JP2007019133A - 光電変換装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換素子2と、この光電変換素子2が設けられた素子基体3とを有し、光電変換素子2とは反対の面側において、素子基体3と、シリコンからなるレンズ4とが接合され、光電変換素子2の出射光又は入射光の光ビーム成分がレンズ4によって光路変更される、光電変換装置1。シリコン基体4aと素子基体3とを接合する工程と、素子基体3に光電変換素子2を設ける工程と、シリコン基体4aを光電変換素子2とは反対の面側においてエッチング加工し、レンズ4を形成する工程とを有する、光電変換装置の製造方法。本発明の光電変換装置と、光導波部と、光電変換素子を駆動する駆動素子とからなる、光情報処理装置。
【選択図】 図1
Description
光電変換素子と、前記光電変換素子が設けられた素子基体とを有し、前記光電変換素 子とは反対の面側において、前記素子基体と、シリコンからなるレンズとが接合され、 前記光電変換素子の出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レンズによって光路変更さ れる
ことを特徴とする、光情報処理装置に係るものである。
図1は、本発明に基づく光電変換装置の概略図である。図1(a)は、本発明に基づく光電変換装置の概略断面図であり、図1(b)は、(a)のA方向から見た概略平面図である。
図4は、本発明に基づく光情報処理装置の一例の概略断面図である。図4に示すように、本発明に基づく光情報処理装置12は、本発明に基づく光電変換装置1と、前記光導波部としての例えば光導波路13と、前記光電変換素子を駆動する駆動素子14とからなる。
2b…受光素子アレイ(受光素子)、3…素子基体、4…レンズ、4a…シリコン基体、
5、9…レジスト、6、6a…開口部、7…SOG、8…アライメントマーク、
10…グレーティングマスク、11…露光部、12…光情報処理装置、13…光導波路、
14…駆動素子、15…インターポーザ、16…はんだ、17…貫通電極、
18…プリント配線板、19a、19b…クラッド、20…コア、21…レンズ部材
Claims (13)
- 光電変換素子と、前記光電変換素子が設けられた素子基体とを有し、前記光電変換素子とは反対の面側において、前記素子基体と、シリコンからなるレンズとが接合され、前記光電変換素子の出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レンズによって光路変更される、光電変換装置。
- 前記素子基体と、前記シリコンからなる前記レンズとがバッファー層を介して接合され、前記出射光又は入射光の前記光ビーム成分が前記レンズによって平行光化又は集光される、請求項1に記載した光電変換装置。
- 前記光電変換素子の前記出射光又は入射光が、1μm以上の波長を有する、請求項1に記載した光電変換装置。
- 前記光電変換素子としての発光素子アレイ又は受光素子アレイが前記素子基体に設けられている、請求項1に記載した光電変換装置。
- 請求項1に記載した光電変換装置の製造方法であって、シリコン基体と素子基体とを接合する工程と、前記素子基体に光電変換素子を設ける工程と、前記シリコン基体を前記光電変換素子とは反対の面側においてエッチング加工し、レンズを形成する工程とを有する、光電変換装置の製造方法。
- バッファー層を介して前記シリコン基体上に素子基体材料をエピタキシャル成長させる、請求項5に記載した光電変換装置の製造方法。
- 前記シリコン基体に、前記光電変換素子と前記レンズとの位置決め用のアライメントマークを設ける、請求項5に記載した光電変換装置の製造方法。
- 前記光電変換素子としての発光素子アレイ又は受光素子アレイを前記素子基体に設ける、請求項5に記載した光電変換装置の製造方法。
- 光電変換装置と、光導波部と、光電変換素子を駆動する駆動素子とからなり、前記光電変換装置が、
光電変換素子と、前記光電変換素子が設けられた素子基体とを有し、前記光電変換素 子とは反対の面側において、前記素子基体と、シリコンからなるレンズとが接合され、 前記光電変換素子の出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レンズによって光路変更さ れる
ことを特徴とする、光情報処理装置。 - 前記素子基体と、前記シリコンからなる前記レンズとがバッファー層を介して接合され、前記出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レンズによって平行光化又は集光される、請求項9に記載した光情報処理装置。
- 前記光電変換素子の前記出射光又は入射光が、1μm以上の波長を有する、請求項9に記載した光情報処理装置。
- 前記光電変換素子としての発光素子アレイ又は受光素子アレイが前記素子基体に設けられている、請求項9に記載した光情報処理装置。
- 前記レンズと、前記光導波部の光入射部又は光出射部とが共通の光軸上で位置合わせされている、請求項9に記載した光情報処理装置。
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