JP2645572B2 - 陰極線管表示装置 - Google Patents
陰極線管表示装置Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
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- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/0007—Elimination of unwanted or stray electromagnetic effects
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- Electromagnetism (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は陰極線管（CRT）表示装置に関し、特に、ス
クリーンの前に放射される望ましくない磁界を減じる装
置に関するものである。
クリーンの前に放射される望ましくない磁界を減じる装
置に関するものである。
B.従来技術及び発明が解決しようとする問題点 一般に、CRTには、ラスタ走査のために電子ビームを
偏向させるための可変磁界を生じる偏向コイル若しくは
ヨークが装着されている。この磁界は、ビームの偏向の
ためにCRTの内部に発生することはもちろん、CRTの外部
にも発生し、スクリーンの前にも発生する。外部に発生
する磁界は全く役に立たないので、これを減じるための
研究が行われている。
偏向させるための可変磁界を生じる偏向コイル若しくは
ヨークが装着されている。この磁界は、ビームの偏向の
ためにCRTの内部に発生することはもちろん、CRTの外部
にも発生し、スクリーンの前にも発生する。外部に発生
する磁界は全く役に立たないので、これを減じるための
研究が行われている。
従来技術のうちの１つは、サドル形偏向コイルの上又
はそれから放射方向に少し離れたところにヘルムホルツ
・コイルを設けるものである。ヘルムホルツ・コイルは
偏向コイルに接続されていて、誘起するEMFによつてス
クリーンの前の磁界を相殺する磁界を生じるようになつ
ている。しかしながら、この技術は相当なコストの増加
を必要とし、用いられる構成も嵩ばつたものとなつてい
る。
はそれから放射方向に少し離れたところにヘルムホルツ
・コイルを設けるものである。ヘルムホルツ・コイルは
偏向コイルに接続されていて、誘起するEMFによつてス
クリーンの前の磁界を相殺する磁界を生じるようになつ
ている。しかしながら、この技術は相当なコストの増加
を必要とし、用いられる構成も嵩ばつたものとなつてい
る。
別の従来技術は、CRTの周囲にシールドを設け、それ
に誘起する渦電流によつて磁界の放射を減じるものであ
る。しかしながら、この技術も実施のために相当なコス
トがかかり、又、スクリーンの前の磁界の減少もわずか
である。
に誘起する渦電流によつて磁界の放射を減じるものであ
る。しかしながら、この技術も実施のために相当なコス
トがかかり、又、スクリーンの前の磁界の減少もわずか
である。
従つて、CRTのスクリーンの前における磁界を許容で
きるレベルまで減少させる安価でコンパクトな手段の開
発が期待されている。
きるレベルまで減少させる安価でコンパクトな手段の開
発が期待されている。
C.問題点を解決するための手段 本発明は、CRTの偏向コイルとスクリーンとの間に磁
気分路手段を設けて、これによつて偏向コイルに起因す
るスクリーン前面の放射磁界を低減させることを特徴と
している。磁気分路手段は、放射磁界を最少にするよう
に形状及び偏向コイルに対する位置関係が定められてい
る。
気分路手段を設けて、これによつて偏向コイルに起因す
るスクリーン前面の放射磁界を低減させることを特徴と
している。磁気分路手段は、放射磁界を最少にするよう
に形状及び偏向コイルに対する位置関係が定められてい
る。
D.実施例 本発明の実施例の説明に先立ち、本発明との対比のた
めに、従来技術について説明しておくことにする。第２
図は、スクリーン14を有するCRT12と上位及び下位の水
平偏向コイル（ヨーク）16、18を含む通常の統合ヨーク
・チユーブ構成体（ITC）10を概略的に示している。周
知の如く、偏向コイル16、18は、CRT12内でスクリーン1
4を横切る水平方向の走査をさせるように電子ビームを
偏向させるための可変磁界を生じる機能を有する。
めに、従来技術について説明しておくことにする。第２
図は、スクリーン14を有するCRT12と上位及び下位の水
平偏向コイル（ヨーク）16、18を含む通常の統合ヨーク
・チユーブ構成体（ITC）10を概略的に示している。周
知の如く、偏向コイル16、18は、CRT12内でスクリーン1
4を横切る水平方向の走査をさせるように電子ビームを
偏向させるための可変磁界を生じる機能を有する。
第３図は第２図の偏向コイル16、18から１つずつ選択
した２つの巻線、即ち、ループ20、22を示すものであ
る。電子ビームの水平偏向のための可変磁界を生じるよ
うに、各ループには、電流ｉが流れる。ループ20、22の
有効部分は、軸方向巻線部分24、26、28、30であり、こ
れらが主偏向磁界を生じる働きをする。ループ20、22の
末端巻線部分32、34、36、38は、ループを形成するよう
に有効部分を連結するだけの役目を有するものであり、
偏向のための磁界の発生には不必要なものである。末端
巻線部分32、34、36、38は、スクリーン14（第２図）の
前等に放射される外部磁界（減じられるべき磁界）の発
生に寄与する主たる部分である。実際のところ、外部磁
界は主偏向磁界と末端巻線磁界とのベクトル和である。
これらの磁界は距離と共に同じ割合で減衰するものであ
り、又、末端巻線磁界成分の方が主磁界成分よりも大き
いので、ベクトル和は末端巻線磁界の極性に従うことに
なる。
した２つの巻線、即ち、ループ20、22を示すものであ
る。電子ビームの水平偏向のための可変磁界を生じるよ
うに、各ループには、電流ｉが流れる。ループ20、22の
有効部分は、軸方向巻線部分24、26、28、30であり、こ
れらが主偏向磁界を生じる働きをする。ループ20、22の
末端巻線部分32、34、36、38は、ループを形成するよう
に有効部分を連結するだけの役目を有するものであり、
偏向のための磁界の発生には不必要なものである。末端
巻線部分32、34、36、38は、スクリーン14（第２図）の
前等に放射される外部磁界（減じられるべき磁界）の発
生に寄与する主たる部分である。実際のところ、外部磁
界は主偏向磁界と末端巻線磁界とのベクトル和である。
これらの磁界は距離と共に同じ割合で減衰するものであ
り、又、末端巻線磁界成分の方が主磁界成分よりも大き
いので、ベクトル和は末端巻線磁界の極性に従うことに
なる。
第３図に示されたＸ、Ｙ、Ｚの各軸の原点は、末端巻
線部分34、38が存在する平面において、これらの部分の
中心に定められている。Ｚ軸はCRT12の中心軸線に一致
している。ループ20、22は、Ｘ−Ｚ平面及びＹ−Ｚ平面
に関して対称性を有する。
線部分34、38が存在する平面において、これらの部分の
中心に定められている。Ｚ軸はCRT12の中心軸線に一致
している。ループ20、22は、Ｘ−Ｚ平面及びＹ−Ｚ平面
に関して対称性を有する。
実際の動作において、ループ20、22は、周知の如くＺ
軸上に双極子磁界を生じるように協働する。既知のコイ
ル形状及び電流に基いて、双極子磁界は次の式によつ
て定められる。但し、は電流、は方向、ＲはＺ軸上
の任意の点Ｐまでの距離、μは透磁率である。
軸上に双極子磁界を生じるように協働する。既知のコイ
ル形状及び電流に基いて、双極子磁界は次の式によつ
て定められる。但し、は電流、は方向、ＲはＺ軸上
の任意の点Ｐまでの距離、μは透磁率である。
第３図に示されているような典型的な水平偏向コイル
であつて、フエライト等の高透磁率材料によつてシール
ドされているものによる磁界をプロツトしたグラフを
第４図に示す。実際の磁界は方向性磁界であり、この
グラフの曲線はＺ軸に沿う磁界の大きさ（強さ）だけを
示している。なお、このグラフは20kvの電子ビームを約
40度の角度の方向へ偏向させる磁界を生じるための電流
を典型的なコイルに供給した状態に基いている。
であつて、フエライト等の高透磁率材料によつてシール
ドされているものによる磁界をプロツトしたグラフを
第４図に示す。実際の磁界は方向性磁界であり、この
グラフの曲線はＺ軸に沿う磁界の大きさ（強さ）だけを
示している。なお、このグラフは20kvの電子ビームを約
40度の角度の方向へ偏向させる磁界を生じるための電流
を典型的なコイルに供給した状態に基いている。
曲線Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ総（正味）磁界、軸方向
巻線部分に基く成分磁界、末端巻線部分に基く成分磁界
を表わしている。曲線Ａは曲線Ｂ及びＣの成分磁界のベ
クトル和を表わしている。磁界低減のための手段を有し
ない典型的なヨークの場合、ヨークの前方55cmの所の磁
界は約1000乃至2000ナノテスラの範囲にある。これは強
い磁界ではないが、本発明によれば、更に磁界を減少さ
せることができるのである。これから説明する本発明の
実施例を用いた実験の結果、同じ位置の磁界が200ナノ
テスラより弱くなることが認められた。
巻線部分に基く成分磁界、末端巻線部分に基く成分磁界
を表わしている。曲線Ａは曲線Ｂ及びＣの成分磁界のベ
クトル和を表わしている。磁界低減のための手段を有し
ない典型的なヨークの場合、ヨークの前方55cmの所の磁
界は約1000乃至2000ナノテスラの範囲にある。これは強
い磁界ではないが、本発明によれば、更に磁界を減少さ
せることができるのである。これから説明する本発明の
実施例を用いた実験の結果、同じ位置の磁界が200ナノ
テスラより弱くなることが認められた。
第１図は、本発明に従つて、リング50を第２図のITC1
0に装着した実施例を示している。リング50はリニア・
フエライトによつて造られており、磁気分路体として働
く。
0に装着した実施例を示している。リング50はリニア・
フエライトによつて造られており、磁気分路体として働
く。
第５図は第３図に示されているものと同様なコイルの
ループ20、22とリング50との位置関係を示すものであ
る。
ループ20、22とリング50との位置関係を示すものであ
る。
リング50を形成するリニア・フエライトは、変成器や
ヨークの製造のために広く用いられている周知の材料で
ある。この実施例において、リング50は比較的高い透磁
率（μ）を有し、且つ高い体積抵抗率（ρ）を有する。
体積抵抗率は、例えば、１メガオーム/cm3である。体積
抵抗率が高いことにより、渦電流を非常に少なくするこ
とができる。このようにしないと、ヨークに対する負荷
作用により、ヨークの励磁のために一層多くのエネルギ
ーが必要になる。負荷作用のある通常の透磁性金属積層
板を用いた実施例も考えられたが、前述のように渦電流
を少なくして負荷作用を抑制した実施例の方が好ましい
と考えられる。リング50は飽和を防止するのに十分な大
きさの断面を有する。
ヨークの製造のために広く用いられている周知の材料で
ある。この実施例において、リング50は比較的高い透磁
率（μ）を有し、且つ高い体積抵抗率（ρ）を有する。
体積抵抗率は、例えば、１メガオーム/cm3である。体積
抵抗率が高いことにより、渦電流を非常に少なくするこ
とができる。このようにしないと、ヨークに対する負荷
作用により、ヨークの励磁のために一層多くのエネルギ
ーが必要になる。負荷作用のある通常の透磁性金属積層
板を用いた実施例も考えられたが、前述のように渦電流
を少なくして負荷作用を抑制した実施例の方が好ましい
と考えられる。リング50は飽和を防止するのに十分な大
きさの断面を有する。
第６図は第５図に示すようにコイルのループ20、22の
前に配置されたリング50に関する実際の透磁率μａと実
効透磁率μｅとの関係を示すグラフである。実際の透磁
率が非常に低い範囲では、有効透磁率は実際の透磁率の
上昇につれて上昇するが、或る点以降では、実際の透磁
率が上昇しても有効透磁率は、ほぼ一定に留まつてい
る。実施例で用いられる典型的な寸法のリング50の実際
の透磁率は1000であり、これは第６図の曲線上の点52に
相当する。もし透磁率が10程度の材料のものが選択され
るならば、それは第６図の曲線の傾斜範囲53内に入るこ
とになる。このような材料は、製造公差、動作温度等の
変動の影響を受けやすく、これらの変動に応じて、ばら
ついた性能を示す。第６図の曲線の水平な平坦部におけ
る透磁率を選択することにより、このような性能のばら
つきを防ぐことができる。但し、透磁率の低い材料の方
が安価であるから、性能の安定性を確保できる範囲にお
いて比較的低い透磁率を有する材料が選択される。
前に配置されたリング50に関する実際の透磁率μａと実
効透磁率μｅとの関係を示すグラフである。実際の透磁
率が非常に低い範囲では、有効透磁率は実際の透磁率の
上昇につれて上昇するが、或る点以降では、実際の透磁
率が上昇しても有効透磁率は、ほぼ一定に留まつてい
る。実施例で用いられる典型的な寸法のリング50の実際
の透磁率は1000であり、これは第６図の曲線上の点52に
相当する。もし透磁率が10程度の材料のものが選択され
るならば、それは第６図の曲線の傾斜範囲53内に入るこ
とになる。このような材料は、製造公差、動作温度等の
変動の影響を受けやすく、これらの変動に応じて、ばら
ついた性能を示す。第６図の曲線の水平な平坦部におけ
る透磁率を選択することにより、このような性能のばら
つきを防ぐことができる。但し、透磁率の低い材料の方
が安価であるから、性能の安定性を確保できる範囲にお
いて比較的低い透磁率を有する材料が選択される。
第４図のグラフと同様な第７図のグラフの曲線は、第
１図の実施例におけるリング50のような平坦なリングに
よる総磁界（曲線Ａ）に対する影響を表わしている。第
７図の曲線Ａは第４図の曲線Ａと同じである。曲線Ｄは
リング50の磁化作用による磁界成分を表わし、曲線Ｅは
曲線Ａ及びＤの磁界のベクトル和を表わしている。
１図の実施例におけるリング50のような平坦なリングに
よる総磁界（曲線Ａ）に対する影響を表わしている。第
７図の曲線Ａは第４図の曲線Ａと同じである。曲線Ｄは
リング50の磁化作用による磁界成分を表わし、曲線Ｅは
曲線Ａ及びＤの磁界のベクトル和を表わしている。
総磁界（曲線Ａ）に対する末端巻線磁界成分（曲線
Ｄ）の影響を明らかにするために、曲線Ｄと他の２つの
曲線を示す第８図を参照する。曲線Ｃは第４図の曲線Ｃ
と同じである。曲線Ｆは曲線ＣとＤを組合わせたもので
ある。なお、この第８図のグラフは、第４図及び第７図
のグラフと比べて、横軸方向の寸法は同じであるが、縦
軸方向に拡大されている。
Ｄ）の影響を明らかにするために、曲線Ｄと他の２つの
曲線を示す第８図を参照する。曲線Ｃは第４図の曲線Ｃ
と同じである。曲線Ｆは曲線ＣとＤを組合わせたもので
ある。なお、この第８図のグラフは、第４図及び第７図
のグラフと比べて、横軸方向の寸法は同じであるが、縦
軸方向に拡大されている。
前述のように、曲線Ｄはリング自体の理論的な磁界を
表わしている。これは末端巻線磁界の磁化力によつて生
成される固有磁界である。リングの存在によつて末端巻
線磁界が減衰させられることに注目すべきである。減衰
の程度は、リングの寸法、リングとヨークの間の間隔等
の変数に応じて変わる。これについては、後で詳しく考
察する。末端巻線磁界は主偏向磁界と結合し、本発明に
よつて低減させることを意図しているCRTスクリーンの
前の放射磁界を生じる。最適減衰をもたらす、即ちベク
トル和を０にするには、補正された末端巻線磁界Ｆが主
偏向磁界と強さが同じで方向が反対であればよい。実際
には、スクリーンの前の放射磁界は０にならない。しか
しながら、本発明に従つて生成される末端巻線磁界の作
用により、放射磁界は非常に低いレベルまで減少してい
る。
表わしている。これは末端巻線磁界の磁化力によつて生
成される固有磁界である。リングの存在によつて末端巻
線磁界が減衰させられることに注目すべきである。減衰
の程度は、リングの寸法、リングとヨークの間の間隔等
の変数に応じて変わる。これについては、後で詳しく考
察する。末端巻線磁界は主偏向磁界と結合し、本発明に
よつて低減させることを意図しているCRTスクリーンの
前の放射磁界を生じる。最適減衰をもたらす、即ちベク
トル和を０にするには、補正された末端巻線磁界Ｆが主
偏向磁界と強さが同じで方向が反対であればよい。実際
には、スクリーンの前の放射磁界は０にならない。しか
しながら、本発明に従つて生成される末端巻線磁界の作
用により、放射磁界は非常に低いレベルまで減少してい
る。
第９図は第７図のグラフの横軸目盛＝2.5cmの付近よ
り右の部分を拡大して示すものである。曲線Ａ及びＥは
第７図に示されているものに対応している。これらの曲
線の関係だけを明らかにするために、曲線Ｄは省略され
ている。曲線Ｅから分かるように、横軸目盛＝9.5cmの
付近における放射磁界は０に相当近くなつている。曲線
Ｅをもたらすために典型的なCRTヨーク構造に装着され
たリング50は、1000乃至3000の透磁率及び１メガオーム
/cm3の体積抵抗率を有するフエライトで造られており、
4cmの内径、0.2cmの厚さ及び1cmの幅を有し、ヨークの
端部から0.4cm離れたところに配置されたものである。
なお、リングの幅は外径と内径との差である。
り右の部分を拡大して示すものである。曲線Ａ及びＥは
第７図に示されているものに対応している。これらの曲
線の関係だけを明らかにするために、曲線Ｄは省略され
ている。曲線Ｅから分かるように、横軸目盛＝9.5cmの
付近における放射磁界は０に相当近くなつている。曲線
Ｅをもたらすために典型的なCRTヨーク構造に装着され
たリング50は、1000乃至3000の透磁率及び１メガオーム
/cm3の体積抵抗率を有するフエライトで造られており、
4cmの内径、0.2cmの厚さ及び1cmの幅を有し、ヨークの
端部から0.4cm離れたところに配置されたものである。
なお、リングの幅は外径と内径との差である。
第10図乃至第12図は、第９図の曲線Ｅをもたらした前
述のリングと同じものや異なつたリングを種々の態様で
用いた場合の外部磁界を表わす曲線Ｅ′、Ｅ″、Ｅを
それぞれ示すグラフである。第10図は前述のリングと同
じものをヨークの端部から0.3cm離れたところに配置し
た場合の曲線Ｅ′を示している。横軸からみて、曲線
Ｅ′は曲線Ｅよりも少し遠ざかつており、これは過度の
補正を表わしている。
述のリングと同じものや異なつたリングを種々の態様で
用いた場合の外部磁界を表わす曲線Ｅ′、Ｅ″、Ｅを
それぞれ示すグラフである。第10図は前述のリングと同
じものをヨークの端部から0.3cm離れたところに配置し
た場合の曲線Ｅ′を示している。横軸からみて、曲線
Ｅ′は曲線Ｅよりも少し遠ざかつており、これは過度の
補正を表わしている。
第11図は、内径が4cmではなく、5cmである点以外は前
述のリングと同じ特徴を有するリングを用いた場合の曲
線Ｅ″を示している。曲線Ｅ″は、横軸目盛＝9.5cmの
ところにおいて、前述の曲線Ｅとは対称的な負のレベル
にあり、補正の不足を表わしている。
述のリングと同じ特徴を有するリングを用いた場合の曲
線Ｅ″を示している。曲線Ｅ″は、横軸目盛＝9.5cmの
ところにおいて、前述の曲線Ｅとは対称的な負のレベル
にあり、補正の不足を表わしている。
第12図は、第９図の曲線をもたらした前述のリングと
同じものをヨークの端部から0.6cm離して配置した場合
の曲線Ｅを示している。曲線Ｅは、補正が少し不足
していることを示し、9.5cm付近で横軸を横切つてい
る。従つて、これをほぼ最適補正状態であるとみなすこ
とができる。
同じものをヨークの端部から0.6cm離して配置した場合
の曲線Ｅを示している。曲線Ｅは、補正が少し不足
していることを示し、9.5cm付近で横軸を横切つてい
る。従つて、これをほぼ最適補正状態であるとみなすこ
とができる。
第９図乃至第12図の曲線は、補正効果に対するリング
の幅の変化の影響を示すものではないが、リングの幅の
減少は補正効果を弱め、一方、リングの幅の増大な補正
効果を強めると考えられる。
の幅の変化の影響を示すものではないが、リングの幅の
減少は補正効果を弱め、一方、リングの幅の増大な補正
効果を強めると考えられる。
これまでの説明により、スクリーンの前に現われる磁
界を相殺するリングの補正作用に対するリングの寸法や
位置の変化の影響が明らかになつた筈である。従つて、
本発明の実施に当つては、補正作用を最適化するように
リングに関する種々のパラメータを調整することが望ま
しい。
界を相殺するリングの補正作用に対するリングの寸法や
位置の変化の影響が明らかになつた筈である。従つて、
本発明の実施に当つては、補正作用を最適化するように
リングに関する種々のパラメータを調整することが望ま
しい。
松下電器産業株式会社製のITC（シリーズ番号M34JDJ0
0X01）に関連した試作品は、約1000乃至3000の透磁率と
１メガオーム/cm3以上の体積抵抗率を有する通常のリニ
ア・フエライトで造られたリングを使用しており、この
リングは11.11cmの内径、0.95cmの幅及び0.32cmの厚さ
を有するものであつた。このリングは、ITCに設けられ
ているヨークの末端巻線部分に対して、その末端巻線部
分の絶縁層の分だけの間隔をおいて配置された状態にお
いて良好な補正若しくは相殺作用をもたらすことが分か
つた。
0X01）に関連した試作品は、約1000乃至3000の透磁率と
１メガオーム/cm3以上の体積抵抗率を有する通常のリニ
ア・フエライトで造られたリングを使用しており、この
リングは11.11cmの内径、0.95cmの幅及び0.32cmの厚さ
を有するものであつた。このリングは、ITCに設けられ
ているヨークの末端巻線部分に対して、その末端巻線部
分の絶縁層の分だけの間隔をおいて配置された状態にお
いて良好な補正若しくは相殺作用をもたらすことが分か
つた。
本発明に従つて他の種々の形状のリングを用いること
も可能である。例えば、第13図に示すようなリツプ部62
を有するリング60が使用可能である。リツプ部62は、望
ましくない放射磁界の相殺作用を強める働きをすると考
えられる。但し、この様な形状のリング60を形成するに
は、追加の機械加工処理が必要であるから、第１図のリ
ング50よりもコスト高になる。
も可能である。例えば、第13図に示すようなリツプ部62
を有するリング60が使用可能である。リツプ部62は、望
ましくない放射磁界の相殺作用を強める働きをすると考
えられる。但し、この様な形状のリング60を形成するに
は、追加の機械加工処理が必要であるから、第１図のリ
ング50よりもコスト高になる。
第14図に示すように２つの部分から成るリングも使用
可能である。
可能である。
又、フェライト粒子を注入したナイロンを材料とし
て、射出成形技術を用いて造つたリングも使用可能であ
る。第15図は、そのようなリングの断面を示している。
このリングも良好な磁界相殺作用をもたらすが、前述の
簡単なフエライト・リングよりもコスト高である。
て、射出成形技術を用いて造つたリングも使用可能であ
る。第15図は、そのようなリングの断面を示している。
このリングも良好な磁界相殺作用をもたらすが、前述の
簡単なフエライト・リングよりもコスト高である。
第17図は六角形のヨークに関連して使用可能な六角形
のリングを示している。
のリングを示している。
更に、通常の透磁性金属積層体を用いて第16図に示す
ように断面を有するリングを形成して使用することもで
きる。
ように断面を有するリングを形成して使用することもで
きる。
E.発明の効果 CRTのスクリーンの前に放射される磁界を安価な手段
によつて低減させることができる。実施例についての実
験の結果、著しい磁界低減効果が認められた。
によつて低減させることができる。実施例についての実
験の結果、著しい磁界低減効果が認められた。
第１図は本発明に従つてリングを装着したITCを示す
図、第２図は通常のITCを示す図、第３図は第２図のITC
の上位及び下位の偏向コイルから１つずつ選択された２
本の巻線の関係を概略的に示す図、第４図は第２図のIT
Cに関するＺ軸に沿う位置と磁界の関係を示すグラフ、
第５図は第１図の実施例におけるリングと偏向コイルの
２つの巻線との関係を示す図、第６図は第１図のリング
の実際の透磁率と有効透磁率との関係を示すグラフ、第
７図は第４図の曲線Ａで示された磁界に対するリングの
影響を示すための位置−磁界関係グラフ、第８図は第４
図の曲線Ｃで示された末端コイル磁界に対するリングの
影響を示すための位置−磁界関係グラフ、第９図は第７
図のグラフの横軸目盛＝2.5cm付近より右の部分を拡大
したグラフ、第10図はヨークからの距離を変えてリング
を配置した場合の第９図と同様なグラフ、第11図はリン
グの内径を少し変更した場合の第９図と同様なグラフ、
第12図はヨークからリングまでの距離を変更した場合の
第９図と同様なグラフ、第13図はリツプ部を有するリン
グを示す図、第14図は２つの部分から成るリングを示す
図、第15図はフエライト粒子を注入したナイロンを射出
成形して成るリングの１部分を示す図、第16図は透磁性
金属積層体で造られリングの１部分の断面図、第17図は
六角形のリングを示す図である。 10……統合ヨーク・チユーブ構成体、12……CRT、14…
…スクリーン、16及び18……水平偏向コイル（ヨー
ク）、50……リング
図、第２図は通常のITCを示す図、第３図は第２図のITC
の上位及び下位の偏向コイルから１つずつ選択された２
本の巻線の関係を概略的に示す図、第４図は第２図のIT
Cに関するＺ軸に沿う位置と磁界の関係を示すグラフ、
第５図は第１図の実施例におけるリングと偏向コイルの
２つの巻線との関係を示す図、第６図は第１図のリング
の実際の透磁率と有効透磁率との関係を示すグラフ、第
７図は第４図の曲線Ａで示された磁界に対するリングの
影響を示すための位置−磁界関係グラフ、第８図は第４
図の曲線Ｃで示された末端コイル磁界に対するリングの
影響を示すための位置−磁界関係グラフ、第９図は第７
図のグラフの横軸目盛＝2.5cm付近より右の部分を拡大
したグラフ、第10図はヨークからの距離を変えてリング
を配置した場合の第９図と同様なグラフ、第11図はリン
グの内径を少し変更した場合の第９図と同様なグラフ、
第12図はヨークからリングまでの距離を変更した場合の
第９図と同様なグラフ、第13図はリツプ部を有するリン
グを示す図、第14図は２つの部分から成るリングを示す
図、第15図はフエライト粒子を注入したナイロンを射出
成形して成るリングの１部分を示す図、第16図は透磁性
金属積層体で造られリングの１部分の断面図、第17図は
六角形のリングを示す図である。 10……統合ヨーク・チユーブ構成体、12……CRT、14…
…スクリーン、16及び18……水平偏向コイル（ヨー
ク）、50……リング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭50−114230（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−189947（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭37−28417（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (2)
- 【請求項１】スクリーンと、 上記スクリーンへ向けて電子ビームを投射する手段と、 上記電子ビームを偏向させるためのサドル形の偏向コイ
ルと、 上記スクリーンと上記偏向コイルとの間に設けられた磁
気分路手段と、を有する陰極線管表示装置において、 上記磁気分路手段が、約1000から3000の範囲の透磁率と
約１（ＭΩ/cm3）以上の体積抵抗率を有する、上記透磁
率の変動に対して実効透磁率の変動が小さいリニア・フ
ェライトを材質とする透磁性リングからなること、を特
徴とする陰極線管表示装置。 - 【請求項２】上記リングの寸法、および上記リングと上
記偏向コイル端部との間隔が、上記偏向コイルの作用に
起因して上記スクリーン側に生じる放射磁界を最小にす
るように決められていること、を特徴とする請求項１記
載の陰極線管表示装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8494987A | 1987-08-13 | 1987-08-13 | |
| US84949 | 1987-08-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6445046A JPS6445046A (en) | 1989-02-17 |
| JP2645572B2 true JP2645572B2 (ja) | 1997-08-25 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1988
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1994
- 1994-11-03 HK HK119794A patent/HK119794A/xx not_active IP Right Cessation
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| MX169727B (es) | 1993-07-21 |
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