記管系が複数の出口端を有する装置。
  12. 【請求項12】請求項11に記載の装置において、 前記出口端が管系に密な間隔で設けられた複数の開口で
    ある装置。
  13. 【請求項13】請求項12に記載の装置において、 前記開口が、陰イオン成分を前記外被内への蒸発物の流
    入方向と実質的に同一の方向で前記外被内に流入させる
    ように配列されている装置。
JP2800038A 1989-08-03 1990-07-24 セラミックコーティング形成装置 Expired - Fee Related JP2647257B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US389216 1989-08-03
US07/389,216 US5601652A (en) 1989-08-03 1989-08-03 Apparatus for applying ceramic coatings

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07145477A JPH07145477A (ja) 1995-06-06
JP2647257B2 true JP2647257B2 (ja) 1997-08-27

Family

ID=23537338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2800038A Expired - Fee Related JP2647257B2 (ja) 1989-08-03 1990-07-24 セラミックコーティング形成装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5601652A (ja)
JP (1) JP2647257B2 (ja)
DE (1) DE4018665C2 (ja)
GB (1) GB2414741B (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2655094B2 (ja) * 1994-08-30 1997-09-17 日本電気株式会社 電子銃蒸着装置
US6478888B1 (en) 1997-12-23 2002-11-12 United Technologies Corporation Preheat method for EBPVD coating
US6319569B1 (en) 1998-11-30 2001-11-20 Howmet Research Corporation Method of controlling vapor deposition substrate temperature
US7194801B2 (en) * 2000-03-24 2007-03-27 Cymbet Corporation Thin-film battery having ultra-thin electrolyte and associated method
US7294209B2 (en) * 2003-01-02 2007-11-13 Cymbet Corporation Apparatus and method for depositing material onto a substrate using a roll-to-roll mask
US20040131760A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-08 Stuart Shakespeare Apparatus and method for depositing material onto multiple independently moving substrates in a chamber
US6906436B2 (en) * 2003-01-02 2005-06-14 Cymbet Corporation Solid state activity-activated battery device and method
US7603144B2 (en) * 2003-01-02 2009-10-13 Cymbet Corporation Active wireless tagging system on peel and stick substrate
US7211351B2 (en) 2003-10-16 2007-05-01 Cymbet Corporation Lithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method
EP1714333A2 (en) * 2004-01-06 2006-10-25 Cymbet Corporation Layered barrier structure having one or more definable layers and method
US7763371B2 (en) * 2005-04-05 2010-07-27 Howmet Corporation Solid oxide fuel cell electrolyte and method
US20070012244A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Cymbet Corporation Apparatus and method for making thin-film batteries with soft and hard electrolyte layers
WO2007011899A2 (en) * 2005-07-15 2007-01-25 Cymbet Corporation Thin-film batteries with polymer and lipon electrolyte layers and method
US7776478B2 (en) * 2005-07-15 2010-08-17 Cymbet Corporation Thin-film batteries with polymer and LiPON electrolyte layers and method
US7589047B1 (en) * 2006-06-08 2009-09-15 Los Alamos National Security, Llc Composite materials and method of making
US20080160171A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 United Technologies Corporation Electron beam physical vapor deposition apparatus and processes for adjusting the feed rate of a target and manufacturing a multi-component condensate free of lamination
US8323409B2 (en) * 2008-05-08 2012-12-04 United Technologies Corporation Systems and methods for forming components with thermal barrier coatings
US8366386B2 (en) * 2009-01-27 2013-02-05 United Technologies Corporation Method and assembly for gas turbine engine airfoils with protective coating
US20100247952A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Latour Robert F Controlled oxidation of bond coat
US8419857B2 (en) * 2009-03-31 2013-04-16 United Technologies Corporation Electron beam vapor deposition apparatus and method of coating
US9315905B2 (en) * 2010-03-04 2016-04-19 United Technologies Corporation Coated article and coating process therefor
US20110223354A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 United Technologies Corporation High pressure pre-oxidation for deposition of thermal barrier coating
US8350180B2 (en) * 2010-03-12 2013-01-08 United Technologies Corporation High pressure pre-oxidation for deposition of thermal barrier coating with hood
US8951350B2 (en) * 2011-05-03 2015-02-10 United Technologies Corporation Coating methods and apparatus
US9853325B2 (en) 2011-06-29 2017-12-26 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
US10601074B2 (en) 2011-06-29 2020-03-24 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
US11527774B2 (en) 2011-06-29 2022-12-13 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
US11996517B2 (en) 2011-06-29 2024-05-28 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
US9737933B2 (en) 2012-09-28 2017-08-22 General Electric Company Process of fabricating a shield and process of preparing a component
US9581042B2 (en) 2012-10-30 2017-02-28 United Technologies Corporation Composite article having metal-containing layer with phase-specific seed particles and method therefor
WO2015077163A1 (en) 2013-11-19 2015-05-28 United Technologies Corporation Article having variable composition coating
WO2019173626A1 (en) 2018-03-07 2019-09-12 Space Charge, LLC Thin-film solid-state energy-storage devices

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3331716A (en) * 1962-06-04 1967-07-18 Philips Corp Method of manufacturing a semiconductor device by vapor-deposition
US3506556A (en) * 1968-02-28 1970-04-14 Ppg Industries Inc Sputtering of metal oxide films in the presence of hydrogen and oxygen
FR2129996B1 (ja) * 1971-03-25 1975-01-17 Centre Nat Etd Spatiales
GB1500701A (en) * 1974-01-24 1978-02-08 Atomic Energy Authority Uk Vapour deposition apparatus
US3974059A (en) * 1974-10-03 1976-08-10 Yoichi Murayama High vacuum ion plating device
LU71343A1 (ja) * 1974-11-22 1976-03-17
JPS5183473A (en) * 1975-01-20 1976-07-22 Hitachi Ltd Fujunbutsuno doopinguhoho
US4248940A (en) * 1977-06-30 1981-02-03 United Technologies Corporation Thermal barrier coating for nickel and cobalt base super alloys
US4110893A (en) * 1977-05-24 1978-09-05 United Technologies Corporation Fabrication of co-cr-al-y feed stock
CH619344B (de) * 1977-12-23 Balzers Hochvakuum Verfahren zur herstellung goldfarbener ueberzuege.
DE2821131C2 (de) * 1978-05-13 1986-02-06 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Kondensat-Auffangeinrichtung
US4223048A (en) * 1978-08-07 1980-09-16 Pacific Western Systems Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductive wafers
DE2834813C2 (de) * 1978-08-09 1983-01-20 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Verdampfungsrate oxidierbarer Stoffe beim reaktiven Vakuumaufdampfen
JPS55104328A (en) * 1979-02-06 1980-08-09 Seiko Epson Corp Macromolecular material having clear conducting film and production thereof
US4321311A (en) * 1980-01-07 1982-03-23 United Technologies Corporation Columnar grain ceramic thermal barrier coatings
SU1040631A1 (ru) * 1980-06-25 1983-09-07 Предприятие П/Я В-8851 Вакуумно-дуговое устройство
DE3173066D1 (en) * 1980-08-29 1986-01-09 Fujitsu Ltd Method of forming phosphosilicate glass films
JPS5772318A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Seiko Epson Corp Vapor growth method
US4471003A (en) * 1980-11-25 1984-09-11 Cann Gordon L Magnetoplasmadynamic apparatus and process for the separation and deposition of materials
US4676994A (en) * 1983-06-15 1987-06-30 The Boc Group, Inc. Adherent ceramic coatings
KR890002747B1 (ko) * 1983-11-07 1989-07-26 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치
JPS60145531A (ja) * 1984-01-06 1985-08-01 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JPS60165378A (ja) * 1984-02-09 1985-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半連続巻取式蒸着装置
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
US4634605A (en) * 1984-05-23 1987-01-06 Wiesmann Harold J Method for the indirect deposition of amorphous silicon and polycrystalline silicone and alloys thereof
WO1987002026A1 (en) * 1984-05-28 1987-04-09 Shuhara Akira Process for producing silicon dioxide film
DE3421538A1 (de) * 1984-06-08 1985-12-12 ATOMIKA Technische Physik GmbH, 8000 München Vakuumaufdampfeinrichtung
JPS62249410A (ja) * 1986-04-23 1987-10-30 Hitachi Ltd 基板の表面処理装置
DE3627151A1 (de) * 1986-08-11 1988-02-18 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufdampfen von metallverbindungen
DE3634598C2 (de) * 1986-10-10 1994-06-16 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum reaktiven Aufdampfen von Metallverbindungen
US4863581A (en) * 1987-02-12 1989-09-05 Kawasaki Steel Corp. Hollow cathode gun and deposition device for ion plating process
JP2501828B2 (ja) * 1987-06-09 1996-05-29 三菱電機株式会社 薄膜蒸着装置
JPH02197560A (ja) * 1989-01-24 1990-08-06 Fujitsu Ltd 高温超伝導薄膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07145477A (ja) 1995-06-06
GB9012941D0 (en) 2005-02-09
US5601652A (en) 1997-02-11
DE4018665C2 (de) 2003-11-27
DE4018665A1 (de) 2000-10-26
GB2414741B (en) 2006-05-31
GB2414741A (en) 2005-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2647257B2 (ja) セラミックコーティング形成装置
JP3197569B2 (ja) セラミックコーティングの形成方法
US8574367B2 (en) Evaporation source
US8658010B2 (en) Filtered cathodic arc deposition method and apparatus
US5227203A (en) Ion-plating method and apparatus therefor
KR100800223B1 (ko) 아크 이온 도금장치
EP2511396B1 (en) Guided non-line of sight coating.
JP2007177319A (ja) 蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法
US8192597B2 (en) Coating apparatus
TW201538771A (zh) 物理氣相沉積之離子束濺射沉積組件,濺射系統及濺射方法
JPH0372067A (ja) 複数の蒸発ルツボを備えたアーク放電型蒸発器
JP2648799B2 (ja) 金属化合物を基板上に反応性蒸着するための方法及び装置
JP4142765B2 (ja) 昇華性金属化合物薄膜形成用イオンプレーティング装置
JP4242114B2 (ja) 蒸着被膜の形成方法
KR950000010B1 (ko) 이온도금법 및 그 방법을 위한 장치
JPH06207266A (ja) 薄膜形成物の製造方法および装置
JPH1053866A (ja) ガス制御式アーク装置とその方法
CN214496456U (zh) 一种双束激发式金属-气体离子化设备
KR100628929B1 (ko) 박막증착장치
KR20110042190A (ko) 물리 기상 증착 장치 및 방법
RU2277137C1 (ru) Фокусированное осаждение пара
JP2872773B2 (ja) 化合物の高速蒸着方法及び装置
Karpov Arc sources of metallic plasma for coatings in vacuum and for high speed vacuum pumping
JPH0737666B2 (ja) 化合物薄膜の形成方法及び装置
JPH01240646A (ja) 大量蒸着用hcd法イオンプレーティング装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090509

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees