JP2644303B2 - 光ファイバーカップリングアセンブリ - Google Patents

光ファイバーカップリングアセンブリ

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Description

【発明の詳細な説明】 （発明の背景） ［発明の属する技術分野］ 本発明は光ファイバーカップリング手段に関し、特
に、光ファイバーを光放出器あるいは光検出器等の光電
素子に対して結合するように設計されたカップリング手
段に関する。
［従来技術の説明］ 光ファイバーは、長距離音声データ伝送からエレクト
ロニックデバイス、部品、あるいは装置間の相互接続に
わたる広範囲の応用においてますます用いられてきてい
る。多くの、おそらく全ての光ファイバーの応用におい
て、発光ダイオードあるいは半導体レーザー等の適切な
波長の電磁放射源と光ファイバーを結合、及び／あるい
は電磁放射の検出器（例えばPINダイオード）と光ファ
イバーを結合することが必要である。
非常に高い結合効率を要求する数多くの応用（例え
ば、大陸間あるいは都市間光ファイバー通信システム）
が存在するが、一方で、それほど高い結合効率を要求し
ない多くの重要な応用（例えば、ファイバー通信システ
ムのローカルループ部、ローカルエリアネットワーク、
あるいは、5ESS エレクトロニックスイッチ等のエレク
トロニックシステムのコンポーネント間の光相互接続）
もまた存在する。後者においては、1dB、さらにしばし
ばそれ以上の結合損失が許される。結合効率を緩和でき
ると、通常、より単純な設計すなわちより低コストのカ
ップリング手段でよいことになる。
適度に効率が良く、安価かつコンパクトな、光電素子
とファイバー末端を光学的に結合する手段を供給するこ
とが望ましいと認識されてきている。そのような手段は
IC（集積回路）マウントテクノロジーと適応できること
が望ましい。なぜなら通常そのような適応性によって装
置が単純化され、それゆえ著しいコストの低減がなされ
るからである。進歩したマウント技法の例については、
たとえば、米国特許第4,675,717号を参照。
ICテクノロジーとコンパチブルなファイバーデバイス
カップリングアセンブリの一例が、アーム・ジェイ・ピ
ンピネラ（R.J.Pimpinella）とジェイ・エム・ジーゲル
ケン（J.M.Segelken）によって1986年２月14日に出願さ
れた米国特許出願第829,533号に記載されている。この
従来技術に係るカップリングアセンブリは光ファイバー
の末端とチップ上にマウントされたオプトエレクトロニ
ックコンポーネントとの結合を維持するために、開口を
有するシリコンチップを用いている。当該チップは、傾
斜壁を有する開口を形成するための、Siウエハの一方の
面への選択エッチング、これらの開口に関して正確にア
ラインメントされた、当該ウエハの他方の面へのメタリ
ゼーションパターンの形成、及びウエハからのチップの
切り出し、よりなるプロセスによって実際に生産され
る。光ファイバの末端は、当該開口に挿入され、適切な
手段によって保持され、そして適切な光電素子（トラン
スジューサ）がメタリゼーションパターンとアライメン
トされて電気的に接続される。当該光ファイバへのコア
部と当該トランスジューサの活性領域間のアライメント
は、メタリゼーションパターンの正確な位置決めと当該
トランスジューサの当該パターンへのアライメントの結
果として得られる。このようにして形成されたアセンブ
リは適切な基板（例えば、適切なメタリゼーションパタ
ーンを有するSiウエハ）上に、実質的に通常のICチップ
と同一の方法、例えばフェースダウンハンダ球技法、に
よって、マウントされる。
他の従来の技法に係るカップリングアセンブリに対し
ては著しい進展があるものの、上述のアセンブリはいく
つかの欠点を有している。特に、当該アセンブリは、例
えば、アドバンスト相互接続法と呼ばれるものに用いら
れるシリコンウェハのような、水平方向に広がった基板
へのマウントを可能とするために、導電性の“コンタク
トブロック”の使用が必要である。このようなコンタク
トブロックは比較的大きく、その比較的大きな電気容量
ゆえに、当該アセンブリの最高動作周波数を制限してし
まう。さらに、光ファイバとトランスジューサ間の寛容
されうる程度の光結合度を得るために、メタリゼーショ
ンパターンはファイバーを収納する開口に対して正確に
アライメントされていなければならず（このことがしば
しば実現しがたい）、当該トランスジューサもメタリゼ
ーションパターンに正確に合った位置において当該シリ
コンブロックに対して固定されていなければならない。
通常、当該オプトエレクトロニックデバイスの活性領域
の当該メタリゼーションパターンに対する相対的な位置
決め誤差としての不可避の不完全さを補償する手段は存
在しない。
上述の議論の観点から、現実および数多くの予想され
ているICマウント技法とコンパチブルかつ光ファイバー
通信で可能であるような比較的高速の信号伝送ともコン
パチブルな、コンパクトで比較的安価な光ファイバーと
光電素子とのカップリング手段が切望されている。本明
細書にそのようなカップリング手段が明らかにされてい
る。
（発明の概要） 広義においては、我々は、ICチップと同様に基材に載
置可能でかつ寄生容量及びインダクタンスを著しく低減
したため、従来技法に係るカップリング手段と比較して
比較的高速で動作可能な、光電素子を光ファイバーに対
してカップリングする手段、を明らかにする。
さらに、本発明に係るコネクタは、ドライバICあるい
はレシーバICに近接して（例えば、約0.5mm以下の範
囲）配置することが可能なため雑音感受率が低減し、そ
の結果システムの動作が向上する。より好ましい具体例
においては、本発明の手段は、半導体デバイス製造に一
般に用いられている技法を用いたバッチ法によって生産
されるSi材よりなる。以下においては、本発明の種々の
具体例が明らかにされる。ある具体例においては、デバ
イスと、その末端が当該デバイスに対して実質的に直交
するファイバーとのカップリングが示され、他の具体例
においては、その末端がデバイスに対して実質的に平行
であるようなファイバーとのカップリングが示される。
一般に本発明は、少なくとも２つの、実質的に平行な
対向主表面（以下、第１面及び第２面と呼称する）、及
び、主長軸が実質的に前記主表面に直交する開口を有す
る少なくとも１つの第１材（一般には単結晶シリコンブ
ロックである）を有するアセンブリの形で実現される。
当該第１材は、さらに、第２面に少なくとも１つの凹部
（以下、“ウェル”と呼称する）を有し、前記開口は第
１面とウェルとの間にわたり、当該ウェルが少なくとも
１つの光電素子をそこにマウントさせるような形状をし
ており、通常当該デバイスは第２面のつくる平面より突
出していない。”ウェル”という語はここでは基材の面
の凹部を示し、当該凹部は通常深さよりも大きな水平方
向の広がりを有し、かつ通常平らな底面を有する。当該
第１材はさらに、第２面からウェルへ広がり、第２面上
に位置するボンディンクグパッドを有する導電性手段を
有し、当該導電性手段は前記ウェルにマウントされた光
電素子との電気的接続をなしうるようになっている。
一例では、当該アセンブリは、当該ウェルにマウント
され当該導電性手段と電気的に接続された、第２面のつ
くる平面からは突出していない光電素子（例えば、半導
体レーザー、LED、あるいはPIN検出器）を有し、当該ア
センブリはさらに光ファイバーの末端を当該アセンブリ
に対して固定する手段を有する。当該ファイバー固定手
段は、ファイバー末端を保持し、当該ファイバーが、当
該光電素子と当該ファイバーとの間の光通信が可能であ
るような位置にくるようにしている。“ＡとＢとの間の
光通信が可能な位置”とは、ＡとＢに対してＡ（あるい
はＢ）より放射された光あるいは他の関連した電磁放射
がＢ（あるいはＡ）に入射し、少なくとも当該放射の実
質的な部分がＢ（あるいはＡ）にカップルするような位
置にある、ということである。例えば、Ｂが光ファイバ
ーあるいは放射検出器で、それぞれＡから発せられた放
射が、当該ファイバーのコアにカップルするあるいは当
該検出器の活性領域に入射する、ということである。
本発明の係るカップリングアセンブリは、エレクトロ
ニックコンポーネント及び光ファイバー信号伝送手段の
双方を有する種々の装置あるいはシステムにおいて都合
よく用いられうる。例えば、このようなアセンブリは、
サブシステムが、光ファイバを伝送してくる光信号によ
って、コミュニケートするようなエレクトロニックシス
テムにおいて用いられうる。そのようなエレクトロニッ
クシステムの例は、AT＆Ｔ社の5ESS エレクトロニック
スイッチングシステムである。当業者は、明らかに、本
発明に係るカップリングアセンブリの多くの使途を見出
すであろう。
特に、その有利な特徴の一つ、すなわち、Siチップあ
るいはチップ状のコンポーネントの基板上のボンディン
グパッド−通常適切に金属化されたシリコンウェハーへ
のフェイスダウンハンダボンディングを用いた進んだ技
法を含む、数多くのマウント技法と最初からコンパチブ
ルである点に関してである。
本発明に係るカップラーの寄生容量は通常100fF以下
であり、約10fFまで低減することが可能である。多くの
従来技法に係るデバイスと比較してボンディングワイヤ
の数を低減したことによって、比較的低い寄生インダク
タンスが得られる。
（実施例の説明） 本発明の係るカップリングアセンブリの好ましい具体
例の共通の特徴は、ウェルを有する第１材の存在であ
り、第１図は第１材10の断面を示したものである。第１
材10は第２面17にウェル11を有するだけでなく（ここで
はウェルは、傾斜側壁13及び実質的に平面である底面15
を有する）、第１面16から当該ウェルにわたる開口12
（傾斜側壁14を有する）をも有する。
第１図に示した形の主材は、単結晶Siよりなることが
有利ではあるが、原理的には他の材料（例えば、Ge、セ
ラミックス）も使用可能である。Siの使用の有利な点
は、フォトリソグラフィー及び選択エッチングを含む高
度に発達したプロセス技法の存在により当該主材が非常
に小さな公差で容易かつ経済的に生産されうる、という
点である。これらの技法は良く知られており、詳細にわ
たりレビューする必要はない。
通常複数個の第一材10が、従来技法に係るSiウエハ
（例えば直径75−150mm、厚さ約0.55mm結晶方位（10
0））上に、ウエハの上面及び底面の双方へのエッチス
トップ層（例えばSiO2）の形成、当該層上へのレジスト
材の塗布、及び標準的なリソグラフィー技法によるレジ
スト層のパターニングよりなる一連のプロセスステップ
により形成される。その後、パターニングされたレジス
ト層がその下層のエッチストップ層を、例えば従来技法
に係るプラズマあるいはウェットエッチングプロセスに
より、パターニングするためのマスクとして用いられ
る。レジストパターンの除去の後、Siウエハの露出した
部分がエッチされる。ここに概説したプロセスは、一度
にウエハの片面に対して実行されうる（そうする必要は
必ずしもない）が、通常は当該Siウエハの両面の露出し
た部分が同時にエッチングされる。
当該第１材が（100）方向のSiウエハから製造される
場合には、傾斜側壁13及び14は（111）結晶面に本質的
に平行である。（100）Siに（111）方向の構造を選択的
に形成する手段は既知であり、脱イオン水及びプロパノ
ールに溶解したKOHである。当該ウエハの第１表面にエ
ッチングされた開口部の大きさをリソグラフィー技法に
より規定することにより、ウェルの底部に形成される開
口12の大きさを制御することができる。すなわち、当該
ウエハ厚が500μm,両面を同時にエッチング、そして第
１面上のエッチストップ層のウィンドウが454μｍ四方
である場合には、開口は約100μｍ四方となる。なぜな
ら、第１面及び第２面のエッチング速度は通常同一で第
１面と当該開口12の傾斜側壁14とのなす角は約54.74度
だからである。
次に、適切な導電性構造を形成するために当該ウエハ
の第２面が処理される。当該構造の例が第２図の示され
ており、ここで、22はウエルの底面の開口12を囲む環状
導体、27は第２面上のボンディングパッド23を接続する
直線状導体、そして21は22及び27を接続する直線導体で
ある。第２面のボンディングパッド24は導体20によって
ウエルの底面のボンディングパッド26に接続されてい
る。
ボンディングパッド25は、ここに例示した具体例で
は、どの導電性構造とも接続されていないオプショナル
スペアであるが、当該アセンブリが基板にマウントされ
た場合に、付加的な機械的支持及び熱伝導経路をなすも
のである。基準点28及び29は付随的なアライメント用構
造である。上述の導電性構造は、Ag2Se/GeXSe1-Xレジス
トの真空蒸着（例えば、イー・オング（E.Ong）らによ
るエス・ピー・アイ・イー（SPIE）第394巻、光リソグ
ラフィーII、第39−48頁（1983年）を参照）、標準的な
接触プリンターにおける当該レジスト層の選択露光、及
びテトラメチル アンモニウム 水産化物／硫化ナトリ
ウム溶液による現像とからなる非平面リソグラフィープ
ロセスを用いて形成される。
第１図及び第２図は１個の第１材10を示すだけである
が、上述の、メタリゼーションの形成を含むプロセスは
通常数百あるいは数千の第１材10を含むウエルに対して
実行される。そのようなウエルは、既知の方法によって
切り刻まれて、複数個の処理済材（例として約２×2mm
の大きさ）−第２図の第１材10がその例である−が得ら
れる。ここで、本発明は単一のウエル及び単一の開口を
有するアセンブリに限定されているのではなく、複数の
ファイバーを複数の光電素子に結合するための、一つあ
るいは複数のウエル及び複数の開口を有するアセンブリ
を含む多用なデザインにおいて具体化されることに留意
されたい。
第３図は、第１材10を、その第１表面にある構造、す
なわち開口12及び付加的な溝30、がはっきりわかるよう
に示した図である。この溝は、選択エッチングにより形
成され、光ファイバーを当該第１材に接着する際に用い
られるエポキシあるいは他の物質の当該第１材への付着
を増強する。
第４図は、第１材10及びウェルに面接着された光電素
子40（例えば、PINダイオード）を模式的に示したもの
で、当該デバイス40の活性領域が当該ウェル底面の開口
部を覆っており、当該デバイス40は、第２面からウエル
へ広がっている導電性手段に接続されている。具体的に
は、当該デバイス40の正面（第４図において下側の主表
面である）上の環状導体が当該ウェルの底面上の対応す
る構造に（例えば、ハンダあるいはエポキシ等の手段
で）電気的に接続されており、ワイヤ41が、既知の技法
により、ボンディングパッド（第２図の26）及び当該デ
バイスの背面の金属領域とに接続されている。
第５図は、本発明に係るカップリングアセンブリ、な
らびに上述の方法により第１材10上の導電性構造に電気
的に接続された光電素子40、そしてオプトエレクトロニ
ックデバイスとの間の光通信がなされる位置に保持され
た光ファイバー52を断面図として模式的に示したもので
ある。当該ファイバーは、そのバックコーティング53を
除去され、エポキシ等の接着手段51によって当該第１材
に固着されている様子が示されている。他の接着手段は
当業者に既子であり、必要とあらば、使用可能である。
本発明に係るカップラは、簡便な方式によっても組み
たてられうる。例えば、ファイバーは開口に挿入されて
接着手段によって当該第１材に固定されうるし、当該光
電素子はウェル内におかれ、大まかに位置決めされて仮
の電気的接続がなされうる。その後当該デバイスが動作
状態に入り、その位置が、当該ファイバーと当該デバイ
スとの間の最大結合が得られるまで変化させられて、そ
こで最終的にウエルん固定される。例えば、当該デバイ
スが検出器である場合には、適切な波長の放射が当該フ
ァイバにカップルされて、それがファイバー中を伝幡
し、当該デバイスの活性領域に入射するようになされ
る。当該デバイスの位置は検出器の出力を最大にするこ
とによって微調整される。
現時点で好ましい組立て方法においては、光電素子
が、産業ロボット装置によってウエルの中に当該デバイ
スがウエル底面の開口部上にその中心を有するように配
置され、第１材に固定されてウエル底面上の環状導体と
それに対応する当該デバイスの正面上の導体との間の電
気的接続がなされる。既に述べた付随的な基準点が当該
デバイスの正確な配置を助け、その結果必要とされる結
合効率（具体的には2dB以下の結合損失）が当該デバイ
スを積極的に移動させることなく得られる。
当該デバイスへの（ワイヤボンディング等による）電
気的接続及び当該アセンブリの適切な基板へのマウント
が完了した後、適切に基準（例えば、へき開／あるいは
研磨）された光ファイバーのクラッドを除去された末端
部が、当該開口に挿入された当該第１材に、当該ファイ
バー末端部の軸が当該開口の軸と実質的に平行になるよ
うに、固定される。さらに、当該ファイバー末端部と当
該デバイスの正面との間に屈折率マッチング材を導入す
ることも可能である。
多くの場合、当該カップリングアセンブリの正常な使
用状況下において遭遇する応力下における物理的な完全
さを保証するために、ひずみを軽減する手段を備えてお
くことが望ましい。特に、当該ファイバーの当該第１材
に対するひずみを軽減する手段を講ずることは有利であ
る。このような手段は、当業者よって容易に考案される
ものであり、その一具体例が第６図に示されている。こ
こで10という数字は本発明に係るカップリングアセンブ
リ（光電素子は図示せず）を示し、ある長さの光ファイ
バーがそこに取り付けられている。当該カップリングア
センブリ10は、適切な基板60に対して電気的に接続され
てマウントされている。この基板60は具体的には、米国
特許第4,675,717号に記載された型のSi基板で、これは
しばしばウエハスケール集積と呼称されるアプローチの
例である。さらにIC64及び65が本発明に係るカップリン
グ手段に関連して用いられうる多様なチップを代表する
ものとして図示されている。これらは基板上にハンダ付
け等の手段により電気的に接続されてマウントされてお
り、その様子が図に模式的に示されている。基板60はさ
らに他の基板61上にマウントされており、この基板61は
具体的には適切なメタリゼーションによって製造された
多層セラミック材である。基板60及び61間の電気的接続
はそれぞれ基板60及び61上のボンディングパッドに接続
されたワイヤ62で模式的に示されているように、従来技
術に係る手段によってなされる。基板61との電気的接続
をなす手段−具体的には接点ピン63によって示されてい
る−が備えられており、例えば、ここに図示されたアセ
ンブリが適切なソケットに挿入されうるように配置され
ている。光ファイバに対するひずみの軽減は、ふた66及
び挿入材67によってなされ、後者が光ファイバー68をし
っかり取り巻いている。このふた66は当該基板に接着さ
れており、挿入材67も同様にふた66に固定されている。
当該光ファイバーは挿入材に対してエポキシあるいは他
の適切な手段によって固定されている場合もある。
第７図は、本発明に係る他の具体例を模式的に示した
ものである。数字10は再び、エル中に光子素子を有する
第１材を示し、数字70は単結晶Siから製造されることが
望ましい第２材を示している。当該第２材は光ファイバ
ー52の末端部を受容するための開口、さらに当該ファイ
バー末端部と当該光電素子との間への放射集光手段の導
入を可能ならしめる手段を有している。具体的には、当
該第２材における開口は、第７図に示されているよう
に、２つの先端部を切り欠き、当該切り欠き平面であわ
さった角錐72及び73のような形をしており、当該集光手
段は、球状レンズ71（例えばサファイア球）であって開
口によって囲まれた空間内に閉じ込められている。当該
アセンブリは、光ファイバーの末端がレンズ71の一方の
焦点面上かつ当該デバイス40の活性領域がもう一方の焦
点面上にくるように設計されていることが望ましい。第
２材の開口は、当該第２材が（100）方位のSiである場
合には、リソグラフィー及び選択エッチングによって容
易に製造されうる。ここで、当該開口は角錐状である必
要はなく、例えば円錐状のような他の形状をも有しう
る。
球状レンズ（集光手段）71を対応する空間内に配した
後、当該第２材は当該第１材に対して、例えば境界面に
おける接着剤層によって、あるいは個別のコネクタを形
成するクランプ手段（図示せず）によって、固定され、
当該光ファイバーは例えばある量のエポキシ（接着手
段）51によって当該第２材に固定される。必要ならば、
結合効率を向上させるために位置の微調整がなされる。
また、当該ファイバーと当該レンズ、及び当該レンズと
当該デバイスとの間に屈折率マッチング材が導入されう
る。当該デバイスとの電気的接続は、前述のようにして
なされる。ひずみ軽減材を、第６図に示されているよう
に、導入することも可能である。既に述べた本発明に係
る具体例の双方においては、取り付けた光ファイバーの
軸は、第１材の面に対して実質的に直交している。しか
しながらそうである必要はなく、第８図はそのような取
り付けた光ファイバへの軸が実質的に主材80の面に平行
な具体例を模式的に示したものである。溝81は光ファイ
バーの末端部を受容するために備えられており、フォト
リソグラフィー及び選択エッチングによって形成され
る。開口82についても同様にして形成され、これは完全
に（111）面によって規定されている。主材80は、さら
に、実質的に既に記述したものと同様のウエル（及びそ
れに関した導電性手段等）を有し、あるいは第７図に関
して既に記述したものと実質的に同等の、集光手段の適
用を可能ならしめる構造を有する。いずれの場合におい
ても、主材80の面と実質的に平行にマウントされた光フ
ァイバー末端部を第１材のウエル内にマウントされた光
電素子と光学的に結合するために、光束反射手段が備え
つけられている。具体的には、この目的を達成するため
の手段も第８図に示されており、ブロック83は、図示さ
れているように、開口82に適合するような構造をしてい
る。当該ブロックの面84は金属化されており、当該カッ
プリングアセンブリの動作波長で放射を効率良く反射
し、当該ファイバーの軸に対してほぼ45゜の傾きを有し
ている。ブロック83はSiから選択エッチング及び他の既
知の微細加工方法により製造されるが、それはまた他の
材料（例えばモールドプラスチック）からも製造されう
る。ここで本発明に係る、第１材の面に対して平行に入
るファイバーを有するカップリングアセンブリは、ひず
み軽減手段を修正する必要があるが、垂直ファイバー入
射のアセンブリと実質的に同様にマウントされうる。
上述の構造及びプロセス技法は、本発明の原理を例示
したに過ぎない。それゆえ、例えば、本発明書において
は、シリコン製のカップリングアセンブリに第１義的に
力点をおいてきたが、他の材料からなるブロックもここ
に記述されたそのままの方法によってリソグラフィーに
よってパターン描画され、微小カップリングアセンブリ
を形成できることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、第１材の断面図； 第２図は、導電性手段を有する第１材のある面を示した
図； 第３図は、第１材の他の面を示した図； 第４図は、ウエル内に光電素子をマウントした第１材を
示した図； 第５図は、本発明に係るカップリング手段を示す図、 第６図は、本発明に係るカップリング手段及びひずみ軽
減手段よりなるアセンブリを示す図；及び、 第７図及び第８図は、本発明に係る他のカップリング手
段をしめす図である。 10……第１材 11……ウエル 12……開口 13、14……傾斜側壁 15……底面 20……導体 21……直線導体 22……環状導体 23〜26……ボンディングパット 27……直線状導体 28、29……基準点 30……溝 40……光電素子 52、68……光ファイバー 53……バックコーティング 60……基板 61……多層セラミック材 64,65……ICチップ 71……球状レンズ（集光手段） 72、73……先端部を切り欠いた角錐 80……主材 82……開口 83……ブロック 84……金属化表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン モーリス セジェルケン アメリカ合衆国，07960 ニュージャー ジ、モリス タウン，ペピリッジロード ３ (56)参考文献 特開 昭62−192710（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−139990（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−104188（ＪＰ，Ａ) 特表 昭62−500413（ＪＰ，Ａ)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】互いに平行な第１面（16）と第２面（1
    7）、および少なくとも１つの第１面に対して直交する
    軸を有する開口（12）を有する第１材（10）からなる光
    ファイバーカップリングアセンブリにおいて、 前記第１材は、 ａ）前記第２面に凹部（11）が形成され、 ここで当該凹部は底部を有し、前記開口が前記第１面と
    前記凹部の底部との間を貫通し、 ｂ）凹部の底部上に配置され、活性領域を有する光電素
    子（40）に対して電気的接続をなすための、前記第２面
    から前記凹部の底部にわたる導電性手段（20、21）と、 ここで、前記凹部の底部に配置された光電素子は第２面
    上に突出せず、前記活性領域が前記開口に面し、開口上
    にその中心を有するように配置され、 ｃ）光ファイバー（52）を、前記開口を介して、前記光
    ファイバーが前記光電素子との間の光通信をなすように
    結合する手段と を有することを特徴とする光ファイバーカップリングア
    センブリ。
  2. 【請求項２】前記光ファイバーの末端部が前記開口とほ
    ぼ同軸状に挿入されることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の光ファイバーカップリングアセンブリ。
  3. 【請求項３】前記光ファイバーの末端部が前記第１面に
    対して平行に第１材に固定され、当該アセンブリがさら
    に、前記光電素子と前記光ファイバーとの間で光学結合
    を行うよう配置された光反射手段（84）を有することを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ファイバーカ
    ップリングアセンブリ。
  4. 【請求項４】２つの対向面を有し、この二面間を貫通す
    る開口（73）を持つ第２材（70）を有し、 前記第２材は、その開口が前記第１材の開口（12）とほ
    ぼ同軸状になるように第１材上に取り付けられ、 前記アセンブリがさらに、端面を有し前記第２材に前記
    開口とほぼ同軸状に固定された光ファイバー（52）と、
    第１焦点面および第２焦点面を有する光集束手段（71）
    とを有し、前記光電素子の活性領域が実質的に前記第１
    焦点面にあり、前記光ファイバーの端面が前記第２焦点
    面にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    光ファイバーカップリングアセンブリ。
  5. 【請求項５】前記光ファイバーの末端部が前記第１材の
    前記開口とほぼ同軸状に前記第２材に挿入されることを
    特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光ファイバーカ
    ップリングアセンブリ。
  6. 【請求項６】前記光ファイバーの端面が前記第２材の対
    向面とほぼ平行であり、当該アセンブリが、さらに、前
    記光電素子と前記光ファイバーとの間で光学結合を行う
    よう配置された光反射手段（84）を有することを特徴と
    する特許請求の範囲第４項記載の光ファイバーカップリ
    ングアセンブリ。
  7. 【請求項７】当該アセンブリが、さらに、その上にボン
    ディングパッドを持つ平面状のウェハスケール集積構造
    （60）を有し、前記第１材が前記平面構造にマウントさ
    れて、前記第２面の前記導電性手段が前記ボンディング
    パッドに電気的に接続されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の光ファイバーカップリングアセ
    ンブリ。
  8. 【請求項８】前記ウェハスケール集積構造が、さらに、
    前記第１材（10）に近接して当該平面構造上にマウント
    した集積回路チップ（64）を有することを特徴とする特
    許請求の範囲第７項記載の光ファイバーカップリングア
    センブリ。
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